JPH04305807A - Ｃｏ基軟磁性薄膜及びこれを用いた磁気ヘッド - Google Patents
Ｃｏ基軟磁性薄膜及びこれを用いた磁気ヘッドInfo
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- JPH04305807A JPH04305807A JP6840991A JP6840991A JPH04305807A JP H04305807 A JPH04305807 A JP H04305807A JP 6840991 A JP6840991 A JP 6840991A JP 6840991 A JP6840991 A JP 6840991A JP H04305807 A JPH04305807 A JP H04305807A
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Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は磁気ディスク装置、ＶＴ
Ｒなどに用いる磁気ヘッドのコア材料にかかわり、特に
高飽和磁束密度、高透磁率、低保磁力、低磁歪定数、耐
熱性、耐食性を有する磁性膜とそれを用いた磁気ヘッド
に関するものである。
Ｒなどに用いる磁気ヘッドのコア材料にかかわり、特に
高飽和磁束密度、高透磁率、低保磁力、低磁歪定数、耐
熱性、耐食性を有する磁性膜とそれを用いた磁気ヘッド
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】この種の磁気ヘッドにおいては、記録媒
体の高保磁力化に対応しうる磁気特性を有し、耐食性、
耐摩耗性、耐熱性の面においても優れていることが要求
されている。これらの要求に対応するために、従来から
磁気ヘッド材料として多用されているフェライトの表面
に、フェライトよりも高い飽和磁束密度を有する軟磁性
膜を形成した複合型磁気ヘッド（以下、「ＭＩＧヘッド
」と称することがある。）が開発され、用いられている
。このＭＩＧヘッドは、一般に、フェライトから成る一
対の磁気コア半体が、それらの間に軟磁性膜とギャップ
部を介在させてガラスボィンデングにより接合された構
造となっている。従って、軟磁性膜にはこのガラスボィ
ンデングの熱履歴（５００℃以上）が加わっても軟磁気
特性が劣化しない耐熱性が要求される。従来、このよう
な耐熱性を有する材料としては、Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ系合
金薄膜が用いられている。（特開昭６０−７４１１０号
参照）しかしながら、記録媒体保磁力の向上にともない
、より高い飽和磁束密度を有する軟磁性薄膜が必要とな
ってきた。近年、Ｆｅ−Ｇａ−Ｓｉ膜（特開昭６１−２
３４５０９号）、Ｆｅ−Ｃ多層膜（特開昭６３−６５６
０４号）、Ｃｏ及びＦｅ系組成変調窒化膜（特開昭６２
−２１０６０７号）、Ｃｏ−Ｍ−Ｃ膜（ＭはＴｉ，Ｚｒ
，Ｈｆ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｗの群より選ばれた少なく
とも一種以上の元素を表す。）（特開平２−１２３５０
７号）等、高飽和磁束密度を有し、かつ耐熱性に優れる
磁性膜の探索がすすめられている。
体の高保磁力化に対応しうる磁気特性を有し、耐食性、
耐摩耗性、耐熱性の面においても優れていることが要求
されている。これらの要求に対応するために、従来から
磁気ヘッド材料として多用されているフェライトの表面
に、フェライトよりも高い飽和磁束密度を有する軟磁性
膜を形成した複合型磁気ヘッド（以下、「ＭＩＧヘッド
」と称することがある。）が開発され、用いられている
