JPH02208811A - 磁気ヘッド - Google Patents
磁気ヘッドInfo
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- JPH02208811A JPH02208811A JP2910389A JP2910389A JPH02208811A JP H02208811 A JPH02208811 A JP H02208811A JP 2910389 A JP2910389 A JP 2910389A JP 2910389 A JP2910389 A JP 2910389A JP H02208811 A JPH02208811 A JP H02208811A
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Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はＶＴＲ等の磁気ヘッド及びその製造方法に関す
るものである。
るものである。
従爽の技術
従来より磁気ギャップ近傍にＦｅ−５ｌ−ＡＩ（センダ
スト）合金やＧｏ−Ｎｂ−Ｚｒ等の非晶質合金を用い、
バックコアにＭｎ−Ｚｎフェライトを用いたメタルイン
ギャップ（Ｍ Ｉ Ｇ）ヘッドが知られている。これは
飽和磁束密度（４πＭｓ）の高い金属磁性合金膜を磁気
ギャップ近傍に位置するような構成のヘッドとする事に
よりフェライト単体よりなる磁気ヘッドに比べて主に記
録特性の改善をはかろうとするものである。第２図にこ
のようなＭＩＧタイプヘッドの１例を示す。図中１はフ
ェライトバックコア、２は金属磁性合金膜、３は８１０
２等よりなる磁気ギャップ部、４はコア接着用ガラス部
である。
スト）合金やＧｏ−Ｎｂ−Ｚｒ等の非晶質合金を用い、
バックコアにＭｎ−Ｚｎフェライトを用いたメタルイン
ギャップ（Ｍ Ｉ Ｇ）ヘッドが知られている。これは
飽和磁束密度（４πＭｓ）の高い金属磁性合金膜を磁気
ギャップ近傍に位置するような構成のヘッドとする事に
よりフェライト単体よりなる磁気ヘッドに比べて主に記
録特性の改善をはかろうとするものである。第２図にこ
のようなＭＩＧタイプヘッドの１例を示す。図中１はフ
ェライトバックコア、２は金属磁性合金膜、３は８１０
２等よりなる磁気ギャップ部、４はコア接着用ガラス部
である。
発明が解決しようとうる課題
しかしながらこのような構成のヘッドの金属磁性膜とし
てＦｅ−５ｌ−ＡＩ系合金やＧｏ−Ｎｂ−Ｚｒ系非晶質
合金等の従来よりヘッドコア材として用いられているも
のを用いると、第１図に示された金属磁性膜部２とフェ
ライトコア部１との界面５にＡＩが偏析したり、Ｎｂ、
Ｚｒ等がフェライトの酸素を奪ったりして変質層が生
じ、疑似ギャップとなってヘッドの特性を損なう問題点
があった。又Ｆｅ−５ｌ−ＡＩ系合金膜は磁気異方性の
制御が困難でヘッド化した場合特性のばらつきが生じ易
＜、Ｃｏ−Ｎｂ−Ｚｒ系非晶質合金膜は磁界中熱処理に
より磁気異方性の制御が可能なものの全ての熱処理工程
を磁界中で行なわないと異方性が消えてしまうという問
題点や飽和磁化の高いものは結晶化温度が低く５００°
Ｃ近傍でのガラス接着工程が困難であるという問題点が
あうた。
てＦｅ−５ｌ−ＡＩ系合金やＧｏ−Ｎｂ−Ｚｒ系非晶質
合金等の従来よりヘッドコア材として用いられているも
のを用いると、第１図に示された金属磁性膜部２とフェ
ライトコア部１との界面５にＡＩが偏析したり、Ｎｂ、
Ｚｒ等がフェライトの酸素を奪ったりして変質層が生
じ、疑似ギャップとなってヘッドの特性を損なう問題点
があった。又Ｆｅ−５ｌ−ＡＩ系合金膜は磁気異方性の
制御が困難でヘッド化した場合特性のばらつきが生じ易
＜、Ｃｏ−Ｎｂ−Ｚｒ系非晶質合金膜は磁界中熱処理に
より磁気異方性の制御が可能なものの全ての熱処理工程
を磁界中で行なわないと異方性が消えてしまうという問
題点や飽和磁化の高いものは結晶化温度が低く５００°
Ｃ近傍でのガラス接着工程が困難であるという問題点が
あうた。
本発明は、このような従来技術の課題を解決することを
目的とする。
目的とする。
課題を解決するための手段
本発明にかかる磁気ヘッドは、金属合金膜部に次式でし
めされた組成を有する合金膜 Ｔ ＝ Ｍ ｂ Ｘ −１’Ｌ１ ・・・
（１）を用いて変質層の低減をはかる。
めされた組成を有する合金膜 Ｔ ＝ Ｍ ｂ Ｘ −１’Ｌ１ ・・・
（１）を用いて変質層の低減をはかる。
ただしＴはＦｅ、 Ｇｏ、 Ｎｉよりなる群から選択さ
れた少なくとも１種の金属、ＭはＮｂ、 Ｚｒ＋ Ｔｌ
、 Ｔａ、■ｆ、 Ｏｒ、 Ｎｏ、 Ｗ、 Ｍｎよりな
る群から選択された少なくとも１種の金属、ＸはＢ、
Ｓｌ、 （ｉｅよりなる群より選択された少なくとも１
種の半金属・半導体、Ｎは窒素であってａ、 ｂ、 ｃ
