JPH04305806A - 磁気ヘッド - Google Patents
磁気ヘッドInfo
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- JPH04305806A JPH04305806A JP6840891A JP6840891A JPH04305806A JP H04305806 A JPH04305806 A JP H04305806A JP 6840891 A JP6840891 A JP 6840891A JP 6840891 A JP6840891 A JP 6840891A JP H04305806 A JPH04305806 A JP H04305806A
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Landscapes
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は磁気ディスク装置、ＶＴ
Ｒなどに用いる磁気ヘッドにかかわり、特に高飽和磁束
密度、高透磁率、低保磁力、低磁歪定数、耐熱性、耐食
性を有する磁性膜を用いた磁気ヘッドに関するものであ
る。
Ｒなどに用いる磁気ヘッドにかかわり、特に高飽和磁束
密度、高透磁率、低保磁力、低磁歪定数、耐熱性、耐食
性を有する磁性膜を用いた磁気ヘッドに関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】この種の磁気ヘッドにおいては、記録媒
体の高保磁力化に対応しうる磁気特性を有し、耐食性、
耐摩耗性、耐熱性の面においても優れていることが要求
されている。これらの要求に対応するため、従来から磁
気ヘッド材料として多用されているフェライトの表面に
、フェライトよりも高い飽和磁束密度を有する軟磁性膜
を形成した複合型磁気ヘッド（以下、「ＭＩＧヘッド」
と称することがある。）が開発され、用いられている。 このＭＩＧヘッドは、一般に、フェライトから成る一対
の磁気コア半体が、それらの間に軟磁性膜とギャップ部
を介在させてガラスボィンデングにより接合された構造
となっている。従って、軟磁性膜にはこのガラスボィン
デングの熱履歴（５００℃以上）が加わっても軟磁気特
性が劣化しない耐熱性が要求される。従来、このような
耐熱性を有する材料としてはＦｅ−Ａｌ−Ｓｉ系合金薄
膜が知られており、（特開昭６０−７４１１０号参照）
実用化されている。
体の高保磁力化に対応しうる磁気特性を有し、耐食性、
耐摩耗性、耐熱性の面においても優れていることが要求
されている。これらの要求に対応するため、従来から磁
気ヘッド材料として多用されているフェライトの表面に
、フェライトよりも高い飽和磁束密度を有する軟磁性膜
を形成した複合型磁気ヘッド（以下、「ＭＩＧヘッド」
と称することがある。）が開発され、用いられている。 このＭＩＧヘッドは、一般に、フェライトから成る一対
の磁気コア半体が、それらの間に軟磁性膜とギャップ部
を介在させてガラスボィンデングにより接合された構造
となっている。従って、軟磁性膜にはこのガラスボィン
デングの熱履歴（５００℃以上）が加わっても軟磁気特
性が劣化しない耐熱性が要求される。従来、このような
耐熱性を有する材料としてはＦｅ−Ａｌ−Ｓｉ系合金薄
膜が知られており、（特開昭６０−７４１１０号参照）
実用化されている。
【０００３】しかしながら、記録媒体保磁力の向上にと
もない、より高い飽和磁束密度を有する軟磁性薄膜が必
要となってきた。近年、Ｆｅ−Ｇａ−Ｓｉ膜（特開昭６
