JP3127613B2 - 磁気ヘッド及びその製造方法 - Google Patents
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は高品位ＶＴＲやデジタル
ＶＴＲ等の高周波信号の記録再生に適した、高周波用磁
気ヘッド及びその製造方法に関するものである。
ＶＴＲ等の高周波信号の記録再生に適した、高周波用磁
気ヘッド及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年高品位ＶＴＲやデジタルＶＴＲなど
の高周波信号を取り扱うシステムの開発が盛んになって
きており、磁気ヘッドとしても高周波特性の優れた磁気
ヘッドの開発が望まれている。現在、センダストやアモ
ルファス合金などの金属磁性材料を用いたリング型磁気
ヘッドの開発が行われているが、バルク状の金属磁性材
料を用いたのでは渦電流損失が大きくとても上記システ
ムには使えない。その為、上記損失をできるだけ抑える
ために、金属磁性材料を薄膜化して用いることが検討さ
れており、例えば金属磁性薄膜と絶縁膜との積層膜で主
磁気回路を構成することによって高周波化を図ってい
る。
の高周波信号を取り扱うシステムの開発が盛んになって
きており、磁気ヘッドとしても高周波特性の優れた磁気
ヘッドの開発が望まれている。現在、センダストやアモ
ルファス合金などの金属磁性材料を用いたリング型磁気
ヘッドの開発が行われているが、バルク状の金属磁性材
料を用いたのでは渦電流損失が大きくとても上記システ
ムには使えない。その為、上記損失をできるだけ抑える
ために、金属磁性材料を薄膜化して用いることが検討さ
れており、例えば金属磁性薄膜と絶縁膜との積層膜で主
磁気回路を構成することによって高周波化を図ってい
る。
【０００３】またアモルファス合金の場合は膜作成時に
生じた磁気異方性を小さくするため、ヘッド製造プロセ
ス中の熱処理は、キュリ−温度Ｔｃ＜結晶化温度Ｔｘの
組成のアモルファス合金はＴｃ以上の温度で行い、Ｔｃ
＞Ｔｘの組成のアモルファス合金はＴｘ以上Ｔｃ以下の
温度で回転磁界中で行うのが現状である。
生じた磁気異方性を小さくするため、ヘッド製造プロセ
ス中の熱処理は、キュリ−温度Ｔｃ＜結晶化温度Ｔｘの
組成のアモルファス合金はＴｃ以上の温度で行い、Ｔｃ
＞Ｔｘの組成のアモルファス合金はＴｘ以上Ｔｃ以下の
温度で回転磁界中で行うのが現状である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】高品位ＶＴＲやデジタ
ルＶＴＲではその記録信号帯域は３０〜８０ＭＨｚに達
し、リング型磁気ヘッド用コア材としてはこのような高
周波帯域で膜面内のすべての方向で高い初透磁率を有す
るものが要求される。（図２）は、膜厚の異なるＴｃ＜
Ｔｘの組成のＣｏ系アモルファス膜（飽和時速密度Ｂｓ
＝０．８Ｔ、キュリ−温度Ｔｃ＝４８０℃、結晶化温度
Ｔｘ＝５７５℃）をキュリ−温度Ｔｃで熱処理し、局所
的異方性磁界ＨｋをＨｋ≒４０Ａ／ｍとした時の各膜の
初透磁率の周波数特性を示す。ほとんどの磁性膜は初透
磁率の高周波特性が自然共鳴によるスヌ−クの限界線で
制約されており、３０ＭＨｚ以上の高周波帯域の初透磁
率は５００以下となる。
ルＶＴＲではその記録信号帯域は３０〜８０ＭＨｚに達
し、リング型磁気ヘッド用コア材としてはこのような高
周波帯域で膜面内のすべての方向で高い初透磁率を有す
るものが要求される。（図２）は、膜厚の異なるＴｃ＜
Ｔｘの組成のＣｏ系アモルファス膜（飽和時速密度Ｂｓ
＝０．８Ｔ、キュリ−温度Ｔｃ＝４８０℃、結晶化温度
Ｔｘ＝５７５℃）をキュリ−温度Ｔｃで熱処理し、局所
的異方性磁界ＨｋをＨｋ≒４０Ａ／ｍとした時の各膜の
初透磁率の周波数特性を示す。ほとんどの磁性膜は初透
磁率の高周波特性が自然共鳴によるスヌ−クの限界線で
制約されており、３０ＭＨｚ以上の高周波帯域の初透磁
率は５００以下となる。
【０００５】また（図３）は膜厚の異なるＴｃ＞Ｔｘの
組成のＣｏ系アモルファス膜（Ｂｓ＝０．９Ｔ、Ｔｘ＝
５００℃）をＴａ＝４５０℃で回転磁界中熱処理をし、
局所的異方性磁界ＨｋをＨｋ≒２０Ａ／ｍとした時の各
膜の初透磁率の周波数特性を示す。Ｔｃ＜ＴｘのＣｏ系
アモルファス膜と同様、ほとんどの磁性膜は初透磁率の
