JPH02116005A - 磁気ヘッド - Google Patents
磁気ヘッドInfo
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- JPH02116005A JPH02116005A JP26841888A JP26841888A JPH02116005A JP H02116005 A JPH02116005 A JP H02116005A JP 26841888 A JP26841888 A JP 26841888A JP 26841888 A JP26841888 A JP 26841888A JP H02116005 A JPH02116005 A JP H02116005A
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Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は高品位ＶＴＲやデジタルＶＴＲ等の高周波信号
を効率よく記録再生するのに適した磁気ヘッドに間する
ものである。
を効率よく記録再生するのに適した磁気ヘッドに間する
ものである。
従来の技術
近年高品位ＶＴＲやデジタルＶＴＲなどの広帯域の信号
を取り扱うシステムの開発が盛んになってきており、磁
気記録媒体もこのような大量の情報を記録するために、
酸化鉄系から合金粉末媒体や金属蒸着媒体等の高抗磁力
媒体へと変わりつつある。そこで磁気ヘッドとしても、
これらの高抗磁力媒体に対応するような高飽和磁束密度
を有し周波数特性の優れた磁気ヘッドの開発が望まれて
いる。現在、飽和磁束密度の高いセンダストやアモルフ
ァス合金等の金属磁性材料を用いた磁気ヘッドの開発が
行なわれているが、バルク状の金属磁性材料を用いたの
では渦電流損失が大きくとても上記システムには使えな
い、この為、上記損失をできるだけ抑えるために、金属
磁性材料を薄膜化して用いることが検討されており、例
えば金属磁性薄膜と絶縁膜との積層膜で主磁気回路を構
成することによって高周波化を図っている。
を取り扱うシステムの開発が盛んになってきており、磁
気記録媒体もこのような大量の情報を記録するために、
酸化鉄系から合金粉末媒体や金属蒸着媒体等の高抗磁力
媒体へと変わりつつある。そこで磁気ヘッドとしても、
これらの高抗磁力媒体に対応するような高飽和磁束密度
を有し周波数特性の優れた磁気ヘッドの開発が望まれて
いる。現在、飽和磁束密度の高いセンダストやアモルフ
ァス合金等の金属磁性材料を用いた磁気ヘッドの開発が
行なわれているが、バルク状の金属磁性材料を用いたの
では渦電流損失が大きくとても上記システムには使えな
い、この為、上記損失をできるだけ抑えるために、金属
磁性材料を薄膜化して用いることが検討されており、例
えば金属磁性薄膜と絶縁膜との積層膜で主磁気回路を構
成することによって高周波化を図っている。
発明が解決しようとする課題
高品位ＶＴＲやデジタルＶＴＲではその記録信号帯域は
３０ＭＨｚから６０ＭＨｚに達し、磁気ヘッド用コア材
としてはこのような高周波帯で高い初透磁率を有するも
のが要求される。第６図は、Ｃｏ系アモルファス磁性膜
とＳｉＯ２膜との積層膜及びＭ ｎ −Ｚ ｎフェライ
トの初透磁率の周波数特性を示したものである。アモル
ファス積層膜においては、−層当たりの磁性膜の膜厚は
渦電流損失を考慮して４μｍとし、層間のＳｉＯ２膜厚
は０．２μｍで５層積層したものである。図において（
１）は無配向の積層膜で、積層効果により渦電流損失は
改善されているがその高周波特性は強磁性共鳴によるス
ヌークの限界線で制約されており、３０ＭＨｚ以上の高
周波帯での初透磁率は５００以下となる。したがってこ
のような無配向の磁性膜をヘッドコアとして用いたので
は前記のような高周波システムに対応する高性能ヘッド
を実現するのは困難である。一方、−軸異方性を有する
アモルファス磁性膜をその容易軸方向を揃えて積層した
多層膜の初透磁率特性は、容易軸方向に測定すると（２
）のように全周波数帯で極めて低い初透磁率特性を示す
のに対し、困難軸方向に測定した場合は（３）のように
高周波まで高い透磁率を維持し、６０ＭＨｚでも１００
０以上の値を有する。しかし、このような一方向に異方
