JPS63254708A - 窒素を含む軟磁性合金膜 - Google Patents
窒素を含む軟磁性合金膜Info
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- JPS63254708A JPS63254708A JP62089402A JP8940287A JPS63254708A JP S63254708 A JPS63254708 A JP S63254708A JP 62089402 A JP62089402 A JP 62089402A JP 8940287 A JP8940287 A JP 8940287A JP S63254708 A JPS63254708 A JP S63254708A
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- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 24
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 17
- 229910001004 magnetic alloy Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 16
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims abstract description 27
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 18
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims abstract description 18
- 229910000808 amorphous metal alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims abstract 3
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 34
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims 2
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 abstract description 7
- 239000002356 single layer Substances 0.000 abstract description 7
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 abstract description 5
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 abstract description 5
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 abstract 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 11
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 description 10
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- 238000002845 discoloration Methods 0.000 description 4
- 238000000682 scanning probe acoustic microscopy Methods 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 229910000521 B alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 241001062872 Cleyera japonica Species 0.000 description 1
- 229910001199 N alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 238000003287 bathing Methods 0.000 description 1
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 1
- 238000004017 vitrification Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
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- H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
- H01F10/08—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers
- H01F10/10—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は磁気へラドコア等に適した軟磁性材料、特に窒
素を含む磁性合金膜に関するものである。
素を含む磁性合金膜に関するものである。
従来の技術
従来よ1)Axガス中にN2ガスを混入させたスパッタ
ー法や、窒化物をターゲットに用いたスパッター法によ
り、窒素を含む磁性合金膜の作成が試みられて来た。こ
れらのものには、Fe、Co。
ー法や、窒化物をターゲットに用いたスパッター法によ
り、窒素を含む磁性合金膜の作成が試みられて来た。こ
れらのものには、Fe、Co。
Ni とガラス化元素B 、St 、AI!、P 、C
等より成る合金の窒化膜(特開昭54−94428号公
報。
等より成る合金の窒化膜(特開昭54−94428号公
報。
及び同60−152651号公報)や、Feの窒化物の
研究がある(ジャーナル オプ アプライド フィジッ
クス(J、Appl Phys、) 5i3(11)P
8332〜34(1982))。前者においては、たと
えばFe−B系を窒化したF e −B−Nにおいては
垂直磁気異方性が増加したシして、Fe−B系合金の有
する軟磁性がそこなわれ、抗磁力Haの大きな磁性膜に
なるほか、飽和磁化4πM8もN含有量と伴に低下する
事が知られている。後者においては微量のNを含む場合
4πM、はむしろFeのそれより微かに増加するが、こ
のFe−N系合金膜のHaはやけ9大きく軟磁性を示さ
ないことが知られている。
研究がある(ジャーナル オプ アプライド フィジッ
クス(J、Appl Phys、) 5i3(11)P
8332〜34(1982))。前者においては、たと
えばFe−B系を窒化したF e −B−Nにおいては
垂直磁気異方性が増加したシして、Fe−B系合金の有
する軟磁性がそこなわれ、抗磁力Haの大きな磁性膜に
なるほか、飽和磁化4πM8もN含有量と伴に低下する
事が知られている。後者においては微量のNを含む場合
4πM、はむしろFeのそれより微かに増加するが、こ
のFe−N系合金膜のHaはやけ9大きく軟磁性を示さ
ないことが知られている。
発明が解決しようとする問題点
本発明は上述の問題点を解決し、窒化物特有の耐摩耗性
と金属合金よりも高い比抵抗を有し、かつ軟磁性をさほ
どそこなう事なく高い4πMsを維持する事を可能とす
るものである。
と金属合金よりも高い比抵抗を有し、かつ軟磁性をさほ
どそこなう事なく高い4πMsを維持する事を可能とす
るものである。
問題点を解決するための手段
上述のように窒化合金膜は軟磁気特性を示し難いという
問題点があったが、本発明合金は上述のような単なる窒
化膜ではなく、膜自体が以下に述べるような超構造を有
している事を特徴とし、このように超構造化する事によ
って従来の窒化磁性合金膜では得られなかった優れた軟
磁気特性を得る事を可能にするものである。
問題点があったが、本発明合金は上述のような単なる窒
化膜ではなく、膜自体が以下に述べるような超構造を有
している事を特徴とし、このように超構造化する事によ
って従来の窒化磁性合金膜では得られなかった優れた軟
磁気特性を得る事を可能にするものである。
本発明による磁性合金膜は、次の組成式で表わされる非
晶質合金膜 TaMbXC・・・・・・0) と窒化合金膜 (”a”bXc )100−d Nd ・
”−<2)とを積層して成る事を特徴とする積層磁性合
金膜、又は完全な積層膜ではなくむしろ組成変調構造を
有し、平均組成で (T 、t Mb’ Xc/) 100−d’ Nd
t ””P)で表わされ、少くとも元素N(窒素
)が膜厚方向に組成変調されている事を特徴とする組成
変調窒化磁性合金膜である。ただしTはFe、Co、N
i。
晶質合金膜 TaMbXC・・・・・・0) と窒化合金膜 (”a”bXc )100−d Nd ・
”−<2)とを積層して成る事を特徴とする積層磁性合
金膜、又は完全な積層膜ではなくむしろ組成変調構造を
有し、平均組成で (T 、t Mb’ Xc/) 100−d’ Nd
t ””P)で表わされ、少くとも元素N(窒素
)が膜厚方向に組成変調されている事を特徴とする組成
変調窒化磁性合金膜である。ただしTはFe、Co、N
i。
Mnから選ばれた1種もしくは2種以上の金層、MはT
i、Zr、Hf、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Re、
Re。
i、Zr、Hf、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Re、
Re。
Ruから選ばれた1種もしくは2種以上の金属、XはB