、 ｄは原子パーセントを表わし、それぞれ ６５≦ａ′：ａ９３ ４≦ｂ≦２０ ！≦ｃ≦２０ ２≦ｄ≦２０ ａ＋ ｂ＋ ｃ＋ ｄ＝ １００ ・・・ （２） ・・・ （３） ・・・ （４） ・・・ （５） ・・・ （６） である。
れた少なくとも１種の金属、ＭはＮｂ、 Ｚｒ＋ Ｔｌ
、 Ｔａ、■ｆ、 Ｏｒ、 Ｎｏ、 Ｗ、 Ｍｎよりな
る群から選択された少なくとも１種の金属、ＸはＢ、
Ｓｌ、 （ｉｅよりなる群より選択された少なくとも１
種の半金属・半導体、Ｎは窒素であってａ、 ｂ、 ｃ
、 ｄは原子パーセントを表わし、それぞれ ６５≦ａ′：ａ９３ ４≦ｂ≦２０ ！≦ｃ≦２０ ２≦ｄ≦２０ ａ＋ ｂ＋ ｃ＋ ｄ＝ １００ ・・・ （２） ・・・ （３） ・・・ （４） ・・・ （５） ・・・ （６） である。
また本発明は、ギャップ近傍が、次式
％式％
（ただしＴはＦｅ＋ Ｃｏ＋ Ｎ＋よりなる群から選択
された少なくとも１種の金属、ＭはＮｂ ＋Ｚｒ ＩＴ
Ｉ ＩＴ＠ ＩＩ（ｒ ｌＣ，、Ｍ、 、Ｗ 、Ｍ、よ
りなる群から選択された少なくとも１種の金Ｂ、ＸはＢ
、Ｓ＋、Ｇ−よりなる群より選択された少なくとも１種
の半金属番卒導体、ＮはＮ（窒素）であってａ、 ｂ、
ｃ、 ｄは原子パーセントを表わし、それぞれ ６５≦ａ≦８３ ４≦ｂ≦２０ １ｆａｃ≦２０ ２≦ｄ≦２０ ａ＋ ｂ＋ ｃ＋ ｄ＝ １００ である） で示された組成の磁性合金膜で、その他のコア部が主に
フェライトで構成されている磁気ヘッドの作成法におい
て、フェライト基板上に該合金膜をスパッタ法等により
蒸着し、該合金膜の磁気ギャップ面となるべき面にほぼ
平行に、かつ磁気ギャップの深さ方向にほぼ直角となる
方向に磁界を印加し、該フェライト基板のキュリー温度
以上で熱処理した後、通常のヘッド作製加工を行い、該
フェライト基板がバックコア、該合金膜部が磁気ギャッ
プ面を含むフロントコアとなるように磁気ヘッドを構成
する事を特徴とする磁気ヘッドの製造方法である。
された少なくとも１種の金属、ＭはＮｂ ＋Ｚｒ ＩＴ
Ｉ ＩＴ＠ ＩＩ（ｒ ｌＣ，、Ｍ、 、Ｗ 、Ｍ、よ
りなる群から選択された少なくとも１種の金Ｂ、ＸはＢ
、Ｓ＋、Ｇ−よりなる群より選択された少なくとも１種
の半金属番卒導体、ＮはＮ（窒素）であってａ、 ｂ、
ｃ、 ｄは原子パーセントを表わし、それぞれ ６５≦ａ≦８３ ４≦ｂ≦２０ １ｆａｃ≦２０ ２≦ｄ≦２０ ａ＋ ｂ＋ ｃ＋ ｄ＝ １００ である） で示された組成の磁性合金膜で、その他のコア部が主に
フェライトで構成されている磁気ヘッドの作成法におい
て、フェライト基板上に該合金膜をスパッタ法等により
蒸着し、該合金膜の磁気ギャップ面となるべき面にほぼ
平行に、かつ磁気ギャップの深さ方向にほぼ直角となる
方向に磁界を印加し、該フェライト基板のキュリー温度
以上で熱処理した後、通常のヘッド作製加工を行い、該
フェライト基板がバックコア、該合金膜部が磁気ギャッ
プ面を含むフロントコアとなるように磁気ヘッドを構成
する事を特徴とする磁気ヘッドの製造方法である。
また、本発明磁気ヘッドの製造方法ではＭＩＧヘッドの
作製工程の特徴を活かし、反磁界係数の小さい状態で上
記の合金膜の磁気ギャップ面となるべき面にほぼ平行に
、かつ磁気ギャップの深さ方向にほぼ直角となる方向に
磁界を印加し、フェライト基板のキュリー温度以上で熱
処理を行なう。
作製工程の特徴を活かし、反磁界係数の小さい状態で上
記の合金膜の磁気ギャップ面となるべき面にほぼ平行に
、かつ磁気ギャップの深さ方向にほぼ直角となる方向に
磁界を印加し、フェライト基板のキュリー温度以上で熱
処理を行なう。
作用
上記の構成においては磁性合金膜部に特殊な窒化合金膜
を用いる事により、フェライトバックコア部との反応が
低減するため変質層が生じ難くなり疑似ギャップの問題
が改善される。更に上述の熱処理により磁気ヘッドの高
周波特性の向上と特性の均一化が可能となる。
を用いる事により、フェライトバックコア部との反応が
低減するため変質層が生じ難くなり疑似ギャップの問題
が改善される。更に上述の熱処理により磁気ヘッドの高
周波特性の向上と特性の均一化が可能となる。
実施例
以下に、本発明の実施例を図面を参照して説明する。
（１）式において合金膜が軟磁性を示すにはａ≦８４，
５≦ｂ＋ａ ｍ （７）である事が必要
であり、合金膜が高飽和磁化を有するには ６５≦ａ、 ｂ≦２０．Ｃｓ２Ｏ−（８）である事が
望ましい。又フェライトとの反応を防ぎ疑似ギャップを
低減するには ２≦ｄ ・・・（９）である
事が必要で、かつより望ましくは３≦ｃ＋ｄ
・・・（１０）である事がわかった。更
に熱処理により窒素が膜から解離するのを防ぐためには ４≦ｂ ・・・ （１１） である事が必要であり、合金膜の内部応力を抑えて膜が
基板より剥離しないためには ｄ≦２０ ・・・
（１２）である事が望ましい。以上（７）−（１２）式
より（２）−（８）式の条件式が得られた。
５≦ｂ＋ａ ｍ （７）である事が必要
