JPH0944813A - 磁気ヘッド及びその製造方法 - Google Patents
磁気ヘッド及びその製造方法Info
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- JPH0944813A JPH0944813A JP21534795A JP21534795A JPH0944813A JP H0944813 A JPH0944813 A JP H0944813A JP 21534795 A JP21534795 A JP 21534795A JP 21534795 A JP21534795 A JP 21534795A JP H0944813 A JPH0944813 A JP H0944813A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高密度高性能磁気記録再生装置に好適な磁気
ヘッドの製造方法に係り、接合ガラス中に気泡の発生が
無く、耐久性、加工歩留まりに優れ、記録再生特性に優
れたMIG 型の磁気ヘッドの製造方法を提供する。 【解決手段】 一対の磁気コア半体とそれらの間に磁気
ギャップ層７，８を設け、前記のギャップ層を挟んで窒
化合金磁性膜５，６が磁路の一部を形成するようにした
メタルインギャップ型の磁気ヘッドの製造方法であっ
て、前記の窒化合金磁性膜５，６とギャップ１２の界面
と、前記の窒化合金磁性膜と軟磁性フェライト１，２と
の界面に所定の条件（ＳｉＯ2 保護膜は、スパッタ中の
Arガス圧が略２Paから４Paの範囲で、且つ13.56MHzのRF
基板バイアスが印加されるコンベンショナル・スパッタ
法では、バイアスによる基板電位が略-15vから-50Vの範
囲で、マグネトロン・スパッタ法では、バイアスによる
基板電位が略-60vから-120V の範囲で成膜する。）で、
ＳｉＯ2 の保護膜３，４，７，８を形成するようにした
磁気ヘッドの製造方法。
ヘッドの製造方法に係り、接合ガラス中に気泡の発生が
無く、耐久性、加工歩留まりに優れ、記録再生特性に優
れたMIG 型の磁気ヘッドの製造方法を提供する。 【解決手段】 一対の磁気コア半体とそれらの間に磁気
ギャップ層７，８を設け、前記のギャップ層を挟んで窒
化合金磁性膜５，６が磁路の一部を形成するようにした
メタルインギャップ型の磁気ヘッドの製造方法であっ
て、前記の窒化合金磁性膜５，６とギャップ１２の界面
と、前記の窒化合金磁性膜と軟磁性フェライト１，２と
の界面に所定の条件（ＳｉＯ2 保護膜は、スパッタ中の
Arガス圧が略２Paから４Paの範囲で、且つ13.56MHzのRF
基板バイアスが印加されるコンベンショナル・スパッタ
法では、バイアスによる基板電位が略-15vから-50Vの範
囲で、マグネトロン・スパッタ法では、バイアスによる
基板電位が略-60vから-120V の範囲で成膜する。）で、
ＳｉＯ2 の保護膜３，４，７，８を形成するようにした
磁気ヘッドの製造方法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は高密度高性能磁気記録再
生装置に好適な磁気ヘッドの製造方法に係り、接合ガラ
ス中に気泡の発生が無く、耐久性、加工歩留まりに優
れ、記録再生特性に優れたMIG 型の磁気ヘッドの製造方
法を提供する。
生装置に好適な磁気ヘッドの製造方法に係り、接合ガラ
ス中に気泡の発生が無く、耐久性、加工歩留まりに優
れ、記録再生特性に優れたMIG 型の磁気ヘッドの製造方
法を提供する。
【０００２】
【従来の技術】近年ＨＤＤやＶＴＲ等の磁気記録再生装
置においては、記録信号の高密度化、高品質化が進めら
れている。これに対応するために、磁気テープ等の記録
媒体においては、高保磁力金属磁性材料を真空蒸着して
用いるメタル蒸着媒体や金属磁性粉を用いた、いわゆる
メタル塗布媒体が開発され実用化されている。
置においては、記録信号の高密度化、高品質化が進めら
れている。これに対応するために、磁気テープ等の記録
媒体においては、高保磁力金属磁性材料を真空蒸着して
用いるメタル蒸着媒体や金属磁性粉を用いた、いわゆる
メタル塗布媒体が開発され実用化されている。
【０００３】更なる高密度化に対しては、磁気記録媒体
の高保磁力化が進められている。このような高保磁力媒
体の性能を発揮するためには、磁気ヘッドのコア材料と
して、記録特性の向上のために高い飽和磁束密度（Ｂs
）を有することが必要である。
の高保磁力化が進められている。このような高保磁力媒
体の性能を発揮するためには、磁気ヘッドのコア材料と
して、記録特性の向上のために高い飽和磁束密度（Ｂs
）を有することが必要である。
【０００４】従って、従来においてはＢｓが略1.0 Ｔの
金属磁性材料であるCo系アモルファスやセンダスト(Fe-
Si-Al 系) 材料を用い軟磁性フェライトと組み合わせて
磁気ヘッドを構成した、いわゆるメタルインギャップ
（MIG ）型の磁気ヘッドが実用化されている。
金属磁性材料であるCo系アモルファスやセンダスト(Fe-
Si-Al 系) 材料を用い軟磁性フェライトと組み合わせて
磁気ヘッドを構成した、いわゆるメタルインギャップ
（MIG ）型の磁気ヘッドが実用化されている。
【０００５】以下、図８に示す構造図に基ずき、従来の
MIG 型の磁気ヘッドについて説明する。磁性フェライト
基板２１，２２上にＳｉＯ2 やＡｌ2 Ｏ3 などの拡散防
止保護膜２３，２４を形成した後、軟磁性合金膜２５，
２６を成膜する。
MIG 型の磁気ヘッドについて説明する。磁性フェライト
基板２１，２２上にＳｉＯ2 やＡｌ2 Ｏ3 などの拡散防
止保護膜２３，２４を形成した後、軟磁性合金膜２５，
２６を成膜する。
【０００６】次に、２３，２４と同様にＳｉＯ2 やＡｌ
2 Ｏ3 などのギャップ形成膜２７，２８を所定の厚さに
形成した後、一対のコア半体を接合ガラス２９，３０に