高周波特性が自然共鳴によるスヌ−クの限界線で制約さ
れており、３０ＭＨｚ以上の高周波帯域の初透磁率は５
００以下となる。したがってこのような磁性膜を磁気ヘ
ッドコアとして用いたのでは、前記のような高周波シス
テムに対応する高周波用磁気ヘッドを実現するのは困難
である。
組成のＣｏ系アモルファス膜（Ｂｓ＝０．９Ｔ、Ｔｘ＝
５００℃）をＴａ＝４５０℃で回転磁界中熱処理をし、
局所的異方性磁界ＨｋをＨｋ≒２０Ａ／ｍとした時の各
膜の初透磁率の周波数特性を示す。Ｔｃ＜ＴｘのＣｏ系
アモルファス膜と同様、ほとんどの磁性膜は初透磁率の
高周波特性が自然共鳴によるスヌ−クの限界線で制約さ
れており、３０ＭＨｚ以上の高周波帯域の初透磁率は５
００以下となる。したがってこのような磁性膜を磁気ヘ
ッドコアとして用いたのでは、前記のような高周波シス
テムに対応する高周波用磁気ヘッドを実現するのは困難
である。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の高周波用磁気ヘ
ッドは前記課題を解決するため、金属磁性膜の両側を基
板で挟持した構造のリング型磁気ヘッドで、前記金属磁
性膜が面内等方的に異方性が分散した多磁区構造を有
し、前記磁区内の局所的異方性磁界ＨｋがＨｋ≧５０Ａ
／ｍであることを特徴とする磁気ヘッドである。
ッドは前記課題を解決するため、金属磁性膜の両側を基
板で挟持した構造のリング型磁気ヘッドで、前記金属磁
性膜が面内等方的に異方性が分散した多磁区構造を有
し、前記磁区内の局所的異方性磁界ＨｋがＨｋ≧５０Ａ
／ｍであることを特徴とする磁気ヘッドである。
【０００７】またそのヘッドを実現するための製造方法
は、キュリ−温度Ｔｃ＜結晶化温度ＴｘのＣｏ系軟磁性
膜と基板を交互に積み重ねた積層体から一対のコア半体
を切り出し、少なくとも一方のコア半体の磁気ギャップ
面に巻線窓を形成する工程と、一対のコア半体を磁気ギ
ャップ面で突き合わせＴｃ以上の温度で熱処理しギャッ
プドバ−にする工程と、その後、Ｔｃ−１８０℃≦Ｔａ
≦Ｔｃ−３０℃の温度Ｔａで無磁界中熱処理する工程を
有することを特徴とする磁気ヘッドの製造方法、あるい
は、キュリ−温度Ｔｃ＞結晶化温度ＴｘのＣｏ系軟磁性
膜と基板を交互に積み重ねた積層体から一対のコア半体
を切り出し、少なくとも一方のコア半体の磁気ギャップ
面に巻線窓を形成する工程と、一対のコア半体を磁気ギ
ャップ面で突き合わせ、磁性膜面内に回転磁界を印加し
ながらＴｘ以下の温度で熱処理しギャップドバ−にする
工程と、その後、Ｔｘ−２００℃≦Ｔａ≦Ｔｘ−５０℃
の温度Ｔａで無磁界中熱処理する工程を有することを特
徴とする磁気ヘッドの製造方法である。
は、キュリ−温度Ｔｃ＜結晶化温度ＴｘのＣｏ系軟磁性
膜と基板を交互に積み重ねた積層体から一対のコア半体
を切り出し、少なくとも一方のコア半体の磁気ギャップ
面に巻線窓を形成する工程と、一対のコア半体を磁気ギ
ャップ面で突き合わせＴｃ以上の温度で熱処理しギャッ
プドバ−にする工程と、その後、Ｔｃ−１８０℃≦Ｔａ
≦Ｔｃ−３０℃の温度Ｔａで無磁界中熱処理する工程を
有することを特徴とする磁気ヘッドの製造方法、あるい
は、キュリ−温度Ｔｃ＞結晶化温度ＴｘのＣｏ系軟磁性
膜と基板を交互に積み重ねた積層体から一対のコア半体
を切り出し、少なくとも一方のコア半体の磁気ギャップ
面に巻線窓を形成する工程と、一対のコア半体を磁気ギ
ャップ面で突き合わせ、磁性膜面内に回転磁界を印加し
ながらＴｘ以下の温度で熱処理しギャップドバ−にする
工程と、その後、Ｔｘ−２００℃≦Ｔａ≦Ｔｘ−５０℃
の温度Ｔａで無磁界中熱処理する工程を有することを特
徴とする磁気ヘッドの製造方法である。
【０００８】
【作用】本発明の磁気ヘッドはリング型磁気ヘッドであ
るため、それに用いられる磁性膜は面内等方的でなけれ
ばならない。（図４）は面内で異方性が分散した面内等
方的な磁性膜のＢ−Ｈル−プを示す。異方性が分散して
いるので、磁化容易軸１８もあらゆる方向のものを有し
ている。したがってこのような磁性膜のＢ−Ｈル−プは
（図４ａ）で示したＢ−Ｈル−プをすべてたし合わせた
ようになり、（図４ｂ）のようになる。したがって、面
内等方的に異方性が分散した多磁区構造を有する面内等