、 St 、Ge 、Alより選ばれた半金属、半導
体、NはN(窒素)であシ、a、b、c、d及びa’、
b’、 c’、 d’は各々原子パーセントを表わし
、及び である。ただしa/、 b/ 、 c/、 d/は平均
値であシ、膜の厚さ方向に各組成は組成変調されている
為変動し、膜内のある部分においてはその局所部分の組
成は必ずしも(ハ)式で示された組成範囲内にあるとは
限らない。
、 St 、Ge 、Alより選ばれた半金属、半導
体、NはN(窒素)であシ、a、b、c、d及びa’、
b’、 c’、 d’は各々原子パーセントを表わし
、及び である。ただしa/、 b/ 、 c/、 d/は平均
値であシ、膜の厚さ方向に各組成は組成変調されている
為変動し、膜内のある部分においてはその局所部分の組
成は必ずしも(ハ)式で示された組成範囲内にあるとは
限らない。
作 用
(1)式で示した組成の合金膜が非晶質化するには少く
とも b+c≧1o ・・・・・・倹)で
ある事が必要である。又十分に高い飽和磁化を有する為
には C≦30 、b≦20 −−−−・・
(7)である事が望ましい a +b 4 Q=100 ・・・−(
8)であるので(6) 、 (7)より 70≦a≦90 ・・・・・・(c4
である。又非晶質化する為には(ハ)式が満足されれば
す、cどちらかが零となってもよいが、boo。
とも b+c≧1o ・・・・・・倹)で
ある事が必要である。又十分に高い飽和磁化を有する為
には C≦30 、b≦20 −−−−・・
(7)である事が望ましい a +b 4 Q=100 ・・・−(
8)であるので(6) 、 (7)より 70≦a≦90 ・・・・・・(c4
である。又非晶質化する為には(ハ)式が満足されれば
す、cどちらかが零となってもよいが、boo。
C=Oよりもb=o、CN0の場合の方がキュリ一温度
が低く、比較的低温の熱処理で特性が改善されるので実
用上、CN3である事が望ましい。
が低く、比較的低温の熱処理で特性が改善されるので実
用上、CN3である事が望ましい。
一方(1)式の合金を窒化すれば当然その組成は(′4
式のように表わされる。ただしこの窒化膜が構造上安定
でかつその飽和磁化があまり減少しない為には dく30 ・・・・・・(,1(
2)である事が必要であシ、かつ窒化により耐摩耗性の
改善に効果がある為には d≧1 ・・・・・・(1
1)である事が必要である。(榊式で表わされる窒化磁
性合金膜は耐摩耗性、耐蝕性に優れているが、0)式で
示された非晶質合金のような優れた軟磁性を示さない。
式のように表わされる。ただしこの窒化膜が構造上安定
でかつその飽和磁化があまり減少しない為には dく30 ・・・・・・(,1(
2)である事が必要であシ、かつ窒化により耐摩耗性の
改善に効果がある為には d≧1 ・・・・・・(1
1)である事が必要である。(榊式で表わされる窒化磁
性合金膜は耐摩耗性、耐蝕性に優れているが、0)式で
示された非晶質合金のような優れた軟磁性を示さない。
しかしながら(1)式で示した非晶質合金膜と(2)式
で示した窒化磁性合金膜とを積層した積層合金膜は軟磁
性を示し、特にそれぞれの1層の膜厚tを t<1000人 ・・・・・・(12
)とする時、優れた軟磁性を示す。
で示した窒化磁性合金膜とを積層した積層合金膜は軟磁
性を示し、特にそれぞれの1層の膜厚tを t<1000人 ・・・・・・(12
)とする時、優れた軟磁性を示す。
窒化膜の軟磁気特性の改善は上述のような窒化膜と非窒
化膜の積層膜のみでなく、窒素Nを組成変調した組成変
調窒化膜でも有効である。これを作成するにはスバ、り
中に窒素ガスを正弦曲線的に変化させて導入し、膜を形
成してもよいし、又上述の得られた積層膜を適当な温度
で熱処理して層間拡散により組成変調膜化してもよい。
化膜の積層膜のみでなく、窒素Nを組成変調した組成変
調窒化膜でも有効である。これを作成するにはスバ、り
中に窒素ガスを正弦曲線的に変化させて導入し、膜を形
成してもよいし、又上述の得られた積層膜を適当な温度
で熱処理して層間拡散により組成変調膜化してもよい。
このような組成変調膜では通常N(窒素)を組成変調す
ると他の構成元素も多少組成変調を受は膜厚方向の組成
は一定でなく変動するが平均組成としては窒素N以外は
(イ)式で表わされるものと同様の組成範囲内にある事
か望ましい。窒素Nの平均組成d′としては耐摩耗性を
考慮して d/≧1 ・・・・・
・(13)飽和磁化があまシ劣化しない条件より d’ <、 20 ’−・・・−
64)となシ、これらの条件よI)(ハ)式が得られる
。
ると他の構成元素も多少組成変調を受は膜厚方向の組成
は一定でなく変動するが平均組成としては窒素N以外は
(イ)式で表わされるものと同様の組成範囲内にある事
か望ましい。窒素Nの平均組成d′としては耐摩耗性を
考慮して d/≧1 ・・・・・
・(13)飽和磁化があまシ劣化しない条件より d’ <、 20 ’−・・・−
64)となシ、これらの条件よI)(ハ)式が得られる
