JPH04214206A - 強磁性薄膜とその製造方法 - Google Patents
強磁性薄膜とその製造方法Info
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- JPH04214206A JPH04214206A JP2401897A JP40189790A JPH04214206A JP H04214206 A JPH04214206 A JP H04214206A JP 2401897 A JP2401897 A JP 2401897A JP 40189790 A JP40189790 A JP 40189790A JP H04214206 A JPH04214206 A JP H04214206A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/64—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent
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- G11B5/657—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent characterised by its composition containing inorganic, non-oxide compound of Si, N, P, B, H or C, e.g. in metal alloy or compound
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3109—Details
-
- H—ELECTRICITY
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- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
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- H01F10/147—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition being metals or alloys containing iron or nickel with lattice under strain, e.g. expanded by interstitial nitrogen
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は磁気テープ、磁気ディス
ク等の磁気ヘッドに用られる、高密度記録用の磁気ヘッ
ド等に好適な強磁性薄膜及びその製造方法に関するもの
である。
ク等の磁気ヘッドに用られる、高密度記録用の磁気ヘッ
ド等に好適な強磁性薄膜及びその製造方法に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】近年、磁気テープ及び磁気ディスク等の
高密度記録化の向上に伴い、記録媒体の保磁力（Ｈｃ）
も上昇の一途をたどり金属薄膜媒体では保磁力（Ｈｃ）
１０００Ｏｅ以上のものが実用化されるようになった。 一方、このような高保磁力を有する磁気記録媒体の特性