よって炉内に入れ、所定の温度で加熱し溶着させ磁気ヘ
ッドを作製する。
2 Ｏ3 などのギャップ形成膜２７，２８を所定の厚さに
形成した後、一対のコア半体を接合ガラス２９，３０に
よって炉内に入れ、所定の温度で加熱し溶着させ磁気ヘ
ッドを作製する。
【０００７】しかし、Ｈｃが1500（Ｏｅ）以上の磁気記
録媒体に対して十分な記録性能を得るためには、鉄を主
成分としたターゲットを用いてスパッタ蒸着法で作製す
るＢｓが1.3 〜1.6 Ｔ程度のFe(Ta,Nb,Zr,Hf)-N 系、或
いはＢｓが略1.8 Ｔ以上のFeSi-N系等の窒化鉄系合金磁
性膜を用いた磁気ヘッドが必要とされる。
録媒体に対して十分な記録性能を得るためには、鉄を主
成分としたターゲットを用いてスパッタ蒸着法で作製す
るＢｓが1.3 〜1.6 Ｔ程度のFe(Ta,Nb,Zr,Hf)-N 系、或
いはＢｓが略1.8 Ｔ以上のFeSi-N系等の窒化鉄系合金磁
性膜を用いた磁気ヘッドが必要とされる。
【０００８】窒化鉄系合金膜を用いたMIG 型の磁気ヘッ
ドは、500 〜600 ℃の熱処理による合金膜の軟磁気特性
の改善が必要であり、この時、一対のコア半体のガラス
接合によるギャップ形成を兼ねて行う。上記の窒化鉄系
合金膜を用いたMIG 型の磁気ヘッドでは、一対のコア半
体をガラス接合する。このガラス接合を行なう場合、加
熱により窒化鉄合金中の窒素がＳｉＯ2 膜やＳｉＯ2 膜
を通して離脱してガラス中に気泡が生じガラスの強度が
低下してしまい、耐久性、加工中の歩留まりが著しく低
下する。さらに、磁性フェライトとの界面で反応が起こ
り、変質層が形成される為、磁気抵抗が増大し、いわゆ
る疑似ギャップ効果が４ｄＢと大きく、記録再生特性が
劣化してしまう。
ドは、500 〜600 ℃の熱処理による合金膜の軟磁気特性
の改善が必要であり、この時、一対のコア半体のガラス
接合によるギャップ形成を兼ねて行う。上記の窒化鉄系
合金膜を用いたMIG 型の磁気ヘッドでは、一対のコア半
体をガラス接合する。このガラス接合を行なう場合、加
熱により窒化鉄合金中の窒素がＳｉＯ2 膜やＳｉＯ2 膜
を通して離脱してガラス中に気泡が生じガラスの強度が
低下してしまい、耐久性、加工中の歩留まりが著しく低
下する。さらに、磁性フェライトとの界面で反応が起こ
り、変質層が形成される為、磁気抵抗が増大し、いわゆ
る疑似ギャップ効果が４ｄＢと大きく、記録再生特性が
劣化してしまう。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
窒化鉄系合金膜を用いたMIG 型の磁気ヘッドでは、一対
のコア半体をガラス接合した場合、加熱により窒化鉄合
金中の窒素がＳｉＯ2 膜やＳｉＯ2 膜を通して離脱して
ガラス中に気泡が生じガラスの強度が低下してしまい、
耐久性、加工中の歩留まりが著しく低下する問題があっ
た。
窒化鉄系合金膜を用いたMIG 型の磁気ヘッドでは、一対
のコア半体をガラス接合した場合、加熱により窒化鉄合
金中の窒素がＳｉＯ2 膜やＳｉＯ2 膜を通して離脱して
ガラス中に気泡が生じガラスの強度が低下してしまい、
耐久性、加工中の歩留まりが著しく低下する問題があっ
た。
【００１０】さらには、フェライトとの界面で反応が起
こり変質層が形成される為、磁気抵抗が増大し、いわゆ
る疑似ギャップ効果が４ｄＢと大きく、記録再生特性が
劣化する問題があった。本発明は、以上のような問題点
に着目し、これを有効に解決すべく提案されたものであ
り、その目的は、接合ガラス中に気泡の発生が無く、耐
久性、加工歩留まりに優れ、記録再生特性に優れたMIG
型の磁気ヘッドを提供することにある。
こり変質層が形成される為、磁気抵抗が増大し、いわゆ
る疑似ギャップ効果が４ｄＢと大きく、記録再生特性が
劣化する問題があった。本発明は、以上のような問題点
に着目し、これを有効に解決すべく提案されたものであ
り、その目的は、接合ガラス中に気泡の発生が無く、耐
久性、加工歩留まりに優れ、記録再生特性に優れたMIG
型の磁気ヘッドを提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明の磁気ヘッドはこ
の目的を達成するために、下記の構成とした。 （１）窒化合金磁性膜とギャップの界面と軟磁性フェラ
イトとの界面に以下の条件でＳｉＯ2 またはＡｌ2 Ｏ3
保護膜を形成して構成したものである。前記のＳｉＯ2
保護膜は、スパッタ中のArガス圧が略２Paから４Paの範
囲で、且つ13.56MHzのRF基板バイアスが印加されるコン
ベンショナル・スパッタ法では、バイアスによる基板電
位が略-15vから-50Vの範囲で、マグネトロン・スパッタ
法では、バイアスによる基板電位が略-60vから-120V の
範囲で成膜する。前記のＡｌ2 Ｏ3 保護膜は、マグネト
ロン・スパッタ法により、スパッタ中のArガス圧が略0.
4 Paから2.0 Paの範囲で、且つバイアスによる基板電位
が略-5vから-40Vの範囲で成膜する。 （２）前記の保護膜の厚さを、ギャップ側では略20ｎｍ
以上、軟磁性フェライト側では略３ｎｍ〜15ｎｍに形成
して構成したものである。
の目的を達成するために、下記の構成とした。 （１）窒化合金磁性膜とギャップの界面と軟磁性フェラ
イトとの界面に以下の条件でＳｉＯ2 またはＡｌ2 Ｏ3
保護膜を形成して構成したものである。前記のＳｉＯ2
保護膜は、スパッタ中のArガス圧が略２Paから４Paの範
囲で、且つ13.56MHzのRF基板バイアスが印加されるコン
ベンショナル・スパッタ法では、バイアスによる基板電
位が略-15vから-50Vの範囲で、マグネトロン・スパッタ
法では、バイアスによる基板電位が略-60vから-120V の
範囲で成膜する。前記のＡｌ2 Ｏ3 保護膜は、マグネト
ロン・スパッタ法により、スパッタ中のArガス圧が略0.
