JP3704810B2

JP3704810B2 - 磁気ヘッド

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Publication number: JP3704810B2
Application number: JP13924596A
Authority: JP
Inventors: 順一本多; 房重徳竹; 喜彦井上; 憲克藤澤
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1996-05-31
Filing date: 1996-05-31
Publication date: 2005-10-12
Anticipated expiration: 2016-05-31
Also published as: JPH09320013A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ヘリカルスキャンシステムで記録・再生を行うＶＴＲやデータストレージ装置等に用いられ、いわゆるメタルテープ等の高抗磁力磁気記録媒体に対して記録・再生を行うのに好適とされる磁気ヘッドに関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、磁気記録の分野においては、記録信号の高密度化が進行しており、これに対応して高い抗磁力、高い残留磁束密度を有する高性能磁気記録媒体、例えば強磁性金属材料を非磁性支持体上に直接被着せしめてなるメタルテープ等が使用されるようになっている。
【０００３】
これに伴い、磁気ヘッドについては、コア材料が高飽和磁束密度を有することが必要になり、更に高効率を得るために高透磁率を有することが要求されている。
【０００４】
かかる要求を満たすために、従来から補助コア材に酸化物軟磁性材であるフェライトを使用し、該フェライトのギャップとなる面上に高飽和磁束密度を有する軟磁性金属薄膜を主コア材として形成し、ギャップ部が該軟磁性金属薄膜より形成され、高いギャップ中磁界の得られる、いわゆるメタル・イン・ギャップ（ＭｅｔａｌｉｎＧａｐ）型の磁気ヘッド（以下、ＭＩＧヘッドと称する。）が提案されており、メタルテープ等の記録・再生に好適なものとなっている。
【０００５】
ところで、この種の磁気記録媒体においては、近年の高密度化の著しい進展に伴い、上記メタルテープ等のように高抗磁力の磁気記録媒体に対してより良好に記録・再生を行うべく、記録磁界を十分とるためにより高い飽和磁束密度を持ち、かつ優れた軟磁気特性を有する金属磁性材料が求められている。
【０００６】
これに対して、Ｆｅを主成分とする微結晶金属磁性薄膜が高い飽和磁束密度を持ち、面内方向において優れた軟磁気特性を示すことから、従来の磁気ヘッド用金属磁性材料に代わり実用化され始めている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記ＭＩＧヘッドにおいて、従来の金属磁性材料の代わりに上記Ｆｅを主成分とする微結晶金属磁性薄膜を使用してフェライト上に該微結晶金属磁性薄膜を成膜しても、この種の磁気ヘッドでは面内方向の軟磁気特性だけでなく膜厚方向の軟磁気特性も重要となるため、上記微結晶金属磁性薄膜の面内方向の優れた軟磁気特性から期待されるほどヘッド効率は改善されておらず、再生出力もさほど向上していない。
【０００８】
そこで、本発明は、このような実情に鑑みて提案されたものであって、ＭＩＧヘッドの金属磁性薄膜としてＦｅを主成分とする微結晶金属磁性薄膜を使用した場合においてその軟磁気特性を改善し、再生出力が大幅に向上された磁気ヘッドを提供する事を目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明者等は、上述の目的を達成するために鋭意検討した結果、Ｆｅ−Ｍ−Ｎ磁性薄膜層（ここで、ＭはＴａ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｎｂ，Ｔｉのうちの少なくとも一種である。）においては、ＰｔにＢ，Ｃ，Ｎ，Ｏを少なくとも１つ以上含みＰｔの格子が広がった中間層を下地層として設けることにより、上記Ｆｅ−Ｍ−Ｎ磁性薄膜層が強いα−Ｆｅ（１１０）面配向を示すとともに、その結晶格子を広げる効果がＰｔのみの場合よりも強くなり、窒素原子の取り込み、結合が進み、軟磁性化がさらに促進され、また格子の歪みにより誘起される膜厚方向での磁気異方性がヘッド時の磁束の磁気的伝達を改善しヘッド効率が向上することで、良好な記録・再生を行うことができることを見出し、本発明を完成するに至った。