。
この組成変調膜の軟磁気特性はやはり組成変調波長λが
短かい程改善され、特にλが λく1000人 ・・・・・・(5)
の時優れた軟磁性を示す。
短かい程改善され、特にλが λく1000人 ・・・・・・(5)
の時優れた軟磁性を示す。
実施例
以下具体的な実施例にて本発明の詳細な説明を行なう。
(実施例1)
r、f 2極スパツタ装置を用いてAxガス圧1、lX
10 70rrでCo −Mn−B合金ターゲ、トを
スパッタしてCo e7Mn 12 B 21 非晶
質合金膜を作成した。次にN2ガスをこのAr ガスに
混合し総ガス圧1.2 X 10−270rr とし
てスパッタし、窒化合金膜を作成した、分析の結果この
膜の組成はCo6゜Mn1゜B、8N12であった。次
にArガス分圧は11 X 10−270xr に固
定しておき、周期的にガス分圧0.I X 10 7
0rrのN2 ガスをArガス中に混合してスパッタす
る事により窒化膜と非窒化膜との積層膜を作成した。こ
の時N2ガス混合の周期を変化させる事によ91層の膜
厚の異なる種々の種層膜を作成した。このようにして作
成した膜の磁気特性を調べて比較を行ない表−1にまと
めて示した。
10 70rrでCo −Mn−B合金ターゲ、トを
スパッタしてCo e7Mn 12 B 21 非晶
質合金膜を作成した。次にN2ガスをこのAr ガスに
混合し総ガス圧1.2 X 10−270rr とし
てスパッタし、窒化合金膜を作成した、分析の結果この
膜の組成はCo6゜Mn1゜B、8N12であった。次
にArガス分圧は11 X 10−270xr に固
定しておき、周期的にガス分圧0.I X 10 7
0rrのN2 ガスをArガス中に混合してスパッタす
る事により窒化膜と非窒化膜との積層膜を作成した。こ
の時N2ガス混合の周期を変化させる事によ91層の膜
厚の異なる種々の種層膜を作成した。このようにして作
成した膜の磁気特性を調べて比較を行ない表−1にまと
めて示した。
(」・L7:!?、6)
表−1に示した実験結果よ91層の膜厚tがtく100
o人 となるとき積層膜の保磁力Haが顕著に小さくなり優れ
た軟磁性を示し、tがこれより厚くなると特性は劣化し
、単層の窒化膜は軟磁性を示さない事がわかる。又積層
膜の飽和磁化4πM、は非窒化膜と窒化膜のほぼ中間の
値を示す事がわかった。
o人 となるとき積層膜の保磁力Haが顕著に小さくなり優れ
た軟磁性を示し、tがこれより厚くなると特性は劣化し
、単層の窒化膜は軟磁性を示さない事がわかる。又積層
膜の飽和磁化4πM、は非窒化膜と窒化膜のほぼ中間の
値を示す事がわかった。
次にこれらの膜を400″Cで10分間熱処理し、その
磁気性を調べた、結果を表−2に示した。又第1図aに
この熱処理前の試料下のオージェ分光分析(AES)に
よる膜厚方向の組成プロファイルを、又すに熱処理後の
試料F′の膜厚方向のCO及びNについての組成プロフ
ァイルを示した。第1図に示したデブスブEff 7
フイA/ (Depth Profile)より明らか
なように、作成時多層構造であった積層膜が熱処理によ
りN元素が層間拡散して組成変調膜となっている事がわ
かる。従って表−2には層厚ではなく組成変調波長λを
示し、試料組成は平均組成で数字の上に−をつけて示し
た。熱処理により積層膜構造から組成変調膜となっても
軟磁気特性は損われず、この場合やはりλが小さい程H
aは小さく特に λ<2000人 のとき優れた軟磁性を示す事がわかった。又4πM。
磁気性を調べた、結果を表−2に示した。又第1図aに
この熱処理前の試料下のオージェ分光分析(AES)に
よる膜厚方向の組成プロファイルを、又すに熱処理後の
試料F′の膜厚方向のCO及びNについての組成プロフ
ァイルを示した。第1図に示したデブスブEff 7
フイA/ (Depth Profile)より明らか
なように、作成時多層構造であった積層膜が熱処理によ
りN元素が層間拡散して組成変調膜となっている事がわ
かる。従って表−2には層厚ではなく組成変調波長λを
示し、試料組成は平均組成で数字の上に−をつけて示し
た。熱処理により積層膜構造から組成変調膜となっても
軟磁気特性は損われず、この場合やはりλが小さい程H
aは小さく特に λ<2000人 のとき優れた軟磁性を示す事がわかった。又4πM。
は熱処理後、λの小さい組成変調膜では窒化膜と非窒化
膜の平均値よりむしろ大きくなる傾向を示した。
膜の平均値よりむしろ大きくなる傾向を示した。
Cノ・t T−t 自)
(実施例2)
実施例1と同様の方法でC071F esS 112B
12ターゲツトを用いN1混合分圧比ηを変化させて厚
さ40μmの種々の窒化膜及び非窒化膜を作成し、更に
これらの窒化膜と非窒化膜の積層膜を1層の膜厚tが約
200人となるようにηを周期的に変化させて作成した
。ただしηの定義は以下の通りである。
12ターゲツトを用いN1混合分圧比ηを変化させて厚
さ40μmの種々の窒化膜及び非窒化膜を作成し、更に