4 Paから2.0 Paの範囲で、且つバイアスによる基板電位
が略-5vから-40Vの範囲で成膜する。 （２）前記の保護膜の厚さを、ギャップ側では略20ｎｍ
以上、軟磁性フェライト側では略３ｎｍ〜15ｎｍに形成
して構成したものである。
【００１２】
【作用】スパッタ中のArガス圧が略２Paから４Paの範囲
で、且つ13.56MHzのRF基板バイアスが印加されるコンベ
ンショナル・スパッタ法では、バイアスによる基板電位
が略-15vから-50Vの範囲で、マグネトロン・スパッタ法
では、バイアスによる基板電位が略-60vから-120V の範
囲で成膜して、窒化合金磁性膜とギャップの界面と軟磁
性フェライトとの界面にＳｉＯ2 保護膜を夫々形成し
て、接合ガラス中の気泡を除去し、耐久性、加工歩留ま
り、ならびに記録再生特性の大幅な改善を図る。マグネ
トロン・スパッタ法により、スパッタ中のArガス圧が略
0.4 Paから2.0Paの範囲で、且つバイアスによる基板電
位が略-5v から-40Vの範囲で成膜して、窒化合金磁性膜
とギャップの界面と軟磁性フェライトとの界面にＡｌ2
Ｏ3 保護膜を夫々形成して、接合ガラス中の気泡を除去
し、耐久性、加工歩留まり、ならびに記録再生特性の大
幅な改善を図る。特に、ギャップ側保護膜の厚さを２０
ｎｍ以上とすることで気泡の発生は殆どなくなり、更に
軟磁性フェライト側の厚さを３ｎｍ以上とすることで界
面の反応が防止される。
で、且つ13.56MHzのRF基板バイアスが印加されるコンベ
ンショナル・スパッタ法では、バイアスによる基板電位
が略-15vから-50Vの範囲で、マグネトロン・スパッタ法
では、バイアスによる基板電位が略-60vから-120V の範
囲で成膜して、窒化合金磁性膜とギャップの界面と軟磁
性フェライトとの界面にＳｉＯ2 保護膜を夫々形成し
て、接合ガラス中の気泡を除去し、耐久性、加工歩留ま
り、ならびに記録再生特性の大幅な改善を図る。マグネ
トロン・スパッタ法により、スパッタ中のArガス圧が略
0.4 Paから2.0Paの範囲で、且つバイアスによる基板電
位が略-5v から-40Vの範囲で成膜して、窒化合金磁性膜
とギャップの界面と軟磁性フェライトとの界面にＡｌ2
Ｏ3 保護膜を夫々形成して、接合ガラス中の気泡を除去
し、耐久性、加工歩留まり、ならびに記録再生特性の大
幅な改善を図る。特に、ギャップ側保護膜の厚さを２０
ｎｍ以上とすることで気泡の発生は殆どなくなり、更に
軟磁性フェライト側の厚さを３ｎｍ以上とすることで界
面の反応が防止される。
【００１３】ギャップ側が２０ｎｍより薄い場合は、ガ
ラス接合により気泡を生じる。フェライト側が３ｎｍよ
り薄いと界面の反応が生じ軟磁気特性が劣化し、反対
に、１５ｎｍより厚くすると疑似ギャップによる特性劣
化を生じる。
ラス接合により気泡を生じる。フェライト側が３ｎｍよ
り薄いと界面の反応が生じ軟磁気特性が劣化し、反対
に、１５ｎｍより厚くすると疑似ギャップによる特性劣
化を生じる。
【００１４】
【実施例】図１に示す構造図に基ずき、本発明のMIG 型
の磁気ヘッドの一実施例について以下に説明する。磁性
フェライト基板１，２上にＳｉＯ2 やＡｌ2 Ｏ3 等の拡
散防止保護膜３，４を形成した後、軟磁性合金膜５，６
を成膜する。
の磁気ヘッドの一実施例について以下に説明する。磁性
フェライト基板１，２上にＳｉＯ2 やＡｌ2 Ｏ3 等の拡
散防止保護膜３，４を形成した後、軟磁性合金膜５，６
を成膜する。
【００１５】次に、３，４と同様にＳｉＯ2 やＡｌ2 Ｏ
3 などのギャップ形成膜７，８を所定の厚さに形成した
後、一対のコア半体を接合ガラス９，１０によって炉内
に入れ、所定の温度で加熱し溶着させ磁気ヘッドを作製
する。
3 などのギャップ形成膜７，８を所定の厚さに形成した
後、一対のコア半体を接合ガラス９，１０によって炉内
に入れ、所定の温度で加熱し溶着させ磁気ヘッドを作製
する。
【００１６】しかし、Ｈｃが1500Ｏｅ以上の磁気記録媒
体に対して十分な記録性能を得るためには、鉄を主成分
としたターゲットを用いてスパッタ蒸着法で作製するＢ
ｓが1.3 〜1.6 Ｔ程度のFe(Ta,Nb,Zr,Hf)-N 系、或いは
Ｂｓが略1.8 Ｔ以上のFeSi-N系等の窒化鉄系合金磁性膜
を用いた磁気ヘッドが必要とされる。
体に対して十分な記録性能を得るためには、鉄を主成分
としたターゲットを用いてスパッタ蒸着法で作製するＢ
ｓが1.3 〜1.6 Ｔ程度のFe(Ta,Nb,Zr,Hf)-N 系、或いは
Ｂｓが略1.8 Ｔ以上のFeSi-N系等の窒化鉄系合金磁性膜
を用いた磁気ヘッドが必要とされる。
【００１７】窒化鉄系合金膜を用いたMIG 型の磁気ヘッ
ドは、500 〜600 ℃の熱処理による合金膜の軟磁気特性
の改善が必要であり、この時、一対のコア半体のガラス
接合によるギャップ形成を兼ねて行う。
ドは、500 〜600 ℃の熱処理による合金膜の軟磁気特性
の改善が必要であり、この時、一対のコア半体のガラス
接合によるギャップ形成を兼ねて行う。
【００１８】本発明の磁気ヘッドの製造方法の一実施例
について、図面に基ずいて、以下に説明する。まず、窒
化鉄系合金膜に保護膜を形成した場合の効果について示
す。試料は無アルカリガラス＃7059基板上にＦｅ88Ｔａ
10Ｈｆ2 合金ターゲットを用い、Ar中にN2を７％導入し
た混合ガス（全圧力0.4Pa ）中で反応性スパッタ法によ
り厚さ３μｍ成膜した。その上に、同一チャンバ内で従
来の条件によるＳｉＯ2 保護膜(a) と各種条件を変えた
ＳｉＯ2 保護膜を成膜した。