【００１０】
即ち、本発明の磁気ヘッドは、一対の磁気コア半体同士が磁気ギャップ形成面を突き合わせて接合一体化され、これら磁気コア半体のうち少なくとも一方の磁気コア半体の磁気ギャップ形成面に金属磁性薄膜が成膜されてなる磁気ヘッドにおいて、上記金属磁性薄膜が軟磁性膜部と中間層とが交互に積層されてなる多層膜から構成され、上記軟磁性膜部はＦｅ_ｘＭ_ｙＮ_ｚ（但し、ＭはＴａ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｎｂ，Ｔｉのうちの少なくとも一種であり、ｘ，ｙ，ｚは原子パーセントを示し、それぞれ７１≦ｘ≦８５，６≦ｙ≦１５，９≦ｚ≦１６である。）なる組成からなり、上記中間層はＰｔにＢ，Ｃ，Ｎ，Ｏのうちの少なくとも１種を含有するとともに、Ｂ又はＣはターゲットに添加することにより含有され、Ｃ，Ｎ，Ｏは炭素、窒素、若しくは酸素を含む雰囲気中で成膜することにより含有させることを特徴とする。
【００１１】
本発明の磁気ヘッドにおいて、上記金属磁性薄膜を構成する中間層の下地効果を十分なものとするために、該中間層の１層当たりの平均膜厚は０．２〜１０ｎｍとすることが好ましい。
【００１２】
上記中間層の１層当たりの平均膜厚が０．２ｎｍ未満であると、十分な下地効果が得られず、逆に１０ｎｍを越えると、膜厚が厚くなり、厚膜化による形状効果によって該中間層が疑似ギャップとして作動し再生出力特性でのうねりの発生を招く虞れがある。
【００１３】
この中間層及び上記軟磁性膜部は、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等に代表される真空薄膜形成技術により形成される。
【００１４】
この時、例えばスパッタリング法により成膜される上記中間層の厚みが０．２ｎｍのときは、該中間層はきれいな薄膜状態ではなく、粒子がアイランド状に点在した状態をなしていると考えられる。そこで、該中間層の厚さは１層当たりの平均膜厚と表現している。
【００１５】
また、上記金属磁性薄膜を構成する上記軟磁性膜部が上記中間層の下地効果を十分に受けられるように、その１層当たりの膜厚を０．０５〜１μｍとすることが好ましい。
【００１６】
上記軟磁性膜部の１層当たりの膜厚が０．０５ｎｍ未満であると、該軟磁性膜部を形成するためのスパッタリング等の成膜工程が増大し生産性が劣化する上に、上記中間層の総数が増え実効的な飽和磁束密度が低下する。逆に、この軟磁性膜部の１層当たりの膜厚が１０ｎｍを越えると、上記中間層の下地効果が薄れてしまう。
【００１７】
かかるＦｅ−Ｍ−Ｎ磁性薄膜層を形成するに際し、成膜後にアニールが行われるが、この時Ｆｅ−Ｐｔ化合物が生じる。このＦｅ−Ｐｔ化合物はマイナス磁歪の硬質磁性材料であるため、上記金属磁性薄膜中のＦｅ−Ｐｔ化合物が多くなると、該金属磁性薄膜の保磁力の増加だけでなく、該金属磁性薄膜の磁歪が大きくマイナス側にシフトし、好ましくない。そこで、上記Ｆｅ−Ｐｔ化合物の量を抑え、このような現象を回避するべく、上記金属磁性薄膜を構成する上記中間層の割合は５重量％以下とされることが好ましい。
【００１８】
また、本発明の磁気ヘッドにおいては、上記磁気コア半体がフェライト材により構成され、該フェライト材と上記金属磁性薄膜との接触界面に反応防止膜としてＰｔ層又はＳｉＯ₂層が形成されていることが好ましい。
【００１９】
なお、この磁気ヘッドにおいては、上述のような条件を複数に亘って満たすようになされても良い。
【００２０】
