JPH0395712A - 磁気ヘッド - Google Patents
磁気ヘッドInfo
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- JPH0395712A JPH0395712A JP23358589A JP23358589A JPH0395712A JP H0395712 A JPH0395712 A JP H0395712A JP 23358589 A JP23358589 A JP 23358589A JP 23358589 A JP23358589 A JP 23358589A JP H0395712 A JPH0395712 A JP H0395712A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野〕
本発明は、フエライトからなる磁気コアの磁気ギャップ
を形或する衝き合わせ面に、FeAl−Si合金膜を設
けた磁気へ冫ドに関するものである。この磁気ヘノドは
、高保磁力の磁気記録媒体に対する記録・再生に適して
いる。
を形或する衝き合わせ面に、FeAl−Si合金膜を設
けた磁気へ冫ドに関するものである。この磁気ヘノドは
、高保磁力の磁気記録媒体に対する記録・再生に適して
いる。
[従来の技術]
フエライト磁気コアの磁気ギャンプを形或ずる衝き合わ
せ面に飽和磁束密度が大きい強磁性金属膜を介在させた
磁気ヘッドはMIG (メタル・イン・ギャンブ)ヘッ
ドと呼ばれ、既に実用化されている。
せ面に飽和磁束密度が大きい強磁性金属膜を介在させた
磁気ヘッドはMIG (メタル・イン・ギャンブ)ヘッ
ドと呼ばれ、既に実用化されている。
従来のMTGヘッドの一例と、その磁気ギャップ近傍の
拡大図を第4図及び第5図に示す。
拡大図を第4図及び第5図に示す。
磁気ヘッドは、フエライトからなる2個の磁気コア10
.12の磁気ギャップを形成する衝き合わせ面の少なく
とも一方にFeAl−Si合金(一般にセンダストと呼
ばれる)膜14をスパッタリングあるいは蒸着等により
形成し、高融点のギャンプガラス16により所定の磁気
ギャップとなるように組み合わせ、低融点のボンディン
グガラス18により接合した構造をなしている。ここで
符号Sで示す面が磁気記録媒体との対向面となる。
.12の磁気ギャップを形成する衝き合わせ面の少なく
とも一方にFeAl−Si合金(一般にセンダストと呼
ばれる)膜14をスパッタリングあるいは蒸着等により
形成し、高融点のギャンプガラス16により所定の磁気
ギャップとなるように組み合わせ、低融点のボンディン
グガラス18により接合した構造をなしている。ここで
符号Sで示す面が磁気記録媒体との対向面となる。
このようなMIGヘッドは、Fe−Al−Si合金膜の
飽和磁束密度が大きいため磁気ギャンプ部に磁束が集中
し、記録磁界が大きく且つ急峻となる。このため高保磁
力の磁気記録媒体に対する記録・再生に適しており、高
密度記録が可能となる利点がある. [発明が解決しようとする課題] ところが第5図に示すような従来のギャップ構造の磁気
ヘッドでは、得られる孤立再生波形は第6図に示すよう
なものとなる。つまり本来の信号(符号aで示す)の他
に、かなり大きな余分の出力(符号bで示す)が発生す
る。
飽和磁束密度が大きいため磁気ギャンプ部に磁束が集中
し、記録磁界が大きく且つ急峻となる。このため高保磁
力の磁気記録媒体に対する記録・再生に適しており、高
密度記録が可能となる利点がある. [発明が解決しようとする課題] ところが第5図に示すような従来のギャップ構造の磁気
ヘッドでは、得られる孤立再生波形は第6図に示すよう
なものとなる。つまり本来の信号(符号aで示す)の他
に、かなり大きな余分の出力(符号bで示す)が発生す
る。
このような余分の出力が発生する理由は、フエライト磁
気コアとF e − A I − S i合金膜との界
面近傍において、Fe−Al−Si合金中のAlやSi
がフエライト側に移動し、フエライト中のO(酸素)が
Fe−Al−Si合金側に移動して酸化反応をおこし、
それによってかなり厚い磁気劣化層20(第5図参照)
が形成され、それが擬似ギャップになるためと考えられ