について、図面に基ずいて、以下に説明する。まず、窒
化鉄系合金膜に保護膜を形成した場合の効果について示
す。試料は無アルカリガラス＃7059基板上にＦｅ88Ｔａ
10Ｈｆ2 合金ターゲットを用い、Ar中にN2を７％導入し
た混合ガス（全圧力0.4Pa ）中で反応性スパッタ法によ
り厚さ３μｍ成膜した。その上に、同一チャンバ内で従
来の条件によるＳｉＯ2 保護膜(a) と各種条件を変えた
ＳｉＯ2 保護膜を成膜した。
【００１９】図２は、ＳｉＯ2 保護膜を従来条件(a) で
厚さ50ｎｍとした時及び本発明の条件(b) で同じ厚さ50
ｎｍとした時の、窒化鉄合金膜の熱処理前のEPMA分析膜
中の窒素量（ＮAsDep ）に対する熱処理後の膜中の窒素
量（ＮT ）の比と熱処理温度（Ann Temp）（保持時間60
分）との関係を示したグラフである。
厚さ50ｎｍとした時及び本発明の条件(b) で同じ厚さ50
ｎｍとした時の、窒化鉄合金膜の熱処理前のEPMA分析膜
中の窒素量（ＮAsDep ）に対する熱処理後の膜中の窒素
量（ＮT ）の比と熱処理温度（Ann Temp）（保持時間60
分）との関係を示したグラフである。
【００２０】図３は、Ｈｃと熱処理温度（Ann Temp）
（保持時間60分）との関係を示した図である。図中(a)
は、Arガス圧0.6Pa,バイアス印加無し( 基板電位ＶDC=0
V), マグネトロン・スパッタ法を用いる従来条件であ
る。図中(b) は、本発明の一条件であるArガス圧0.65P
a, 基板バイアス印加（周波数13.56MHz, 基板電位ＶDC=
-15V ）, マグネトロン・スパッタ法により成膜した。
（保持時間60分）との関係を示した図である。図中(a)
は、Arガス圧0.6Pa,バイアス印加無し( 基板電位ＶDC=0
V), マグネトロン・スパッタ法を用いる従来条件であ
る。図中(b) は、本発明の一条件であるArガス圧0.65P
a, 基板バイアス印加（周波数13.56MHz, 基板電位ＶDC=
-15V ）, マグネトロン・スパッタ法により成膜した。
【００２１】図２より明らかなように、従来のＳｉＯ2
保護膜では、熱処理温度が450 ℃を越えると合金膜中か
ら窒素がＳｉＯ2 保護膜を通して離脱する。これに対応
して、図３より明らかなように、熱処理温度が450 ℃を
越えると、Ｈｃが増大して、軟磁気特性が劣化すること
が判る。
保護膜では、熱処理温度が450 ℃を越えると合金膜中か
ら窒素がＳｉＯ2 保護膜を通して離脱する。これに対応
して、図３より明らかなように、熱処理温度が450 ℃を
越えると、Ｈｃが増大して、軟磁気特性が劣化すること
が判る。
【００２２】まず、マグネトロン・スパッタ法におい
て、スパッタ中のArガス圧を 0.3〜5.5Pa の範囲, 基板
バイアス電位ＶDC ０（バイアス無し）〜−100 Ｖの範
囲で、ＳｉＯ2 保護膜を０〜200 ｎｍの範囲の条件で成
膜し、ガラス接合と同じ550 ℃、60分の熱処理に対して
保護膜としての有効性を調べた。
て、スパッタ中のArガス圧を 0.3〜5.5Pa の範囲, 基板
バイアス電位ＶDC ０（バイアス無し）〜−100 Ｖの範
囲で、ＳｉＯ2 保護膜を０〜200 ｎｍの範囲の条件で成
膜し、ガラス接合と同じ550 ℃、60分の熱処理に対して
保護膜としての有効性を調べた。
【００２３】図４は、マグネトロン・スパッタ法におい
て、Arガス圧と基板バイアス電位（ＶDC）を変化させＳ
ｉＯ2 保護膜を２０ｎｍ成膜し、ガラス接合と同じ550
℃、60分の熱処理を施したときのＨｃの分布を示した図
である。Ｈｃ４０A/m 以下の軟磁性の得られる条件の範
囲、すなわち保護膜として優れたＳｉＯ2 膜を成膜する
には、図より明らかなように、図中破線で示すArガス圧
2.0 〜4.0Pa,ＶDC=-60〜-120V の範囲である。
て、Arガス圧と基板バイアス電位（ＶDC）を変化させＳ
ｉＯ2 保護膜を２０ｎｍ成膜し、ガラス接合と同じ550
℃、60分の熱処理を施したときのＨｃの分布を示した図
である。Ｈｃ４０A/m 以下の軟磁性の得られる条件の範
囲、すなわち保護膜として優れたＳｉＯ2 膜を成膜する
には、図より明らかなように、図中破線で示すArガス圧
2.0 〜4.0Pa,ＶDC=-60〜-120V の範囲である。
【００２４】また、図中に酸化防止を主目的としたアモ
ルファス膜を用いたときの従来条件を示すが、この領域
では窒化鉄系合金膜の軟磁性の確保が出来ないことは明
らかである。次に、コンベンショナル・スパッタ法によ
り同様の実験を行なった。Arガス圧0.4〜5.5Pa,VDC= 0
〜-120V の範囲とし、保護膜の厚さその他の条件は同じ
とした。
ルファス膜を用いたときの従来条件を示すが、この領域
では窒化鉄系合金膜の軟磁性の確保が出来ないことは明
らかである。次に、コンベンショナル・スパッタ法によ
り同様の実験を行なった。Arガス圧0.4〜5.5Pa,VDC= 0
〜-120V の範囲とし、保護膜の厚さその他の条件は同じ
とした。
【００２５】図５は、コンベンショナル・スパッタ法に
おいて、Arガス圧と基板バイアス電位（ＶDC）を変化さ
せ、ＳｉＯ2 保護膜を２０ｎｍ成膜し、ガラス接合と同
じ550 ℃、60分の熱処理を施したときのＨｃの分布を示
した図である。
おいて、Arガス圧と基板バイアス電位（ＶDC）を変化さ
せ、ＳｉＯ2 保護膜を２０ｎｍ成膜し、ガラス接合と同
じ550 ℃、60分の熱処理を施したときのＨｃの分布を示
した図である。
【００２６】上記軟磁性の得られる成膜条件の範囲で
