JPH04353611A

JPH04353611A - 磁気抵抗効果型ヘッド

Info

Publication number: JPH04353611A
Application number: JP12908391A
Authority: JP
Inventors: Masahiro Kitada; 北田　正弘; Noboru Shimizu; 昇清水; Isamu Yuhito; 勇由比藤; Toshio Kobayashi; 俊雄小林; Naoki Koyama; 直樹小山
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1991-05-31
Filing date: 1991-05-31
Publication date: 1992-12-08

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は磁気記録装置に使用され
る磁気ヘッド特に磁気抵抗効果型ヘッドに関する。

【０００２】

【従来の技術】強磁性体の磁気抵抗効果を利用した磁気
抵抗効果型ヘッドにおいては、磁気抵抗膜の磁区あるい
は磁壁に不安定性があると、ヘッドの出力波形に歪が発
生し、ヘッドノイズも著しく高くなる。これを防止する
ため反強磁性体や永久磁石膜を使って磁区や磁壁を制御
する技術が特開昭６２−４０６１０、特開昭５８−０８
０８９４、　特開昭５８−１６７３１２、特開平２−２
２０２１３などに述べられている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】従来の技術においては
、反強磁性体膜を使用した場合にはネール点などの磁気
特性から実用化出来る材料はＦｅＭｎに限られ、ＦｅＭ
ｎは耐食性が低く磁気抵抗効果膜と接触している部分で
の強磁性結合でしか磁気抵抗効果膜の磁区を制御しない
。これに対して永久磁石膜は接触している部分での強磁
性結合と永久磁石膜から漏れる磁界で磁区を制御するこ
とが出来る。従って、永久磁石膜による磁気抵抗効果膜
の磁区制御法は反強磁性体膜によるものより多様性があ
り、磁区制御効果が高い。

【０００４】しかし、従来の技術では図１で示すように
、磁気抵抗効果膜３に絶縁膜６を介して設けられた永久
磁石膜１から漏れる磁界２は２個ある磁極の一つから漏
れる磁界だけが磁気抵抗効果膜３に利用され、もう一方
の磁極から漏れる磁界は利用されず、場合によっては、
磁気抵抗効果膜２に侵入して磁気状態を乱し、磁区制御
効果が低減する。また、空間に漏れた磁界はヘッドに対
向している媒体にも影響して記録減磁を引き起こし、磁
気抵抗効果膜を両側から挾んでいる磁気シールド膜や隣
接する誘導型記録ヘッドのコアに侵入してノイズ発生の
原因になる。従って、永久磁石膜から漏れる磁界を空間
に漏れないようにすることが必要である。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明においては、磁気
抵抗効果膜に近接して形成された永久磁石膜から漏れる
磁界をバイアス用に使用する軟磁性膜や磁気シールド膜
に侵入させて、磁界が磁性体のなかで閉じるようにし、
磁気抵抗効果膜の磁区制御と同時に永久磁石膜からの磁
界の漏れによる悪影響を取り除く。この方法の適用によ
って、新たにバイアス用軟磁性膜や磁気シールド膜の磁
区制御効果も付加され、この効果によるヘッドのノイズ
低減も本発明の特徴である。

【０００６】

【作用】本発明の磁気抵抗効果型素子の基本構造を図２
に例示する。この素子では、磁気抵抗効果膜３に隣接し
た同一基板上に永久磁石膜１が形成されており、シャン
ト膜４を介して軟磁性膜５が設置されている。永久磁石
膜１は磁気抵抗効果膜３の磁化容易軸方向に平行に着磁
されており、永久磁石膜の一方の磁極から漏れる磁界２
は磁気抵抗効果膜３に侵入し、他方の磁極から漏れる磁
界は軟磁性膜に侵入する。従って、図１で示した従来の
素子に比較して、空間に漏れる磁界は実効的になく、媒
体を始めとする他の磁性材料への影響がない。