方膜は（図４ｂ）のようなＢ−Ｈル−プを示す。ここ
で、このＢ−Ｈル−プでのＨｋを局所的異方性磁界と定
義する。
るため、それに用いられる磁性膜は面内等方的でなけれ
ばならない。（図４）は面内で異方性が分散した面内等
方的な磁性膜のＢ−Ｈル−プを示す。異方性が分散して
いるので、磁化容易軸１８もあらゆる方向のものを有し
ている。したがってこのような磁性膜のＢ−Ｈル−プは
（図４ａ）で示したＢ−Ｈル−プをすべてたし合わせた
ようになり、（図４ｂ）のようになる。したがって、面
内等方的に異方性が分散した多磁区構造を有する面内等
方膜は（図４ｂ）のようなＢ−Ｈル−プを示す。ここ
で、このＢ−Ｈル−プでのＨｋを局所的異方性磁界と定
義する。
【０００９】（図５）は局所的異方性磁界Ｈｋの異なる
面内等方的なＣｏ系アモルファス膜（膜厚２μｍ）のＢ
−Ｈル−プを示す。（図６）はこれらの膜の初透磁率の
周波数特性を示す。局所的異方性磁界Ｈｋが小さなもの
（ｂ）（ｃ）は高周波における初透磁率がスヌ−クの限
界線により抑えられているが、（ａ）Ｈｋ＝６８Ａ／ｍ
の膜は高周波における初透磁率がスヌ−クの限界線を越
えていることがわかる。これは局所的異方性の増大によ
り自然共鳴周波数がより高周波側にシフトするためであ
る。したがって局所的異方性を増大させることにより、
面内等方的に初透磁率の高周波特性を向上させることが
可能である。
面内等方的なＣｏ系アモルファス膜（膜厚２μｍ）のＢ
−Ｈル−プを示す。（図６）はこれらの膜の初透磁率の
周波数特性を示す。局所的異方性磁界Ｈｋが小さなもの
（ｂ）（ｃ）は高周波における初透磁率がスヌ−クの限
界線により抑えられているが、（ａ）Ｈｋ＝６８Ａ／ｍ
の膜は高周波における初透磁率がスヌ−クの限界線を越
えていることがわかる。これは局所的異方性の増大によ
り自然共鳴周波数がより高周波側にシフトするためであ
る。したがって局所的異方性を増大させることにより、
面内等方的に初透磁率の高周波特性を向上させることが
可能である。
【００１０】（図７）は局所的異方性磁界Ｈｋ≒７０Ａ
／ｍである膜厚の異なる面内等方的なＣｏ系アモルファ
ス膜の初透磁率の周波数特性を示す。膜厚が薄くなるに
従い、３０ＭＨｚ以上での高周波における初透磁率が高
くなっている。これは各磁性膜の局所的異方性の増大に
より自然共鳴周波数がより高域側にシフトし、初透磁率
の高周波特性を規制する要因が、自然共鳴より渦電流損
失が支配的になったためである。
／ｍである膜厚の異なる面内等方的なＣｏ系アモルファ
ス膜の初透磁率の周波数特性を示す。膜厚が薄くなるに
従い、３０ＭＨｚ以上での高周波における初透磁率が高
くなっている。これは各磁性膜の局所的異方性の増大に
より自然共鳴周波数がより高域側にシフトし、初透磁率
の高周波特性を規制する要因が、自然共鳴より渦電流損
失が支配的になったためである。
【００１１】（図１）は金属磁性膜の両側を基板で挟持
した構造のリング型磁気ヘッドの斜視図である。金属磁
性膜８は金属磁性層１と絶縁層３を交互に積層した積層
膜となっている。また金属磁性膜８と基板２との接着は
接着ガラス４で行われている。６はこの金属磁性層の磁
区構造を模式的に示したもので、多磁区構造を有し、ひ
とつの磁区は局所的異方性７を有している。
した構造のリング型磁気ヘッドの斜視図である。金属磁
性膜８は金属磁性層１と絶縁層３を交互に積層した積層
膜となっている。また金属磁性膜８と基板２との接着は
接着ガラス４で行われている。６はこの金属磁性層の磁
区構造を模式的に示したもので、多磁区構造を有し、ひ
とつの磁区は局所的異方性７を有している。
【００１２】（図８）はこの構造の磁気ヘッドの金属磁
性膜の局所的異方性磁界Ｈｋを変化させた時の８０ＭＨ
ｚにおける相対出力を示す。また金属磁性膜は金属磁性
層絶縁層との積層膜でそれぞれ層厚を（１）１．５μ
ｍ、（２）２μｍ、（３）３．５μｍ、（４）５μｍ、
（５）７μｍと変化させている。層厚が５μｍ以上のも
のは相対出力の局所的異方性磁界Ｈｋにたいする変化は
ほとんどないが、層厚が３．５μｍ以下のものではＨｋ
が５０Ａ／ｍ以上になると膜厚が薄いものほど、大きな
相対出力を示す。これはヘッド特性を大きく左右する磁
性膜の初透磁率の高周波特性が（図７）に示すようにな
ったためであると考えられる。