は、ＳｉＯ2 膜厚３ｎｍ以上で軟磁性が得られ、これよ
り薄い膜厚ではＨｃは急激に増大した。上記破線内外の
成膜条件（図４，図５中のa1〜e1,a2 〜e2）において、
膜厚の異なる保護膜を用い、550 ℃、60分の条件でガラ
ス接合して気泡の発生を調べた結果を図６に示す。
は、ＳｉＯ2 膜厚３ｎｍ以上で軟磁性が得られ、これよ
り薄い膜厚ではＨｃは急激に増大した。上記破線内外の
成膜条件（図４，図５中のa1〜e1,a2 〜e2）において、
膜厚の異なる保護膜を用い、550 ℃、60分の条件でガラ
ス接合して気泡の発生を調べた結果を図６に示す。
【００２７】いずれのスパッタ法においても、上記軟磁
性の得られるＨｃ４０A/m 以下の範囲の成膜条件で、且
つＳｉＯ2 膜厚が２０ｎｍ以上のものでは、ガラス中に
殆ど気泡の無い磁気ヘッドが得られていることが図６よ
り判る。このことによって、本発明の磁気ヘッドは、気
泡に起因する耐久性加工の不良は殆どなくなり、大幅に
特性の改善が出来た。
性の得られるＨｃ４０A/m 以下の範囲の成膜条件で、且
つＳｉＯ2 膜厚が２０ｎｍ以上のものでは、ガラス中に
殆ど気泡の無い磁気ヘッドが得られていることが図６よ
り判る。このことによって、本発明の磁気ヘッドは、気
泡に起因する耐久性加工の不良は殆どなくなり、大幅に
特性の改善が出来た。
【００２８】図７は、疑似ギャップによる記録再生特性
への影響を調べるため、図１に示したフェライト１，２
との界面の保護膜３，４のＳｉＯ2 の厚みを変え、上記
軟磁気特性の得られる破線の成膜条件と従来条件で評価
した結果である。図より明らかなように、疑似ギャップ
による記録再生変動が１ｄＢ以下の優れた特性が得られ
る保護膜ＳｉＯ2 の厚みの範囲は、上記破線内成膜条件
による保護膜で、且つ３〜１５ｎｍの膜厚範囲となる。
への影響を調べるため、図１に示したフェライト１，２
との界面の保護膜３，４のＳｉＯ2 の厚みを変え、上記
軟磁気特性の得られる破線の成膜条件と従来条件で評価
した結果である。図より明らかなように、疑似ギャップ
による記録再生変動が１ｄＢ以下の優れた特性が得られ
る保護膜ＳｉＯ2 の厚みの範囲は、上記破線内成膜条件
による保護膜で、且つ３〜１５ｎｍの膜厚範囲となる。
【００２９】ここで、１５ｎｍより厚い膜で特性劣化す
る原因は、界面拡散による磁気特性の劣化でなく、保護
膜自体の厚さの増加により磁気的に不連続となることが
主な原因である。一般にスパッタ法で作製した酸化物
は、酸素不足となり易く、Arに酸素を数％添加した混合
ガス中で成膜する場合もある。上記本発明のＳｉＯ2 成
膜中にArに加えてＯ2 ガスを３％添加した混合ガスによ
る保護膜においても同じ効果が得られた。
る原因は、界面拡散による磁気特性の劣化でなく、保護
膜自体の厚さの増加により磁気的に不連続となることが
主な原因である。一般にスパッタ法で作製した酸化物
は、酸素不足となり易く、Arに酸素を数％添加した混合
ガス中で成膜する場合もある。上記本発明のＳｉＯ2 成
膜中にArに加えてＯ2 ガスを３％添加した混合ガスによ
る保護膜においても同じ効果が得られた。
【００３０】次に、本発明の磁気ヘッドの製造方法の他
の実施例について、図面に基ずいて、以下に説明する。
まず、窒化鉄系合金膜に保護膜を形成した場合の効果に
ついて示す。試料は無アルカリガラス＃7059基板上にＦ
ｅ88Ｔａ10Ｈｆ2 合金ターゲットを用い、Ar中にN2を７
％導入した混合ガス（全圧力0.4Pa ）中で反応性スパッ
タ法により厚さ３μｍ成膜した。その上に、同一チャン
バ内で従来の条件によるＡｌ2 Ｏ3 保護膜(a) と各種条
件を変えたＡｌ2 Ｏ3 保護膜を成膜した。
の実施例について、図面に基ずいて、以下に説明する。
まず、窒化鉄系合金膜に保護膜を形成した場合の効果に
ついて示す。試料は無アルカリガラス＃7059基板上にＦ
ｅ88Ｔａ10Ｈｆ2 合金ターゲットを用い、Ar中にN2を７
％導入した混合ガス（全圧力0.4Pa ）中で反応性スパッ
タ法により厚さ３μｍ成膜した。その上に、同一チャン
バ内で従来の条件によるＡｌ2 Ｏ3 保護膜(a) と各種条
件を変えたＡｌ2 Ｏ3 保護膜を成膜した。
【００３１】図２は、Ａｌ2 Ｏ3 保護膜を従来条件(a)
で厚さ50ｎｍとした時及び本発明の条件(b) で同じ厚さ
50ｎｍとした時の、窒化鉄合金膜の熱処理前のEPMA分析
膜中の窒素量（ＮAsDep ）に対する熱処理後の膜中の窒
素量（ＮT ）の比と熱処理温度（Ann Temp）（保持時間
60分）との関係を示したグラフである。
で厚さ50ｎｍとした時及び本発明の条件(b) で同じ厚さ
50ｎｍとした時の、窒化鉄合金膜の熱処理前のEPMA分析
膜中の窒素量（ＮAsDep ）に対する熱処理後の膜中の窒
素量（ＮT ）の比と熱処理温度（Ann Temp）（保持時間
60分）との関係を示したグラフである。
【００３２】図３は、Ｈｃと熱処理温度（Ann Temp）
（保持時間60分）との関係を示した図である。図中(a)
は、Arガス圧0.6Pa,バイアス印加無し( 基板電位ＶDC=0
V), マグネトロン・スパッタ法を用いる従来条件であ
る。図中(b) は、本発明の一条件であるArガス圧0.65P
a, 基板バイアス印加（周波数13.56MHz, 基板電位ＶDC=
-15V ）, マグネトロン・スパッタ法により成膜した。
（保持時間60分）との関係を示した図である。図中(a)
は、Arガス圧0.6Pa,バイアス印加無し( 基板電位ＶDC=0
V), マグネトロン・スパッタ法を用いる従来条件であ