性を有する磁気コアでビデオヘッド等の比較的大きな巻
線窓の磁気ヘッドを構成した場合、その磁路中に容易軸
方向を含むことになりヘッド効率としての低下が大きい
。
３０ＭＨｚから６０ＭＨｚに達し、磁気ヘッド用コア材
としてはこのような高周波帯で高い初透磁率を有するも
のが要求される。第６図は、Ｃｏ系アモルファス磁性膜
とＳｉＯ２膜との積層膜及びＭ ｎ −Ｚ ｎフェライ
トの初透磁率の周波数特性を示したものである。アモル
ファス積層膜においては、−層当たりの磁性膜の膜厚は
渦電流損失を考慮して４μｍとし、層間のＳｉＯ２膜厚
は０．２μｍで５層積層したものである。図において（
１）は無配向の積層膜で、積層効果により渦電流損失は
改善されているがその高周波特性は強磁性共鳴によるス
ヌークの限界線で制約されており、３０ＭＨｚ以上の高
周波帯での初透磁率は５００以下となる。したがってこ
のような無配向の磁性膜をヘッドコアとして用いたので
は前記のような高周波システムに対応する高性能ヘッド
を実現するのは困難である。一方、−軸異方性を有する
アモルファス磁性膜をその容易軸方向を揃えて積層した
多層膜の初透磁率特性は、容易軸方向に測定すると（２
）のように全周波数帯で極めて低い初透磁率特性を示す
のに対し、困難軸方向に測定した場合は（３）のように
高周波まで高い透磁率を維持し、６０ＭＨｚでも１００
０以上の値を有する。しかし、このような一方向に異方
性を有する磁気コアでビデオヘッド等の比較的大きな巻
線窓の磁気ヘッドを構成した場合、その磁路中に容易軸
方向を含むことになりヘッド効率としての低下が大きい
。
本発明は、このような従来の磁気ヘッドの課題を解決す
ることを目的とする。
ることを目的とする。
課厘を解決するための手段
本発明は、金属磁性膜を基板で挟持した構造で、少なく
ともトラック幅より大なるコア幅を有する金属磁性膜て
磁気コアを構成した磁気ヘッドにおいて、上記金属磁性
膜の厚さ方向のうち少なくともトラック幅を構成する領
域の磁化容易軸方向が記録媒体摺動面と略直交するよう
に磁気ヘッドを構成したものである。
ともトラック幅より大なるコア幅を有する金属磁性膜て
磁気コアを構成した磁気ヘッドにおいて、上記金属磁性
膜の厚さ方向のうち少なくともトラック幅を構成する領
域の磁化容易軸方向が記録媒体摺動面と略直交するよう
に磁気ヘッドを構成したものである。
作用
第５図はヘッド内の磁路を示す０図中Ａ、 Ｃは記録
媒体と略平行な方向の磁路（平行磁路）を示し、Ｂ、
Ｄは記録媒体と略直交する方向の磁路（直交磁路）を
示している。上述の構成により、ヘッド内に流れる磁束
はできるだけ初透磁率の大きな領域を流れようとするの
で、平行磁路においては磁化困難軸方向となるトラック
幅を構成する領域の金属磁性膜内を流れ、直交磁路にお
いては、トラック幅を構成する領域内は磁化容易軸方向
となり、トラック幅を構成しない領域の初透磁率の方が
高くなるので、その領域を流れる。したがって、ヘッド
効率にもつとも影響の大きな磁路Ａにおいては磁路は磁
化困難軸方向となり、磁気ヘッドとしての再生効率が高
くなる。また磁路Ｂ、 Ｄにおいては、多少初透磁率
は低くても磁路の断面積が大きいため、磁路としてのレ
ラクタンスを十分小さくすることができ、ヘッドとして
の再生効率をあまり劣化させない。すなわち、本発明の
磁気ヘッドは、異方性を有する金属磁性膜の困難軸方向
の特性を有効に利用できるため、３０ Ｍ Ｈｚ以上の
高周波でも十分に高い効率で信号を記録再生できる磁気
ヘッドが得られるものである。
媒体と略平行な方向の磁路（平行磁路）を示し、Ｂ、
Ｄは記録媒体と略直交する方向の磁路（直交磁路）を
示している。上述の構成により、ヘッド内に流れる磁束
はできるだけ初透磁率の大きな領域を流れようとするの
で、平行磁路においては磁化困難軸方向となるトラック
幅を構成する領域の金属磁性膜内を流れ、直交磁路にお
いては、トラック幅を構成する領域内は磁化容易軸方向
となり、トラック幅を構成しない領域の初透磁率の方が
高くなるので、その領域を流れる。したがって、ヘッド
効率にもつとも影響の大きな磁路Ａにおいては磁路は磁
化困難軸方向となり、磁気ヘッドとしての再生効率が高
くなる。また磁路Ｂ、 Ｄにおいては、多少初透磁率
