JPH04176005A - Mig型磁気ヘッド - Google Patents

Mig型磁気ヘッド

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JPH04176005A
JPH04176005A JP30304090A JP30304090A JPH04176005A JP H04176005 A JPH04176005 A JP H04176005A JP 30304090 A JP30304090 A JP 30304090A JP 30304090 A JP30304090 A JP 30304090A JP H04176005 A JPH04176005 A JP H04176005A
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Japan
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ferrite core
chromium
ferromagnetic metal
gap
layer
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JP30304090A
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Hiroki Yamada
太起 山田
Yoshito Kobayashi
小林 善人
Masayuki Arakawa
荒川 雅行
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TDK Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、抗磁力Heの高い磁気記録媒体の記録再生や
消去に使用可能なMIG型磁気ヘッドに関する。
(発明の概要) 本発明は、抗磁力Heの高い磁気記録媒体の記録再生や
消去に使用可能なMIG型磁気ヘッドにおいて、フェラ
イトコアのギャップ端に設ける強磁性金属薄膜と当該フ
ェライトコアとの強固な付着力を得るとともに、強磁性
金属薄膜とフェライトコアの界面に起因する副パルスの
影響を極力抑制するようにしたものである。
(従来の技術) 近年、磁気記録の高密度化に伴う磁気記録媒体の高He
化に対応するため、磁気ヘッドにおいて、磁気回路材料
に高飽和磁化の材料を用いることが重要となっている。
その中でもM I G(Metal in[;ap)型
磁気ヘッドは、従来のフェライトヘッドの磁気ギャップ
にスパッタ法等によりセンダスト(Fe−Si−AI)
、パーマロイ等の高飽和磁化の強磁性金属薄膜を形成す
ることにより、容易に高い記録再生能力を有する高He
媒体対応の磁気ヘッドが得られる。
(発明が解決しようとする課題) しかし、このMIG型磁気ヘッドの大きな問題点として
、フェライトコアと強磁性金属薄膜の熱膨張率の違いに
起因して強磁性金属薄膜のフェライトコアに対する付着
性が悪いこと、また、強磁性金属薄膜とフェライトコア
の界面に非磁性酸化膜からなる第2の磁気ギャップが形
成され、副パルスの原因となることが挙げられる。
なお、M I Gff!ffへッドの1例として特開昭
63−53706号が挙げられるが、ここで開示されて
いるものは、第2の磁気ギャップによる副パルスを積極
的に利用するものであり、副パルスの抑制を目的とする
ものではなかった。
本発明は、上記の点に鑑み、フェライトコアと強磁性金
属薄膜の付着力を十分大きくするとともにフェライトコ
アと強磁性金属薄膜の界面に起因する副パルスを極力抑
制可能にしたMIG型磁気ヘッドを提供することを目的
とする。
(課題を解決するための手段) 上記目的を達成するために、本発明は、ギャップを有す
る磁気回路をフェライトコアで構成し、前記フェライト
コアのギャップ端に強磁性金属薄膜を形成したMIG型
磁気ヘッドにおいて、前記フェライトコアのギャップ端
側の表面層が50乃至200人のクロム、クロム合金又
はクロム酸化物の浸潤層となった構成としている。
〈作用) 本発明のMIG型磁気ヘッドにおいては、フェライトコ
アのギャップ端側の表面層が50〜200人のクロム、
クロム合金又はクロム酸化物の浸潤層となっているため
、その浸潤層の存在によりフェライトコア表面に対する
該浸潤層と同材質のクロム、クロム合金又はクロム酸化