。このＭＩＧヘッドは、一般に、フェライトから成る一
対の磁気コア半体が、それらの間に軟磁性膜とギャップ
部を介在させてガラスボィンデングにより接合された構
造となっている。従って、軟磁性膜にはこのガラスボィ
ンデングの熱履歴（５００℃以上）が加わっても軟磁気
特性が劣化しない耐熱性が要求される。従来、このよう
な耐熱性を有する材料としては、Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ系合
金薄膜が用いられている。（特開昭６０−７４１１０号
参照）しかしながら、記録媒体保磁力の向上にともない
、より高い飽和磁束密度を有する軟磁性薄膜が必要とな
ってきた。近年、Ｆｅ−Ｇａ−Ｓｉ膜（特開昭６１−２
３４５０９号）、Ｆｅ−Ｃ多層膜（特開昭６３−６５６
０４号）、Ｃｏ及びＦｅ系組成変調窒化膜（特開昭６２
−２１０６０７号）、Ｃｏ−Ｍ−Ｃ膜（ＭはＴｉ，Ｚｒ
，Ｈｆ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｗの群より選ばれた少なく
とも一種以上の元素を表す。）（特開平２−１２３５０
７号）等、高飽和磁束密度を有し、かつ耐熱性に優れる
磁性膜の探索がすすめられている。
【０００３】特にＣｏ系の膜の方が耐食性に優れており
、耐熱温度が７００℃以上と高く、飽和磁束密度も１．
５Ｔ前後であり、実用的には有望であると考えられる。 これらの膜は、成膜後ではアモルファス状態であるが、
熱処理によって結晶化して結晶粒径が１００〜２００Å
の微結晶組織となる。このためＣｏ結晶粒間の交換結合
力によって磁気異方性分散が低減され、軟磁性が得られ
ると考えられている。またＭの炭化物あるいは窒化物な
どが、Ｃｏの粒成長を抑制することにより、６００℃以
上の高い耐熱性が得られると考えられている。
、耐熱温度が７００℃以上と高く、飽和磁束密度も１．
５Ｔ前後であり、実用的には有望であると考えられる。 これらの膜は、成膜後ではアモルファス状態であるが、
熱処理によって結晶化して結晶粒径が１００〜２００Å
の微結晶組織となる。このためＣｏ結晶粒間の交換結合
力によって磁気異方性分散が低減され、軟磁性が得られ
ると考えられている。またＭの炭化物あるいは窒化物な
どが、Ｃｏの粒成長を抑制することにより、６００℃以
上の高い耐熱性が得られると考えられている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ＭＩＧ
ヘッドへの応用を考えた場合、Ｃｏ−Ｍ−Ｃ膜（ＭはＴ
ｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｎｂ，Ｔａ、Ｍｏ、Ｗの群より選ばれ
た少なくとも一種類以上の元素を表す。）を用いると、
還元作用の強いＣがフェライトと著しく反応し擬似ギャ
ップを生じたり、ガラスと反応し接合強度を低下させる
という問題があった。また、Ｃｏ系の窒化膜では単層膜
で十分な軟磁性を得ることが難しく、窒化させた層と非
窒化層を積層した組成変調膜にすることにより軟磁性を
得ているが、この方法では窒素ガス量のコントロール等
が難しく、良好な特性を有する積層膜の作製が困難であ
った。Ｂを含むＣｏ系の膜では、軟磁性の得られる組成
では飽和磁束密度が低いという問題があった。本発明の
目的は、上述した従来技術の欠点を解消し、磁気特性に
優れ、かつ耐熱温度が高く、ガラスやフェライトとの反
応性の低い磁性膜及びそれを用いた磁気ヘッドを提供す
ることである。
ヘッドへの応用を考えた場合、Ｃｏ−Ｍ−Ｃ膜（ＭはＴ
ｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｎｂ，Ｔａ、Ｍｏ、Ｗの群より選ばれ