る. ところでフエライト基板上に単にFe−Al−Si合金
膜をスパッタリング法あるいは蒸着法により形或しただ
けでは、このような磁気劣化層の発生は殆ど見られない
。しかし磁気ヘッドを構戒する場合、前述のように2個
の磁気コア10.12をポンディングガラスl8により
接合する工程が必要である.ボンディングガラスの作業
温度は500〜800℃程度である。
気コアとF e − A I − S i合金膜との界
面近傍において、Fe−Al−Si合金中のAlやSi
がフエライト側に移動し、フエライト中のO(酸素)が
Fe−Al−Si合金側に移動して酸化反応をおこし、
それによってかなり厚い磁気劣化層20(第5図参照)
が形成され、それが擬似ギャップになるためと考えられ
る. ところでフエライト基板上に単にFe−Al−Si合金
膜をスパッタリング法あるいは蒸着法により形或しただ
けでは、このような磁気劣化層の発生は殆ど見られない
。しかし磁気ヘッドを構戒する場合、前述のように2個
の磁気コア10.12をポンディングガラスl8により
接合する工程が必要である.ボンディングガラスの作業
温度は500〜800℃程度である。
このガラスボンディング作業によって、前記のようなフ
エライトとFe−Al−Si合金との界面反応が発生し
て磁気劣化層20ができ、それが擬似ギャップとなって
余分な出力(擬似ギャップ出力〉 bの発生をもたらす
のである。オ一ジエ分析によると、その磁気劣化層20
の厚さは約500人程度になることが分かった。ガラス
ボンディングの作業温度を下げ、且つ作業時間を短縮す
ることによって界面反応を低減することができるが、磁
気コア同士を強固に接合するためには、それらの条件に
も自ずから限度がある。
エライトとFe−Al−Si合金との界面反応が発生し
て磁気劣化層20ができ、それが擬似ギャップとなって
余分な出力(擬似ギャップ出力〉 bの発生をもたらす
のである。オ一ジエ分析によると、その磁気劣化層20
の厚さは約500人程度になることが分かった。ガラス
ボンディングの作業温度を下げ、且つ作業時間を短縮す
ることによって界面反応を低減することができるが、磁
気コア同士を強固に接合するためには、それらの条件に
も自ずから限度がある。
このようなことから、従来のMIGヘッドにおいて擬似
ギャップ出力の発生を防止することは困難であった。
ギャップ出力の発生を防止することは困難であった。
本発明の目的は、上記のような従来技術の欠点を解消し
、擬似ギャップの発生を防止して擬似ギャップ出力が殆
どない!195 Hな孤立再生波形を得ることができる
MIG構造の磁気ヘッドを提供することにある。
、擬似ギャップの発生を防止して擬似ギャップ出力が殆
どない!195 Hな孤立再生波形を得ることができる
MIG構造の磁気ヘッドを提供することにある。
[課題を解決するための手段]
上記のような技術的課題を解決できる本発明は、フエラ
イトからなる磁気コアの磁気ギャノブを形成する衝き合
わせ面に、特定の材料からなる下地層を形成し、その上
にFe−AlSi合金膜を設けた磁気ヘフドである。
イトからなる磁気コアの磁気ギャノブを形成する衝き合
わせ面に、特定の材料からなる下地層を形成し、その上
にFe−AlSi合金膜を設けた磁気ヘフドである。
下地層の一例としてはC(炭素)の単層膜がある。更に
好ましい構成は、C膜とFeの二層膜またはC膜とFe
−Si膜の二層膜を用いることである。
好ましい構成は、C膜とFeの二層膜またはC膜とFe
−Si膜の二層膜を用いることである。
ここでC膜は50人程度、Fe膜またはFe−Si膜は
500 〜1000人程度、Fe一Al−Si合金膜は
1〜4μm程度の膜厚とする。CIl!、Fe膜、Fe
−Si膜はスパッタリング等により形成する. [作用〕 フエライト界面に形成したC膜は酸化反応を防止する機
能を果たす。つまりフエライト磁気コ7トF e−A
I−S i合金膜との間にC膜があると、ガラスポンデ
ィングによる熱処理工程において、Fe−Al−Si合
金中のAlのフエライト側への移動、フエライト中のO
(酸素)のFa−Al−Si合金側への移動を阻止する
.このため界面での酸化反応が抑制され磁気劣化層の形