１−２３４５０９）、Ｆｅ−Ｃ多層膜（特開昭６３−６
５６０４）、Ｃｏ及びＦｅ系組成変調窒化膜（特開昭６
２−２１０６０７）、 Ｆｅ−Ｍ−Ｃ、Ｃｏ−Ｍ−Ｃ
膜（ＭはＴｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｗのう
ち少なくても一種以上の元素）（特開平２−１２３５０
７）等、高飽和磁束密度を有し、かつ耐熱性に優れる磁
性膜の探索がすすめられている。特に、Ｃｏ−Ｍ−Ｃ膜
は耐熱性、耐食性、軟磁気特性を兼ね備えており有望で
ある。
もない、より高い飽和磁束密度を有する軟磁性薄膜が必
要となってきた。近年、Ｆｅ−Ｇａ−Ｓｉ膜（特開昭６
１−２３４５０９）、Ｆｅ−Ｃ多層膜（特開昭６３−６
５６０４）、Ｃｏ及びＦｅ系組成変調窒化膜（特開昭６
２−２１０６０７）、 Ｆｅ−Ｍ−Ｃ、Ｃｏ−Ｍ−Ｃ
膜（ＭはＴｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｗのう
ち少なくても一種以上の元素）（特開平２−１２３５０
７）等、高飽和磁束密度を有し、かつ耐熱性に優れる磁
性膜の探索がすすめられている。特に、Ｃｏ−Ｍ−Ｃ膜
は耐熱性、耐食性、軟磁気特性を兼ね備えており有望で
ある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】Ｃｏ−Ｍ−Ｃ膜（Ｍは
Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗの
群より選ばれた少なくとも一種類以上の元素を表す。）
は、熱処理前の状態ではアモルファス状態であり、熱処
理によってＣｏとＭの炭化物の微結晶となる。Ｍの炭化
物がＣｏの結晶粒の成長を抑えることにより、高温での
熱処理後においても軟磁性が得られるものと考えられて
いる。しかしながら、ＭＩＧヘッドへの適用を行った場
合には、熱処理により移動するＣが酸素を多く含んでい
るフェライト及びガラスと反応しやすい。すなわち、フ
ェライト側ではＣがフェライト中の酸素と反応し擬似ギ
ャップを生じ、一方ガラス側ではガラス中の酸素と結び
つき、ガラスボイドや膜の食われを生じるために接合強
度が低下する。したがって、これらの原因により、充分
な特性を示す磁気ヘッドを形成することができない。本
発明の目的は、上述した従来技術の欠点を解消し、磁気
特性に優れ、かつ耐熱温度が高く、耐摩耗性にもすぐれ
る磁性膜を用いた磁気ヘッドを提供することである。
Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗの
群より選ばれた少なくとも一種類以上の元素を表す。）
は、熱処理前の状態ではアモルファス状態であり、熱処
理によってＣｏとＭの炭化物の微結晶となる。Ｍの炭化
物がＣｏの結晶粒の成長を抑えることにより、高温での
熱処理後においても軟磁性が得られるものと考えられて
いる。しかしながら、ＭＩＧヘッドへの適用を行った場
合には、熱処理により移動するＣが酸素を多く含んでい
るフェライト及びガラスと反応しやすい。すなわち、フ
ェライト側ではＣがフェライト中の酸素と反応し擬似ギ
ャップを生じ、一方ガラス側ではガラス中の酸素と結び
つき、ガラスボイドや膜の食われを生じるために接合強
度が低下する。したがって、これらの原因により、充分
な特性を示す磁気ヘッドを形成することができない。本
発明の目的は、上述した従来技術の欠点を解消し、磁気
特性に優れ、かつ耐熱温度が高く、耐摩耗性にもすぐれ