であり、合金膜が高飽和磁化を有するには ６５≦ａ、 ｂ≦２０．Ｃｓ２Ｏ−（８）である事が
望ましい。又フェライトとの反応を防ぎ疑似ギャップを
低減するには ２≦ｄ ・・・（９）である
事が必要で、かつより望ましくは３≦ｃ＋ｄ
・・・（１０）である事がわかった。更
に熱処理により窒素が膜から解離するのを防ぐためには ４≦ｂ ・・・ （１１） である事が必要であり、合金膜の内部応力を抑えて膜が
基板より剥離しないためには ｄ≦２０ ・・・
（１２）である事が望ましい。以上（７）−（１２）式
より（２）−（８）式の条件式が得られた。
この窒化合金膜の軟磁気特性を更に改善するには、少な
くとも作製時において膜厚方向即ち成膜方向に組成変調
された窒化合金膜 Ｔａ・Ｍ ｂ−Ｘ−・Ｎｎ・、 ・・・（１
′）を用いる事が望ましい。ただしＴａＭ、ＸｏＮは（
１）式記載のものと同じであり、ａＺ ｂ’＋ ｅＺｄ
’は膜厚方向に変動するそれぞれの構成元素の平均組成
で原子パーセントで Ｂ５≦ａ’≦９３ −（２’）４≦ｂ’
≦２０ ・・・（３′）ｌ≦ｃ’≦２
０ ・・・（４′）２≦ｄ’≦２０
・・・（５１）ａ’＋ｂ’＋ｃ’＋ｄ
’＝１００ ・・・（８’）であり、限定理
由は（２）−（６）の場合と同様である。
くとも作製時において膜厚方向即ち成膜方向に組成変調
された窒化合金膜 Ｔａ・Ｍ ｂ−Ｘ−・Ｎｎ・、 ・・・（１
′）を用いる事が望ましい。ただしＴａＭ、ＸｏＮは（
１）式記載のものと同じであり、ａＺ ｂ’＋ ｅＺｄ
’は膜厚方向に変動するそれぞれの構成元素の平均組成
で原子パーセントで Ｂ５≦ａ’≦９３ −（２’）４≦ｂ’
≦２０ ・・・（３′）ｌ≦ｃ’≦２
０ ・・・（４′）２≦ｄ’≦２０
・・・（５１）ａ’＋ｂ’＋ｃ’＋ｄ
’＝１００ ・・・（８’）であり、限定理
由は（２）−（６）の場合と同様である。
このような組成変調膜（広い意味で積層構造膜も含む）
は優れた軟磁性を示し、作製法としては周期的に窒素ガ
スを混合した反応スパッタ法等により窒化層と非窒化層
を積層する事により積層構造のものが、又この膜を熱処
理する事により組成変調構造もしくは積層構造のものが
得られる。従来の非晶質合金では活性なＮｂ、 Ｚｒ等
が界面でフェライトの酸素を奪って変質層を生じていた
が、これらの窒化合金膜ではＮｂやＺｒ等が窒素と選択
的に結合しているため変質層が発生しにくくなっている
。
は優れた軟磁性を示し、作製法としては周期的に窒素ガ
スを混合した反応スパッタ法等により窒化層と非窒化層
を積層する事により積層構造のものが、又この膜を熱処
理する事により組成変調構造もしくは積層構造のものが
得られる。従来の非晶質合金では活性なＮｂ、 Ｚｒ等
が界面でフェライトの酸素を奪って変質層を生じていた
が、これらの窒化合金膜ではＮｂやＺｒ等が窒素と選択
的に結合しているため変質層が発生しにくくなっている
。
同時に（１）もしくは（１”）式においてこれらのＸ元
素、即ちＮｂ、 Ｚｒ、 Ｔｆ、 Ｔａ、 Ｈｆ等が窒
素との結合力が大であるため、高温の熱処理においても
窒素が膜から解離せず膜質及び膜の諸特性の安定性に寄
与している。（１）もしくは（１′）式においてＸ元素
はＸ元素のようにフェライトの酸素を奪うことはなく窒
素と結合してフェライトと磁性合金膜との反応を押え疑
似ギャップの低減に寄与している。
素、即ちＮｂ、 Ｚｒ、 Ｔｆ、 Ｔａ、 Ｈｆ等が窒
素との結合力が大であるため、高温の熱処理においても
窒素が膜から解離せず膜質及び膜の諸特性の安定性に寄
与している。（１）もしくは（１′）式においてＸ元素
はＸ元素のようにフェライトの酸素を奪うことはなく窒
素と結合してフェライトと磁性合金膜との反応を押え疑
似ギャップの低減に寄与している。
これらの窒化合金膜は従来の非晶質合金と異なり熱的に
安定なため５００℃以上での高温熱処理が可能である。
安定なため５００℃以上での高温熱処理が可能である。
又この窒化合金膜はＦｅ−５ｌ−ＡＩのような結晶質合
金と異なり磁界中熱処理による磁気異方性の制御が可能
で、かつ−度高温で磁界中熱処理して異方性をつけてお
けば無磁界中でもそれより低温での熱処理ではこの磁気
異方性が消えにくいという特徴を有している。本発明で
はこの窒化合金膜の特徴とＭＩＧヘッド作製工程が磁界
中熱処理に適している点に着目し高周波特性に優れ特性
の均一な磁気ヘッドの製造法を開発した。
金と異なり磁界中熱処理による磁気異方性の制御が可能
で、かつ−度高温で磁界中熱処理して異方性をつけてお
けば無磁界中でもそれより低温での熱処理ではこの磁気
異方性が消えにくいという特徴を有している。本発明で
はこの窒化合金膜の特徴とＭＩＧヘッド作製工程が磁界
中熱処理に適している点に着目し高周波特性に優れ特性
の均一な磁気ヘッドの製造法を開発した。
以下に本発明磁気ヘッドの製造法の一例を第１図を用い
て説明する。
て説明する。