【０００７】図３は同様な効果を有する他の例で、この
素子では、磁気抵抗効果膜３に隣接した同一基板上に永
久磁石膜１が形成されており、絶縁膜６を介して軟磁性
膜５が設置されている。永久磁石膜１は磁気抵抗効果膜
３の磁化容易軸方向に平行に着磁されており、永久磁石
膜の一方の磁極から漏れる磁界は磁気抵抗効果膜３に侵
入し、他方の磁極から漏れる磁界は軟磁性膜に侵入する
。従って、図２で示した例と同様空間に漏れる磁界は実
効的になく、媒体を始めとする他の磁性材料への影響が
ない。

【０００８】図４は永久磁石膜１の一方の磁極から漏れ
た磁界を磁気シールド膜７に侵入するようにした構造の
磁気ヘッドで、上述の例と同じく空間に漏れる磁界は実
効的になく、媒体を始めとする他の磁性材料への影響が
ない。

【０００９】なお、図２及び図３の構造を有するヘッド
では、バイアス磁界印加のための軟磁性膜５の磁化容易
軸方向にも永久磁石膜１からの磁界が侵入するため、磁
気抵抗効果膜３だけではなく、バイアス磁界印加用軟磁
性膜５の磁区あるいは磁化状態を制御できる。バイアス
膜５は磁気抵抗膜３に常に一定の磁界を印加する必要が
あり、これはにはバイアス磁界印加用軟磁性膜全体の透
磁率を一定にする必要がある。透磁率は軟磁性膜の磁区
が単一であれば常に一定になるが、多磁区であったり、
磁化の分散が大きく不安定な場合には一定にならない。

【００１０】本発明によれば、永久磁石からの磁界によ
り、当該軟磁性膜の磁化も制御できるため、安定なヘッ
ド出力波形が得られる。さらに、磁気シールド膜と記録
用誘導型磁気ヘッドのコアを共用した構造のヘッドにお
いては、コアの磁化状態も制御されるので、記録ヘッド
の特性も一定に制御できる。

【００１１】

【実施例】図２で示した磁気抵抗効果型素子を含むヘッ
ドの実施例を図５に示す。図５中の８および９は磁気シ
ールド膜で、これらの間に磁気抵抗効果素子が形成され
ている。基板材料はジルコニア１０でこの上に磁気シー
ルド膜８としてＮｉ−１９％Ｆｅ膜を約１μｍスパッタ
法で形成し、必要部分だけをリソグラフィ法で残してこ
の上に絶縁膜としてアルミナ膜１１を形成した。磁気シ
ールド膜はＣｏ系アモルファス膜やＦｅ系磁性膜で実施
しても同様であるが、再生特性などは若干異なる。アル
ミナ膜の厚さは所望とする磁気ヘッドの記録周波数によ
って異なるが、本実施例では０．１−０．５μｍである
。この上に厚さ３−４５ｎｍのＮｉ−１９％Ｆｅ膜（磁
歪定数５×１０−７）を磁気抵抗効果膜３として形成し
、素子として必要な部分を残して除去した。この磁気抵
抗効果膜３の両側にＣｏ−２０％Ｐｔ合金膜からなる永
久磁石膜１を蒸着したのち同様の手法で微細加工し、シ
ャント膜４としてＮｂ、軟磁性膜５としてＣｏ−Ｚｒ−
Ｔａ−Ｒｕ系アモルファス合金を形成した。ＣｏＰｔ合
金膜の厚さは３から１００ｎｍである。さらに当該素子
に通電するための電極１２を形成し、再びアルミナおよ
び磁気シールド膜９を付けた。トラック幅は０．５から
１０μｍである。膜厚は下部のアルミナ膜および磁気シ
ールド膜８と同じであるが、ヘッドの使用目的によって
は膜厚が異なってもよい。以上のようにして作成したヘ
ッドを磁気抵抗膜の高さが所望の寸法、例えば１から１
０μｍとなるように機械加工してヘッドとなし、その再
生特性を評価した。評価に用いた記録媒体はＣｏＣｒＴ
ａ系、ＣｏＰｔＣｒ系スパッタ媒体などである。また、
比較として従来技術である永久磁石膜からの漏れ磁界が
軟磁性膜に侵入しにくい図６で示すような、シャント膜
で永久磁石膜が覆われるており、軟磁性膜が磁気抵抗効
果膜より短いヘッドも作成した。その結果、再生出力の
Ｓ／Ｎ比は従来ヘッドの１．５から３．０に改善された
。