本発明の磁気ヘッドにおいては、一対の磁気コア半体のうち少なくとも一方の磁気コア半体の磁気ギャップ形成面に、金属磁性薄膜としてＦｅ−Ｍ−Ｎ磁性薄膜層と中間層が積層された多層膜が形成されており、この磁気ヘッドの製造工程においてＦｅ−Ｍ−Ｎ磁性薄膜層を成膜した後に熱処理を行ってアモルファス状態から微結晶を形成させる際には、上記中間層の下地効果により、熱処理後のＦｅ−Ｍ−Ｎ磁性薄膜層に強いα−Ｆｅ（１１０）配向を起こすこととなり、更にその結晶格子を広げる効果が上記中間層がＰｔのみから構成される場合に比べて強くなり、窒素原子の取り込み、結合が進み、軟磁性化が更に促進され、更に格子の歪みにより誘起される膜厚方向での磁気異方性がヘッド時の磁束の磁気的伝達を改善しヘッド効率が向上することで、高い飽和磁束密度による記録能力を発揮するのみならず、高い再生特性が得られる。
【００２１】
また、本発明の磁気ヘッドにおいては、上記金属磁性薄膜を上記Ｆｅ−Ｍ−Ｎ磁性薄膜層と中間層とが交互に積層されてなる多層膜としていることから、上記金属磁性薄膜内において上記Ｆｅ−Ｐｔ化合物が生じ、磁気的にハードな部分が生じる。この部分は、磁区の移動を防止する働きをするため、回転磁化が促進され、金属磁性薄膜における高周波領域の透磁率が高まる。
【００２２】
なお、本発明において、上記金属磁性薄膜を構成する中間層の１層当たりの平均膜厚を０．２〜１０ｎｍとしたり、上記金属磁性薄膜を構成する上記軟磁性膜部の１層当たりの膜厚を０．０５〜１μｍとすることで、上記中間層の下地効果による上記軟磁性膜部における上述のような優先配向が膜全体に亘って生じ易くなる。また、上記中間層を上述のような厚さとすれば、該中間層が疑似ギャップとして作動することもない。
【００２３】
更に、本発明の磁気ヘッドにおいて、上記金属磁性薄膜内に占められるＰｔ層の割合を５重量％以下とすることにより、実効的な飽和磁束密度の低下は非常に小さくなる。
【００２４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を適用した具体的な実施の形態について図面を参照しながら詳細に説明するが、本発明がこの実施の形態に限定されるものでないことは言うまでもない。
【００２５】
本実施例にかかる磁気ヘッドは、図１及び図２に示すように、記録媒体対接触面の略中央に位置する磁気ギャップｇを境として左右別々に作製された一対の磁気コア半体１，２が突き合わせ面である磁気ギャップ形成面をトラック幅部が一致するような位置で突き合わせて接合一体化されてなる。
【００２６】
上記磁気コア半体１，２は、補助コアである基体３，４と、主コア部である金属磁性薄膜５，６とから構成されている。
【００２７】
上記基体３，４は、例えばＭｎ−Ｚｎ系フェライトやＮｉ−Ｚｎ系フェライト等の酸化物磁性材料からなり、上記金属磁性薄膜５，６とともに閉磁路を構成する補助コア部となっている。上記基体３，４の前記磁気ギャップ形成面と対向する面には、上記磁気ギャップｇのトラック幅Ｔｗを規制するためのトラック幅規制溝７，８，９，１０が磁気ギャップｇの両端縁近傍部よりそれぞれデプス方向に亘って円弧状に形成されている。
【００２８】
なお、上記トラック幅規制溝７，８，９，１０内には、それぞれ磁気記録媒体との当たり特性を確保するとともに、摺接による偏摩耗を防止する目的で、ガラス等の非磁性材料１１が充填されている。
【００２９】
また、上記基体３，４のうち、少なくとも一方の磁気ギャップ形成面と対向する面には、上記磁気ギャップｇのデプスを規制するとともにコイル（図示は省略する。）を巻装するための巻線溝１２，１２が側面形状が略矩形状となるように形成されている。
【００３０】
一方、上記金属磁性薄膜５，６は、上記基体３，４のギャップ形成面を含む全面に亘って成膜される。つまり、ギャップ形成面のみならずトラック幅規制溝７，８，９，１０内、巻線溝１２，１２にも成膜される場合を図示してあるが、ギャップ面に成膜してあれば、他の溝内部の部分はマスクスパッタ等の手法により成膜されないような構成とすることも可能である。
【００３１】