通常メタルインギャプと呼ばれる構造の磁気ヘッドは同
図に示したような加工工程を経て作製される。図中１−
４の記号に対応するものは第２図のものと同じである。
図に示したような加工工程を経て作製される。図中１−
４の記号に対応するものは第２図のものと同じである。
同図（Ｃ）において磁気ヘッドの磁路はこの場合、巻線
穴６の周りのＸ−２面内を主に通って構成されＹ方向に
磁化容易軸を有する事が特性上望ましい。しかしながら
この形状でＹ方向に磁界を印加して熱処理してもこの方
向に磁気異方性をつけるのは困難である。この理由は磁
性合金膜部２のｘ、ｙ、ｚ方向の寸法はほぼ同程度でＹ
方向に対する反磁界係数が極めて大きくこれに打ち勝つ
ためには数千Ｏｅの磁界が必要で、これは実際の工程上
困難だからである。しかし同図（ａ）もしくは（ｂ）の
形状の時、即ちフェライト基板１上にスパッタ法等によ
り窒化合金膜２を蒸着した状態（ａ）もしくはＸ−Ｙ面
をギャップ面とすべく研磨した状態（ｂ）で図中のＹ方
向、即ちギャップ面３゛に平行で、ギャップの深さ方向
Ｘと直角方向に磁界を印加してフェライト基板のキュリ
ー温度以上で熱処理すれば磁化容易軸をＹ方向につける
事が可能である。この時磁性合金膜部のＹ方向の反磁界
係数は小さく印加磁界は数百Ｏｅで十分である。なおフ
ェライトのキュリー温度は３００°Ｃ以下であるのでこ
れ以上の温度で熱処理すればフェライト基板部の反磁界
の寄与はまったくない。
穴６の周りのＸ−２面内を主に通って構成されＹ方向に
磁化容易軸を有する事が特性上望ましい。しかしながら
この形状でＹ方向に磁界を印加して熱処理してもこの方
向に磁気異方性をつけるのは困難である。この理由は磁
性合金膜部２のｘ、ｙ、ｚ方向の寸法はほぼ同程度でＹ
方向に対する反磁界係数が極めて大きくこれに打ち勝つ
ためには数千Ｏｅの磁界が必要で、これは実際の工程上
困難だからである。しかし同図（ａ）もしくは（ｂ）の
形状の時、即ちフェライト基板１上にスパッタ法等によ
り窒化合金膜２を蒸着した状態（ａ）もしくはＸ−Ｙ面
をギャップ面とすべく研磨した状態（ｂ）で図中のＹ方
向、即ちギャップ面３゛に平行で、ギャップの深さ方向
Ｘと直角方向に磁界を印加してフェライト基板のキュリ
ー温度以上で熱処理すれば磁化容易軸をＹ方向につける
事が可能である。この時磁性合金膜部のＹ方向の反磁界
係数は小さく印加磁界は数百Ｏｅで十分である。なおフ
ェライトのキュリー温度は３００°Ｃ以下であるのでこ
れ以上の温度で熱処理すればフェライト基板部の反磁界
の寄与はまったくない。
又Ｙ方向の磁気異方性の大きさはＹ方向の固定磁界中熱
処理と、Ｘ−Ｙ面内、即ちギャップ面内での回転磁界中
熱処理を組み合わす等により任意に制御する事が可能で
ある。次に同図（ｂ）に示したバーの半分に同図（ｂ′
）に示したような巻線溝加工を施し、ギャップ面３１に
５１０２等のギャップ材３を形成した後、ガラス４によ
り（ｂ）および（ｂ′）に示した両コアを接合して（Ｃ
）に示したような磁気ヘッドが得られる。通常このガラ
スボンディングは４８０°Ｃ近傍で行なわれるので、上
述の磁界中熱処理をこの温度より高めに設定して５００
〜６５０℃で行なっておけばＹ方向につけられた磁気異
方性はこの無磁界中のガラスボンディング工程により消
失する事はない。従来の非晶質合金では５００°Ｃ以上
の熱的安定性に難があったためこのような高温磁界中熱
処理工程は不可能であった。
処理と、Ｘ−Ｙ面内、即ちギャップ面内での回転磁界中
熱処理を組み合わす等により任意に制御する事が可能で
ある。次に同図（ｂ）に示したバーの半分に同図（ｂ′
）に示したような巻線溝加工を施し、ギャップ面３１に
５１０２等のギャップ材３を形成した後、ガラス４によ
り（ｂ）および（ｂ′）に示した両コアを接合して（Ｃ
）に示したような磁気ヘッドが得られる。通常このガラ
スボンディングは４８０°Ｃ近傍で行なわれるので、上
述の磁界中熱処理をこの温度より高めに設定して５００
〜６５０℃で行なっておけばＹ方向につけられた磁気異
方性はこの無磁界中のガラスボンディング工程により消
失する事はない。従来の非晶質合金では５００°Ｃ以上
の熱的安定性に難があったためこのような高温磁界中熱
処理工程は不可能であった。
このようにして作製した磁気ヘッドは優れた特性を示す
。これはギャップ近傍の磁性合金膜部に理想的な磁気異
方性を持たせる事が出来るからである。この磁気異方性
が大きすぎると高周波特性は良くなるものの合金膜の透
磁率が低下してヘッドの再生効率が悪くなるので磁界中
熱処理条件を調整して最適化する必要がある。これは熱
処理時間・温度の調整、及び固定磁界中と回転磁界中熱
処理の組合せ等により任意の大きさの磁気異方性に制御
する事が可能である。
。これはギャップ近傍の磁性合金膜部に理想的な磁気異
方性を持たせる事が出来るからである。この磁気異方性
が大きすぎると高周波特性は良くなるものの合金膜の透