は低くても磁路の断面積が大きいため、磁路としてのレ
ラクタンスを十分小さくすることができ、ヘッドとして
の再生効率をあまり劣化させない。すなわち、本発明の
磁気ヘッドは、異方性を有する金属磁性膜の困難軸方向
の特性を有効に利用できるため、３０ Ｍ Ｈｚ以上の
高周波でも十分に高い効率で信号を記録再生できる磁気
ヘッドが得られるものである。
実施例
以下に、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
第１図（ａ）は、本発明の第一の実施例の部分切欠斜視
図である０図において、ｌはアモルファス合金やセンダ
スト合金等の金属磁性膜からなり、トラック幅Ｔｗは金
属磁性膜を切り込むことにより規制されている。金属磁
性膜の容易軸方向は第１図（ａ）の切欠部に矢印で示し
たように、少なくともトラック幅を構成する領域３を含
む金属磁性膜においては記録媒体に略直交するように、
それ以外においては大半が記録媒体に略平行であるよう
に配置されている。これらの金属磁性膜ｌは５ｉ０２等
の絶縁膜２を介して積層され、多層膜となり磁気コアを
構成している。また、−層当りの膜厚は使用周波数帯に
おける渦電流損失を考慮した厚さ以下になっている。こ
のような多層膜はチタン酸マグネシウム系の非磁性基板
４で挟持され、巻線窓５を有する対向コアとボンディン
グガラス６によって接合され、磁気ギャップ７を形成し
ている。
図である０図において、ｌはアモルファス合金やセンダ
スト合金等の金属磁性膜からなり、トラック幅Ｔｗは金
属磁性膜を切り込むことにより規制されている。金属磁
性膜の容易軸方向は第１図（ａ）の切欠部に矢印で示し
たように、少なくともトラック幅を構成する領域３を含
む金属磁性膜においては記録媒体に略直交するように、
それ以外においては大半が記録媒体に略平行であるよう
に配置されている。これらの金属磁性膜ｌは５ｉ０２等
の絶縁膜２を介して積層され、多層膜となり磁気コアを
構成している。また、−層当りの膜厚は使用周波数帯に
おける渦電流損失を考慮した厚さ以下になっている。こ
のような多層膜はチタン酸マグネシウム系の非磁性基板
４で挟持され、巻線窓５を有する対向コアとボンディン
グガラス６によって接合され、磁気ギャップ７を形成し
ている。
このような構成の磁気ヘッドにおいては、作用の項で説
明したように磁束は平行磁路ではトラック幅を構成する
領域３を含む金属磁性膜内を流れ、直交磁路においては
トラック幅を構成する領域３を含まない金属磁性膜を流
れる。即ち、本実施例のヘッドは磁路がほとんど磁化困
難軸、方向から構成されていることになる。前記第６図
のグラフ中（３）は金属磁性膜の磁化困難軸方向の初透
磁率の周波数特性を示している。６０ＭＨｚでも１００
０以上の値を有し、高周波まで高い初透磁率を維持して
いることがわかる。この初透磁率特性がヘッド特性に反
映されるので本発明の磁気ヘッドは、３０ＭＨｚ以上の
高周波でも高いヘッド特性が実現できた。尚、本実施例
では金属磁性膜単位でその異方性の方向を制御したが、
−層の金属磁性膜内においても、異方性の方向を異なら
しめることが可能である。また、第１図（ｂ）に示すよ
うな構成にしても全く同等のヘッド特性を示すことがわ
かった。また、基板４はＭ ｎ −Ｚ ｎフェライト等
の磁性基板を用いてもよい。
明したように磁束は平行磁路ではトラック幅を構成する
領域３を含む金属磁性膜内を流れ、直交磁路においては
トラック幅を構成する領域３を含まない金属磁性膜を流
れる。即ち、本実施例のヘッドは磁路がほとんど磁化困
難軸、方向から構成されていることになる。前記第６図
のグラフ中（３）は金属磁性膜の磁化困難軸方向の初透
磁率の周波数特性を示している。６０ＭＨｚでも１００
０以上の値を有し、高周波まで高い初透磁率を維持して
いることがわかる。この初透磁率特性がヘッド特性に反
映されるので本発明の磁気ヘッドは、３０ＭＨｚ以上の
高周波でも高いヘッド特性が実現できた。尚、本実施例
では金属磁性膜単位でその異方性の方向を制御したが、
−層の金属磁性膜内においても、異方性の方向を異なら
しめることが可能である。また、第１図（ｂ）に示すよ
うな構成にしても全く同等のヘッド特性を示すことがわ
かった。また、基板４はＭ ｎ −Ｚ ｎフェライト等