成を防止できる. 特にFe膜とC膜またはF e−S i IIaとC膜
を用いると更に顕著な効果が生じ、yJ似ギャ,プ出力
はほとんど無くなる。この時Fe膜またはFe−Si膜
は、Fe−Al−Si合金膜の配同性向上に寄与する。
500 〜1000人程度、Fe一Al−Si合金膜は
1〜4μm程度の膜厚とする。CIl!、Fe膜、Fe
−Si膜はスパッタリング等により形成する. [作用〕 フエライト界面に形成したC膜は酸化反応を防止する機
能を果たす。つまりフエライト磁気コ7トF e−A
I−S i合金膜との間にC膜があると、ガラスポンデ
ィングによる熱処理工程において、Fe−Al−Si合
金中のAlのフエライト側への移動、フエライト中のO
(酸素)のFa−Al−Si合金側への移動を阻止する
.このため界面での酸化反応が抑制され磁気劣化層の形
成を防止できる. 特にFe膜とC膜またはF e−S i IIaとC膜
を用いると更に顕著な効果が生じ、yJ似ギャ,プ出力
はほとんど無くなる。この時Fe膜またはFe−Si膜
は、Fe−Al−Si合金膜の配同性向上に寄与する。
[実施例]
第1図は本発明に係る磁気ヘッドの一実施例のギャップ
部近傍の拡大説明図である.この磁気ヘッドも、基本的
には第4図に示した従来技術と同様、フエライトからな
る磁気コア10.12の磁気ギャップを形成する衝き合
わせ面にFe−Al−Si合金II!14を設けた構戒
である。磁気コアlOとFe−Al−S+合金膜l4と
のギャップ部分には高融点のギャンブガラスl6が位置
してギャップ長を規定し、低融点のボンディングガラス
18により二個の磁気コア10.12が接合される。
部近傍の拡大説明図である.この磁気ヘッドも、基本的
には第4図に示した従来技術と同様、フエライトからな
る磁気コア10.12の磁気ギャップを形成する衝き合
わせ面にFe−Al−Si合金II!14を設けた構戒
である。磁気コアlOとFe−Al−S+合金膜l4と
のギャップ部分には高融点のギャンブガラスl6が位置
してギャップ長を規定し、低融点のボンディングガラス
18により二個の磁気コア10.12が接合される。
さて本発明が従来技術と顕著に相違する点は、フエライ
ト磁気コア12とFe−Al−Si合金膜l4との間に
特定の材料からなる下地層を形成した点である。この実
施例ではC膜22を下地層として用いている。C膜22
はフエライト磁気コアl2の上に50人程度の厚さでス
パッタリング法により形成する。そして、その上にFe
−Al−Si合金膜14を1〜4μm程度の厚さとなる
ように、同じくスパッタリング法により形成する.勿論
、スパッタリング法に代えて蒸着法を用いてもよい. 第2図は本発明の他の実施例を示している.ここでは下
地層として、C膜22の他にFe膜またはFe−Si膜
24を重ねて用いている。
ト磁気コア12とFe−Al−Si合金膜l4との間に
特定の材料からなる下地層を形成した点である。この実
施例ではC膜22を下地層として用いている。C膜22
はフエライト磁気コアl2の上に50人程度の厚さでス
パッタリング法により形成する。そして、その上にFe
−Al−Si合金膜14を1〜4μm程度の厚さとなる
ように、同じくスパッタリング法により形成する.勿論
、スパッタリング法に代えて蒸着法を用いてもよい. 第2図は本発明の他の実施例を示している.ここでは下
地層として、C膜22の他にFe膜またはFe−Si膜
24を重ねて用いている。
この場合、C膜22がフエライト側、Fe膜またはFe
−Si膜24がFe−Al−Si合金膜14側になるよ
うにする。C膜22の膜厚は前記実施例と同じ<50人
程度とし、Fe膜又はFe−S+膜24の膜厚は500
〜1000人程度とする.これらはスパッタリング法に
まり形成できる. 試作した試料の下地層の構戒並びに膜の軟磁気特性、磁
気へンドの特性とオージェ分析による界面反応層の測定
結果を第1表に示す.第1表 第1表において、ヘッド特性を測定した時の各試料のF
e−Al−Si合金の膜厚は2μmである。EAは容易
軸方向の保磁力を表し、HAは困難軸方向の保磁力を表
している。下地層としてC膜を用いることにより擬似ギ
ャップ出力が非常に小さくなることが分かる。特にC膜