これらの窒化膜と非窒化膜の積層膜を1層の膜厚tが約
200人となるようにηを周期的に変化させて作成した
。ただしηの定義は以下の通りである。
又得られた積層厚を450″Cで10分熱処理し実施例
1と同様に組成変調膜とした組成変調膜のマに関しては
平均値で表わし、数字2文字の上に−をつけて示したこ
れら得られた種々の合金膜の磁気特性及び耐摩耗性を測
定し表−3に比較して示した。ただし耐摩耗性は第2図
aに示したように合金膜1を耐摩耗性に優れた基板2で
サンドイッッチした後へラドチップ形状に加工し、市販
のVTRデツキに取りつけ第2図すに示したように50
0時間時間後の偏摩耗量Δ2を調べた。
1と同様に組成変調膜とした組成変調膜のマに関しては
平均値で表わし、数字2文字の上に−をつけて示したこ
れら得られた種々の合金膜の磁気特性及び耐摩耗性を測
定し表−3に比較して示した。ただし耐摩耗性は第2図
aに示したように合金膜1を耐摩耗性に優れた基板2で
サンドイッッチした後へラドチップ形状に加工し、市販
のVTRデツキに取りつけ第2図すに示したように50
0時間時間後の偏摩耗量Δ2を調べた。
表 −3
又耐蝕性は各試料を24時間水中に半分浸し、その境界
部分の変色の度合によって評価し、まったく変色してい
ないものは◎、はとんど変色なしは○、微かに変色が見
られたものは△、変色したものは×で表示した。
部分の変色の度合によって評価し、まったく変色してい
ないものは◎、はとんど変色なしは○、微かに変色が見
られたものは△、変色したものは×で表示した。
なお試料0はη=30で作成したが膜中に相当歪がたま
ったと思われ基板より剥離した。しかしながら試料Tは
ηを正弦曲線的に10から30まで変化させλ夕40〇
八となるように作成した組成変調膜でこの場合は剥離は
生じなかった。
ったと思われ基板より剥離した。しかしながら試料Tは
ηを正弦曲線的に10から30まで変化させλ夕40〇
八となるように作成した組成変調膜でこの場合は剥離は
生じなかった。
表に示した結果より窒化により耐摩耗性、耐蝕性に効果
があるのはη〉1、組成変調膜では平均的に7〉T(至
)の時である事がわかる。又飽和磁化があまり大きく減
少せずか、基板からの剥離等が生じないようにするには
、ηく30、組成変調膜では平均としてηく2oである
事が望ましい。
があるのはη〉1、組成変調膜では平均的に7〉T(至
)の時である事がわかる。又飽和磁化があまり大きく減
少せずか、基板からの剥離等が生じないようにするには
、ηく30、組成変調膜では平均としてηく2oである
事が望ましい。
(実施例3)
各種の合金ターゲットを用い、実施例1,2と同様の方
法で単層非晶質合金膜、単層窒化合金膜積層合金膜、組
成変調窒化合金膜を作成し、請特性を同様の方法で調べ
た。これらの結果をまとめて表−4に示した。
法で単層非晶質合金膜、単層窒化合金膜積層合金膜、組
成変調窒化合金膜を作成し、請特性を同様の方法で調べ
た。これらの結果をまとめて表−4に示した。
(J・LF4自)
!! −4
発明の効果
本発明磁性合金は、単なる単層の窒化磁性合金膜よりも
磁気特性において優れ、かつ単なる単層の非晶質合金膜
よりも耐蝕性、耐摩耗性において優れ、磁気ヘッド材料
として理想的な特性を有するものである。
磁気特性において優れ、かつ単なる単層の非晶質合金膜
よりも耐蝕性、耐摩耗性において優れ、磁気ヘッド材料
として理想的な特性を有するものである。
第1図a、bはそれぞれ積層合金膜及び組成変調合金膜
のオージェ分光分析(AES)による膜の厚さ方向のC
o及びN元素の組成プロファイル時間走行後の偏摩耗量
ΔLの測定法を示す断面図である。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名第1
図 スハ0ツダ時間(分ン スノでラグ時間c分う
のオージェ分光分析(AES)による膜の厚さ方向のC
o及びN元素の組成プロファイル時間走行後の偏摩耗量
ΔLの測定法を示す断面図である。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名第1
図 スハ0ツダ時間(分ン スノでラグ時間c分う
Claims (4)
- (1)原子組成パーセントで T_aM_bX_c で表わされる非晶質合金膜と、 (T_aM_bX_c)(100−d)/100N_d
で表わされる窒化合金膜とを積層した事を特徴とする窒
素を含む磁性合金膜。 (ただしTはFe、Co、Ni、Mnよりなる群より選
ばれた1種もしくは2種以上の元素、MはTi、Zr、
Hf、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Re、Ruよりな
る群より選ばれた1種もしくは2種以上の元素、XはB
、Si、Ge、Alよりなる群より選ばれた1種もしく
は2種以上の元素、NはN(窒素)であって70≦a≦
90、0≦b≦20 c≦30、b+c≧10 1≦d<30 である。) - (2)1層の膜厚をtとする時 t<1000Å である事を特徴とする特許請求の範囲第1項記載の窒素