る磁性膜を用いた磁気ヘッドを提供することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、フェライトよ
りなる磁気コア一対の少なくとも一方に軟磁性薄膜を付
着させ、該磁気コア半体同志を突き合わせて磁気ギャッ
プを構成してなる磁気ヘッドにおいて、上記軟磁性薄膜
が、ＣｏｘＭｙと（ＣｏｘＭｙ）ｕＣｚ（ただし、ｘ，
ｙ，ｚは各々組成比を原子％で表し、ＭはＴｉ，Ｚｒ，
Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗより選ばれた少
なくとも一種類以上の元素を表し、その組成範囲が、８
０≦ ｘ ≦９５ ５ ≦ ｙ ≦２０ ５ ≦ ｚ ≦２０ ｘ＋ｙ＝１００ ｕ＝（１００−Ｚ）／１００ である）と表される磁性膜の多層膜によって構成される
ことを特徴とする磁気ヘッドに関するものである。また
、本発明の磁気ヘッドは、軟磁性多層膜のフェライトお
よびギャップと接する層がＣｏｘＭｙ（ただし、ｘ，ｙ
は各々組成比を原子％で表し、ＭはＴｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，
Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗより選ばれた少なくと
も一種類以上の元素を表し、その組成範囲が、８０≦
ｘ ≦９５ ５ ≦ ｙ ≦２０ ｘ＋ｙ＝１００ である。）と表される磁性膜であることを特徴とする磁
気ヘッドであり、軟磁性多層膜の１層の厚さｔが、２０
０Å≦ｔ≦５０００Åの範囲であることを特徴とする磁
気ヘッド、軟磁性多層膜とフェライト間に２００Å以下
の厚みのＣｒ膜を介在させたことを特徴とする磁気ヘッ
ド、磁性薄膜組織が平均粒径２００Å以下の微細な結晶
粒よりなることを特徴とする磁気ヘッドである。
りなる磁気コア一対の少なくとも一方に軟磁性薄膜を付
着させ、該磁気コア半体同志を突き合わせて磁気ギャッ
プを構成してなる磁気ヘッドにおいて、上記軟磁性薄膜
が、ＣｏｘＭｙと（ＣｏｘＭｙ）ｕＣｚ（ただし、ｘ，
ｙ，ｚは各々組成比を原子％で表し、ＭはＴｉ，Ｚｒ，
Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗより選ばれた少
なくとも一種類以上の元素を表し、その組成範囲が、８
０≦ ｘ ≦９５ ５ ≦ ｙ ≦２０ ５ ≦ ｚ ≦２０ ｘ＋ｙ＝１００ ｕ＝（１００−Ｚ）／１００ である）と表される磁性膜の多層膜によって構成される
ことを特徴とする磁気ヘッドに関するものである。また
、本発明の磁気ヘッドは、軟磁性多層膜のフェライトお
よびギャップと接する層がＣｏｘＭｙ（ただし、ｘ，ｙ
は各々組成比を原子％で表し、ＭはＴｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，
Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗより選ばれた少なくと
も一種類以上の元素を表し、その組成範囲が、８０≦
ｘ ≦９５ ５ ≦ ｙ ≦２０ ｘ＋ｙ＝１００ である。）と表される磁性膜であることを特徴とする磁
気ヘッドであり、軟磁性多層膜の１層の厚さｔが、２０
０Å≦ｔ≦５０００Åの範囲であることを特徴とする磁
気ヘッド、軟磁性多層膜とフェライト間に２００Å以下
の厚みのＣｒ膜を介在させたことを特徴とする磁気ヘッ
ド、磁性薄膜組織が平均粒径２００Å以下の微細な結晶
粒よりなることを特徴とする磁気ヘッドである。
【０００６】
【作用】ＭはＣとの親和力が非常に強いため、熱処理に