とFe膜またはFe−Si膜を併用すると擬似ギャップ
出力は著しく低下し、且つ実効透磁率が高くなり特性が
向上する. また第1表においてオージェ分析による界面反応層を測
定したときの各試料のFe−AlS+合金膜の膜厚は1
000人である。この値はオージェ分析を行うことがで
きるような膜厚とするために設定されたものである。こ
の結果からも、C膜を設けると界面反応層が薄くなり、
特にFe膜またはFe−Si膜を併用すると界面反応層
はより一層薄くなることが分かる。このことは擬似ギャ
ップ出力が極めて小さくなることに対応している. このように下地層としてC膜を用いるとFe−Al−S
i合金の酸化を防止でき、擬似ギャップ出力が低減する
。本発明の磁気ヘッドにより得られる孤立再生波形を第
3図に示す。前記第1表からも判るように、従来技術で
生していた余分な出力(擬似ギャップ出力)は極めて小
さくなり、C膜とFe膜あるいはC膜とFe−SL膜を
組み合わせた場合には、下地層を用いない場合の1/1
0以下に低減する.また比較例として示したように、下
地層としてFe膜を単独で用いた場合、あるいはFe−
Si膜を単独で用いた場合にも若干擬似出力は下がるが
、C膜を用いた本発明とは大きく異なる.それは下地層
としてNi−Fenを用いた場合と比べても同様である
。
−Si膜24がFe−Al−Si合金膜14側になるよ
うにする。C膜22の膜厚は前記実施例と同じ<50人
程度とし、Fe膜又はFe−S+膜24の膜厚は500
〜1000人程度とする.これらはスパッタリング法に
まり形成できる. 試作した試料の下地層の構戒並びに膜の軟磁気特性、磁
気へンドの特性とオージェ分析による界面反応層の測定
結果を第1表に示す.第1表 第1表において、ヘッド特性を測定した時の各試料のF
e−Al−Si合金の膜厚は2μmである。EAは容易
軸方向の保磁力を表し、HAは困難軸方向の保磁力を表
している。下地層としてC膜を用いることにより擬似ギ
ャップ出力が非常に小さくなることが分かる。特にC膜
とFe膜またはFe−Si膜を併用すると擬似ギャップ
出力は著しく低下し、且つ実効透磁率が高くなり特性が
向上する. また第1表においてオージェ分析による界面反応層を測
定したときの各試料のFe−AlS+合金膜の膜厚は1
000人である。この値はオージェ分析を行うことがで
きるような膜厚とするために設定されたものである。こ
の結果からも、C膜を設けると界面反応層が薄くなり、
特にFe膜またはFe−Si膜を併用すると界面反応層
はより一層薄くなることが分かる。このことは擬似ギャ
ップ出力が極めて小さくなることに対応している. このように下地層としてC膜を用いるとFe−Al−S
i合金の酸化を防止でき、擬似ギャップ出力が低減する
。本発明の磁気ヘッドにより得られる孤立再生波形を第
3図に示す。前記第1表からも判るように、従来技術で
生していた余分な出力(擬似ギャップ出力)は極めて小
さくなり、C膜とFe膜あるいはC膜とFe−SL膜を
組み合わせた場合には、下地層を用いない場合の1/1
0以下に低減する.また比較例として示したように、下
地層としてFe膜を単独で用いた場合、あるいはFe−
Si膜を単独で用いた場合にも若干擬似出力は下がるが
、C膜を用いた本発明とは大きく異なる.それは下地層
としてNi−Fenを用いた場合と比べても同様である
。
以上、本発明の好ましい実施例について詳述したが、本
発明はこのような構或のみに限定されるものではない.
Fe−Al−S+合金膜を磁気コアIO側に形或する場
合には、その間に下地層を形成する.勿論、磁気コア1
0側及び磁気コア12側の両方に下地層及びFe−Al
S+合金膜を形成してもよい. [発明の効果] 本発明は上記のように、フエライト磁気コアとFe−A
l−Si合金膜との間にC膜からなる下地層を形成した
磁気へッドであるから、これによってF e − A
I − S i合金中のAlのフエライト側への移動及
びフエライト中の酸素のFe−Al−Si合金側への移
動を阻止でき、A1やSiの酸化を防止できる.従って
従来技術のような厚い磁気劣化層は形成されず、擬似ギ
ャップによる余分な出力の発生を低減できる。
発明はこのような構或のみに限定されるものではない.