性膜の局所的異方性磁界Ｈｋを変化させた時の８０ＭＨ
ｚにおける相対出力を示す。また金属磁性膜は金属磁性
層絶縁層との積層膜でそれぞれ層厚を（１）１．５μ
ｍ、（２）２μｍ、（３）３．５μｍ、（４）５μｍ、
（５）７μｍと変化させている。層厚が５μｍ以上のも
のは相対出力の局所的異方性磁界Ｈｋにたいする変化は
ほとんどないが、層厚が３．５μｍ以下のものではＨｋ
が５０Ａ／ｍ以上になると膜厚が薄いものほど、大きな
相対出力を示す。これはヘッド特性を大きく左右する磁
性膜の初透磁率の高周波特性が（図７）に示すようにな
ったためであると考えられる。
【００１３】（図９）はキュリ−温度Ｔｃ＜結晶化温度
ＴｘのＣｏ系アモルファス膜（飽和時速密度Ｂｓ＝０．
８Ｔ、キュリ−温度Ｔｃ＝４８０℃、結晶化温度Ｔｘ＝
５７５℃）の無磁界中熱処理温度Ｔａに対する局所的異
方性磁界Ｈｋの変化を示したものである。初期はＴｃで
ある４８０℃での無磁界中熱処理である。熱処理温度の
上昇に従いＨｋは増加し、４８０℃で再び減少する。こ
れはＴｃ以下の無磁界中熱処理により、磁区内の局所的
異方性が増大するためであり、Ｔｃ−１８０℃≦Ｔａ≦
Ｔｃ−３０℃の範囲ではＨｋ≧５０Ａ／ｍとなる。この
範囲で磁区内の局所的異方性が増大するのは磁区構造が
存在する状態での熱処理により、各磁区内での内部磁界
により磁区内の誘導磁気異方性が増大するためであると
考えられている。
ＴｘのＣｏ系アモルファス膜（飽和時速密度Ｂｓ＝０．
８Ｔ、キュリ−温度Ｔｃ＝４８０℃、結晶化温度Ｔｘ＝
５７５℃）の無磁界中熱処理温度Ｔａに対する局所的異
方性磁界Ｈｋの変化を示したものである。初期はＴｃで
ある４８０℃での無磁界中熱処理である。熱処理温度の
上昇に従いＨｋは増加し、４８０℃で再び減少する。こ
れはＴｃ以下の無磁界中熱処理により、磁区内の局所的
異方性が増大するためであり、Ｔｃ−１８０℃≦Ｔａ≦
Ｔｃ−３０℃の範囲ではＨｋ≧５０Ａ／ｍとなる。この
範囲で磁区内の局所的異方性が増大するのは磁区構造が
存在する状態での熱処理により、各磁区内での内部磁界
により磁区内の誘導磁気異方性が増大するためであると
考えられている。
【００１４】（図１０）はＴｃ＞Ｔｘの組成のＣｏ系ア
モルファス膜（Ｂｓ＝０．９Ｔ、Ｔｘ＝５００℃）の無
磁界中熱処理温度Ｔａに対する局所的異方性磁界Ｈｋを
示したものである。初期はＴａ＝４５０℃の回転磁界中
熱処理である。熱処理温度の上昇に従いＨｋは増加し、
Ｔｘ−２００℃≦Ｔａ≦Ｔｘ−５０℃の範囲ではＨｋ≧
５０Ａ／ｍとなる。この範囲でＨｋが増大するのは磁区
構造が存在する状態での熱処理により、各磁区内での内
部磁界により磁区内の誘導磁気異方性が増大するためで
あると考えられている。
モルファス膜（Ｂｓ＝０．９Ｔ、Ｔｘ＝５００℃）の無
磁界中熱処理温度Ｔａに対する局所的異方性磁界Ｈｋを
示したものである。初期はＴａ＝４５０℃の回転磁界中
熱処理である。熱処理温度の上昇に従いＨｋは増加し、
Ｔｘ−２００℃≦Ｔａ≦Ｔｘ−５０℃の範囲ではＨｋ≧
５０Ａ／ｍとなる。この範囲でＨｋが増大するのは磁区
構造が存在する状態での熱処理により、各磁区内での内
部磁界により磁区内の誘導磁気異方性が増大するためで
あると考えられている。
【００１５】このように金属磁性膜の層厚が３．５μｍ
以下の積層膜で構成されたリング型磁気ヘッドは、その
金属磁性膜の局所的異方性磁界ＨｋがＨｋ≧５０Ａ／ｍ
とすることにより従来以上の優れた高周波特性を示すよ
うになる。
以下の積層膜で構成されたリング型磁気ヘッドは、その
金属磁性膜の局所的異方性磁界ＨｋがＨｋ≧５０Ａ／ｍ
とすることにより従来以上の優れた高周波特性を示すよ
うになる。
【００１６】また、このような局所的異方性磁界を磁気
ヘッド中の金属磁性膜に付ける方法としては、金属磁性
膜がキュリ−温度Ｔｃ＜結晶化温度ＴｘのＣｏ系軟磁性
膜の場合は、一対のコア半体を磁気ギャップ面で突き合
わせＴｃ以上の温度で熱処理してギャップドバ−にし、
その後Ｔｃ−１８０℃≦Ｔａ≦Ｔｃ−３０℃の温度Ｔａ
で無磁界中熱処理し、その後ヘッドチップを切り出すこ
とにより実現できる。
ヘッド中の金属磁性膜に付ける方法としては、金属磁性
膜がキュリ−温度Ｔｃ＜結晶化温度ＴｘのＣｏ系軟磁性
膜の場合は、一対のコア半体を磁気ギャップ面で突き合