よって移動したＣは選択的にＭと結合しＭの炭化物を形
成する。しかしながら、Ｃは非常に移動しやすいため、
単層のＣｏ−Ｍ−Ｃ膜ではＭと結合しなかったＣが、フ
ェライトやガラスとも反応した。この反応を防止するた
め、Ｃｏ−Ｍ膜とＣｏ−Ｍ−Ｃ膜を多層化することによ
り、Ｃｏ−Ｍ−Ｃ膜中から移動したＣをＣｏ−Ｍ膜のＭ
でトラップすることによりフェライトやガラスまで到達
することを防ぎ、反応を防止する。Ｃｏ−Ｍ膜はそれ自
身では通常のアモルファス薄膜と同様に耐熱温度が低い
が、移動してきたＣにより生成されるＭの炭化物がＣｏ
の粒成長を抑制するために耐熱温度が向上する。特に、
フェライトおよびガラスと接する層はＣを含まないＣｏ
−Ｍ層としたほうが反応が少ない。１層の厚さは、Ｃと
フェライトおよびガラスの反応を防ぐために少なくとも
２００Å必要であり、厚すぎるとＣｏ−Ｍ膜の粒成長が
生じるため上限は５０００Åである。膜の組成としては
、非晶質化させるために、ｙ≧５ａｔ％である必要があ
り、かつ飽和磁束密度を小さくしないという点から上限
は、ｙ≦２０ａｔ％である。また、Ｃ量は５００℃以上
の耐熱性を得るためには、ｚ≧５ａｔ％である必要があ
り、飽和磁束密度をあまり小さくしないためには、ｚ≦
２０ａｔ％である必要がある。
よって移動したＣは選択的にＭと結合しＭの炭化物を形
成する。しかしながら、Ｃは非常に移動しやすいため、
単層のＣｏ−Ｍ−Ｃ膜ではＭと結合しなかったＣが、フ
ェライトやガラスとも反応した。この反応を防止するた
め、Ｃｏ−Ｍ膜とＣｏ−Ｍ−Ｃ膜を多層化することによ
り、Ｃｏ−Ｍ−Ｃ膜中から移動したＣをＣｏ−Ｍ膜のＭ
でトラップすることによりフェライトやガラスまで到達
することを防ぎ、反応を防止する。Ｃｏ−Ｍ膜はそれ自
身では通常のアモルファス薄膜と同様に耐熱温度が低い
が、移動してきたＣにより生成されるＭの炭化物がＣｏ
の粒成長を抑制するために耐熱温度が向上する。特に、
フェライトおよびガラスと接する層はＣを含まないＣｏ
−Ｍ層としたほうが反応が少ない。１層の厚さは、Ｃと
フェライトおよびガラスの反応を防ぐために少なくとも
２００Å必要であり、厚すぎるとＣｏ−Ｍ膜の粒成長が
生じるため上限は５０００Åである。膜の組成としては
、非晶質化させるために、ｙ≧５ａｔ％である必要があ
り、かつ飽和磁束密度を小さくしないという点から上限
は、ｙ≦２０ａｔ％である。また、Ｃ量は５００℃以上
の耐熱性を得るためには、ｚ≧５ａｔ％である必要があ
り、飽和磁束密度をあまり小さくしないためには、ｚ≦
２０ａｔ％である必要がある。
【０００７】
【実施例】（実施例１）本発明の磁性膜の形成には通常
のＲＦマグネトロンスパッタ装置を用いた。Ｃｏ−Ｍの
ターゲットをＡｒとＣＨ４の混合ガスを用いてスパッタ
を行った。スパッタ条件は以下の通りである。 排気到達真空度 １×１０−６Ｔｏｒｒ以下
投入電力 ４．５Ｗ／ｃｍ３ガ
ス圧（全圧） ４×１０−３Ｔｏｒｒ基板
結晶化ガラス基板温度
加熱無し総膜厚
約２μｍ（単層膜、多層膜とも）ＣＨ
４ガスを間欠的に導入することにより、Ｃｏ−Ｍ膜とＣ
ｏ−Ｍ−Ｃ膜の多層膜を作製した。以上の条件で作製し
た磁性膜の組成は、ＥＰＭＡによって分析した。膜の飽
和磁束密度および保磁力はＶＳＭ、透磁率はベクトルイ
ンピーダンスメ−タ、磁歪定数は光てこ法により測定し
た。また、この磁性膜の耐熱性はＮ２雰囲気中で所定の
温度に加熱後、室温で透磁率を測定し、透磁率が１００
０以下となる温度の高低によって判定した。表１に６０
０℃回転磁界中の熱処理を施した場合の透磁率μ（５Ｍ