の磁性基板を用いてもよい。
第２図は本発明の第２の実施例の部分切欠斜視図である
。第１の実施例と異なる点はトラック幅を構成しない金
属磁性膜が無配向である点である。
。第１の実施例と異なる点はトラック幅を構成しない金
属磁性膜が無配向である点である。
このような構成の磁気ヘッドにおいては、磁束は平行磁
路では磁化困難軸方向となるトラック幅を構成する領域
３を含む金属磁性膜内を流れ、直交磁路においてはトラ
ック幅を構成する領域以外の無配向の金属磁性膜内を流
れる。第６図のグラフ中（１）は無配向の積層金属磁性
膜の初透磁率の周波数特性を示している。３０ Ｍ Ｈ
ｚ以上の高周波帯での初透磁率は５００以下と低いが、
記録媒体と直交する方向の磁路においては磁路の断面積
が大きいため、磁路としてのレラクタンスを十分小さく
することができ、ヘッドとしての再生効率をあまり劣化
させない。したがって、この構成の磁気ヘッドでも３０
Ｍ Ｈｚ以上の高周波で高いヘッド特性が実現できた
。
路では磁化困難軸方向となるトラック幅を構成する領域
３を含む金属磁性膜内を流れ、直交磁路においてはトラ
ック幅を構成する領域以外の無配向の金属磁性膜内を流
れる。第６図のグラフ中（１）は無配向の積層金属磁性
膜の初透磁率の周波数特性を示している。３０ Ｍ Ｈ
ｚ以上の高周波帯での初透磁率は５００以下と低いが、
記録媒体と直交する方向の磁路においては磁路の断面積
が大きいため、磁路としてのレラクタンスを十分小さく
することができ、ヘッドとしての再生効率をあまり劣化
させない。したがって、この構成の磁気ヘッドでも３０
Ｍ Ｈｚ以上の高周波で高いヘッド特性が実現できた
。
第３図は本発明の第３の実施例の部分切欠斜視図である
。第１及び第２の実施例と異なる点はトラック幅以外の
領域のほとんどがＭ ｎ −Ｚ ｎフェライトの磁性基
板により構成されている点である。
。第１及び第２の実施例と異なる点はトラック幅以外の
領域のほとんどがＭ ｎ −Ｚ ｎフェライトの磁性基
板により構成されている点である。
このような構成の磁気ヘッドにおては、磁束は平行磁路
では磁化困難軸方向となるトラック幅を構成する領域３
の金属磁性膜内を流れ、直交磁路においてはＭ ｎ −
Ｚ ｎフェライト内となる。第６図グラフ中（４）はＭ
ｎ −Ｚ ｎフェライトの初透磁率の周波数特性を示
している。：３０ＭＨｚ以上の高周波帯での初透磁率は
さきほどの無配向の積層金属磁性膜よりもさらに低いが
、さきほどと同じ理由でヘッドの再生効率はあまり劣化
せず、この構成の磁気ヘッドでも３０ＭＨｚ以上の高周
波で高いヘッド特性が実現できた。
では磁化困難軸方向となるトラック幅を構成する領域３
の金属磁性膜内を流れ、直交磁路においてはＭ ｎ −
Ｚ ｎフェライト内となる。第６図グラフ中（４）はＭ
ｎ −Ｚ ｎフェライトの初透磁率の周波数特性を示
している。：３０ＭＨｚ以上の高周波帯での初透磁率は
さきほどの無配向の積層金属磁性膜よりもさらに低いが
、さきほどと同じ理由でヘッドの再生効率はあまり劣化
せず、この構成の磁気ヘッドでも３０ＭＨｚ以上の高周
波で高いヘッド特性が実現できた。
第４図は従来の無配向の積層金属磁性膜を用いた磁気ヘ
ッド（ｄ）および本発明の第１から第３の実施例の磁気
ヘッド（ａ）、（ｂ）、（ｃ）の相対出力の周波数特性
を示す、３０ＭＨｚ以上の高周波において本発明の磁気
ヘッドはすべて従来の磁気ヘッドを大きく上回る高周波
特性を示していることがわかる。
ッド（ｄ）および本発明の第１から第３の実施例の磁気
ヘッド（ａ）、（ｂ）、（ｃ）の相対出力の周波数特性
を示す、３０ＭＨｚ以上の高周波において本発明の磁気
ヘッドはすべて従来の磁気ヘッドを大きく上回る高周波
特性を示していることがわかる。
また、本実施例のヘッドにおいても若干の出力差があり
、第１の実施例のヘッド出力（ａ）が一番高く、第２の
実施例のヘッド出力（ｂ）、第３の実施例のヘッド出力
（Ｃ）の順になっている。これは、直交磁路を構成する
トラック幅を構成しない領域の初透磁率特性を反映して
いると考えられる。
、第１の実施例のヘッド出力（ａ）が一番高く、第２の
実施例のヘッド出力（ｂ）、第３の実施例のヘッド出力
（Ｃ）の順になっている。これは、直交磁路を構成する