また、上記金属磁性薄膜５，６は、Ｆｅ−Ｍ−Ｎ磁性薄膜層（ここで、ＭはＴａ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｎｂ，Ｔｉよりなる群から少なくとも一種類以上選択された金属）とＰｔを基としてＢ，Ｃ，Ｎ，Ｏを少なくとも一つ以上含有した中間層からなる多層構造とされている。この時、上記基体３，４上に上記金属磁性薄膜５，６を直接成膜すると、フェライトと磁性薄膜間で拡散反応が起こり疑似ギャップが生じるため、反応防止膜１３，１４を介して上記金属磁性薄膜５，６を成膜する必要がある。
上記金属磁性薄膜５，６を一方の基体３に成膜される上記金属磁性薄膜５を例にとって説明すると、該金属磁性薄膜５は、図３に示すように、上記反応防止膜１３上に上記Ｆｅ−Ｍ−Ｎ磁性薄膜層１５及びＰｔを基としてＢ，Ｃ，Ｎ，Ｏを少なくとも１つ以上含有した中間層１６の順で順次交互に積層されて多層膜として構成されている。
【００３２】
上記反応防止膜１３は、上記金属磁性薄膜５の下地層をかねてＰｔを基としてＢ，Ｃ，Ｎ，Ｏを少なくとも一つ以上含有した層、若しくは単に反応防止膜として従来公知のＰｔやＳｉＯ₂膜を用いても良い。
【００３３】
更に、上記金属磁性薄膜５は、上記反応防止膜１３のＰｔやＳｉＯ₂上に、Ｐｔを基としてＢ，Ｃ，Ｎ，Ｏを少なくとも一つ以上含有した中間層１６、上記Ｆｅ−Ｍ−Ｎ磁性薄膜層１５の順で交互に積層されて多層膜としても良い。
【００３４】
なお、他方の基体４に形成される上記金属磁性薄膜６も上記金属磁性薄膜５と同様の構成となる。
【００３５】
ここで、Ｐｔは、格子定数３．９２４０オングストロームで面心立方格子（ＦＣＣ）構造を持つ金属であり、ＦＣＣ構造であることから｛１１１｝面配向を示しやすく、Ｐｔ｛１１１｝が表面に現れることで、配向に対応した格子間隔ｄはｄ＝２．２６５５オングストロームとなる。
【００３６】
同様に、Ｆｅ−Ｍ合金は主成分が鉄であり、常温では鉄はα−Ｆｅであり、格子定数２．８６６５オングストロームで体心立方格子（ＢＣＣ）構造を持ち、該（ＢＣＣ）構造に起因して配向は｛１１０｝を示す傾向にあり、その傾向に対応する格子間隔はｄ＝２．０２６９２オングストロームとなる。
【００３７】
ＦｅＴａ合金は、スパッタ雰囲気に含まれる窒素がＴａと選択的に結合してα−Ｆｅの成長を阻害し、微細な結晶粒が生成されることで軟磁性が得られることが知られているが、この際窒素が有効に膜中に取り込まれることが必要になる。単に、スパッタ雰囲気中の窒素分圧を増加させると、Ｔａに加えＦｅまでが窒化されるために軟磁性が劣化してしまう。
【００３８】
このため、スパッタ時には窒素はＦｅやＸ（Ｔａ等）と反応しないかたちで（窒化物をつくらないかたちで）取り込まれ、後に施される熱処理により化学的に活性なＴａのみが選択的に窒化するような処理が優れた軟磁性を得るために必要となる。
【００３９】
先願で我々は、Ｐｔ膜をＦｅ−Ｍ合金の下地とすることで、Ｆｅ−Ｍの格子間隔ｄ＝２．０２６９２オングストロームが下地であるＰｔ膜の格子間隔ｄ＝２．２６５５オングストロームに対応して本来の格子間隔より広がりやすくなり、広がった格子間を埋めるように窒素原子がＦｅＴａ合金中に侵入することで窒素の取り込みが進み、更にＰｔを下地とすることで配向が改善されＰｔによる積層構造を持たない単層膜の場合に比べ軟磁性が改善され、ヘッド時の効率が改善されることを発明したが、その結果として得られるヘッド特性は、単層膜Ｆｅ−Ｍの場合に比べて２ｄＢ程度改善されるものの、従来の磁性材料であるセンダストやＦｅ−Ｒｕ−Ｇａ−Ｓｉにより構成されたヘッドとほぼ同等であった。
【００４０】
本発明では、Ｐｔ膜成膜中の雰囲気に窒素を導入することで下地のＰｔ膜の格子を歪ませ拡大させることで、この下地膜上に成膜されるＦｅ−Ｍ膜の格子を従来のＰｔのみの場合に比べさらに拡大し、窒素の取り込まれる量を増加させた。これにより、従来は熱処理時にＴａを十分に窒化するだけの窒素量が膜中に溜め込むことができなかったが、Ｐｔ−Ｘ（ＸはＮ等）とすることでＰｔの格子間隔ｄがｄ＝２．２７オングストローム程度に０．２〜０．５％程度拡大し、その結果Ｆｅ−Ｍ合金の格子間隔も従来のＰｔ下地でのｄ＝２．０４〜２．０５オングストロームよりｄ＝２．０５〜２．０６オングストロームとさらに拡大し、窒素の取り込み量が１５％程度増加する。また、配向も改善され、下地が窒素を含むため、従来のＰｔ膜による窒素の吸収も起こらず、逆に、熱処理時にＰｔ−Ｎ膜からの窒素供給がＦｅ−Ｍ側に起こり、また格子が大きく歪む効果により膜の膜厚方向の軟磁性がヘッド時に好適なものとなり、ヘッド時にＰｔの積層膜の場合と比べて０．５ｄＢの改善が見られた。