Ｈｚ）、保磁力Ｈｃ、飽和磁束密度Ｂｓと前述した定義
による耐熱性を示す。ここでは総膜厚を約２μｍとして
いるので例えば一層の厚さ５００ÅのＣｏ８５Ｖ１５／
Ｃｏ６８Ｖ１２Ｃ２０膜では計４０層を積層しているこ
とを意味している。また基板に接する層はＣを含まない
層とした。この結果を表１、表２に示す。
のＲＦマグネトロンスパッタ装置を用いた。Ｃｏ−Ｍの
ターゲットをＡｒとＣＨ４の混合ガスを用いてスパッタ
を行った。スパッタ条件は以下の通りである。 排気到達真空度 １×１０−６Ｔｏｒｒ以下
投入電力 ４．５Ｗ／ｃｍ３ガ
ス圧（全圧） ４×１０−３Ｔｏｒｒ基板
結晶化ガラス基板温度
加熱無し総膜厚
約２μｍ（単層膜、多層膜とも）ＣＨ
４ガスを間欠的に導入することにより、Ｃｏ−Ｍ膜とＣ
ｏ−Ｍ−Ｃ膜の多層膜を作製した。以上の条件で作製し
た磁性膜の組成は、ＥＰＭＡによって分析した。膜の飽
和磁束密度および保磁力はＶＳＭ、透磁率はベクトルイ
ンピーダンスメ−タ、磁歪定数は光てこ法により測定し
た。また、この磁性膜の耐熱性はＮ２雰囲気中で所定の
温度に加熱後、室温で透磁率を測定し、透磁率が１００
０以下となる温度の高低によって判定した。表１に６０
０℃回転磁界中の熱処理を施した場合の透磁率μ（５Ｍ
Ｈｚ）、保磁力Ｈｃ、飽和磁束密度Ｂｓと前述した定義
による耐熱性を示す。ここでは総膜厚を約２μｍとして
いるので例えば一層の厚さ５００ÅのＣｏ８５Ｖ１５／
Ｃｏ６８Ｖ１２Ｃ２０膜では計４０層を積層しているこ
とを意味している。また基板に接する層はＣを含まない
層とした。この結果を表１、表２に示す。
【０００８】
【表１】
【０００９】
【表２】
【００１０】表１、表２より、多層膜にした場合におい
ても、単層膜と同様に高い耐熱性を有しており磁気特性
も良好であることがわかる。磁歪定数は、単層膜、多層
膜にかかわらず−３〜−１×１０−６の値を示したが、
１〜５ａｔ％程度のＦｅ，Ｎｉ，Ｍｎ等を加えることに
よりほぼ零にすることもできる。
ても、単層膜と同様に高い耐熱性を有しており磁気特性
も良好であることがわかる。磁歪定数は、単層膜、多層
膜にかかわらず−３〜−１×１０−６の値を示したが、
１〜５ａｔ％程度のＦｅ，Ｎｉ，Ｍｎ等を加えることに
よりほぼ零にすることもできる。
【００１１】（実施例２）次に本発明によるＣｏ−Ｔａ
−Ｚｒ／Ｃｏ−Ｔａ−Ｚｒ−Ｃ多層膜を磁気ヘッドに応
用した例を示す。多層膜は一層の厚さを４００Åとし４
９層積層した。ただし、フェライト及びガラスと接する
層は、Ｃｏ−Ｔａ−Ｚｒとした。図１は本発明の磁性膜
を適用した磁気ヘッドコアの一例を示す外観斜視図であ
り、図２はその記録媒体対向面を示す拡大平面図である
。この磁気ヘッドコアを図３に示すようなＣａＴｉＯ３
のスライダーにガラスで固定し、ジンバルに取付けハー
ドディスクドライブ用の磁気ヘッドとして評価した。 図４は、本発明による磁性膜を用いた磁気ヘッドを用い
て測定した媒体保磁力と限界記録密度、Ｄ５０（ＫＦＣ
Ｉ）の関係を示す。Ｂｓが１．５５Ｔと大きいＣｏ−Ｔ
ａ−Ｚｒ／Ｃｏ−Ｔａ−Ｚｒ−Ｃ多層膜を用いた場合、
媒体保磁力が１５００Ｏｅ以上と大きくなっても、磁気
コア先端が飽和せずに強い記録磁界が発生できるため十
分に記録することが可能であり、媒体保磁力の増加とと
もにＤ５０も増加する。一方、Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ膜を用
いた場合、媒体保磁力が１５００Ｏｅ以上となるとＤ５
０が減少してしまう。したがって、本発明のＣｏ−Ｔａ