トラック幅を構成しない領域の初透磁率特性を反映して
いると考えられる。
このような磁気ヘッドの製造方法としては、まず基板上
に金属磁性膜と絶縁膜をスパッタで交互に積層する０次
にこの多層膜が形成された基板を複数枚積み重ねて結晶
化ガラス等で接着し切断することによって上記多層膜と
基板が交互に積層されたコアブロックができる。以降は
従来のフェライトヘッドの製造方法と同じ工程を経て第
１図（ａ）、 （ｈ）および第１！ｆ、第３図に示す磁
気ヘッドが製造できる。
に金属磁性膜と絶縁膜をスパッタで交互に積層する０次
にこの多層膜が形成された基板を複数枚積み重ねて結晶
化ガラス等で接着し切断することによって上記多層膜と
基板が交互に積層されたコアブロックができる。以降は
従来のフェライトヘッドの製造方法と同じ工程を経て第
１図（ａ）、 （ｈ）および第１！ｆ、第３図に示す磁
気ヘッドが製造できる。
尚、金属磁性膜に異方性を付ける方法としては、第１お
よび第２の実施例では基板上に金属磁性膜を形成する際
に異方性を付けたい方向に固定磁場を印加してスパッタ
することで実現できた。また、第３の実施例では上記の
方法のほかにギャップ接合の際に異方性を付けたい方向
に固定磁場を印加することによっても実現できた。
よび第２の実施例では基板上に金属磁性膜を形成する際
に異方性を付けたい方向に固定磁場を印加してスパッタ
することで実現できた。また、第３の実施例では上記の
方法のほかにギャップ接合の際に異方性を付けたい方向
に固定磁場を印加することによっても実現できた。
発明の効果
以上述べたところから明らかなように、本発明によれば
、３０ Ｍ Ｈｚ以上の高周波帯でも十分高い効率で記
録再生できる高周波用磁気ヘッドが容易に得られる。
、３０ Ｍ Ｈｚ以上の高周波帯でも十分高い効率で記
録再生できる高周波用磁気ヘッドが容易に得られる。
第１図（ａ）、（ｂ）は本発明の第１の実施例における
磁気ヘッドの一部切り欠き斜視図、第２図は本発明の第
２の実施例における磁気ヘッドの一部切り欠き斜視図、
第３図は本発明の第３の実施例における磁気ヘッドの一
部切り欠き斜視図、第４図は従来の磁気ヘッドおよび本
発明の磁気ヘッドの相対出力の周波数特性を示すグラフ
、第５図はヘッド内の磁路を示す磁路図、第６図は異方
性の方向による金属磁性膜およびＭ ｎ −Ｚ ｎフェ
ライトの初透磁率の周波数特性の測定結果を示すグラフ
である。 １・・・金属磁性膜、２・・・絶縁膜、３・・・トラッ
ク幅を構成する領域、４・・・基板、５・赤・巻線窓、
６・・・ボンディングガラス７・・・磁気ギャップ 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 はか１名第１図 （ａ） 第１図 （ｂ） １−金属磁性膜 ２−絶１１罠 ３・−トラン９１１１Ｍ裏構成する４ｉｊ嘩４・一基板 ５−・・巻線窓 ６・−・ボ〉ティングガラス ７°°°石追、気ギャップ 第 図 第 図 １ ＩＱ 周波数ｆ（Ｍｌ−１ｘ） 第 図 第 図
磁気ヘッドの一部切り欠き斜視図、第２図は本発明の第
２の実施例における磁気ヘッドの一部切り欠き斜視図、
第３図は本発明の第３の実施例における磁気ヘッドの一
部切り欠き斜視図、第４図は従来の磁気ヘッドおよび本
発明の磁気ヘッドの相対出力の周波数特性を示すグラフ
、第５図はヘッド内の磁路を示す磁路図、第６図は異方
性の方向による金属磁性膜およびＭ ｎ −Ｚ ｎフェ
ライトの初透磁率の周波数特性の測定結果を示すグラフ
である。 １・・・金属磁性膜、２・・・絶縁膜、３・・・トラッ
ク幅を構成する領域、４・・・基板、５・赤・巻線窓、
６・・・ボンディングガラス７・・・磁気ギャップ 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 はか１名第１図 （ａ） 第１図 （ｂ） １−金属磁性膜 ２−絶１１罠 ３・−トラン９１１１Ｍ裏構成する４ｉｊ嘩４・一基板 ５−・・巻線窓 ６・−・ボ〉ティングガラス ７°°°石追、気ギャップ 第 図 第 図 １ ＩＱ 周波数ｆ（Ｍｌ−１ｘ） 第 図 第 図
Claims (5)
- （１）金属磁性膜を基板で挟持した構造で、少なくとも
トラック幅より大なるコア幅を有する金属磁性膜で磁気
コアを構成した磁気ヘッドにおいて、上記金属磁性膜の