磁率が低下してヘッドの再生効率が悪くなるので磁界中
熱処理条件を調整して最適化する必要がある。これは熱
処理時間・温度の調整、及び固定磁界中と回転磁界中熱
処理の組合せ等により任意の大きさの磁気異方性に制御
する事が可能である。
以下更に具体的実施例により本発明の詳細な説明を行な
う。
う。
〈実施例１〉
スパッタ法によりＭｎ−Ｚｎフェライト基板上に厚さ８
μｍのＦｅ−５ｌ−Ａ１合金膜及びＣｏ−Ｎｂ−Ｚｒ非
晶質合金膜を形成し、第２図に示したようなＭＩＧタイ
プの磁気ヘッドを作製した。次にターゲットにＧｏ−Ｍ
ｎ−Ｎｂ−Ｂ及びＦｅ−Ｎｂ−５ｌ−８合金板を用い、
Ｎ２ガスをＡｒガスに混合してスパッタすることにより
膜組成でＣＯｖｉＭｎｅＮｂｔＢ＋ｓＮ２及びＦｅｔａ
Ｎｂ＠５ＩａＢ＋ ２Ｎ２なる厚さ８μ閣の窒化合金膜
を同様にＭｎ−Ｚｎフェライト基板上に形成した。更に
同上のターゲットを用い、スパッタ中にＡｒガス中にＮ
２ガスを周期的に混合することによりＧｏ−Ｍｎ−Ｎｂ
−Ｂ／Ｃｏ−Ｍｎ−Ｎｂ−Ｂ−Ｎ及びＦｅ−Ｎｂ−５ｉ
Ｂ／Ｆｅ−Ｎｂ−５ｔ−Ｂ−Ｎなる非窒化層と窒化層よ
りなる総厚８μｍ、１層の層厚が約１００Ａの組成変調
膜をＭｎ−Ｚｎフェライト基板上に形成した。この時Ｎ
２ガスの分圧比を変えることにより平均膜組成として＜
Ｇｏ７＠Ｍｎ６Ｎｂ７Ｂ＋５Ｎ２）、 ＜ＣｏｅＪｎ
ａＮｂｅＢ＋＊Ｎｓ〉 及び＜ＣＯａｓＭｎｓＮｂｓＢ
＋３Ｎ＋４） ； （Ｆｅ７ｅＮｂｓＳＩ２Ｂ＋Ｊ
２〉＜Ｆｅ７２Ｎｂ７ｓｉ２９０Ｊ＋＞及び （Ｆｅｅ
＠ＮｂａＳｉａＢ＋ａＮ＋４〉を得た。このようにして
Ｍｎ−Ｚｎフェライト基板上に形成した種々の窒化合金
膜を用い、第１図に示したような工程を経てＭＩＧタイ
プの磁気ヘッドを作製した。同図（ａ）の工程ではこの
形状のものを５２０°Ｃで１時間熱処理し、この時外部
より５０００ｅの磁界をＹ方向に固定して印加したもの
、Ｙ方向に３０分固定した後３０分Ｘ−Ｙ面内で回転し
たもの、及び磁界を印加しないで行なったものの３種類
の熱処理をした。また同図（Ｃ）のガラスボンディング
工程は４８０°Ｃ無磁界中で行なった。以上のように作
製した種々の磁気ヘッドを通常のＶＴＲデツキに取り付
け、メタルテープを用いてそれらの特性比較を行なった
。なお、どのヘッドも磁気ギャップとトラック幅はそれ
ぞれ０．２５μｍ及び２０μｍに統一した。結果を表−
１に示す。
μｍのＦｅ−５ｌ−Ａ１合金膜及びＣｏ−Ｎｂ−Ｚｒ非
晶質合金膜を形成し、第２図に示したようなＭＩＧタイ
プの磁気ヘッドを作製した。次にターゲットにＧｏ−Ｍ
ｎ−Ｎｂ−Ｂ及びＦｅ−Ｎｂ−５ｌ−８合金板を用い、
Ｎ２ガスをＡｒガスに混合してスパッタすることにより
膜組成でＣＯｖｉＭｎｅＮｂｔＢ＋ｓＮ２及びＦｅｔａ
Ｎｂ＠５ＩａＢ＋ ２Ｎ２なる厚さ８μ閣の窒化合金膜
を同様にＭｎ−Ｚｎフェライト基板上に形成した。更に
同上のターゲットを用い、スパッタ中にＡｒガス中にＮ
２ガスを周期的に混合することによりＧｏ−Ｍｎ−Ｎｂ
−Ｂ／Ｃｏ−Ｍｎ−Ｎｂ−Ｂ−Ｎ及びＦｅ−Ｎｂ−５ｉ
Ｂ／Ｆｅ−Ｎｂ−５ｔ−Ｂ−Ｎなる非窒化層と窒化層よ
りなる総厚８μｍ、１層の層厚が約１００Ａの組成変調
膜をＭｎ−Ｚｎフェライト基板上に形成した。この時Ｎ
２ガスの分圧比を変えることにより平均膜組成として＜
Ｇｏ７＠Ｍｎ６Ｎｂ７Ｂ＋５Ｎ２）、 ＜ＣｏｅＪｎ
ａＮｂｅＢ＋＊Ｎｓ〉 及び＜ＣＯａｓＭｎｓＮｂｓＢ
＋３Ｎ＋４） ； （Ｆｅ７ｅＮｂｓＳＩ２Ｂ＋Ｊ
２〉＜Ｆｅ７２Ｎｂ７ｓｉ２９０Ｊ＋＞及び （Ｆｅｅ
＠ＮｂａＳｉａＢ＋ａＮ＋４〉を得た。このようにして
Ｍｎ−Ｚｎフェライト基板上に形成した種々の窒化合金
膜を用い、第１図に示したような工程を経てＭＩＧタイ
プの磁気ヘッドを作製した。同図（ａ）の工程ではこの
形状のものを５２０°Ｃで１時間熱処理し、この時外部
より５０００ｅの磁界をＹ方向に固定して印加したもの
、Ｙ方向に３０分固定した後３０分Ｘ−Ｙ面内で回転し
たもの、及び磁界を印加しないで行なったものの３種類
の熱処理をした。また同図（Ｃ）のガラスボンディング
工程は４８０°Ｃ無磁界中で行なった。以上のように作
製した種々の磁気ヘッドを通常のＶＴＲデツキに取り付
け、メタルテープを用いてそれらの特性比較を行なった
。なお、どのヘッドも磁気ギャップとトラック幅はそれ
ぞれ０．２５μｍ及び２０μｍに統一した。結果を表−
１に示す。
表−１
表−１に示した実験結果より本発明構成の磁気ヘッドに
詔いては、疑似ギャップの影響により生ずる再生出力の
うねりが低減し、従来の問題点が大幅に改善されている
事がわかる。又単層の窒化合金膜を用いるよりも組成変
調窒化合金膜を用いた方が再生出力上有利である事がわ
かる。更には本発明の磁界中熱処理工程を用いて作製し
たヘッドは優れた特性を示すが、特に固定磁界中熱処理
をしたものは再生出力の周波数特性に優れ、又固定磁界
中熱処理と回転磁界中熱処理を組み合わせたものは高い