−Ｚｒ／Ｃｏ−Ｔａ−Ｚｒ−Ｃ多層膜を用いた磁気ヘッ
ドを用いることにより、２０００Ｏｅの保磁力をもつ媒
体にも十分に書き込みが可能であることが確かめられた
。また、保磁力１０００Ｏｅの媒体を用い、再生出力を
比較したところ、Ｃｏ−Ｔａ−Ｚｒ／Ｃｏ−Ｔａ−Ｚｒ
−Ｃ多層膜とＦｅ−Ａｌ−Ｓｉ膜を用いた場合で差は見
られず、再生特性も良好であることを確認した。
−Ｚｒ／Ｃｏ−Ｔａ−Ｚｒ−Ｃ多層膜を磁気ヘッドに応
用した例を示す。多層膜は一層の厚さを４００Åとし４
９層積層した。ただし、フェライト及びガラスと接する
層は、Ｃｏ−Ｔａ−Ｚｒとした。図１は本発明の磁性膜
を適用した磁気ヘッドコアの一例を示す外観斜視図であ
り、図２はその記録媒体対向面を示す拡大平面図である
。この磁気ヘッドコアを図３に示すようなＣａＴｉＯ３
のスライダーにガラスで固定し、ジンバルに取付けハー
ドディスクドライブ用の磁気ヘッドとして評価した。 図４は、本発明による磁性膜を用いた磁気ヘッドを用い
て測定した媒体保磁力と限界記録密度、Ｄ５０（ＫＦＣ
Ｉ）の関係を示す。Ｂｓが１．５５Ｔと大きいＣｏ−Ｔ
ａ−Ｚｒ／Ｃｏ−Ｔａ−Ｚｒ−Ｃ多層膜を用いた場合、
媒体保磁力が１５００Ｏｅ以上と大きくなっても、磁気
コア先端が飽和せずに強い記録磁界が発生できるため十
分に記録することが可能であり、媒体保磁力の増加とと
もにＤ５０も増加する。一方、Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ膜を用
いた場合、媒体保磁力が１５００Ｏｅ以上となるとＤ５
０が減少してしまう。したがって、本発明のＣｏ−Ｔａ
−Ｚｒ／Ｃｏ−Ｔａ−Ｚｒ−Ｃ多層膜を用いた磁気ヘッ
ドを用いることにより、２０００Ｏｅの保磁力をもつ媒
体にも十分に書き込みが可能であることが確かめられた
。また、保磁力１０００Ｏｅの媒体を用い、再生出力を
比較したところ、Ｃｏ−Ｔａ−Ｚｒ／Ｃｏ−Ｔａ−Ｚｒ
−Ｃ多層膜とＦｅ−Ａｌ−Ｓｉ膜を用いた場合で差は見
られず、再生特性も良好であることを確認した。
【００１２】（実施例３）次に、Ｃｏ−Ｈｆ−Ｃ単層膜
とＣｏ−Ｈｆ／Ｃｏ−Ｈｆ−Ｃ多層膜を用いて図１ない
し図３に示したような磁気ヘッドを作製し、それらを用
いて測定した再生出力の周波数特性を図５ないし図８に
示す。従来のＣｏ−Ｈｆ−Ｃ単層膜の場合においては、
図８のように、一定の周波数ごとに出力の低下が見られ
た。これは主ギャップと擬似ギャップとの干渉による出
力損失によるものと考えられ、その擬似ギャップノイズ
は４〜６ｄＢであった。一方、Ｃｏ−Ｈｆ／Ｃｏ−Ｈｆ
−Ｃ多層膜（一層の厚さを５００Åとし、３９層積層）
を用いた磁気ヘッドにおいては、Ｃｏ−Ｈｆ−Ｃ膜をフ
ェライト及びガラスに接する層とした場合でも、図５の
ように擬似ギャップノイズは２〜３ｄＢまで低減された
。また図６のように、Ｃｏ−Ｈｆをフェライト及びガラ
スに接する層とした場合には、全周波数領域において滑
らかな出力が得られ、その擬似ギャップノイズは１ｄＢ
以内であり、大幅に改善できたことが明らかとなった。 さらにこれに加え、Ｃｏ−Ｈｆをフェライト及びガラス
に接する層とした多層膜とフェライト間に１００ÅのＣ
ｒ膜を介在させた場合には、図６のように擬似ギャップ
によるノイズは０．５ｄＢ以下にまで低減できることが
わかった。
とＣｏ−Ｈｆ／Ｃｏ−Ｈｆ−Ｃ多層膜を用いて図１ない
し図３に示したような磁気ヘッドを作製し、それらを用
いて測定した再生出力の周波数特性を図５ないし図８に
示す。従来のＣｏ−Ｈｆ−Ｃ単層膜の場合においては、