【００４１】
これらの効果は、ＰｔをＢ，Ｃ，Ｏを含有させるように成膜した場合もＦｅＴａ側への窒素の供給源にはならないが、ほぼ同等の効果が確認された。
【００４２】
上記Ｆｅ−Ｍ−Ｎ軟磁性膜層１５の膜厚は、十分な下地効果を得るために０．０５〜１μｍ程度とすることが望ましい。該Ｆｅ−Ｍ−Ｎ軟磁性膜層１５の膜厚が０．０５μｍに満たないと、スパッタリング等の成膜工程が増大し生産性が劣化する上に、Ｐｔ層の総数が増え実効的な飽和磁束密度が低下する。逆に、１μｍを越えると、Ｐｔの下地効果が薄れてしまう。
【００４３】
一方、中間層（Ｐｔ−Ｘ層）１６の膜厚は、十分な下地効果を得る観点より０．２〜１０ｎｍ程度とすることが望ましい。該中間層（Ｐｔ−Ｘ層）１６の膜厚が０．２ｎｍ未満であると、十分な下地効果を得ることができず、逆に１０ｎｍを越えると、厚膜化部が非磁性であるため、ギャップとして作用し、疑似ギャップとして動作し再生周波数特性でのうねりの発生を招く。また、上記金属磁性薄膜５の成膜後のアニールでＦｅ−Ｐｔ化合物が生じるが、該Ｆｅ−Ｐｔ化合物はマイナス磁歪の硬質磁性材料であるため、上記金属磁性薄膜５中に含まれるＦｅ−Ｐｔ化合物が大きくなると、磁性膜の保磁力の増加だけでなく、磁性膜の磁歪が大きくマイナス側にシフトしていく。このため、上記金属磁性薄膜５の総膜厚に占めるＰｔ−Ｘ層１６の割合は５％以下にする必要があり、好ましくは２％とされる。また、磁性膜の磁歪をほぼゼロとするように総膜厚に占めるＰｔ−Ｘ層１６の割合を考慮に入れて、Ｆｅ−Ｍ−Ｎ軟磁性膜層１５の磁歪をプラスの符号を持つ適当な大きさとすることが好適である。
【００４４】
また、上記Ｆｅ−Ｍ−Ｎ軟磁性膜層１５は、成膜後はアモルファス状態であるが、熱処理後に微結晶化が生じる。このＦｅ−Ｍ−Ｎ軟磁性膜層１５と上記Ｐｔ−Ｘ層１６を順次交互に積層することで、熱処理後に強いα−Ｆｅ（１１０）配向が起こり、格子の拡大による窒素取り込み効果を示すが、磁性膜の膜厚が厚くなると格子が本来の間隔に戻る傾向にあり、上記Ｐｔ−Ｘ層１６の層数を増やし磁性膜の膜厚をある程度薄くすることで、上記Ｐｔ−Ｘ層１６による格子拡大と配向性の維持が積層膜全体に亘って生じる。
【００４５】
また、上記Ｆｅ−Ｍ−Ｎ軟磁性膜層１５を上記Ｐｔ−Ｘ層１６を介して多層膜とすることにより、Ｆｅ−Ｐｔ化合物を生じ磁気的にハードな部分を生じる。この部分は、磁区の移動を防止する働きをするため、回転磁化が促進され高周波領域の透磁率を高める働きをする。更に、上記金属磁性薄膜５内に占める上記Ｐｔ−Ｘ層１６の割合は数％であり、実効的な飽和磁束密度Ｂｓの低下は殆ど見られない。また、上記Ｐｔ−Ｘ層１６は磁気ギャップｇと平行に配列されているが、膜厚が数ｎｍであり磁気ギャップとして作動することがない。
【００４６】
このように、下地効果のある上記Ｐｔ−Ｘ層１６を介してＦｅ−Ｍ−Ｎ軟磁性膜層１５が積層された金属磁性薄膜５をメタル・イン・ギャップ型の磁気ヘッドに適応することで軟磁気特性が向上し、特に膜厚方向の透磁率の改善が図られ、再生特性の大幅な向上が期待できる。
【００４７】
また、上記反応防止膜１３，１４をＰｔ−Ｘとすることで、上記金属磁性薄膜５，６の軟磁気特性を改善する働きをするばかりでなく、上記基体３，４との界面で起こる拡散反応を抑制し本来の磁気ギャップｇに発生する磁束と干渉を起こす反応層の形成を防止する働きをする。
【００４８】
上記Ｆｅ−Ｍ−Ｎ軟磁性膜層１５と上記Ｐｔ−Ｘ層１６の成膜方法としては、スパッタリング法が用いられる。
【００４９】
また、上記界面での拡散反応の防止をより確実なものとするため反応防止膜１３，１４としては、Ｐｔ−Ｘ以外にも、第一層目のＦｅ−Ｍ−Ｎに対する本発明の効果はなくなるが、従来反応防止膜として実績のあるＰｔやＳｉＯ_x（ｘ＝１〜２）でも良いし、更に例えばＴｉ，Ｍｏ，Ｖ，Ｃｒ，Ｗ，Ｃｏ，Ｎｉ等のＦｅの融点である１５００℃以上の融点を持つ金属がいずれも使用可能である。この他、Ｓｉ₃ Ｎ、Ａｌ₂ Ｏ₃ 等の化合物や上記金属との積層構成での膜が使用可能である。更には、上記反応防止膜１３，１４の上にＰｔ−Ｘを成膜した積層膜を用いれば、反応防止と下地効果の両方が得られより望ましい。