【００１２】次に図７で示すように、磁気抵抗効果膜３
の上で部分的に永久磁石膜１と磁気抵抗効果膜４とが重
なる構造のヘッドを作成し、再生出力のＳ／Ｎを測定し
たところ、図５の実施例と同様の高い値が得られた。

【００１３】図８は磁気抵抗効果膜３の下で磁気抵抗効
果膜３と永久磁石膜１が接合するようにした実施例で、
このヘッドのＳ／Ｎも図５および図７の実施例と同様の
高い値が得られた。

【００１４】図９は磁気抵抗効果膜３と永久磁石膜１の
接合構造が同じで、軟磁性膜４と永久磁石膜１の接合構
造の異なる素子をもちいた実施例で、このヘッドのＳ／
Ｎも図５、図７および図８の実施例と同様の高い値が得
られた。

【００１５】図１０は、磁気抵抗効果素子の基本構造を
図３で示した上述の磁気抵抗効果／シャント膜／軟磁性
膜とは異なる磁気抵抗効果膜と軟磁性膜が絶縁膜で分離
されている構造のヘッドの実施例である。磁気抵抗効果
膜、永久磁石膜等は上述の実施例と同様である。このヘ
ッドのＳ／Ｎも図５、図７、図８および図９の実施例と
同様の高い値が得られた。図１１および図１２は永久磁
石膜の形成位置を変えた実施例で、このヘッドのＳ／Ｎ
も図５、図７、図８、図９および図１０の実施例と同様
の高い値が得られた。

【００１６】図１３は図４で示した磁気抵抗効果素子を
用いた実施例ヘッドの構造で、磁気抵抗効果膜３の磁区
制御のために付与した永久磁石膜１の磁極からの漏れ磁
界を磁気シールド膜８，９に導くようにしたもので、こ
のヘッドのＳ／Ｎも図５、図７、図８、図９、図１０お
よび図１１の実施例と同様の高い値が得られた。図１３
で示した実施例では、バイアス用の軟磁性膜はないが、
軟磁性膜が設置されていても、磁気抵抗効果膜の磁化状
態の制御効果は同じである。また、この構造のヘッドで
は、磁気シールド膜の磁区も制御されているので、磁気
シールド効果が増大し、磁区制御した側の再生波形が急
峻かつばらつきが低減する。従って、両側の磁気シール
ド膜の磁区を永久磁石膜で制御したヘッドの実施例では
、再生波形が急峻でかつ左右対称性が向上した。