再生出力を示す事がわかる。
詔いては、疑似ギャップの影響により生ずる再生出力の
うねりが低減し、従来の問題点が大幅に改善されている
事がわかる。又単層の窒化合金膜を用いるよりも組成変
調窒化合金膜を用いた方が再生出力上有利である事がわ
かる。更には本発明の磁界中熱処理工程を用いて作製し
たヘッドは優れた特性を示すが、特に固定磁界中熱処理
をしたものは再生出力の周波数特性に優れ、又固定磁界
中熱処理と回転磁界中熱処理を組み合わせたものは高い
再生出力を示す事がわかる。
〈実施例２〉
ターゲットにＣｏ−Ｗｂ−Ｚｒ−Ｂ、 Ｃｏ−Ｗｂ−Ｈ
ｆ−Ｂ、 Ｃｏ−Ｔ１４ａ−Ｂ、 Ｃｏ−Ｎｏ−Ｃｒ−
Ｚｒ−Ｂ、 Ｇｏ−Ｗｂ−Ｂ、 Ｆｅ−１［ｂ−Ｓｌ、
Ｆｅ−旧−Ｗ−Ｎｂ−Ｇｅを用い、実施例１と同様の
方法で窒化層と非窒化層よりなる組成変調窒化合金膜を
反応スパッタ法により翼ｎ−Ｚｎフェライト基板上に形
成した。総膜厚はすべて８μ園とし、組成変調波長及び
窒素含有量はＮ２ガスの混合周期及び分圧比を制御する
ことにより変化させた。これらを用いて実施例１と同様
の方法でＭＩＧタイプの磁気ヘッドを作製しその諸特性
を同様の方法で測定した。ただし熱処理は８００℃で前
半３０分を固定磁界中で、後半１５分を回転磁界中で行
なった。結果を表−２に示す。
ｆ−Ｂ、 Ｃｏ−Ｔ１４ａ−Ｂ、 Ｃｏ−Ｎｏ−Ｃｒ−
Ｚｒ−Ｂ、 Ｇｏ−Ｗｂ−Ｂ、 Ｆｅ−１［ｂ−Ｓｌ、
Ｆｅ−旧−Ｗ−Ｎｂ−Ｇｅを用い、実施例１と同様の
方法で窒化層と非窒化層よりなる組成変調窒化合金膜を
反応スパッタ法により翼ｎ−Ｚｎフェライト基板上に形
成した。総膜厚はすべて８μ園とし、組成変調波長及び
窒素含有量はＮ２ガスの混合周期及び分圧比を制御する
ことにより変化させた。これらを用いて実施例１と同様
の方法でＭＩＧタイプの磁気ヘッドを作製しその諸特性
を同様の方法で測定した。ただし熱処理は８００℃で前
半３０分を固定磁界中で、後半１５分を回転磁界中で行
なった。結果を表−２に示す。
（以下余白）
表−２
表中の相対再生出力比は表−１のＦｅ−５ｉ−ＡＩヘッ
ドをＯｄｂとして比較を行なった。
ドをＯｄｂとして比較を行なった。
表−２に示した結果より窒化によ°り疑似ギャップによ
る再生出力のうねりが低減しており、又合金膜の窒素含
有量が多いほどこの効果が大である事が表−１１表−２
にしめした結果よりわかる。
る再生出力のうねりが低減しており、又合金膜の窒素含
有量が多いほどこの効果が大である事が表−１１表−２
にしめした結果よりわかる。
更には組成変調波長（＝窒化層１層の層厚＋非窒化層１
層の層厚）があまり長くなるとヘッドの再生出力が低下
する傾向がある事がわかる。
層の層厚）があまり長くなるとヘッドの再生出力が低下
する傾向がある事がわかる。
発明の効果
以上述べたように本発明は、ＭＩＧヘッド特有の疑似ギ
ャップの問題を低減し、かつ周波数特性に優れた磁気ヘ
ッドを可能にするものである。
ャップの問題を低減し、かつ周波数特性に優れた磁気ヘ
ッドを可能にするものである。
第１図は本発明のＭＩＧタイプヘッドの製造方法の１例
を示す工程図、第２図は従来の単純な構造のＭＩＧタイ
プの磁気ヘッドの１例を示す正面図である。 １・・・フェライト、２・・・磁性合金膜、３・・・磁
気ギャップ、４・・・ボンディングガラス、５・・・磁
性合金膜部とフェライ トコア部との界面、 ６・・・巻線穴。
を示す工程図、第２図は従来の単純な構造のＭＩＧタイ
プの磁気ヘッドの１例を示す正面図である。 １・・・フェライト、２・・・磁性合金膜、３・・・磁
気ギャップ、４・・・ボンディングガラス、５・・・磁
性合金膜部とフェライ トコア部との界面、 ６・・・巻線穴。
Claims (5)
- （１）バックコアがフェライトよりなり、磁気ギャップ
近傍が次式、 Ｔ＿ａＭ＿ｂＸ＿ｏＮ＿ｄ、 （ただしＴはＦｅ，Ｃｏ，Ｎｉよりなる群から選択され
た少なくとも１種の金属、ＭはＮｂ，Ｚｒ，Ｔｉ，Ｔａ
，Ｈｆ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｍｎよりなる群から選択され
た少なくとも１種の金属、ＸはＢ，Ｓｉ，Ｇｅよりなる
群より選択された少なくとも１種の半金属・半導体、Ｎ
は窒素であり、ａ，ｂ，ｃ，ｄは原子パーセントを表わ
し、それぞれ ６５≦ａ≦９３ ４≦ｂ≦２０ １≦ｃ≦２０ ２≦ｄ≦２０ ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００ である）、 で示された組成の磁性合金膜で構成されていることを特
徴とする磁気ヘッド。 - （２）磁気ギャプ近傍の磁性合金膜が成膜方向に組成変
調されており、次式 Ｔ＿ａ・Ｍ＿ｂＸ＿ｏ・Ｎ＿ｄ・、 （ただしＴはＦｅ，Ｃｏ，Ｈｉよりなる群から選択され
た少なくとも１種の金属、ＭはＮｂ，Ｚｒ，Ｔｉ，Ｔａ