を十分に活かして良好な記録特性を行うためには、磁気
ヘッドとして高飽和磁束密度を有するとともに同一の磁
気ヘッドで再生を行う場合においても高透磁率、低保磁
力を合わせて有することが要求され、更に、耐蝕性、耐
熱性等も重要な要素となる。また、磁気記録媒体の長手
方向ではなく、厚さ方向に磁化して記録する垂直磁気記
録方式も実用化されようとしているが、この場合、磁気
ヘッドの主磁極の先端部の厚さを０．５μｍ以下にしな
ければならないので、比較的保磁力の低い磁気記録媒体
に記録するためにも高飽和磁束密度を持つ磁気ヘッドが
必要とされている。このような要請に応えるため、最近
、 １パーマロイ（Ｎｉ−Ｆｅ合金）やセンダスト（Ｆ
ｅＡｌＳｉ合金）や、非晶質、ＦｅＲｕＧａＳｉ系合金
などが提案されている（特開昭６４−８６０４）。また
、高飽和磁束密度の高い材料として、Ｆｅ−Ｓｉ系合金
（特開昭５９−７８５０３号）やＦｅ−Ｃ系合金（応用
磁気学会１９９０，Ｖｏｌ．２Ｎｏ． １４）や、Ｆｅ
−Ｐｔ−Ｃ系合金（特開平１−１４４６０３号）が開示
されている。
高密度記録化の向上に伴い、記録媒体の保磁力（Ｈｃ）
も上昇の一途をたどり金属薄膜媒体では保磁力（Ｈｃ）
１０００Ｏｅ以上のものが実用化されるようになった。 一方、このような高保磁力を有する磁気記録媒体の特性
を十分に活かして良好な記録特性を行うためには、磁気
ヘッドとして高飽和磁束密度を有するとともに同一の磁
気ヘッドで再生を行う場合においても高透磁率、低保磁
力を合わせて有することが要求され、更に、耐蝕性、耐
熱性等も重要な要素となる。また、磁気記録媒体の長手
方向ではなく、厚さ方向に磁化して記録する垂直磁気記
録方式も実用化されようとしているが、この場合、磁気
ヘッドの主磁極の先端部の厚さを０．５μｍ以下にしな
ければならないので、比較的保磁力の低い磁気記録媒体
に記録するためにも高飽和磁束密度を持つ磁気ヘッドが
必要とされている。このような要請に応えるため、最近
、 １パーマロイ（Ｎｉ−Ｆｅ合金）やセンダスト（Ｆ
ｅＡｌＳｉ合金）や、非晶質、ＦｅＲｕＧａＳｉ系合金
などが提案されている（特開昭６４−８６０４）。また
、高飽和磁束密度の高い材料として、Ｆｅ−Ｓｉ系合金
（特開昭５９−７８５０３号）やＦｅ−Ｃ系合金（応用
磁気学会１９９０，Ｖｏｌ．２Ｎｏ． １４）や、Ｆｅ
−Ｐｔ−Ｃ系合金（特開平１−１４４６０３号）が開示
されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
の合金について、種々検討を加えた結果、パーマロイや
センダスト、非晶質、ＦｅＲｕＧａＳｉ系合金では、飽
和磁束密度Ｍｓが低いという問題があり、又、Ｆｅ−Ｓ
ｉ合金やＦｅ−Ｃ系合金は耐蝕性に難点が認められ、更
にＦｅ−Ｐｔ−Ｃ系合金は耐熱性が低いという問題点を
有していた。
の合金について、種々検討を加えた結果、パーマロイや
センダスト、非晶質、ＦｅＲｕＧａＳｉ系合金では、飽
和磁束密度Ｍｓが低いという問題があり、又、Ｆｅ−Ｓ
ｉ合金やＦｅ−Ｃ系合金は耐蝕性に難点が認められ、更
にＦｅ−Ｐｔ−Ｃ系合金は耐熱性が低いという問題点を
有していた。
【０００４】本発明は上記従来の問題点を解決するもの
で、高い飽和磁束密度・初期透磁率等を有し、耐蝕性と
耐熱性に優れた強磁性薄膜及びその製造方法を提供する
ことを目的とする。
で、高い飽和磁束密度・初期透磁率等を有し、耐蝕性と