る。図中(b) は、本発明の一条件であるArガス圧0.65P
a, 基板バイアス印加（周波数13.56MHz, 基板電位ＶDC=
-15V ）, マグネトロン・スパッタ法により成膜した。
【００３３】図２より明らかなように、従来のＡｌ2 Ｏ
3 保護膜では、熱処理温度が450 ℃を越えると合金膜中
から窒素がＡｌ2 Ｏ3 保護膜を通して離脱する。これに
対応して、図３より明らかなように、熱処理温度が450
℃を越えると、Ｈｃが増大して、軟磁気特性が劣化する
ことが判る。まず、マグネトロン・スパッタ法におい
て、スパッタ中のArガス圧を 0.3〜5.5Pa の範囲, 基板
バイアス電位ＶDC ０（バイアス無し）〜−100 Ｖの範
囲で、Ａｌ2 Ｏ3 保護膜を０〜200 ｎｍの範囲の条件で
成膜し、ガラス接合と同じ550℃、60分の熱処理に対し
て保護膜としての有効性を調べた。
3 保護膜では、熱処理温度が450 ℃を越えると合金膜中
から窒素がＡｌ2 Ｏ3 保護膜を通して離脱する。これに
対応して、図３より明らかなように、熱処理温度が450
℃を越えると、Ｈｃが増大して、軟磁気特性が劣化する
ことが判る。まず、マグネトロン・スパッタ法におい
て、スパッタ中のArガス圧を 0.3〜5.5Pa の範囲, 基板
バイアス電位ＶDC ０（バイアス無し）〜−100 Ｖの範
囲で、Ａｌ2 Ｏ3 保護膜を０〜200 ｎｍの範囲の条件で
成膜し、ガラス接合と同じ550℃、60分の熱処理に対し
て保護膜としての有効性を調べた。
【００３４】図９は、マグネトロン・スパッタ法におい
て、Arガス圧と基板バイアス電位（ＶDC）を変化させＡ
ｌ2 Ｏ3 保護膜を２０ｎｍ成膜し、ガラス接合と同じ55
0℃、60分の熱処理を施したときのＨｃの分布を示した
図である。ここで、Ｈｃ４０A/m 以下の軟磁性の得られ
る条件の範囲、すなわち保護膜として優れたＡｌ2 Ｏ3
膜を成膜するには、図９より明らかなように、図中破線
で示すArガス圧0.4 〜2.0Pa,ＶDC=-5 〜-40Vの範囲であ
る。
て、Arガス圧と基板バイアス電位（ＶDC）を変化させＡ
ｌ2 Ｏ3 保護膜を２０ｎｍ成膜し、ガラス接合と同じ55
0℃、60分の熱処理を施したときのＨｃの分布を示した
図である。ここで、Ｈｃ４０A/m 以下の軟磁性の得られ
る条件の範囲、すなわち保護膜として優れたＡｌ2 Ｏ3
膜を成膜するには、図９より明らかなように、図中破線
で示すArガス圧0.4 〜2.0Pa,ＶDC=-5 〜-40Vの範囲であ
る。
【００３５】また、図中に酸化防止を主目的としたアモ
ルファス膜を用いたときの従来条件を示すが、この領域
では窒化鉄系合金膜の軟磁性の確保が出来ないことは明
らかである。上記軟磁性の得られる成膜条件の範囲で
は、Ａｌ2 Ｏ3 膜厚３ｎｍ以上で軟磁性が得られ、これ
より薄い膜厚ではＨｃは急激に増大した。上記破線内外
の成膜条件（図９中のa3〜e3）において、膜厚の異なる
保護膜を用い、550 ℃、60分の条件でガラス接合して気
泡の発生を調べた結果を図１０に示す。
ルファス膜を用いたときの従来条件を示すが、この領域
では窒化鉄系合金膜の軟磁性の確保が出来ないことは明
らかである。上記軟磁性の得られる成膜条件の範囲で
は、Ａｌ2 Ｏ3 膜厚３ｎｍ以上で軟磁性が得られ、これ
より薄い膜厚ではＨｃは急激に増大した。上記破線内外
の成膜条件（図９中のa3〜e3）において、膜厚の異なる
保護膜を用い、550 ℃、60分の条件でガラス接合して気
泡の発生を調べた結果を図１０に示す。
【００３６】上記軟磁性の得られるＨｃ４０A/m 以下の
範囲の成膜条件で、且つＡｌ2 Ｏ3膜厚が２０ｎｍ以上
のものでは、ガラス中に殆ど気泡の無い磁気ヘッドが得
られていることが図１０より判る。このことによって、
本発明の磁気ヘッドは、気泡に起因する耐久性加工の不
良は殆どなくなり、大幅に特性の改善が出来た。
範囲の成膜条件で、且つＡｌ2 Ｏ3膜厚が２０ｎｍ以上
のものでは、ガラス中に殆ど気泡の無い磁気ヘッドが得
られていることが図１０より判る。このことによって、
本発明の磁気ヘッドは、気泡に起因する耐久性加工の不
良は殆どなくなり、大幅に特性の改善が出来た。
【００３７】図７は、疑似ギャップによる記録再生特性
への影響を調べるため、図１に示したフェライト１，２
との界面の保護膜３，４のＡｌ2 Ｏ3 の厚みを変え、上
記軟磁気特性の得られる破線の成膜条件と従来条件で評
価した結果である。図より明らかなように、疑似ギャッ
プによる記録再生変動が１ｄＢ以下の優れた特性が得ら
れる保護膜Ａｌ2 Ｏ3 の厚みの範囲は、上記破線内成膜
条件による保護膜で、且つ３〜１５ｎｍの膜厚範囲とな
る。これは、既に説明したＳｉＯ2 保護膜の場合の結果
とほとんど差はなく同じ結果となった。
への影響を調べるため、図１に示したフェライト１，２
との界面の保護膜３，４のＡｌ2 Ｏ3 の厚みを変え、上
記軟磁気特性の得られる破線の成膜条件と従来条件で評
価した結果である。図より明らかなように、疑似ギャッ
プによる記録再生変動が１ｄＢ以下の優れた特性が得ら
れる保護膜Ａｌ2 Ｏ3 の厚みの範囲は、上記破線内成膜
条件による保護膜で、且つ３〜１５ｎｍの膜厚範囲とな
る。これは、既に説明したＳｉＯ2 保護膜の場合の結果
とほとんど差はなく同じ結果となった。
【００３８】ここで、１５ｎｍより厚い膜で特性劣化す
る原因は、界面拡散による磁気特性の劣化でなく、保護
膜自体の厚さの増加により磁気的に不連続となることが
主な原因である。一般にスパッタ法で作製した酸化物
は、酸素不足となり易く、Arに酸素を数％添加した混合