厚さ方向のうち少なくともトラック幅を構成する領域の
磁化容易軸方向が記録媒体摺動面と略直交するように構
成されていることを特徴とする磁気ヘッド。 - （２）金属磁性膜が金属磁性膜と絶縁膜とを交互に積層
した多層膜になっていることを特徴とする請求項１記載
の磁気ヘッド。 - （３）トラック幅を構成しない領域の磁気コアが少なく
とも記録媒体摺動面と略平行な磁化容易軸を有する金属
磁性膜を含むことを特徴とする請求項１又は２記載の磁
気ヘッド。 - （４）トラック幅を構成しない領域の磁気コアが少なく
とも無配向の金属磁性膜を含むことを特徴とする請求項
１又は２記載の磁気ヘッド。 - （５）基板が磁性基板であることを特徴とする請求項１
又は２記載の磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63268418A JP2591109B2 (ja) | 1988-10-25 | 1988-10-25 | 磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63268418A JP2591109B2 (ja) | 1988-10-25 | 1988-10-25 | 磁気ヘッド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02116005A true JPH02116005A (ja) | 1990-04-27 |
| JP2591109B2 JP2591109B2 (ja) | 1997-03-19 |
Family
ID=17458210
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63268418A Expired - Lifetime JP2591109B2 (ja) | 1988-10-25 | 1988-10-25 | 磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2591109B2 (ja) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61127103A (ja) * | 1984-11-22 | 1986-06-14 | Sony Corp | 磁気ヘツドの製法 |
| JPS61170911A (ja) * | 1985-01-22 | 1986-08-01 | Canon Electronics Inc | 磁気ヘツド |
| JPS61289507A (ja) * | 1985-06-18 | 1986-12-19 | Canon Inc | 磁気ヘツド |
| JPS63217511A (ja) * | 1987-03-05 | 1988-09-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気ヘツド |
-
1988
- 1988-10-25 JP JP63268418A patent/JP2591109B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61127103A (ja) * | 1984-11-22 | 1986-06-14 | Sony Corp | 磁気ヘツドの製法 |
| JPS61170911A (ja) * | 1985-01-22 | 1986-08-01 | Canon Electronics Inc | 磁気ヘツド |
| JPS61289507A (ja) * | 1985-06-18 | 1986-12-19 | Canon Inc | 磁気ヘツド |
| JPS63217511A (ja) * | 1987-03-05 | 1988-09-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気ヘツド |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2591109B2 (ja) | 1997-03-19 |
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