【００１７】以上の実施例および図面において、同一の
構成には、同一の符号を付した。

【００１８】永久磁石膜を用いて磁気抵抗効果膜の磁区
を制御する場合、磁気抵抗効果膜の磁歪定数の値が問題
になる。すなわち、磁気抵抗効果型ヘッドの出力波形の
歪みの原因となる磁気抵抗効果膜の多磁区化は、磁歪定
数の値によって異なり、磁歪定数が非常に大きい場合に
は永久磁石膜を使っても単磁区化はできない。本発明の
構造を有する磁気抵抗効果型ヘッドで磁気抵抗効果膜の
磁歪定数の影響をＮｉ−Ｆｅ系磁気抵抗効果膜のＮｉ−
１９％Ｆｅ近傍の組成で磁歪定数を＋５×１０−６から
−５×１０−６の範囲で調べたところ、図１４で示すよ
うに磁気抵抗効果型ヘッドの出力波形歪の出現頻度は、
磁歪定数が＋３×１０−６から−３×１０−６では非常
に低いが、この値の範囲を越えると急激に高くなること
が明らかになった。従って、本発明の磁区制御構造を有
する磁気抵抗効果型ヘッドに使用する磁気抵抗効果膜の
磁歪定数は、＋３×１０−６から−３×１０−６の範囲
あるいは少なくとも＋４×１０−６から−４×１０−６
の範囲が望ましい。これは、Ｃｏ−Ｎｉ系およびＮｉ−
Ｆｅ−Ｃｏ系磁気抵抗効果膜についても同様であった。

【００１９】本発明の磁気抵抗効果型ヘッドには、Ｎｉ
−Ｆｅ系等の極薄磁気抵抗効果膜が使われるが、良く知
られているように、磁区構造あるいは磁壁の構造など磁
化状態は、膜厚によって大きく異なる。膜厚が３５ｎｍ
を超えると磁気抵抗効果膜の磁区構造は比較的安定し、
７０から８０ｎｍをこえると再び不安定になる。３５ｎ
ｍ以下では、膜厚の薄くなるほど磁化状態は不安定にな
る。本発明の磁区制御に関する効果が特に著しいのは、
膜厚３５ｎｍ以下の場合である。膜厚の低減は通電によ
る磁気抵抗効果膜の発熱を逃すのに有利になり、この結
果膜厚の低減とともに許容電流値は増大し、ヘッドの出
力は増大する。従って、膜厚は薄いほうが望ましいが、
５ｎｍ以下になると膜の連続性が悪くなり、通常の薄膜
形成法では実用レベルの良質な膜を作ることができない
。したがって、本発明の構造を有する磁気抵抗効果ヘッ
ドでの磁気抵抗効果膜の最適範囲は５ｎｍ以上であり、
特に５から３５ｎｍの範囲で著しい効果が得られるもの
である。バイアス手段としてシャントバイアス法と軟磁
性膜を用いた場合、磁気抵抗効果膜とシャント＋軟磁性
膜とに流す電流の比Ｒ（磁気抵抗効果膜の電流を１とす
る）は０．２から１．３の間であることが望ましい。０
．２以下であると高電気抵抗の金属膜をシャントに用い
ても、軟磁性膜と磁気抵抗効果膜の距離が近づき過ぎて
磁気抵抗効果膜と軟磁性膜を閉磁路とする本発明の構造
が成り立たなくなり、磁気抵抗効果膜と軟磁性膜の磁区
を同時に制御することができなくなる。０．２とした場
合の実施例では、出力波形の抑止効果が十分ではなかっ
た。一方、１．３以上の場合にはシャントバイアスと軟
磁性膜によるバイアス磁界が強くなり過ぎ、磁気抵抗効
果膜の電流が相対的に低下するので、出力が低下する。従って、Ｒは０．２から１．３の間が望ましい。Ｎｉ−
Ｆｅ系磁気抵抗効果膜の比抵抗は１５から３０μΩｃｍ
であり、上述のＲを満足するシャント膜の比抵抗は２０
から８０μΩｃｍ、軟磁性膜の比抵抗は８０から１５０
μΩｃｍが適当な範囲内となる。これらを満足するシャ
ント膜としてＮｂ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｖ、Ｍｏ、Ｗ、Ｈｆお
よびこれらの合金例えばＮｂ−１５％Ｔｉ合金、Ｎｂ−
５Ｒｕ合金などを用い、軟磁性膜としてＣｏＴａＺｒ、
ＣｏＮｂＺｒ等のアモルファス合金、ＣｏＮｉＦｅ系や
センダスト等の結晶性合金膜を用いた実施例では、磁気
抵抗効果膜の電流密度が５×１０６から　３×１０７Ａ
／ｃｍ２で出力波形対称性が５％以下のヘッドが得られ
た。