ガス中で成膜する場合もある。上記本発明のＡｌ2 Ｏ3
成膜中にArに加えてＯ2 ガスを３％添加した混合ガスに
よる保護膜においても同じ効果が得られた。
る原因は、界面拡散による磁気特性の劣化でなく、保護
膜自体の厚さの増加により磁気的に不連続となることが
主な原因である。一般にスパッタ法で作製した酸化物
は、酸素不足となり易く、Arに酸素を数％添加した混合
ガス中で成膜する場合もある。上記本発明のＡｌ2 Ｏ3
成膜中にArに加えてＯ2 ガスを３％添加した混合ガスに
よる保護膜においても同じ効果が得られた。
【００３９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の磁気ヘッ
ド及びその製造方法によれば、接合ガラス中の気泡を除
去することが出来、耐久性、加工歩留まり、ならびに記
録再生特性の大幅な改善も図ることが出来る。更に、本
発明の磁気ヘッド及びその製造方法によれば、ギャップ
側保護膜の厚さを略２０ｎｍ以上とし、更に軟磁性フェ
ライト側の厚さを略３ｎｍ〜１５ｎｍとすることによ
り、記録再生特性の一層の改善を図ることが出来る。
ド及びその製造方法によれば、接合ガラス中の気泡を除
去することが出来、耐久性、加工歩留まり、ならびに記
録再生特性の大幅な改善も図ることが出来る。更に、本
発明の磁気ヘッド及びその製造方法によれば、ギャップ
側保護膜の厚さを略２０ｎｍ以上とし、更に軟磁性フェ
ライト側の厚さを略３ｎｍ〜１５ｎｍとすることによ
り、記録再生特性の一層の改善を図ることが出来る。
【図１】本発明のMIG 型の磁気ヘッドの一実施例の構造
を示した図である。
を示した図である。
【図２】従来条件で厚さ50ｎｍとした時及び本発明の条
件で同じ厚さとした時の熱処理前のEPMA分析膜中の窒素
量に対する熱処理後の膜中の窒素量の比と熱処理温度
（Ann Temp）（保持時間60分）との関係を示したグラフ
である。
件で同じ厚さとした時の熱処理前のEPMA分析膜中の窒素
量に対する熱処理後の膜中の窒素量の比と熱処理温度
（Ann Temp）（保持時間60分）との関係を示したグラフ
である。
【図３】従来条件で厚さ50ｎｍとした時及び本発明の条
件で同じ厚さとした時のＨｃと熱処理温度（Ann Temp）
（保持時間60分）との関係を示したグラフである。
件で同じ厚さとした時のＨｃと熱処理温度（Ann Temp）
（保持時間60分）との関係を示したグラフである。
【図４】マグネトロン・スパッタ法において、Arガス圧
と基板バイアス電位（ＶDC）を変化させＳｉＯ2 保護膜
を２０ｎｍ成膜し、ガラス接合と同じ550 ℃、60分の熱
処理を施したときのＨｃの分布を示した図である。
と基板バイアス電位（ＶDC）を変化させＳｉＯ2 保護膜
を２０ｎｍ成膜し、ガラス接合と同じ550 ℃、60分の熱
処理を施したときのＨｃの分布を示した図である。
【図５】コンベンショナル・スパッタ法において、Arガ
ス圧と基板バイアス電位（ＶDC）を変化させ、ＳｉＯ2
保護膜を２０ｎｍ成膜し、ガラス接合と同じ 550℃、60
分の熱処理を施したときのＨｃの分布を示した図であ
る。
ス圧と基板バイアス電位（ＶDC）を変化させ、ＳｉＯ2
保護膜を２０ｎｍ成膜し、ガラス接合と同じ 550℃、60
分の熱処理を施したときのＨｃの分布を示した図であ
る。
【図６】図４，図５の破線内外の成膜条件（図４，図５
中のa1〜e1 ,a2〜e2）において、膜厚の異なる保護膜を
成膜し、550 ℃、60分の条件でガラス接合を行ない、気
泡の発生を調べた結果を示したグラフである。
中のa1〜e1 ,a2〜e2）において、膜厚の異なる保護膜を
成膜し、550 ℃、60分の条件でガラス接合を行ない、気
泡の発生を調べた結果を示したグラフである。
【図７】軟磁性フェライトとの界面の保護膜ＳｉＯ2 の
厚みを変え、図４，図５の軟磁気特性の得られる破線の
成膜条件と従来条件で成膜し、疑似ギャップ効果を評価
した結果を示したグラフである。
厚みを変え、図４，図５の軟磁気特性の得られる破線の
成膜条件と従来条件で成膜し、疑似ギャップ効果を評価
した結果を示したグラフである。
【図８】従来のMIG 型の磁気ヘッドの一般的な構造を示
した図である。
した図である。
【図９】マグネトロン・スパッタ法において、Arガス圧
と基板バイアス電位（ＶDC）を変化させＡｌ2 Ｏ3 保護
膜を２０ｎｍ成膜し、ガラス接合と同じ550 ℃、60分の
熱処理を施したときのＨｃの分布を示した図である。
と基板バイアス電位（ＶDC）を変化させＡｌ2 Ｏ3 保護
膜を２０ｎｍ成膜し、ガラス接合と同じ550 ℃、60分の
熱処理を施したときのＨｃの分布を示した図である。
【図１０】図９の破線内外の成膜条件（図９中のa3〜e
3）において、膜厚の異なる保護膜を成膜し、550 ℃、6
0分の条件でガラス接合を行ない、気泡の発生を調べた
結果を示したグラフである。
3）において、膜厚の異なる保護膜を成膜し、550 ℃、6
0分の条件でガラス接合を行ない、気泡の発生を調べた
結果を示したグラフである。
１，２ フェライト基板 ３，４ 保護膜 ５，６ 軟磁性合金膜 ７，８ 保護膜（ギャップ膜） ９，１０ 接合ガラス １１ 巻線窓 １２ 作動ギャップ Ann Temp 熱処理温度 ＮAsDep 熱処理前のEPMA分析膜中の窒素量 ＮT 熱処理後の膜中の窒素量
Claims (6)
- 【請求項１】一対の磁気コア半体とそれらの間に磁気ギ
ャップ層を設け、前記のギャップ層を挟んで窒化合金磁
性膜が磁路の一部を形成するようにしたメタルインギャ