耐熱性に優れた強磁性薄膜及びその製造方法を提供する
ことを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明の強磁性薄膜は、Ｆｅを主成分とし、Ｂ，Ｃ，
Ａｌ，Ｓｉの少なくとも１種以上の元素と、Ａｕ，Ａｇ
，Ｒｕ，Ｐｄ，Ｏｓ，Ｉｒ，Ｐｔの貴金属を除く遷移金
属元素を少なくとも１種以上とを含有させた構成を有し
ている。本発明の強磁性膜の製造方法は、Ｆｅを主成分
とし、Ｂ，Ｃ，Ａｌ，Ｓｉの少なくとも１種以上の元素
と、Ａｕ，Ａｇ，Ｒｕ，Ｐｄ，Ｏｓ，Ｉｒ，Ｐｔの貴金
属を除く遷移金属元素の少なくとも１種以上とを含有す
る強磁性薄膜の製造に際し、ＡｒとＮ２の混合ガス雰囲
気化で成膜した後、２００℃〜８００℃の温度範囲でア
ニーリング処理等の熱処理を行うようにした構成を有し
ている。
に本発明の強磁性薄膜は、Ｆｅを主成分とし、Ｂ，Ｃ，
Ａｌ，Ｓｉの少なくとも１種以上の元素と、Ａｕ，Ａｇ
，Ｒｕ，Ｐｄ，Ｏｓ，Ｉｒ，Ｐｔの貴金属を除く遷移金
属元素を少なくとも１種以上とを含有させた構成を有し
ている。本発明の強磁性膜の製造方法は、Ｆｅを主成分
とし、Ｂ，Ｃ，Ａｌ，Ｓｉの少なくとも１種以上の元素
と、Ａｕ，Ａｇ，Ｒｕ，Ｐｄ，Ｏｓ，Ｉｒ，Ｐｔの貴金
属を除く遷移金属元素の少なくとも１種以上とを含有す
る強磁性薄膜の製造に際し、ＡｒとＮ２の混合ガス雰囲
気化で成膜した後、２００℃〜８００℃の温度範囲でア
ニーリング処理等の熱処理を行うようにした構成を有し
ている。
【０００６】ここで、強磁性膜の組成は、Ｂ，Ｃ，Ａｌ
，Ｓｉの少なくとも１種以上の元素の含有量が１〜２０
ａｔ％であり、かつ、Ｂ，Ｃ，Ａｌ，ＳｉとＡｕ，Ａｇ
，Ｒｕ，Ｐｄ，Ｏｓ，Ｉｒ，Ｐｔの貴金属を除く遷移金
属元素との含有量が２〜３８ａｔ％の範囲であることが
好ましい。次に、製造方法としては、ＦｅにＢ、Ｃ、Ａ
ｌ、Ｓｉと貴金属を除く遷移金属を組み合わせ、真空蒸
着法、高周波スパッタリング法、マグネトロンスパッタ
リング法、イオンビームスパッタリング法、エレクトロ
ンサイクロンリソナンス法（ＥＣＲ法）等の方法が用い
られる。
，Ｓｉの少なくとも１種以上の元素の含有量が１〜２０
ａｔ％であり、かつ、Ｂ，Ｃ，Ａｌ，ＳｉとＡｕ，Ａｇ
，Ｒｕ，Ｐｄ，Ｏｓ，Ｉｒ，Ｐｔの貴金属を除く遷移金
属元素との含有量が２〜３８ａｔ％の範囲であることが
好ましい。次に、製造方法としては、ＦｅにＢ、Ｃ、Ａ
ｌ、Ｓｉと貴金属を除く遷移金属を組み合わせ、真空蒸
着法、高周波スパッタリング法、マグネトロンスパッタ
リング法、イオンビームスパッタリング法、エレクトロ
ンサイクロンリソナンス法（ＥＣＲ法）等の方法が用い
られる。
【０００７】
【作用】この構成によって、飽和磁束密度（Ｍｓ）が１
．５Ｔ（テスラ）以上、初透磁率１０００以上、保磁力
１．０Ｏｅ以下が得られ、更に種々の熱処理をともなう
製造条件下においても耐蝕性、耐熱性の良い強磁性薄膜
を製造することができる。
．５Ｔ（テスラ）以上、初透磁率１０００以上、保磁力
１．０Ｏｅ以下が得られ、更に種々の熱処理をともなう
製造条件下においても耐蝕性、耐熱性の良い強磁性薄膜
を製造することができる。
【０００８】
【実施例】以下本発明の一実施例について、図面を参照
しながら説明する。
しながら説明する。
【０００９】（実施例１）
図１は強磁性薄膜の製造方法に好適な高周波スパッタリ
ング装置の概略構成図である。
ング装置の概略構成図である。