図８のように、一定の周波数ごとに出力の低下が見られ
た。これは主ギャップと擬似ギャップとの干渉による出
力損失によるものと考えられ、その擬似ギャップノイズ
は４〜６ｄＢであった。一方、Ｃｏ−Ｈｆ／Ｃｏ−Ｈｆ
−Ｃ多層膜（一層の厚さを５００Åとし、３９層積層）
を用いた磁気ヘッドにおいては、Ｃｏ−Ｈｆ−Ｃ膜をフ
ェライト及びガラスに接する層とした場合でも、図５の
ように擬似ギャップノイズは２〜３ｄＢまで低減された
。また図６のように、Ｃｏ−Ｈｆをフェライト及びガラ
スに接する層とした場合には、全周波数領域において滑
らかな出力が得られ、その擬似ギャップノイズは１ｄＢ
以内であり、大幅に改善できたことが明らかとなった。 さらにこれに加え、Ｃｏ−Ｈｆをフェライト及びガラス
に接する層とした多層膜とフェライト間に１００ÅのＣ
ｒ膜を介在させた場合には、図６のように擬似ギャップ
によるノイズは０．５ｄＢ以下にまで低減できることが
わかった。
【００１３】
【発明の効果】以上説明したごとく、本発明によるＣｏ
−Ｍ／Ｃｏ−Ｍ−Ｃの多層膜は、高飽和磁束密度（最高
１．６Ｔ）、高透磁率（１０００以上）、低保磁力（１
Ｏｅ以下）、低磁歪定数（−３〜−１×１０−６）、高
耐熱性（６００℃以上）という磁気ヘッド材料に必要な
特性を兼ね備えている。したがって、この磁性膜を磁気
ヘッド磁極として用いた場合、０．２μｍ程度の薄膜に
しても磁気飽和を起こすことなく、磁極の先端に強い磁
界を発生させることができ、超高密度磁気記録を達成す
ることができる。また、本発明の磁性膜は、通常のＲＦ
マグネトロンスパッタ法で成膜可能であるため、製造方
法が簡単であり製造コストも安く、かつ高い信頼性も確
保できる利点がある。
−Ｍ／Ｃｏ−Ｍ−Ｃの多層膜は、高飽和磁束密度（最高
１．６Ｔ）、高透磁率（１０００以上）、低保磁力（１
Ｏｅ以下）、低磁歪定数（−３〜−１×１０−６）、高
耐熱性（６００℃以上）という磁気ヘッド材料に必要な
特性を兼ね備えている。したがって、この磁性膜を磁気
ヘッド磁極として用いた場合、０．２μｍ程度の薄膜に
しても磁気飽和を起こすことなく、磁極の先端に強い磁
界を発生させることができ、超高密度磁気記録を達成す
ることができる。また、本発明の磁性膜は、通常のＲＦ
マグネトロンスパッタ法で成膜可能であるため、製造方
法が簡単であり製造コストも安く、かつ高い信頼性も確
保できる利点がある。
【００１４】
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明を適用した磁気ヘッドの一例を示す外観
斜視図である。
斜視図である。
【図２】本発明を適用した磁気ヘッドの録媒体対向面を
示す拡大平面図である。
示す拡大平面図である。
【図３】本発明を適用した磁気コアを埋め込んだ磁気ヘ
ッドの外観斜視図である。
ッドの外観斜視図である。
【図４】本発明の磁気ヘッドを用いて測定した媒体保磁
力と限界記録密度の関係を示す特性図である。
力と限界記録密度の関係を示す特性図である。
【図５】本発明による磁気ヘッドの再生出力と周波数の
関係を示す特性図を示す図である。
関係を示す特性図を示す図である。
【図６】本発明による磁気ヘッドの再生出力と周波数の
関係を示す特性図である。
関係を示す特性図である。
【図７】本発明による磁気ヘッドの再生出力と周波数の
関係を示す特性図である。
関係を示す特性図である。
【図８】従来の磁気ヘッドの再生出力と周波数との関係
を示す特性図である。
を示す特性図である。
１ 磁気コア半体
２ 磁気コア半体
３ 軟磁性多層膜
４ 磁気ギャップ