，Ｈｆ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｍｎよりなる群から選択され
た少なくとも１種の金属、ＸはＢ，Ｓｉ，Ｇｅよりなる
群から選択された少なくとも１種の半金属、半導体・Ｎ
は窒素であって、膜全体の平均組成としてａ’，ｂ’，
ｃ’，ｄ’は原子パーセントでそれぞれ６５≦ａ’≦３
３ ４≦ｂ’≦２０ １≦ｃ’≦２０ ２≦ｄ’≦２０ ａ’＋ｂ’＋ｃ’＋ｄ＝’１００ である） で示された平均組成を有する事を特徴とする請求項１記
載の磁気ヘッド。 - （３）ギャップ近傍が、次式 Ｔ＿ａＭ＿ｂＸ＿ｏＮ＿ｄ、 （ただしＴはＦｅ，Ｃｏ，Ｎｉよりなる群から選択され
た少なくとも１種の金属、ＭはＮｂ，Ｚｒ，Ｔｉ，Ｔａ
，Ｈｆ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｍｎよりなる群から選択され
た少なくとも１種の金属、ＸはＢ，Ｓｉ，Ｇｅよりなる
群より選択された少なくとも１種の半金属・半導体、Ｎ
は窒素であり、ａ，ｂ，ｃ，ｄは原子パーセントを表わ
し、それぞれ ６５≦ａ≦９３ ４≦ｂ≦２０ １≦ｃ≦２０ ２≦ｄ≦２０ ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００ である） で示された組成の磁性合金膜で、その他のコア部が主に
フェライトで構成されている磁気ヘッドの作成法におい
て、フェライト基板上に該合金膜をスパッタ法等により
蒸着し、該合金膜の磁気ギャップ面となるべき面にほぼ
平行に、かつ磁気ギャップの深さ方向にほぼ直角となる
方向に磁界を印加し、該フェライト基板のキュリー温度
以上で熱処理した後、通常のヘッド作製加工を行い、該
フェライト基板がバックコア、該合金膜部が磁気ギャッ
プ面を含むフロントコアとなるように磁気ヘッドを構成
する事を特徴とする磁気ヘッドの製造方法。 - （４）特にギャップ近傍の磁性合金膜が、次式、Ｔ＿ａ
・Ｍ＿ｂ・Ｘ＿ｏ・Ｎ＿ｄ・、 （ただしＴはＦｅ，Ｃｏ，Ｎｉよりなる群から選択され
た少なくとも１種の金属、ＭはＮｂ，Ｚｒ，Ｔｉ，Ｔａ
，Ｈｆ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｍｎよりなる群から選択され
た少なくとも１種の金属、ＸはＢ，Ｓｉ，Ｇｅよりなる
群より選択された少なくとも１種の半金属・半導体、Ｎ
は窒素であり、膜全体の平均組成としてａ’，ｂ’，ｃ
’，ｄ’は原子パーセントでそれぞれ ６５≦ａ’≦９３ ４≦ｂ’≦２０ １≦ｃ’≦２０ ２≦ｄ’≦２０ ａ’＋ｂ’＋ｃ’＋ｄ’＝１００ である） で示された成膜方向に組成変調された磁性合金膜である
事を特徴とする請求項３記載の磁気ヘッドの製造方法。 - （５）特に磁界中熱処理を磁性合金膜の磁気ギャップ面
となるべき面にほぼ平行に、かつ磁気ギャップの深さ方
向にほぼ直角となる方向に磁界を固定して行なう工程と
、磁気ギャップ面内で磁界を回転して行なう工程とを組
み合わせて行なう事を特徴とする請求項３又は４記載の
磁気ヘッドの製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1029103A JPH0827908B2 (ja) | 1989-02-08 | 1989-02-08 | 磁気ヘッド |
| US07/475,209 US5084795A (en) | 1989-02-08 | 1990-02-05 | Magnetic head and method of manufacturing the same |
| EP90102423A EP0382195B1 (en) | 1989-02-08 | 1990-02-07 | Magnetic head and method of manufacturing the same |
| DE69020000T DE69020000T2 (de) | 1989-02-08 | 1990-02-07 | Magnetkopf und Verfahren zu seiner Herstellung. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1029103A JPH0827908B2 (ja) | 1989-02-08 | 1989-02-08 | 磁気ヘッド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02208811A true JPH02208811A (ja) | 1990-08-20 |
| JPH0827908B2 JPH0827908B2 (ja) | 1996-03-21 |
Family
ID=12267008