わせＴｃ以上の温度で熱処理してギャップドバ−にし、
その後Ｔｃ−１８０℃≦Ｔａ≦Ｔｃ−３０℃の温度Ｔａ
で無磁界中熱処理し、その後ヘッドチップを切り出すこ
とにより実現できる。
【００１７】また金属磁性膜がキュリ−温度Ｔｃ＞結晶
化温度ＴｘのＣｏ系軟磁性膜の場合は、一対のコア半体
を磁気ギャップ面で突き合わせ、磁性膜面内に回転磁界
を印加しながらＴｘ以下の温度で熱処理してギャップド
バ−にし、その後Ｔｘ−２００℃≦Ｔａ≦Ｔｘ−５０℃
の温度Ｔａで無磁界中熱処理し、その後ヘッドチップを
切り出すことにより実現できる。
化温度ＴｘのＣｏ系軟磁性膜の場合は、一対のコア半体
を磁気ギャップ面で突き合わせ、磁性膜面内に回転磁界
を印加しながらＴｘ以下の温度で熱処理してギャップド
バ−にし、その後Ｔｘ−２００℃≦Ｔａ≦Ｔｘ−５０℃
の温度Ｔａで無磁界中熱処理し、その後ヘッドチップを
切り出すことにより実現できる。
【００１８】
【実施例】（図１）は本発明の高周波用磁気ヘッドの斜
視図を示す。Ｃｏ系アモルファス合金からなる金属磁性
層１とＳｉＯ2 からなる絶縁層３とが交互に積層された
金属磁性膜８の両側をチタン酸マグネシウム系のセラミ
ックス基板２で挟持した構造になっている。金属磁性膜
８と基板２との接着は接着ガラス４で行われている。５
は巻線窓である。
視図を示す。Ｃｏ系アモルファス合金からなる金属磁性
層１とＳｉＯ2 からなる絶縁層３とが交互に積層された
金属磁性膜８の両側をチタン酸マグネシウム系のセラミ
ックス基板２で挟持した構造になっている。金属磁性膜
８と基板２との接着は接着ガラス４で行われている。５
は巻線窓である。
【００１９】この磁気ヘッドの金属磁性層の磁区構造の
一部を拡大したものが６である。多磁区構造を有してお
り、ひとつの磁区内には７で示すような局所的異方性が
生じている。本発明の磁気ヘッドはこの局所的異方性が
従来のヘッドに比べ大きくなっており、局所的異方性磁
界ＨｋはＨｋ≒７０Ａ／ｍであった。（図１１）に金属
磁性層の厚みが異なる各積層膜を用いた時の従来の磁気
ヘッドと本発明の磁気ヘッドの８０ＭＨｚにおけるヘッ
ドのＣ／Ｎ値を示す。金属磁性層の厚みが３．５μｍ以
下の積層膜を用いたヘッドにおいて、Ｃ／Ｎ値は従来に
比べ約２〜３ｄＢ高くなっており、高周波特性の優れた
磁気ヘッドが実現できた。
一部を拡大したものが６である。多磁区構造を有してお
り、ひとつの磁区内には７で示すような局所的異方性が
生じている。本発明の磁気ヘッドはこの局所的異方性が
従来のヘッドに比べ大きくなっており、局所的異方性磁
界ＨｋはＨｋ≒７０Ａ／ｍであった。（図１１）に金属
磁性層の厚みが異なる各積層膜を用いた時の従来の磁気
ヘッドと本発明の磁気ヘッドの８０ＭＨｚにおけるヘッ
ドのＣ／Ｎ値を示す。金属磁性層の厚みが３．５μｍ以
下の積層膜を用いたヘッドにおいて、Ｃ／Ｎ値は従来に
比べ約２〜３ｄＢ高くなっており、高周波特性の優れた
磁気ヘッドが実現できた。
【００２０】次に本発明の高周波用磁気ヘッドの製造方
法について（図１２）を用いて説明する。
法について（図１２）を用いて説明する。
【００２１】まずチタン酸マグネシウム系セラミックス
や結晶化ガラス等の非磁性基板２の片面上に接着ガラス
膜４をスパッタリングにより形成した第１基板９と、非
磁性基板２の片面上にＣｏ系アモルファス磁性膜とＳｉ
Ｏ2 からなる積層膜８をスパッタリングにより形成し、
その反対面に低融点ガラスからなる接着ガラス膜４をス
パッタリングにより形成した第２基板１０と、非磁性基
板２の片面上に積層膜８を形成した第３基板１１を作成
する（ａ）。
や結晶化ガラス等の非磁性基板２の片面上に接着ガラス
膜４をスパッタリングにより形成した第１基板９と、非
磁性基板２の片面上にＣｏ系アモルファス磁性膜とＳｉ
Ｏ2 からなる積層膜８をスパッタリングにより形成し、
その反対面に低融点ガラスからなる接着ガラス膜４をス
パッタリングにより形成した第２基板１０と、非磁性基
板２の片面上に積層膜８を形成した第３基板１１を作成
する（ａ）。
【００２２】次にこの第２基板１０を複数枚積み重ね、
その両側を第１基板９第３基板１１で挟み、加圧熱処理
によるガラス接着を行いひとつの積層ブロック１２を作
成する（ｂ）。