【００５０】
この反応防止膜１３，１４が非磁性の場合、疑似ギャップとして動作しないように薄い膜とする必要がある。従って、該反応防止膜１３，１４の膜厚は１〜１０ｎｍ程度とすることが好ましい。膜厚が１ｎｍより薄いと、反応防止効果が少なくなり、逆に１０ｎｍよりも厚すぎると疑似ギャップとして動作する虞がある。以上のような構成を有する磁気ヘッドは、次のようにして作製される。
【００５１】
即ち、先ず、図４に示すように、Ｍｎ−Ｚｎフェライト若しくはＮｉ−Ｚｎフェライト等の酸化物軟磁性材料によって例えば長さ３４．５ｍｍ、幅２．５ｍｍ、厚み１ｍｍ程度の基体２１を形成する。
【００５２】
次に、図５に示すように、この基体２１の主面２１ａの幅方向にトラック幅となるフェライト断面が２１μｍ残存するようにトラック幅規制溝２２を切り込む。
【００５３】
この時、このトラック幅規制溝２２の上記基体２１の主面２１ａに接する部分での側面の角度は、通常８〜４５°程度とされるが、これに限定されるものではなく、０°でもなんら問題を生じない。
【００５４】
また、このトラック幅規制溝２２の深さは２００〜３００μｍとされることが望ましい。
【００５５】
更に、このトラック幅規制溝２２の断面形状も通常はＵ字型若しくはＶ字型であるが、多角形による断面であってももちろん構わない。但し、この多角形の上記基体２１の主面２１aに接する部分での側面の角度が小さいと電磁変換効率の低下を招き、逆に大きいと記録媒体上の目的以外のトラックからの信号を読み出す可能性が高くなり、この結果ノイズの増加をもたらすため３０°程度が望ましい。
【００５６】
続いて、図６に示すように、磁気ギャップのギャップデプスを規制し、巻線を巻装するための巻線溝２３を形成する。
【００５７】
そして、上記基体２１の主面２１ａを表面粗度が２０〜１００オングストローム程度になるように研磨する。
【００５８】
次いで、得られた基体（図７に拡大図を示す。以下、図１１まで同様。）２１に対して図８に示すように、下地膜としてＰｔ−Ｘ膜からなる反応防止膜２４を形成する。
【００５９】
この反応防止膜２４としては、界面剥離を防止する目的で、本実施例で使用したＰｔ−Ｘ膜以外にも、例えば単なるＰｔ膜やＳｉＯ₂若しくはＳｉＯ膜等でも使用可能であり、またＳｉＯ_x（１＜ｘ＜２）のようなケイ素原子に対し、酸素原子数が整数比とならないような、ＳｉＯ₂とＳｉＯの混合状態の膜でも使用可能である。
【００６０】
この反応防止膜２４の膜厚は、１〜１０ｎｍであれば、この部分が非磁性であることにより疑似ギャップとして作用する可能性は少ないが、より望ましくは４〜５ｎｍ程度とされる。
【００６１】
また、この反応防止膜２４の成膜手段としては、例えばスパッタリング法が好適であるが、Ｐｔ−ＸでＸとして窒素と酸素を選ばない場合やＰｔ−Ｘ以外の膜の場合には、蒸着法、ＭＢＥ法等の他のＰＶＤ（Ｐｈｉｓｉｃａｌｖａｐｏｒｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎｍｅｔｈｏｄ）やＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌｖａｐｏｒｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎｍｅｔｈｏｄ）も使用可能である。
【００６２】
本実施例では、Ｐｔを３０％の窒素雰囲気中でスパッタリングすることによりＰｔ−Ｎ膜を厚さ４．５ｎｍとなるように成膜した。
【００６３】
続いて、図９に示すように、この反応防止膜２４上に第一層目の金属磁性薄膜の一部を構成するＦｅ−Ｍ−Ｎ磁性薄膜層２５を形成する。
【００６４】
このＦｅ−Ｍ−Ｎ磁性薄膜層２５の膜厚は、０．０５〜１μｍ程度が好適である。
【００６５】