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1029103A Expired - Lifetime JPH0827908B2 (ja) | 1989-02-08 | 1989-02-08 | 磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0827908B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04141809A (ja) * | 1990-10-02 | 1992-05-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 滋気ヘッド |
| JPH04182907A (ja) * | 1990-11-19 | 1992-06-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気ヘッド |
| JPH04252406A (ja) * | 1991-01-28 | 1992-09-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気ヘッド |
| JPH052714A (ja) * | 1990-07-13 | 1993-01-08 | Fuji Photo Film Co Ltd | 複合磁気ヘツド |
| US7012783B2 (en) | 2001-03-08 | 2006-03-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Sealing glass for magnetic head, magnetic head, and magnetic recording/reproducing device |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62266709A (ja) * | 1986-05-13 | 1987-11-19 | Sanyo Electric Co Ltd | 磁気ヘツドの製造方法 |
| JPS63254708A (ja) * | 1987-04-10 | 1988-10-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 窒素を含む軟磁性合金膜 |
-
1989
- 1989-02-08 JP JP1029103A patent/JPH0827908B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62266709A (ja) * | 1986-05-13 | 1987-11-19 | Sanyo Electric Co Ltd | 磁気ヘツドの製造方法 |
| JPS63254708A (ja) * | 1987-04-10 | 1988-10-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 窒素を含む軟磁性合金膜 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH052714A (ja) * | 1990-07-13 | 1993-01-08 | Fuji Photo Film Co Ltd | 複合磁気ヘツド |
| JPH04141809A (ja) * | 1990-10-02 | 1992-05-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 滋気ヘッド |
| JPH04182907A (ja) * | 1990-11-19 | 1992-06-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気ヘッド |
| JPH04252406A (ja) * | 1991-01-28 | 1992-09-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気ヘッド |
| US7012783B2 (en) | 2001-03-08 | 2006-03-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Sealing glass for magnetic head, magnetic head, and magnetic recording/reproducing device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0827908B2 (ja) | 1996-03-21 |
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Legal Events
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