その両側を第１基板９第３基板１１で挟み、加圧熱処理
によるガラス接着を行いひとつの積層ブロック１２を作
成する（ｂ）。
【００２３】次にこの積層ブロック１２から一対のコア
半体１３ａ，１３ｂを切り出し、一方のコア半体１３ａ
に巻線窓５を設け（ｃ）、両コア半体の磁気ギャップ面
１４を平滑に研磨し、ＳｉＯ2からなるギャップ材をス
パッタ形成する。その後、一対のコア半体１３ａ，１３
ｂを磁気ギャップ面１４で突き合わせて、加圧熱処理を
行いギャップドバー１５を作成する。
半体１３ａ，１３ｂを切り出し、一方のコア半体１３ａ
に巻線窓５を設け（ｃ）、両コア半体の磁気ギャップ面
１４を平滑に研磨し、ＳｉＯ2からなるギャップ材をス
パッタ形成する。その後、一対のコア半体１３ａ，１３
ｂを磁気ギャップ面１４で突き合わせて、加圧熱処理を
行いギャップドバー１５を作成する。
【００２４】本実施例では、このギャップドバーを作成
する加圧熱処理は、Ｔｃ＜Ｔｘの組成のＣｏ系アモルフ
ァス膜の場合（Ｔａ＝４８０℃、Ｔｘ＝５７５℃）は、
Ｔｃ以上であるＴａ＝４８５℃で行い、Ｔｃ＞Ｔｘの組
成のＣｏ系アモルファス膜の場合（Ｔｘ＝５００℃）は
Ｔｘ以下であるＴａ＝４５０℃で印加磁界１ｋＯｅの回
転磁界中で行った。
する加圧熱処理は、Ｔｃ＜Ｔｘの組成のＣｏ系アモルフ
ァス膜の場合（Ｔａ＝４８０℃、Ｔｘ＝５７５℃）は、
Ｔｃ以上であるＴａ＝４８５℃で行い、Ｔｃ＞Ｔｘの組
成のＣｏ系アモルファス膜の場合（Ｔｘ＝５００℃）は
Ｔｘ以下であるＴａ＝４５０℃で印加磁界１ｋＯｅの回
転磁界中で行った。
【００２５】その後、このギャップドバー１５をいずれ
の組成のＣｏ系アモルファスの場合ともＴａ＝３５０℃
で無磁界中熱処理し、磁性膜の局所的異方性磁界を増大
させた（ｄ）。そしてこのギャップドバー１５を所定の
コア幅１６で切断し、テープ摺動面１６を所定のギャッ
プ深さまでラップして磁気ヘッドコア１７を完成させた
（ｅ）。
の組成のＣｏ系アモルファスの場合ともＴａ＝３５０℃
で無磁界中熱処理し、磁性膜の局所的異方性磁界を増大
させた（ｄ）。そしてこのギャップドバー１５を所定の
コア幅１６で切断し、テープ摺動面１６を所定のギャッ
プ深さまでラップして磁気ヘッドコア１７を完成させた
（ｅ）。
【００２６】このようにして作成した磁気ヘッドの磁気
コアを構成する積層膜の局所的異方性磁界ＨｋはＨｋ≒
７０Ａ／ｍとなっており、そのヘッド特性は従来の製造
方法で作成したものに比べ高周波領域で優れた特性を示
した。
コアを構成する積層膜の局所的異方性磁界ＨｋはＨｋ≒
７０Ａ／ｍとなっており、そのヘッド特性は従来の製造
方法で作成したものに比べ高周波領域で優れた特性を示
した。
【００２７】本実施例では金属磁性膜としてＣｏ系アモ
ルファス膜を用いたが、そのほかＴｃ＞ＴｘであるＣｏ
系超構造窒化膜、あるいはＣｏ系窒化膜でも同様の効果
が確認できた。
ルファス膜を用いたが、そのほかＴｃ＞ＴｘであるＣｏ
系超構造窒化膜、あるいはＣｏ系窒化膜でも同様の効果
が確認できた。
【００２８】
【発明の効果】本発明により容易に高周波特性の優れた
リング型磁気ヘッドの量産化が可能となった。
リング型磁気ヘッドの量産化が可能となった。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の高周波用磁気ヘッドの斜視図
【図２】局所的異方性磁界ＨｋがＨｋ≒４０Ａ／ｍであ
る膜厚の異なるＣｏ系アモルファス膜の初透磁率の周波
数特性を示す図
る膜厚の異なるＣｏ系アモルファス膜の初透磁率の周波
数特性を示す図
【図３】局所的異方性磁界ＨｋがＨｋ≒２０Ａ／ｍであ
る膜厚の異なるＣｏ系アモルファス膜の初透磁率の周波
数特性を示す図
る膜厚の異なるＣｏ系アモルファス膜の初透磁率の周波
数特性を示す図
【図４】面内で異方性が分散した面内等方的な磁性膜の
Ｂ−Ｈル−プを示す図
Ｂ−Ｈル−プを示す図
【図５】局所的異方性磁界の異なる面内等方的な磁性膜
のＢ−Ｈループを示す図
のＢ−Ｈループを示す図
【図６】局所的異方性磁界の異なる面内等方的な膜厚２
μmのＣｏ系アモルファス膜の初透磁率の周波数特性を
示す図
μmのＣｏ系アモルファス膜の初透磁率の周波数特性を
示す図
【図７】局所的異方性磁界ＨｋがＨｋ≒７０Ａ／ｍであ
る膜厚の異なるＣｏ系アモルファス膜の初透磁率の周波