【００２０】当該磁気抵抗効果型ヘッドの上に絶縁膜と
してＡｌ２Ｏ３をスパッタ法で形成し、この上に誘導型
記録ヘッドを形成した複合型磁気ヘッドで記録・再生特
性を測定した結果、既に述べたように、歪みがなくＳ／
Ｎ比の高い出力がられた。更に磁気抵抗効果型ヘッドの
磁気シールド膜と記録用誘導型ヘッドのコア膜を兼用し
た複合型磁気ヘッドの記録・再生特性を測定した結果、
歪みがなくＳ／Ｎ比の高い出力が得られた。

【００２１】本発明の手法は、磁気抵抗効果膜の磁区制
御だけではなく、シールド膜およびコア膜にも適用でき
る。図１５はシールド膜の両端に永久磁石膜を設置して
シールド膜の磁区を制御したもので、シールド膜の磁区
が安定しているために、シールド膜の突発的な磁壁移動
に伴うようなノイズがなくなり、かつオフトラックノイ
ズの入りかたも一定になる。

【００２２】

【発明の効果】磁気抵抗効果型ヘッドの磁気抵抗効果膜
の磁化状態制御とともに、バイアス磁界印加用軟磁性膜
およびシールド膜等の磁化状態制御が可能になり、永久
磁石膜から漏れる磁界は実効的に媒体方向の空間や永久
磁石からの漏れ磁界の印加が不必要な部分には磁界が侵
入せず、ヘッド全体の磁気的特性が安定になる。この結
果、ヘッドの出力波形のひずみが完全に除去されるとと
もに、他のノイズも著しく低減される。従って、高密度
磁気記録装置用として最適な特性をもつ磁気ヘッドを提
供できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】磁気抵抗効果膜の磁区を永久磁石膜で制御した
従来の磁気抵抗効果型ヘッドの断面図。