を含む磁性合金膜。 - (3)膜全体の平均組成としては原子パーセントで(T
_a_′M_b_′X_c_′)(100−d)′/1
00N_d_′で表わされ、かつ膜の厚さ方向に少くと
もN(窒素)が組成変調されている事を特徴とする窒素
を含む磁性合金膜。(ただしTはFe、Co、Ni、M
n、より成る群より選ばれた1種もしくは2種以上の元
素、MはTi、Zr、Hf、Nb、Ta、Cr、Mo、
W、Re、Ruより成る群より選ばれた1種もしくは2
種以上の元素、XはB、Si、Ge、Alより成る群よ
り選ばれた1種もしくは2種以上の元素、NはN(窒素
)であって、 70≦a′≦90、0≦b′≦20 c′≦30、b′+c′≧10 1≦d′≦20 である。) - (4)組成変調波長λが λ<2000Å である事を特徴とする特許請求の範囲第3項記載の窒素
を含む磁性合金膜。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62089402A JP2790451B2 (ja) | 1987-04-10 | 1987-04-10 | 窒素を含む軟磁性合金膜 |
US07/177,766 US5034273A (en) | 1987-04-10 | 1988-04-05 | Nitrogen-containing magnetic alloy film |
DE3852142T DE3852142T2 (de) | 1987-04-10 | 1988-04-08 | Stickstoffhaltiger magnetischer Legierungsfilm. |
EP88105641A EP0286124B1 (en) | 1987-04-10 | 1988-04-08 | Nitrogen-containing magnetic alloy film |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62089402A JP2790451B2 (ja) | 1987-04-10 | 1987-04-10 | 窒素を含む軟磁性合金膜 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63254708A true JPS63254708A (ja) | 1988-10-21 |
JP2790451B2 JP2790451B2 (ja) | 1998-08-27 |
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Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62089402A Expired - Fee Related JP2790451B2 (ja) | 1987-04-10 | 1987-04-10 | 窒素を含む軟磁性合金膜 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5034273A (ja) |
EP (1) | EP0286124B1 (ja) |
JP (1) | JP2790451B2 (ja) |
DE (1) | DE3852142T2 (ja) |
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1987
- 1987-04-10 JP JP62089402A patent/JP2790451B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1988
- 1988-04-05 US US07/177,766 patent/US5034273A/en not_active Expired - Lifetime
- 1988-04-08 EP EP88105641A patent/EP0286124B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1988-04-08 DE DE3852142T patent/DE3852142T2/de not_active Expired - Lifetime
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DE3852142D1 (de) | 1995-01-05 |
EP0286124A2 (en) | 1988-10-12 |
DE3852142T2 (de) | 1995-06-29 |
EP0286124B1 (en) | 1994-11-23 |
EP0286124A3 (en) | 1990-04-04 |
JP2790451B2 (ja) | 1998-08-27 |
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