【００１０】１は高周波電源、２はＡｒガス供給管、３
はＮ２ガス供給管、４は流量計、５は排気口、６は冷却
水、７はチャンバー、８は基板、９はシャッター、１０
はＦｅ円板、１１は磁石、１２は電極間距離、１３は所
定の合金組成を得るための添加物元素ペレットである。
はＮ２ガス供給管、４は流量計、５は排気口、６は冷却
水、７はチャンバー、８は基板、９はシャッター、１０
はＦｅ円板、１１は磁石、１２は電極間距離、１３は所
定の合金組成を得るための添加物元素ペレットである。
【００１１】成膜条件は次の条件で行った。高周波電力
密度は０．３６ｗ／ｃｍ２ 、Ａｒ流量は１．５ＳＣＣ
Ｍ、Ｎ２ 流量は０．０８ＳＣＣＭ、基板温度は２０℃
以下とし、電極間距離は８６ｍｍとした。基板はコーニ
ング社製のＦＣ１０５基板を用い、膜厚は２．０μｍと
一定にした。
密度は０．３６ｗ／ｃｍ２ 、Ａｒ流量は１．５ＳＣＣ
Ｍ、Ｎ２ 流量は０．０８ＳＣＣＭ、基板温度は２０℃
以下とし、電極間距離は８６ｍｍとした。基板はコーニ
ング社製のＦＣ１０５基板を用い、膜厚は２．０μｍと
一定にした。
【００１２】成膜後のアニーリング条件は、２００℃〜
８００℃で行った。初期透磁率は、１ＭＨｚの値とし、
保磁力は、Ｂ−Ｈループトレーサーを用いた。また、腐
蝕率は、（Ｍｓ−Ｍ１）×１００／Ｍｓとし、耐蝕試験
前の飽和磁束密度をＭｓ、耐蝕試験後の飽和磁束密度を
Ｍ１として計算した。耐蝕試験の条件は、温度６５℃、
相対湿度９５％の雰囲気中に２４０時間放置して行った
。
８００℃で行った。初期透磁率は、１ＭＨｚの値とし、
保磁力は、Ｂ−Ｈループトレーサーを用いた。また、腐
蝕率は、（Ｍｓ−Ｍ１）×１００／Ｍｓとし、耐蝕試験
前の飽和磁束密度をＭｓ、耐蝕試験後の飽和磁束密度を
Ｍ１として計算した。耐蝕試験の条件は、温度６５℃、
相対湿度９５％の雰囲気中に２４０時間放置して行った
。
【００１３】上記製造条件下で、Ｆｅを主成分とし、Ｈ
ｆ、Ｔａ、Ｃの各チップ１３を用いて複合ターゲット１
０を作成し、Ａｒ＋Ｎ２混合ガスをチャンバー７内に供
給し、種々の組成を有する強磁性薄膜を成膜した。次に
、得られた強磁性薄膜の飽和磁束密度（Ｍｓ）、保磁力
（Ｈｃ）、腐蝕率（Ｍｓ−Ｍ１）×１００／Ｍｓを測定
した。その結果を（表１）に示す。
ｆ、Ｔａ、Ｃの各チップ１３を用いて複合ターゲット１
０を作成し、Ａｒ＋Ｎ２混合ガスをチャンバー７内に供
給し、種々の組成を有する強磁性薄膜を成膜した。次に
、得られた強磁性薄膜の飽和磁束密度（Ｍｓ）、保磁力
（Ｈｃ）、腐蝕率（Ｍｓ−Ｍ１）×１００／Ｍｓを測定
した。その結果を（表１）に示す。
【００１４】
【表１】
【００１５】この（表１）から明らかなように、添加物
の量が３８ａｔ％を越えると、飽和磁束密度（Ｍｓ）が
０．６Ｔとなり、従来の実用材料であるパーマロイ（Ｎ
ｉ−１９ｗｔ％Ｆｅ）合金膜の０．８Ｔを下まわること
から、添加物の添加量は３８ａｔ％以下にする必要があ
ることがわかった。
の量が３８ａｔ％を越えると、飽和磁束密度（Ｍｓ）が
０．６Ｔとなり、従来の実用材料であるパーマロイ（Ｎ
ｉ−１９ｗｔ％Ｆｅ）合金膜の０．８Ｔを下まわること
から、添加物の添加量は３８ａｔ％以下にする必要があ
ることがわかった。
【００１６】次に腐食率について検討をする。パーマロ
イ（Ｎｉ−１９ｗｔ％Ｆｅ）合金の諸特性は、（表２）
に示すとおりである。