た少なくとも一種類以上の元素を表す。）を用いると、
還元作用の強いＣがフェライトと著しく反応し擬似ギャ
ップを生じたり、ガラスと反応し接合強度を低下させる
という問題があった。また、Ｃｏ系の窒化膜では単層膜
で十分な軟磁性を得ることが難しく、窒化させた層と非
窒化層を積層した組成変調膜にすることにより軟磁性を
得ているが、この方法では窒素ガス量のコントロール等
が難しく、良好な特性を有する積層膜の作製が困難であ
った。Ｂを含むＣｏ系の膜では、軟磁性の得られる組成
では飽和磁束密度が低いという問題があった。本発明の
目的は、上述した従来技術の欠点を解消し、磁気特性に
優れ、かつ耐熱温度が高く、ガラスやフェライトとの反
応性の低い磁性膜及びそれを用いた磁気ヘッドを提供す
ることである。
【０００５】
【問題点を解決するための手段】本発明は、ＣｏｘＭｙ
ＣｕＺｖ（ただし，ｘ，ｙ，ｕ，ｖは各々組成比を原子
％として表し，ＭはＴｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｎｂ，Ｔａ、Ｍ
ｏ，Ｗよりなる群から選択された少なくとも一種類以上
の元素を表し、Ｃは炭素で、ＺはＢ（ほう素）またはＮ
（窒素）の少なくとも一種類以上の元素を表す）で示さ
れる組成を有し、その組成範囲が ６０≦ｘ≦９０ ５≦ｙ≦２０ １．５≦ｕ≦１４ １．５≦ｖ≦１４ ０．３≦ｕ／（ｕ＋ｖ）≦０．７ ｘ＋ｙ＋ｕ＋ｖ＝１００ であることを特徴とするＣｏ基軟磁性薄膜である。また
、本発明は前記組成比のＣｏ基軟磁性薄膜の組織を平均
粒径２００Å以下の微細な結晶粒に制御して、磁気異方
性の分散を低減して良好な軟磁性特性を有することを特
徴とするＣｏ基軟磁性薄膜を、更に、上記のような組成
比、結晶粒径を有するＣｏ基軟磁性薄膜を、磁気コアの
磁気ギャップ対向面に形成したことを特徴とする磁気ヘ
ッドを提供するものである。
ＣｕＺｖ（ただし，ｘ，ｙ，ｕ，ｖは各々組成比を原子
％として表し，ＭはＴｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｎｂ，Ｔａ、Ｍ
ｏ，Ｗよりなる群から選択された少なくとも一種類以上
の元素を表し、Ｃは炭素で、ＺはＢ（ほう素）またはＮ
（窒素）の少なくとも一種類以上の元素を表す）で示さ
れる組成を有し、その組成範囲が ６０≦ｘ≦９０ ５≦ｙ≦２０ １．５≦ｕ≦１４ １．５≦ｖ≦１４ ０．３≦ｕ／（ｕ＋ｖ）≦０．７ ｘ＋ｙ＋ｕ＋ｖ＝１００ であることを特徴とするＣｏ基軟磁性薄膜である。また
、本発明は前記組成比のＣｏ基軟磁性薄膜の組織を平均
粒径２００Å以下の微細な結晶粒に制御して、磁気異方
性の分散を低減して良好な軟磁性特性を有することを特
徴とするＣｏ基軟磁性薄膜を、更に、上記のような組成
比、結晶粒径を有するＣｏ基軟磁性薄膜を、磁気コアの
磁気ギャップ対向面に形成したことを特徴とする磁気ヘ
ッドを提供するものである。
【０００６】
【作用】Ｃｏ−Ｍ−Ｃ膜のＣ量を減らすことにより、膜
とフェライトおよびガラスとの反応が低減され、擬似ギ
ャップが無く、接合強度も十分なヘッドが形成できるよ
うになる。ただし、Ｃ量を減らしたためにＣｏの粒成長
を抑制するＭの炭化物の生成が十分でなくなるので、Ｃ
の代わりにＮ及びＢの少なくとも一方を加えることによ
り、Ｍの窒化物もしくはＭのほう化物を生成させＣｏの
粒成長の抑制に寄与させる。Ｍの炭化物等が少なすぎる
とＣｏの粒成長が生じるので、Ｍは５ａｔ％以上必要で
ある。またＭが多すぎるとＣｏの結晶粒界に存在する炭
化物等が多くなり、Ｃｏ粒間の磁気的な交換結合力が低
下し軟磁性が劣化したり、飽和磁束密度が低下するとい
う問題があるのでＭの上限は２０ａｔ％である。良好な