【図２】本発明の実施例を示す断面図。

【図３】本発明の実施例を示す断面図。

【図４】本発明の実施例を示す断面図。

【図５】本発明の実施例を示す断面図。

【図６】本発明の実施例を示す部分断面図。

【図７】本発明の実施例を示す断面図。

【図８】本発明の実施例を示す部分断面図。

【図９】本発明の実施例を示す部分断面図。

【図１０】本発明の実施例を示す部分断面図。

【図１１】本発明の実施例を示す断面図。

【図１２】本発明の実施例を示す断面図。

【図１３】本発明の実施例を示す断面図。

【図１４】本発明の実施例を示す断面図。

【図１５】本発明の実施例を示す図。

【符号の説明】

１…永久磁石膜、２…漏れ磁界、３…磁気抵抗効果膜、
４…シャント膜、５……軟磁性膜、６，１１…絶縁膜、
７，８，９…磁気シールド層、１０…基板、１２…電極
。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】磁気抵抗効果を示す強磁性金属薄膜を感磁
膜に用いた磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、磁気抵抗効
果膜に隣接して設置された永久磁石膜から漏れる磁界お
よび磁気抵抗効果膜と永久磁石膜の強磁性結合で磁気抵
抗効果膜の磁区を制御する構造の磁気ヘッドで、永久磁
石膜から漏れる磁界が当該磁気ヘッドを構成する強磁性
体の中で実効的に閉じていることを特徴とする磁気抵抗
効果型ヘッド。
【請求項２】磁気抵抗効果を示す強磁性金属薄膜を感磁
膜に用い、感磁膜の磁化困難軸方向へのバイアス磁界印
加手段として磁気抵抗効果膜に隣接したシャント膜およ
び軟磁性膜を用いた磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、こ
れらの膜に隣接して設置された永久磁石膜から漏れる磁
界が感磁膜および軟磁性膜の磁化容易軸方向に同時に、
かつ一つの閉磁路を形成するようになっており、この磁
界によって感磁膜および軟磁性膜の磁区を制御すること
を特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。
【請求項３】磁気抵抗効果を示す強磁性金属薄膜を感磁
膜に用い、感磁膜の磁化困難軸方向へのバイアス磁界印
加手段として磁気抵抗効果膜に隣接したシャント膜およ
び軟磁性膜を用いた磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、こ
れらの膜に隣接して設置された永久磁石膜から漏れる磁
界が感磁膜および軟磁性膜の磁化容易軸方向に同時に、
かつ一つの閉磁路を形成するようになっており、さらに
感磁膜および軟磁性膜と永久磁石膜の一部がそれぞれ接
しており、永久磁石膜からもれる磁界ならびに感磁膜お
よび軟磁性膜と永久磁石膜との強磁性結合効果によって
よって感磁膜および軟磁性膜の磁区を制御することを特
徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。
【請求項４】磁気抵抗効果を示す強磁性金属薄膜を感磁
膜に用い、感磁膜の磁化困難軸方向へのバイアス磁界印
加手段として磁気抵抗効果膜に非磁性絶縁膜を介して隣
接した軟磁性膜を用いた磁気抵抗効果型ヘッドにおいて
、これらの膜に隣接して設置された永久磁石膜から漏れ
る磁界が感磁膜および軟磁性膜の磁化容易軸方向に同時
に、かつ一つの閉磁路を形成するようになっており、こ
の磁界によって感磁膜および軟磁性膜の磁区を制御する
ことを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。
【請求項５】磁気抵抗効果を示す強磁性金属薄膜を感磁
膜に用い、感磁膜の磁化困難軸方向へのバイアス磁界印
加手段として磁気抵抗効果膜に非磁性絶縁膜を介して隣
接した軟磁性膜を用いた磁気抵抗効果型ヘッドにおいて
、これらの膜に隣接して設置された永久磁石膜から漏れ
る磁界が感磁膜および軟磁性膜の磁化容易軸方向に同時
に、かつ一つの閉磁路を形成するようになっており、さ
らに感磁膜および軟磁性膜と永久磁石膜の一部がそれぞ
れ接しており、永久磁石膜からもれる磁界ならびに感磁
膜および軟磁性膜と永久磁石膜との強磁性結合効果によ
ってよって感磁膜および軟磁性膜の磁区を制御すること
を特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。
【請求項６】請求項１〜５のうちいずれかにおいて、磁
気抵抗効果膜がＮｉ−Ｆｅ合金膜からなり、その磁歪定
数が＋３×１０−６から−３×１０−６の範囲にあるこ
とを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。
【請求項７】請求項１〜５のうちいずれかにおいて、磁
気抵抗効果膜がＮｉ−Ｆｅ合金膜からなり、その膜厚が
５から３５ｎｍの範囲にあることを特徴とする磁気抵抗
効果型ヘッド。
【請求項８】請求項２または３において、磁気抵抗効果
膜に隣接するシャント膜がＮｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔｉ
、Ｖ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｃｒおよびその合金膜からなり、磁