ここで、フェライトとの界面での磁性膜の剥離を防止するためＰｔ−Ｘ以外を選択した場合には、この第一層目の金属磁性薄膜は本発明の効果がないので、該第一層目の金属磁性薄膜の容量比を減らすために第一層のみ０．０５μｍ以下にして、なるべく薄く形成することも可能である。
【００６６】
このＦｅ−Ｍ−Ｎ磁性薄膜層２５の成膜に際し、スパッタリングが用いられるが、本発明の主旨である下地への格子整合を取りながら、更に雰囲気中窒素を取り込む他の物理的や化学合成による手法を用いても良い。
【００６７】
そして、図１０に示すように、このＦｅ−Ｍ−Ｎ磁性薄膜層２５上に上記第一層目の金属磁性薄膜中の中間層（Ｐｔ−Ｘ層）２６を形成する。
【００６８】
この中間層２６の膜厚は０．２〜１０ｎｍとする。なお、ここでは、該中間層２６の膜厚は０．６ｎｍとした。
【００６９】
この後、上述と同様にして第二層目の金属磁性薄膜の一部を構成するＦｅ−Ｍ−Ｎ磁性薄膜層２５を形成し（図１１）、更に上述と同様の構成による中間層２６、Ｆｅ−Ｍ−Ｎ磁性薄膜層２５の形成を所定の層数だけ繰り返し積層構造を有する金属磁性薄膜を形成する。
【００７０】
この金属磁性薄膜の層数は総膜中のＰｔが５重量％以下となるように上記Ｐｔ−Ｘ層の膜厚との兼ね合いで決めることが軟磁性を得るために望ましい。
【００７１】
本実施例では、０．１１μｍのＦｅ−Ｔａ磁性薄膜総を３６層に積層して総膜厚が４μｍの金属磁性薄膜を構成した。
【００７２】
最終層のＦｅ−Ｍ−Ｎ磁性薄膜層２５を成膜して金属磁性薄膜２７を形成した後（図１２）、ギャップスペーサ２８を必要に応じて形成し図１３に示すようなコアブロック２９を得る。
【００７３】
上記ギャップスペーサ２８としては、通常この種の磁気ヘッドにおいて使用されているＳｉＯ_xやＴａ₂Ｏ₅だけでなく、例えば磁性材料の融着ガラス中酸素による反応を防ぐためにＣｒ等とＳｉＯ₂ の積層構成にすることも有効である。
【００７４】
本実施例では、上記ギャップスペーサ２８としてＳｉＯ₂ 膜を使用した。
【００７５】
次に、図１４に示すように、上記コアブロック２９と、上述と同様に作製されたコアブロック３０とをギャップスペーサ２８を介して端面を突き合わせ、ガラス等の非磁性材３１により両コアブロック３２を接着する。
【００７６】
このようにして接着を行った合体ブロックの磁気記録媒体に対接する面を円筒研磨して適当な形状に加工する。
【００７７】
そして、図１４中の点線ａ〜ｅで示す位置でスライシングを行い、ヘッドチップを完成する。
【００７８】
このように、金属磁性薄膜２７をＦｅ−Ｍ−Ｎ磁性薄膜層２５とＰｔ−Ｘ膜からなる中間層２６とが交互に積層された多層膜とすることにより、中間層２６としてＰｔ膜を用いた場合に比べて、成膜後の上記Ｆｅ−Ｍ−Ｎ磁性薄膜層２５における窒素取り込み量を増やすことができ、更に配向の改善等で再生特性が向上し、本実施例では１０ＭＨｚで０．５ｄＢの再生特性の向上が見られた。
【００７９】
以上のような構成は、ヘッドの走行方向に対しギャップが直角にならないようなアジマスを有する場合について示したが、もちろんギャップが直角に形成されていても構わない。
【００８０】
また、本実施例では、コアブロックに対し、巻線溝形成後に磁性膜の成膜を行う場合について例示したが、巻線溝形成前に磁性膜を形成する構成でも良い。
【００８１】
また、巻線溝形成後に磁性膜の成膜を行う場合、基板として非磁性の、例えばＺｒＯ₂ 基板等を用いても良い。
【００８２】
更に、各Ｆｅ−Ｍ−Ｎ磁性薄膜層の組成をそれぞれ変え、例えばギャップ近傍に近づくにつれ飽和磁束密度の高くなるような構成としても良い。
【００８３】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、本発明の磁気ヘッドにおいては、一対の磁気コア半体の磁気ギャップ形成面に形成される金属磁性薄膜がＦｅ−Ｍ−Ｎ磁性薄膜層（ここで、ＭはＴａ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｎｂ，Ｔｉよりなる群から少なくとも一種類以上選択された金属）とＰｔを基としてＢ，Ｃ，Ｎ，Ｏを少なくとも一つ以上含有した中間層からなる多層構造とされているので、該中間層なるＰｔ−Ｘ層の下地効果により上記Ｆｅ−Ｍ−Ｎ磁性薄膜層に強いα−Ｆｅ（１１０）面の優先配向とその格子間隔の拡大が生じ、窒素取り込み量の増大にともなう軟磁気特性の改善と、配向性の改善や格子歪みに伴う異方性が膜厚方向の軟磁性をヘッド化時に好適なものとする。