イ（Ｎｉ−１９ｗｔ％Ｆｅ）合金の諸特性は、（表２）
に示すとおりである。
【００１７】
【表２】
【００１８】腐蝕率の限界は、実用材料であるセンダス
ト（Ｆｅ７３．２−Ａｌ１０．８−Ｓｉ１６ａｔ％）合
金を基準として検討した。センダスト合金の腐蝕率は、
（表２）に示すように１０％であることから、本発明に
よる腐蝕率は、（表１）からもわかるように、添加物の
添加量が２ａｔ％のとき、腐蝕率０．６２５％であるの
で、本発明によるＦｅを主成分とした強磁性薄膜の添加
物の添加量は、２から３８ａｔ％にする必要がある。さ
らに初期透磁率μｉについて検討する。（表２）により
従来材料であるＦｅ９４．５−Ｓｉ５．５ａｔ％、Ｆｅ
９９−Ｃ１ａｔ％が８００であるのを考慮すると、１０
００以上あれば磁気ヘッド用強磁性薄膜として問題なく
使用できることがわかる。よって、（図２）から明らか
なように、Ｃ量を２から２０ａｔ％の範囲にする必要が
ある。
ト（Ｆｅ７３．２−Ａｌ１０．８−Ｓｉ１６ａｔ％）合
金を基準として検討した。センダスト合金の腐蝕率は、
（表２）に示すように１０％であることから、本発明に
よる腐蝕率は、（表１）からもわかるように、添加物の
添加量が２ａｔ％のとき、腐蝕率０．６２５％であるの
で、本発明によるＦｅを主成分とした強磁性薄膜の添加
物の添加量は、２から３８ａｔ％にする必要がある。さ
らに初期透磁率μｉについて検討する。（表２）により
従来材料であるＦｅ９４．５−Ｓｉ５．５ａｔ％、Ｆｅ
９９−Ｃ１ａｔ％が８００であるのを考慮すると、１０
００以上あれば磁気ヘッド用強磁性薄膜として問題なく
使用できることがわかる。よって、（図２）から明らか
なように、Ｃ量を２から２０ａｔ％の範囲にする必要が
ある。
【００１９】（実施例２）
スパッタリングガス（成膜ガス）として、Ａｒガスのみ
を用いた場合とＡｒ＋Ｎ２混合ガスを用いた場合で、種
々の組成を有する強磁性薄膜を作成した。まずＦｅを主
成分とし、Ｈｆ、Ｔａ、Ｒｈ、Ｃを種々の割合で含む複
合ターゲット１０を作成し、前記製造条件下で成膜した
。その結果を（表３）に示す。
を用いた場合とＡｒ＋Ｎ２混合ガスを用いた場合で、種
々の組成を有する強磁性薄膜を作成した。まずＦｅを主
成分とし、Ｈｆ、Ｔａ、Ｒｈ、Ｃを種々の割合で含む複
合ターゲット１０を作成し、前記製造条件下で成膜した
。その結果を（表３）に示す。
【００２０】
【表３】
【００２１】この（表３）から明らかなように、成膜ガ
スにＡｒ＋Ｎ２の混合ガスを用いた場合、耐蝕性は飛躍
的に向上する。さらに、添加物の種類によって、耐蝕性
の順位は、ＨｆＴａＲｈＣ−Ｎ膜が最も良く、次にＨｆ
ＴａＣ−Ｎ膜であり、ＴａＣ−Ｎ膜は、Ａｒ＋Ｎ２ の
混合ガスを用いても腐蝕率が０％のものはなかった。し
かし、（表２）による実用材料のセンダスト合金を基準
にするといずれも実用上問題ない範囲であるといえる。
スにＡｒ＋Ｎ２の混合ガスを用いた場合、耐蝕性は飛躍
的に向上する。さらに、添加物の種類によって、耐蝕性
の順位は、ＨｆＴａＲｈＣ−Ｎ膜が最も良く、次にＨｆ
ＴａＣ−Ｎ膜であり、ＴａＣ−Ｎ膜は、Ａｒ＋Ｎ２ の
混合ガスを用いても腐蝕率が０％のものはなかった。し
かし、（表２）による実用材料のセンダスト合金を基準
にするといずれも実用上問題ない範囲であるといえる。
【００２２】（実施例３）
各種の強磁性薄膜について、成膜後の耐熱性を比較した
。
。
【００２３】（図３）に強磁性薄膜の保磁力のアニール