数特性を示す図
る膜厚の異なるＣｏ系アモルファス膜の初透磁率の周波
数特性を示す図
【図８】積層膜の金属磁性層の層厚と局所的異方性磁界
Ｈｋを変化させた磁気ヘッドの８０ＭＨｚにおける相対
出力を示す図
Ｈｋを変化させた磁気ヘッドの８０ＭＨｚにおける相対
出力を示す図
【図９】キュリ−温度Ｔｃ＜結晶化温度ＴｘのＣｏ系ア
モルファス膜の無磁界中熱処理温度Ｔａに対する局所的
異方性磁界Ｈｋの変化を示した図
モルファス膜の無磁界中熱処理温度Ｔａに対する局所的
異方性磁界Ｈｋの変化を示した図
【図１０】キュリ−温度Ｔｃ＞結晶化温度ＴｘのＣｏ系
アモルファス膜の無磁界中熱処理温度Ｔａに対する局所
的異方性磁界Ｈｋの変化を示した図
アモルファス膜の無磁界中熱処理温度Ｔａに対する局所
的異方性磁界Ｈｋの変化を示した図
【図１１】金属磁性層の厚みが異なる各積層膜を用いた
時の従来の磁気ヘッドと本発明の磁気ヘッドの８０ＭＨ
ｚにおけるヘッドのＣ／Ｎ値を示す図
時の従来の磁気ヘッドと本発明の磁気ヘッドの８０ＭＨ
ｚにおけるヘッドのＣ／Ｎ値を示す図
【図１２】本発明の磁気ヘッドの製造方法を示す図
１ 金属磁性層 ２ 基板 ３ 絶縁層 ４ 接着ガラス ５ 巻線窓 ６ 磁区 ７ 局所的異方性 ８ 金属磁性膜（積層膜） ９ 第１基板 １０ 第２基板 １１ 第３基板 １２ 積層ブロック １３ コア半体 １４ 磁気ギャップ面 １５ ギャップドバー １６ コア幅 １７ 磁気ヘッドコア １８ 磁化容易軸
フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭62−119709（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−217511（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−139605（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−9157（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−133620（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−287015（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G11B 5/127 - 5/255 G11B 5/31
Claims (7)
- 【請求項１】 金属磁性膜の両側を基板で挟持した構造
のリング型磁気ヘッドで、前記金属磁性膜が面内等方的
に異方性が分散した多磁区構造を有し、前記磁区内の局
所的異方性磁界ＨｋがＨｋ≧５０Ａ／ｍであることを特
徴とする磁気ヘッド。 - 【請求項２】金属磁性膜がＣｏ系軟磁性膜であることを
特徴とする請求項１記載の磁気ヘッド。 - 【請求項３】金属磁性膜が金属磁性層と絶縁層を交互に
積層した積層膜であり、前記金属磁性層の層厚ｔがｔ≦
３．５μｍであることを特徴とする請求項１もしくは２
のいずれかに記載の磁気ヘッド。 - 【請求項４】キュリ−温度Ｔｃ＜結晶化温度ＴｘのＣｏ
系軟磁性膜と基板を交互に積み重ねた積層体から一対の
コア半体を切り出し、少なくとも一方のコア半体の磁気
ギャップ面に巻線窓を形成する工程と、一対のコア半体
を磁気ギャップ面で突き合わせＴｃ以上の温度で熱処理
しギャップドバ−にする工程と、その後、 Ｔｃ−１８０℃≦Ｔａ≦Ｔｃ−３０℃ の温度Ｔａで無磁界中熱処理する工程を有することを特
徴とする磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項５】金属磁性膜が金属磁性層と絶縁層を交互に
積層した積層膜であり、前記金属磁性層の層厚ｔがｔ≦
３．５μｍであることを特徴とする請求項４記載の磁気
ヘッドの製造方法。 - 【請求項６】キュリ−温度Ｔｃ＞結晶化温度ＴｘのＣｏ
系軟磁性膜と基板を交互に積み重ねた積層体から一対の
コア半体を切り出し、少なくとも一方のコア半体の磁気
ギャップ面に巻線窓を形成する工程と、一対のコア半体
を磁気ギャップ面で突き合わせ、磁性膜面内に回転磁界
を印加しながらＴｘ以下の温度で熱処理しギャップドバ