５ ガラス
６ Ｃｏ−Ｍ膜
７ Ｃｏ−Ｍ−Ｃ膜
８ 磁気コア
９ スライダー
１０ ガラス
Claims (5)
- 【請求項１】 フェライトよりなる磁気コア一対の少
なくとも一方に軟磁性薄膜を付着させ、該磁気コア半体
同志を突き合わせて磁気ギャップを構成してなる磁気ヘ
ッドにおいて、上記軟磁性薄膜が、ＣｏｘＭｙと（Ｃｏ
ｘＭｙ）ｕＣｚ（ただし，ｘ，ｙ，ｚは各々組成比を原
子％で表し、ＭはＴｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，
Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗより選ばれた少なくとも一種類以上の元
素を表し、その組成範囲が ８０≦ ｘ ≦９５ ５ ≦ ｙ ≦２０ ５ ≦ ｚ ≦２０ ｘ＋ｙ＝１００ ｕ＝（１００−Ｚ）／１００ である）と表される磁性膜の多層膜によって構成される
ことを特徴とする磁気ヘッド。 - 【請求項２】 請求項１に記載の磁気ヘッドにおいて
、軟磁性多層膜のフェライトおよびギャップと接する層
がＣｏｘＭｙ（ただし、ｘ，ｙは各々組成比を原子％で
表し、ＭはＴｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｃｒ，
Ｍｏ，Ｗより選ばれた少なくとも一種類以上の元素を表
し、その組成範囲が ８０≦ ｘ ≦９５ ５ ≦ ｙ ≦２０ ｘ＋ｙ＝１００ である。）と表される磁性膜であることを特徴とする磁
気ヘッド。 - 【請求項３】 請求項１または２に記載の磁気ヘッド
において、軟磁性多層膜の１層の厚さｔが、２００Å≦
ｔ≦５０００Åの範囲であることを特徴とする磁気ヘッ
ド。 - 【請求項４】 請求項１ないし３に記載の磁気ヘッド
において、軟磁性多層膜とフェライト間に２００Å以下
の厚みのＣｒ膜を介在させたことを特徴とする磁気ヘッ
ド。 - 【請求項５】 請求項１ないし４に記載の磁気ヘッド
において、軟磁性薄膜組織が平均粒径２００Å以下の微
細な結晶粒よりなることを特徴とする磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6840891A JPH04305806A (ja) | 1991-04-01 | 1991-04-01 | 磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6840891A JPH04305806A (ja) | 1991-04-01 | 1991-04-01 | 磁気ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04305806A true JPH04305806A (ja) | 1992-10-28 |
Family
ID=13372826
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6840891A Pending JPH04305806A (ja) | 1991-04-01 | 1991-04-01 | 磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04305806A (ja) |
-
1991
- 1991-04-01 JP JP6840891A patent/JPH04305806A/ja active Pending
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