気抵抗効果膜に流れる電流に対してシャント膜の電流が
０．２〜１．３の範囲にあることを特徴とする磁気抵抗
効果型ヘッド。
【請求項９】請求項２または３において、軟磁性膜の電
気抵抗が８０から１５０μΩｃｍであり、当該ヘッドに
通電したときの磁気抵抗効果膜との分流値が１：３以下
であることを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。
【請求項１０】請求項２〜５のうちいずれかにおいて、
軟磁性膜がＣｏ系のアモルファス合金膜からなることを
特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。
【請求項１１】請求項２〜５のうちいずれかにおいて、
軟磁性膜がＦｅ−Ｃｏ−Ｎｉ系の磁気抵抗効果を実効的
に示さない合金膜からなることを特徴とする磁気抵抗効
果型ヘッド。
【請求項１２】請求項３において、基板上に所望とする
形状を有する永久磁石膜が形成されており、この上に磁
気抵抗効果膜が形成され、磁気抵抗効果膜の上に磁気抵
抗効果膜と軟磁性膜が接触しないようにシャント膜が形
成され、シャント膜上の軟磁性膜と永久磁石膜が接して
いないことを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。
【請求項１３】請求項３において、基板上に所望とする
形状を有する永久磁石膜が形成されており、この上に磁
気抵抗効果膜が形成され、磁気抵抗効果膜の上に磁気抵
抗効果膜と軟磁性膜が接触しないようにシャント膜が形
成され、シャント膜上の軟磁性膜と永久磁石膜が接して
いることを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。
【請求項１４】請求項３において、磁気抵抗効果膜上に
永久磁石膜が形成されており、永久磁石膜と軟磁性膜が
接していることを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。
【請求項１５】請求項３において、磁気抵抗効果膜上に
永久磁石膜が形成されており、永久磁石膜と軟磁性膜が
接していないことを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。
【請求項１６】請求項２において、基板上に形成された
永久磁石膜と軟磁性膜が接触していないことを特徴とす
る磁気抵抗効果型ヘッド。
【請求項１７】請求項２において、基板上に形成された
永久磁石膜と軟磁性膜が接触していることを特徴とする
磁気抵抗効果型ヘッド。
【請求項１８】請求項４において、基板上に形成された
永久磁石膜と軟磁性膜が接触していないことを特徴とす
る磁気抵抗効果型ヘッド。
【請求項１９】請求項４において、基板上に形成された
永久磁石膜と軟磁性膜が接触していることを特徴とする
磁気抵抗効果型ヘッド。
【請求項２０】請求項５において、基板上に永久磁石膜
が形成されており、永久磁石膜と軟磁性膜あるいは磁気
抵抗効果膜のいずれかが接触していることを特徴とする
磁気抵抗効果型ヘッド。
【請求項２１】請求項５において、基板上に形成された
永久磁石膜と軟磁性膜が接触していないことを特徴とす
る磁気抵抗効果型ヘッド。
【請求項２２】請求項５において、基板上に形成された
永久磁石膜と軟磁性膜が接触していることを特徴とする
磁気抵抗効果型ヘッド。
【請求項２３】請求項１から５のうちいずれかにおいて
、磁気抵抗素子が軟磁性体からなる磁気シールド膜には
さまれていることを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。
【請求項２４】請求項２３において、永久磁石膜から漏
れる磁界が磁気抵抗素子と磁気シールド膜の間で閉じる
ていることを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。
【請求項２５】請求項２３または２４において、永久磁
石膜から漏れる磁界が磁気抵抗素子と一方の磁気シール
ド膜の間で閉じるていることを特徴とする磁気抵抗効果
型ヘッド。
【請求項２６】請求項２３から２５のうちいずれかにお
いて、永久磁石膜と磁気シールド膜が接触していないこ
とを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。
【請求項２７】請求項２３から２５のうちいずれかにお
いて、永久磁石膜と磁気シールド膜が接触していること
を特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。
【請求項２８】請求項１から２７のうちいずれかの当該
磁気抵抗効果型ヘッドの上に絶縁膜を介して誘導型記録
ヘッドが設置されていることを特徴とする磁気抵抗効果
型ヘッド。
【請求項２９】請求項１から２７のうちいずれかの当該
磁気抵抗効果型ヘッドの磁気シールド膜が誘導型記録ヘ
ッドのコアを兼ねていることを特徴とする磁気抵抗効果
型ヘッド。
【請求項３０】請求項１から２９のうちいずれかの当該
磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、磁気シールド膜が永久
磁石膜から漏れる磁界で磁区制御されており、漏れ磁界
がシールド膜で閉じていることを特徴とする磁気抵抗効
果型ヘッド。