Fe−Al−S+合金膜を磁気コアIO側に形或する場
合には、その間に下地層を形成する.勿論、磁気コア1
0側及び磁気コア12側の両方に下地層及びFe−Al
S+合金膜を形成してもよい. [発明の効果] 本発明は上記のように、フエライト磁気コアとFe−A
l−Si合金膜との間にC膜からなる下地層を形成した
磁気へッドであるから、これによってF e − A
I − S i合金中のAlのフエライト側への移動及
びフエライト中の酸素のFe−Al−Si合金側への移
動を阻止でき、A1やSiの酸化を防止できる.従って
従来技術のような厚い磁気劣化層は形成されず、擬似ギ
ャップによる余分な出力の発生を低減できる。
特にCMに加えてFe膜またはF e − S i r
Pj!を設けると、擬似ギャップ出力が更に低減し殆ど
無くすることができるばかりでなく、実効透磁率などヘ
ッド特性も向上する。
Pj!を設けると、擬似ギャップ出力が更に低減し殆ど
無くすることができるばかりでなく、実効透磁率などヘ
ッド特性も向上する。
第1図は本発明に係る磁気ヘッドの一実施例のギャップ
部分の拡大説明図、第2図は本発明の他の実施例のギャ
ンブ部分の拡大説明図、第3図は本発明により得られる
孤立再生波形図である.第4図はMIGヘッドの全体構
或図、第5図は従来の磁気ヘッドのヘッドギャ,プ部分
の拡大説明図、第6図はそれにより得られる孤立再生波
形図である。 10.12−・・磁気コア、1 4 − F e −
A ISi合金膜、16・・・ギャップガラス、18・
・・ボンディングガラス、2o・・・磁気劣化層、22
・・・C膜、2 4 ・= F e膜またはFe−Si
膜。 第1図 第2図 274 第4図 第3図 第6図 !IS 間 #P 問
部分の拡大説明図、第2図は本発明の他の実施例のギャ
ンブ部分の拡大説明図、第3図は本発明により得られる
孤立再生波形図である.第4図はMIGヘッドの全体構
或図、第5図は従来の磁気ヘッドのヘッドギャ,プ部分
の拡大説明図、第6図はそれにより得られる孤立再生波
形図である。 10.12−・・磁気コア、1 4 − F e −
A ISi合金膜、16・・・ギャップガラス、18・
・・ボンディングガラス、2o・・・磁気劣化層、22
・・・C膜、2 4 ・= F e膜またはFe−Si
膜。 第1図 第2図 274 第4図 第3図 第6図 !IS 間 #P 問
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、フェライトからなる磁気コアの磁気ギャップを形成
する衝き合わせ面にFe−Al− Si合金膜を設けた磁気ヘッドにおいて、 Fe−Al−Si合金膜の下地層としてC膜を形成した
ことを特徴とする磁気ヘッド。 2、フェライトからなる磁気コアの磁気ギャップを形成
する衝き合わせ面にFe−Al− Si合金膜を設けた磁気ヘッドにおいて、 Fe−Al−Si合金膜の下地層として、C膜とFe膜
との二重膜を形成したことを特徴とする磁気ヘッド。 3、フェライトからなる磁気コアの磁気ギャップを形成
する衝き合わせ面にFe−Al− Si合金膜を設けた磁気ヘッドにおいて、 Fe−Al−Si合金膜の下地層として、C膜とFe−
Si膜との二重膜を形成したことを特徴とする磁気ヘッ
ド。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1233585A JP2818447B2 (ja) | 1989-09-07 | 1989-09-07 | 磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1233585A JP2818447B2 (ja) | 1989-09-07 | 1989-09-07 | 磁気ヘッド |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0395712A true JPH0395712A (ja) | 1991-04-22 |
JP2818447B2 JP2818447B2 (ja) | 1998-10-30 |
Family
ID=16957378
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1233585A Expired - Lifetime JP2818447B2 (ja) | 1989-09-07 | 1989-09-07 | 磁気ヘッド |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2818447B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03209608A (ja) * | 1990-01-11 | 1991-09-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気ヘッド |
KR20160002008U (ko) * | 2014-12-03 | 2016-06-13 | 배종찬 | 선반의 가격표 부착기구 |
-
1989
- 1989-09-07 JP JP1233585A patent/JP2818447B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03209608A (ja) * | 1990-01-11 | 1991-09-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気ヘッド |
KR20160002008U (ko) * | 2014-12-03 | 2016-06-13 | 배종찬 | 선반의 가격표 부착기구 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2818447B2 (ja) | 1998-10-30 |
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