軟磁性を得るためには、ＣとＮ、Ｂの量は合わせて５ａ
ｔ％以上必要であり、上限は２０ａｔ％である。とくに
Ｃ量は、これら３つの元素のうちの３０〜７０％の範囲
にすることが軟磁性を得る上で望ましい。
とフェライトおよびガラスとの反応が低減され、擬似ギ
ャップが無く、接合強度も十分なヘッドが形成できるよ
うになる。ただし、Ｃ量を減らしたためにＣｏの粒成長
を抑制するＭの炭化物の生成が十分でなくなるので、Ｃ
の代わりにＮ及びＢの少なくとも一方を加えることによ
り、Ｍの窒化物もしくはＭのほう化物を生成させＣｏの
粒成長の抑制に寄与させる。Ｍの炭化物等が少なすぎる
とＣｏの粒成長が生じるので、Ｍは５ａｔ％以上必要で
ある。またＭが多すぎるとＣｏの結晶粒界に存在する炭
化物等が多くなり、Ｃｏ粒間の磁気的な交換結合力が低
下し軟磁性が劣化したり、飽和磁束密度が低下するとい
う問題があるのでＭの上限は２０ａｔ％である。良好な
軟磁性を得るためには、ＣとＮ、Ｂの量は合わせて５ａ
ｔ％以上必要であり、上限は２０ａｔ％である。とくに
Ｃ量は、これら３つの元素のうちの３０〜７０％の範囲
にすることが軟磁性を得る上で望ましい。
【０００７】
【実施例】（実施例１）本発明の磁性膜の形成には、通
常のＲＦマグネトロンスパッタ装置を用いた。ＣｏとＭ
の炭化物や窒化物、あるいは、ほう化物の粉末を用いて
作製した焼結ターゲットを、Ａｒガスを用いてスパッタ
リングすることにより薄膜を作製した。スパッタ条件は
以下の通りである。 排気到達真空度 １×１０−６Ｔｏｒｒ以下
投入電力 ４．５Ｗ／ｃｍ３Ａ
ｒガス圧 ４×１０−３Ｔｏｒｒ基
板 結晶化ガラス基板
温度 加熱無し膜厚
２μｍ場合によっては、Ａｒガ
スにＣＨ４ ガスやＮ２ ガスを混合することにより、
膜中のＣ量及びＮ量を変化させた。 以上の条件で作製した磁性膜の組成は、ＥＰＭＡ及び燃
焼赤外分析法によって分析した。膜の飽和磁束密度およ
び保磁力はＶＳＭ、透磁率はベクトルインピーダンスメ
−タ、磁歪定数は光てこ法により測定した。また、この
磁性膜の耐熱性はＮ２ 雰囲気中で所定の温度に加熱後
、室温で透磁率を測定し、透磁率が１０００以下となる
温度の高低により判定した。表１、表２に６００℃回転
磁界中の熱処理を施した場合の透磁率μ（５ＭＨｚ）、
保磁力Ｈｃ、飽和磁束密度Ｂｓと前述した定義による耐
熱性を示す。
常のＲＦマグネトロンスパッタ装置を用いた。ＣｏとＭ
の炭化物や窒化物、あるいは、ほう化物の粉末を用いて
作製した焼結ターゲットを、Ａｒガスを用いてスパッタ
リングすることにより薄膜を作製した。スパッタ条件は
以下の通りである。 排気到達真空度 １×１０−６Ｔｏｒｒ以下
投入電力 ４．５Ｗ／ｃｍ３Ａ
ｒガス圧 ４×１０−３Ｔｏｒｒ基
板 結晶化ガラス基板
温度 加熱無し膜厚
２μｍ場合によっては、Ａｒガ
スにＣＨ４ ガスやＮ２ ガスを混合することにより、
膜中のＣ量及びＮ量を変化させた。 以上の条件で作製した磁性膜の組成は、ＥＰＭＡ及び燃
焼赤外分析法によって分析した。膜の飽和磁束密度およ
び保磁力はＶＳＭ、透磁率はベクトルインピーダンスメ
−タ、磁歪定数は光てこ法により測定した。また、この
磁性膜の耐熱性はＮ２ 雰囲気中で所定の温度に加熱後
、室温で透磁率を測定し、透磁率が１０００以下となる
温度の高低により判定した。表１、表２に６００℃回転
磁界中の熱処理を施した場合の透磁率μ（５ＭＨｚ）、
保磁力Ｈｃ、飽和磁束密度Ｂｓと前述した定義による耐
熱性を示す。
【０００８】
【表１】
【０００９】
【表２】
【００１０】Ｃｏ−Ｍ−Ｃ膜と同様に、Ｎ及びＢを加え
た膜においても高い耐熱性を有しており、磁気特性も良
好であることがわかる。磁歪定数は、Ｃｏ−Ｍ−Ｃ膜で