物膜の接着力を強力にすることができ、さらにクロム、
クロム合金又はクロム酸化物膜とセンダスト、パーマロ
イ等の高飽和磁化強磁性金属薄膜間は熱膨張係数が近い
ので付着力を十分強力なものとすることができる。また
、50〜200人の浸潤層の範囲であれば副パルスの発
生を強力に抑制することができる。すなわち、浸潤層で
あるため完全な非磁性とはならず、換言すれば完全な非
磁性ギャップとはならず、従って副パルスの発生が殆ど
なく、パルス記録再生時のパルス幅も広がらず時間遅れ
も生じない。
なお、浸潤層が50人よりも小さいと浸潤層と同材質の
膜の接着力が急激に低下し、200人よりも大きくなる
と副パルスの発生が無視できなくなることが判明した。
(実施例) 以下、本発明に係るMIG型磁気ヘッドの実施例を図面
に従って説明する。
第1図において、1はギャップを有する磁気回路の大部
分を構成するフェライトコアであり、該フェライトコア
の一方のギャップ端側には例えばクロム(Cr)をスパ
ッタ法等で付着させた後熱処理してフェライトコア側に
浸潤せしめることによりクロムの浸潤層2Aが得られる
。該浸潤層2Aの厚さTは50〜200人の範囲内に設
定される。
浸潤層2人の表面には浸潤しないで残ったごく薄いクロ
ムM2が存在し、その上にセンダスト、パーマロイ等の
高飽和磁化の強磁性金属薄膜3が形成される。4は金属
薄gA3とフェライトコア1との間に非磁性ギャップ(
磁気ギャップ)を構成するためのガラスである。
なお、浸潤層2Aは前記非磁性ギャップとなるガラス4
を流し込む際、又はガラス流し込みの前に400℃以上
の加熱を長めに実行することにより、簡単に得られるこ
とが判明した。
次に、上記実施例の効果をパルス信号再生時の副パルス
の大きさで説明する。第2図は浸潤層の厚みが30人、
第3図は50人、第4図は200人、第5図は250人
の場合の信号再生波形である。また、第6図は浸潤層の
ない従来の場合である。従来の第6図では副パルスの大
きさが主パルスの大きさの20%ぐらい出ているが、3
0人〜200人の範囲の第2図乃至第4図では副パルス
の大きさが3%以下である。また、250人の場合の第
5図では副パルスが少し大きく、5%程度に増えている
。これは、浸潤層の厚みそのものの増大により、浸潤層
及び浸潤しないで残ったクロム薄膜自身が非磁性ギ鼾ツ
ブになってしまったことによると思われる。従って、浸
潤層の厚みがもっと増えると副パルスの大きさはさらに
増大していく。これらの副パルスの大きさ及びフェライ
トコアに対する付着力を考慮すると、浸潤層の厚さは実
施例で述べた50〜200人の範囲が最適であるといえ
る。
なお、上記実施例ではクロムの浸潤層を例にとって説明
したが、クロム合金、クロム酸化物の浸潤層を形成する
ようにしても差し支えない。
また、非磁性ギャップをはさんで両側に強磁性金属薄膜
を形成する場合には、フェライトコアの両ギャップ端に
浸潤層を設ければよい。
(発明の効果) 以上説明したように、本発明のMIG型磁気ヘッドによ
れば、フェライトコアに対する強磁性金属薄膜の付着力
を十分強力なものとすることができるとともに、フェラ
イトコアと強磁性金属薄膜間の界面に起因する副パルス
の発生を極力抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明に係るMIG型磁気ヘッドの実施例を示
す断面図、第2図は浸潤層が30人のときのパルス信号
再生波形を示す波形図、第3図は50人のときのパルス
信号再生波形を示す波形図、第4図は200人のときの
パルス信号再生波形を示す波形図、第5図は250人の
ときの信号再生波形を示す波形図、第6図は従来の場合
の信号再生波形を示す波形図である。 1 ・フェライトコア、2A・浸潤層、2 クロム膜、
3・・強磁性金属薄膜、4 カラス。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)ギャップを有する磁気回路をフェライトコアで構
    成し、前記フェライトコアのギャップ端に強磁性金属薄
    膜を形成したMIG型磁気ヘッドにおいて、前記フェラ
    イトコアのギャップ端側の表面層が50乃至200Åの
    クロム、クロム合金又はクロム酸化物の浸潤層となって
    いることを特徴とするMIG型磁気ヘッド。
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