ップ型の磁気ヘッドの製造方法であって、前記の窒化合
金磁性膜とギャップの界面と、前記の窒化合金磁性膜と
軟磁性フェライトとの界面に以下の条件で、ＳｉＯ2保
護膜を形成したことを特徴とする磁気ヘッドの製造方
法。前記のＳｉＯ2 保護膜は、スパッタ中のArガス圧が
略２Paから４Paの範囲で、且つ13.56MHzのRF基板バイア
スが印加されるコンベンショナル・スパッタ法では、バ
イアスによる基板電位が略-15vから-50Vの範囲で、マグ
ネトロン・スパッタ法では、バイアスによる基板電位が
略-60vから-120V の範囲で成膜する。 - 【請求項２】一対の磁気コア半体とそれらの間に磁気ギ
ャップ層を設け、前記のギャップ層を挟んで窒化合金磁
性膜が磁路の一部を形成するようにしたメタルインギャ
ップ型の磁気ヘッドの製造方法であって、前記の窒化合
金磁性膜とギャップの界面と、前記の窒化合金磁性膜と
軟磁性フェライトとの界面に以下の条件で、Ａｌ2 Ｏ3
保護膜を形成したことを特徴とする磁気ヘッドの製造方
法。前記のＡｌ2 Ｏ3 保護膜は、マグネトロン・スパッ
タ法により、スパッタ中のArガス圧が略0.4 Paから2.0
Paの範囲で、且つバイアスによる基板電位が略-5vから-
40Vの範囲で成膜する。 - 【請求項３】前記の請求項１または請求項２の磁気ヘッ
ドの製造方法において、前記の保護膜の厚さを、ギャッ
プ側では略２０ｎｍ以上、軟磁性フェライト側では略３
ｎｍから１５ｎｍに形成したことを特徴とする磁気ヘッ
ドの製造方法。 - 【請求項４】一対の磁気コア半体とそれらの間に磁気ギ
ャップ層を設け、前記のギャップ層を挟んで窒化合金磁
性膜が磁路の一部を形成するようにしたメタルインギャ
ップ型の磁気ヘッドであって、前記の窒化合金磁性膜と
ギャップの界面と、前記の窒化合金磁性膜と軟磁性フェ
ライトとの界面に以下の条件で、ＳｉＯ2 保護膜を形成
したことを特徴とする磁気ヘッド。前記のＳｉＯ2 保護
膜は、スパッタ中のArガス圧が略２Paから４Paの範囲
で、且つ13.56MHzのRF基板バイアスが印加されるコンベ
ンショナル・スパッタ法では、バイアスによる基板電位
が略-15vから-50Vの範囲で、マグネトロン・スパッタ法
では、バイアスによる基板電位が略-60vから-120V の範
囲で成膜する。 - 【請求項５】一対の磁気コア半体とそれらの間に磁気ギ
ャップ層を設け、前記のギャップ層を挟んで窒化合金磁
性膜が磁路の一部を形成するようにしたメタルインギャ
ップ型の磁気ヘッドであって、前記の窒化合金磁性膜と
ギャップの界面と、前記の窒化合金磁性膜と軟磁性フェ
ライトとの界面に以下の条件で、Ａｌ2 Ｏ3 保護膜を形
成したことを特徴とする磁気ヘッド。前記のＡｌ2 Ｏ3
保護膜は、マグネトロン・スパッタ法により、スパッタ
中のArガス圧が略0.4 Paから2.0 Paの範囲で、且つバイ
アスによる基板電位が略-5vから-40Vの範囲で成膜す
る。 - 【請求項６】前記の請求項４または請求項５の磁気ヘッ
ドにおいて、前記の保護膜の厚さを、ギャップ側では略
２０ｎｍ以上、軟磁性フェライト側では略３ｎｍから１
５ｎｍに形成したことを特徴とする磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21534795A JPH0944813A (ja) | 1995-05-19 | 1995-07-31 | 磁気ヘッド及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14541595 | 1995-05-19 | ||
| JP7-145415 | 1995-05-19 | ||
| JP21534795A JPH0944813A (ja) | 1995-05-19 | 1995-07-31 | 磁気ヘッド及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0944813A true JPH0944813A (ja) | 1997-02-14 |
Family
ID=26476541
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21534795A Pending JPH0944813A (ja) | 1995-05-19 | 1995-07-31 | 磁気ヘッド及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0944813A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113930733A (zh) * | 2021-09-14 | 2022-01-14 | 赛创电气（铜陵）有限公司 | 用于铁氧体加工的磁控溅射方法 |
-
1995
- 1995-07-31 JP JP21534795A patent/JPH0944813A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113930733A (zh) * | 2021-09-14 | 2022-01-14 | 赛创电气（铜陵）有限公司 | 用于铁氧体加工的磁控溅射方法 |
| CN113930733B (zh) * | 2021-09-14 | 2023-12-15 | 国瓷赛创电气(铜陵)有限公司 | 用于铁氧体加工的磁控溅射方法 |
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