は−３〜−１×１０−６の値を示したが、Ｎ、Ｂの添加
により−１〜１×１０−６の範囲とすることもできる。
た膜においても高い耐熱性を有しており、磁気特性も良
好であることがわかる。磁歪定数は、Ｃｏ−Ｍ−Ｃ膜で
は−３〜−１×１０−６の値を示したが、Ｎ、Ｂの添加
により−１〜１×１０−６の範囲とすることもできる。
【００１１】（実施例２）次に本発明によるＣｏ８２Ｚ
ｒ８Ｃ７Ｎ３（ａｔ％）膜を磁気ヘッドに応用した例を
示す。 図１は本発明の磁性膜を適用した磁気コアの一例を示す
外観の斜視図であり、図２はその記録媒体対向面を示す
拡大平面図である。この磁気コアを図３に示すようなＣ
ａＴｉＯ３のスライダーにガラスで固定し、ジンバルに
取付けハードディスクドライブ用の磁気ヘッドとして評
価した。図４は、本発明による磁性膜を用いた磁気ヘッ
ドを用いて測定した媒体保磁力と限界記録密度、Ｄ５０
（ＫＦＣＩ）の関係を示す。Ｂｓが１．６Ｔと大きいＣ
ｏ８２Ｚｒ８Ｃ７Ｎ３ 膜を用いた場合、媒体保磁力が
１５００Ｏｅ以上と大きくなっても、磁気コア先端が飽
和せずに強い記録磁界が発生できるため十分に記録が可
能であり、媒体保磁力の増加とともにＤ５０も増加する
。一方、Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ膜を用いた場合には、媒体保
磁力が１５００Ｏｅ以上となるとＤ５０が減少してしま
う。したがって、本発明のＣｏ８２Ｚｒ８Ｃ７Ｎ３ 膜
を用いた磁気ヘッドを用いることにより、２０００Ｏｅ
の保磁力をもつ媒体にも十分に書き込みが可能であるこ
とが確かめられた。また、保磁力１０００Ｏｅの媒体を
用い、再生出力を比較したところ、Ｃｏ８２Ｚｒ８Ｃ７
Ｎ３膜とＦｅ−Ａｌ−Ｓｉ膜を用いた場合で差は見られ
ず、再生特性も良好であることを確認した。
ｒ８Ｃ７Ｎ３（ａｔ％）膜を磁気ヘッドに応用した例を
示す。 図１は本発明の磁性膜を適用した磁気コアの一例を示す
外観の斜視図であり、図２はその記録媒体対向面を示す
拡大平面図である。この磁気コアを図３に示すようなＣ
ａＴｉＯ３のスライダーにガラスで固定し、ジンバルに
取付けハードディスクドライブ用の磁気ヘッドとして評
価した。図４は、本発明による磁性膜を用いた磁気ヘッ
ドを用いて測定した媒体保磁力と限界記録密度、Ｄ５０
（ＫＦＣＩ）の関係を示す。Ｂｓが１．６Ｔと大きいＣ
ｏ８２Ｚｒ８Ｃ７Ｎ３ 膜を用いた場合、媒体保磁力が
１５００Ｏｅ以上と大きくなっても、磁気コア先端が飽
和せずに強い記録磁界が発生できるため十分に記録が可
能であり、媒体保磁力の増加とともにＤ５０も増加する
。一方、Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ膜を用いた場合には、媒体保
磁力が１５００Ｏｅ以上となるとＤ５０が減少してしま
う。したがって、本発明のＣｏ８２Ｚｒ８Ｃ７Ｎ３ 膜
を用いた磁気ヘッドを用いることにより、２０００Ｏｅ
の保磁力をもつ媒体にも十分に書き込みが可能であるこ
とが確かめられた。また、保磁力１０００Ｏｅの媒体を
用い、再生出力を比較したところ、Ｃｏ８２Ｚｒ８Ｃ７
Ｎ３膜とＦｅ−Ａｌ−Ｓｉ膜を用いた場合で差は見られ
ず、再生特性も良好であることを確認した。
【００１２】（実施例３）次に、Ｃｏ７６Ｈｆ９Ｃ１５
（ａｔ％）膜とＣｏ７６Ｈｆ９Ｃ１０Ｎ４Ｂ１（ａｔ％
）膜を用いて図１ないし図３に示したような磁気ヘッド
を作製し、それらを用いて測定した再生出力の周波数特
性を図５ないし図７に示す。従来のＣｏ７６Ｈｆ９Ｃ１
５膜の場合においては、図７のように、一定の周波数ご
とに出力の低下が見られた。これは主ギャップと、擬似
ギャップとの干渉による出力損失によるものと考えられ