【００８４】
従って、本発明の磁気ヘッドによれば、金属磁性薄膜の軟磁気特性の改善により、再生出力の向上を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明にかかる磁気ヘッドの一構成例を示す斜視図である。
【図２】本発明にかかる磁気ヘッドを磁気記録媒体対接面より拡大して見た一構成例を示す要部拡大平面図である。
【図３】基体上に形成された金属磁性薄膜の構成を示す要部拡大断面図である。
【図４】本発明にかかる磁気ヘッドの製造工程を示す図であり、基体作製工程を示す斜視図である。
【図５】トラック幅規制溝形成工程を示す斜視図である。
【図６】巻線溝形成工程を示す斜視図である。
【図７】金属磁性薄膜の形成工程を示す要部拡大図であり、トラック幅規制溝形成工程を示す斜視図である。
【図８】反応防止膜形成工程を示す斜視図である。
【図９】第一層目のＦｅ−Ｍ−Ｎ磁性薄膜層形成工程を示す斜視図である。
【図１０】第一層目の中間層形成工程を示す斜視図である。
【図１１】第二層目のＦｅ−Ｍ−Ｎ磁性薄膜層形成工程を示す斜視図である。
【図１２】金属磁性薄膜形成工程を示す斜視図である。
【図１３】コアブロック形成工程を示す斜視図である。
【図１４】両コアブロックのスライシング工程を示す斜視図である。
【符号の説明】
１，２磁気コア半体、３，４基体、５，６金属磁性薄膜、７〜１０トラック幅規制溝、１１非磁性材、１２巻線溝、１３，１４反応防止膜、１５
Ｆｅ−Ｍ−Ｎ磁性薄膜層、１６中間層

Claims

一対の磁気コア半体同士が磁気ギャップ形成面を突き合わせて接合一体化され、これら磁気コア半体のうち少なくとも一方の磁気コア半体の磁気ギャップ形成面に金属磁性薄膜が成膜されてなる磁気ヘッドにおいて、
上記金属磁性薄膜が軟磁性膜部と中間層とが交互に積層されてなる多層膜から構成され、
上記軟磁性膜部はＦｅ_ｘＭ_ｙＮ_ｚ（但し、ＭはＴａ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｎｂ，Ｔｉのうちの少なくとも一種であり、ｘ，ｙ，ｚは原子パーセントを示し、それぞれ７１≦ｘ≦８５，６≦ｙ≦１５，９≦ｚ≦１６である。）なる組成からなり、
上記中間層はＰｔにＢ，Ｃ，Ｎ，Ｏのうちの少なくとも１種を含有するとともに、Ｂ又はＣはターゲットに添加することにより含有され、Ｃ，Ｎ，Ｏは炭素、窒素、若しくは酸素を含む雰囲気中で成膜することにより含有されることを特徴とする磁気ヘッド。
上記中間層の１層当たりの膜厚が０．２〜１０ｎｍであることを特徴とする請求項１記載の磁気ヘッド。
上記軟磁性膜部の１層当たりの膜厚が０．０５〜１μｍであることを特徴とする請求項１記載の磁気ヘッド。
上記金属磁性薄膜内に占められるＰｔ層が５重量％以下であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１に記載の磁気ヘッド。
上記磁気コア半体がフェライト材により構成され、該フェライト材と上記金属磁性薄膜との接触界面に反応防止膜としてＰｔ層が形成されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１に記載の磁気ヘッド。
上記反応防止膜として形成されるＰｔ層は、ＰｔにＢ，Ｃ，Ｎ，Ｏのうちの少なくとも１種を含有するとともに、Ｂ又はＣはターゲットに添加することにより含有され、Ｃ，Ｎ，Ｏは炭素、窒素、若しくは酸素を含む雰囲気中で成膜することにより含有されていることを特徴とする請求項５記載の磁気ヘッド。
上記磁気コア半体がフェライト材により構成され、該フェライト材と上記金属磁性薄膜との接触界面に反応防止膜としてＳｉＯ_２層が形成されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１に記載の磁気ヘッド。