−にする工程と、その後、 Ｔｘ−２００℃≦Ｔａ≦Ｔｘ−５０℃ の温度Ｔａで無磁界中熱処理する工程を有することを特
徴とする磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項７】金属磁性膜が金属磁性層と絶縁層を交互に
積層した積層膜であり、前記金属磁性層の層厚ｔがｔ≦
３．５μｍであることを特徴とする請求項６記載の磁気
ヘッドの製造方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04274000A JP3127613B2 (ja) | 1992-10-13 | 1992-10-13 | 磁気ヘッド及びその製造方法 |
| DE69311779T DE69311779T2 (de) | 1992-10-13 | 1993-10-12 | Magnetkopf und dessen Herstellungsverfahren |
| EP93116480A EP0593003B1 (en) | 1992-10-13 | 1993-10-12 | Magnetic head and method of making same |
| US08/316,477 US5676768A (en) | 1992-10-13 | 1994-10-03 | Magnetic head and method of making same |
| US08/550,282 US5604045A (en) | 1992-10-13 | 1995-10-30 | Magnetic head |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04274000A JP3127613B2 (ja) | 1992-10-13 | 1992-10-13 | 磁気ヘッド及びその製造方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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Family
ID=17535557
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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| EP (1) | EP0593003B1 (ja) |
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| GB0302235D0 (en) * | 2003-01-31 | 2003-03-05 | Holset Engineering Co | Electric motor assisted turbocharger |
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- 1992-10-13 JP JP04274000A patent/JP3127613B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1993
- 1993-10-12 DE DE69311779T patent/DE69311779T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1993-10-12 EP EP93116480A patent/EP0593003B1/en not_active Expired - Lifetime
-
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- 1994-10-03 US US08/316,477 patent/US5676768A/en not_active Expired - Fee Related
-
1995
- 1995-10-30 US US08/550,282 patent/US5604045A/en not_active Expired - Fee Related
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