、その擬似ギャップノイズは４〜６ｄＢであった。一方
、本発明によるＣｏ７６Ｈｆ９Ｃ１０Ｎ４Ｂ１ 膜を用
いた磁気ヘッドにおいては、図５のように、全周波数領
域において滑らかな出力が得られ、その擬似ギャップノ
イズは１ｄＢ以内であり、大幅に改善できたことが明ら
かとなった。さらに磁性膜とフェライト間に１００Åの
Ｃｒ膜を介在させた場合には、図６のように擬似ギャッ
プによるノイズは０．５ｄＢ以下にまで低減できること
がわかった。
（ａｔ％）膜とＣｏ７６Ｈｆ９Ｃ１０Ｎ４Ｂ１（ａｔ％
）膜を用いて図１ないし図３に示したような磁気ヘッド
を作製し、それらを用いて測定した再生出力の周波数特
性を図５ないし図７に示す。従来のＣｏ７６Ｈｆ９Ｃ１
５膜の場合においては、図７のように、一定の周波数ご
とに出力の低下が見られた。これは主ギャップと、擬似
ギャップとの干渉による出力損失によるものと考えられ
、その擬似ギャップノイズは４〜６ｄＢであった。一方
、本発明によるＣｏ７６Ｈｆ９Ｃ１０Ｎ４Ｂ１ 膜を用
いた磁気ヘッドにおいては、図５のように、全周波数領
域において滑らかな出力が得られ、その擬似ギャップノ
イズは１ｄＢ以内であり、大幅に改善できたことが明ら
かとなった。さらに磁性膜とフェライト間に１００Åの
Ｃｒ膜を介在させた場合には、図６のように擬似ギャッ
プによるノイズは０．５ｄＢ以下にまで低減できること
がわかった。
【００１３】
【発明の効果】以上説明したごとく、本発明によるＣｏ
−Ｍ−Ｃ−Ｚ膜は、高飽和磁束密度（最高１．６Ｔ）、
高透磁率（１０００以上）、低保磁力（１Ｏｅ以下）、
低磁歪定数（−１〜１×１０−６）、高耐熱性（６００
℃以上）という磁気ヘッド材料に必要な特性を兼ね備え
ている。したがって、この磁性膜を磁気ヘッド磁極とし
て用いた場合、０．２μｍ程度の薄膜にしても磁気飽和
を起こすことなく、磁極の先端に強い磁界を発生させる
ことができ、超高密度磁気記録を達成することができる
。 また、本発明の磁性膜は、通常のＲＦマグネトロンスパ
ッタ法で成膜可能であるため、製造方法が簡単であり製
造コストも安く、かつ高い信頼性も確保できる利点があ
る。
−Ｍ−Ｃ−Ｚ膜は、高飽和磁束密度（最高１．６Ｔ）、
高透磁率（１０００以上）、低保磁力（１Ｏｅ以下）、
低磁歪定数（−１〜１×１０−６）、高耐熱性（６００
℃以上）という磁気ヘッド材料に必要な特性を兼ね備え
ている。したがって、この磁性膜を磁気ヘッド磁極とし
て用いた場合、０．２μｍ程度の薄膜にしても磁気飽和
を起こすことなく、磁極の先端に強い磁界を発生させる
ことができ、超高密度磁気記録を達成することができる
。 また、本発明の磁性膜は、通常のＲＦマグネトロンスパ
ッタ法で成膜可能であるため、製造方法が簡単であり製
造コストも安く、かつ高い信頼性も確保できる利点があ
る。
【００１４】
【図１】本発明を適用した磁気コアの一例を示す外観斜
視図である。
視図である。
【図２】本発明を適用した磁気コアの記録媒体対向面を
示す拡大平面図である。
示す拡大平面図である。
【図３】本発明を適用した磁気コアを埋め込んだ磁気ヘ
ッドの外観斜視図である。
ッドの外観斜視図である。
【図４】本発明の磁気ヘッドを用いて測定した媒体保磁
力と限界記録密度の関係を示す特性図である。
力と限界記録密度の関係を示す特性図である。
【図５】本発明による磁気ヘッドの再生出力と周波数の
関係を示す特性図である。
関係を示す特性図である。
【図６】本発明による磁気ヘッドの再生出力と周波数の
関係を示す特性図である。
関係を示す特性図である。
【図７】従来の磁気ヘッドの再生出力と周波数との関係
を示す特性図である。
を示す特性図である。
１ 磁気コア半体
２ 磁気コア半体
３ Ｃｏ−Ｍ−Ｃ−Ｚ膜
４ 磁気ギャップ
５ ガラス
６ 磁気コア
７ スライダー
８ ガラス
Claims (3)
- 【請求項１】 ＣｏｘＭｙＣｕＺｖ（ただし、ｘ，ｙ
，ｕ，ｖは、各々組成比を原子％として表し、ＭはＴｉ
，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｗよりなる群から選
択された少なくとも一種類以上の元素、Ｃは炭素で、Ｚ
はＢ（ほう素）、またはＮ（窒素）の少なくとも一種類
以上の元素を表す）で示される組成を有し、その組成範
囲が６０≦ ｘ≦９０ ５≦ ｙ≦２０ １．５≦ ｕ≦１４ １．５≦ ｖ≦１４ ０．３≦ ｕ／（ｕ＋ｖ）≦０．７ ｘ＋ｙ＋ｖ＋ｕ＝１００ であることを特徴とするＣｏ基軟磁性薄膜。 - 【請求項２】 請求項１に記載のＣｏ基軟磁性薄膜に
おいて、該軟磁性薄膜の組織が平均粒径２００Å以下の
微細な結晶粒よりなることを特徴とするＣｏ基軟磁性薄
膜。 - 【請求項３】 請求項１または２に記載のＣｏ基軟磁
性薄膜を、磁気コアの磁気ギャップ対向面に形成したこ
とを特徴とする磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6840991A JPH04305807A (ja) | 1991-04-01 | 1991-04-01 | Ｃｏ基軟磁性薄膜及びこれを用いた磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6840991A JPH04305807A (ja) | 1991-04-01 | 1991-04-01 | Ｃｏ基軟磁性薄膜及びこれを用いた磁気ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04305807A true JPH04305807A (ja) | 1992-10-28 |
Family
ID=13372851
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6840991A Pending JPH04305807A (ja) | 1991-04-01 | 1991-04-01 | Ｃｏ基軟磁性薄膜及びこれを用いた磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04305807A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008252036A (ja) * | 2007-03-30 | 2008-10-16 | Toshiba Corp | 磁気抵抗素子及び磁気メモリ |
| JP2018076587A (ja) * | 2016-11-11 | 2018-05-17 | ザ・スウォッチ・グループ・リサーチ・アンド・ディベロップメント・リミテッド | Ｃｏ系高強度アモルファス合金とその使用 |
-
1991
- 1991-04-01 JP JP6840991A patent/JPH04305807A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008252036A (ja) * | 2007-03-30 | 2008-10-16 | Toshiba Corp | 磁気抵抗素子及び磁気メモリ |
| JP2018076587A (ja) * | 2016-11-11 | 2018-05-17 | ザ・スウォッチ・グループ・リサーチ・アンド・ディベロップメント・リミテッド | Ｃｏ系高強度アモルファス合金とその使用 |
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