温度依存性を示す。この（図３）から明らかなように、
本実施例による強磁性薄膜ＦｅＨｆＴａＣ−Ｎは、２０
０℃から８００℃において保磁力は低いことがわかる。 しかし、ＦｅＨｆＴａＣ膜は、８００℃において保磁力
が１．５Ｏｅと高く問題がある。また、従来材料である
ＦｅＰｔＣ、ＦｅＡｌＳｉ、ＦｅＮｉは、４００℃にお
いては、低保磁力を示すが、それ以外の温度では高い保
磁力を示し、ＦｅＳｉは、最小値１．４Ｏｅであり問題
がある。従って、磁気ヘッド用強磁性薄膜としては、耐
熱温度の高いＦｅＨｆＴａＣ−Ｎ膜が好ましいといえる
。
温度依存性を示す。この（図３）から明らかなように、
本実施例による強磁性薄膜ＦｅＨｆＴａＣ−Ｎは、２０
０℃から８００℃において保磁力は低いことがわかる。 しかし、ＦｅＨｆＴａＣ膜は、８００℃において保磁力
が１．５Ｏｅと高く問題がある。また、従来材料である
ＦｅＰｔＣ、ＦｅＡｌＳｉ、ＦｅＮｉは、４００℃にお
いては、低保磁力を示すが、それ以外の温度では高い保
磁力を示し、ＦｅＳｉは、最小値１．４Ｏｅであり問題
がある。従って、磁気ヘッド用強磁性薄膜としては、耐
熱温度の高いＦｅＨｆＴａＣ−Ｎ膜が好ましいといえる
。
【００２４】
【発明の効果】以上のように本発明の強磁性薄膜は、Ｆ
ｅを主成分とし、Ｂ、Ｃ、Ａｌ、Ｓｉ等の元素とＡｕ、
Ａｇ、Ｒｕ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔの貴金属類を除く
遷移金属を含有することにより、高い飽和磁束密度、高
い初期透磁率、低い保磁力、さらに耐蝕性と耐熱性に優
れた強磁性薄膜が実現でき、更に、Ｆｅを主成分とし、
Ｂ、Ｃ、Ａｌ、Ｓｉ等の元素とＡｕ、Ａｇ、Ｒｕ、Ｐｄ
、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔの貴金属類を除く遷移金属をＡｒと
Ｎ２ の混合ガス下で成膜後、所定の温度で熱処理する
ことにより上記高性能を有する強磁性薄膜を高収率で製
造するのを実現できるものである。高い保磁力をもつ磁
気記録媒体への記録再生を良好に行える高密度記録に適
した磁気ヘッドを得ることができる。
ｅを主成分とし、Ｂ、Ｃ、Ａｌ、Ｓｉ等の元素とＡｕ、
Ａｇ、Ｒｕ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔの貴金属類を除く
遷移金属を含有することにより、高い飽和磁束密度、高
い初期透磁率、低い保磁力、さらに耐蝕性と耐熱性に優
れた強磁性薄膜が実現でき、更に、Ｆｅを主成分とし、
Ｂ、Ｃ、Ａｌ、Ｓｉ等の元素とＡｕ、Ａｇ、Ｒｕ、Ｐｄ
、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔの貴金属類を除く遷移金属をＡｒと
Ｎ２ の混合ガス下で成膜後、所定の温度で熱処理する
ことにより上記高性能を有する強磁性薄膜を高収率で製
造するのを実現できるものである。高い保磁力をもつ磁
気記録媒体への記録再生を良好に行える高密度記録に適
した磁気ヘッドを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例における製造方法に好適な高
周波スパッタリング装置の概略構成図
周波スパッタリング装置の概略構成図
【図２】本発明の強磁性薄膜（ＦｅＴａＨｆＣ）Ｎ膜の
初期透磁率を示す状態図
初期透磁率を示す状態図
【図３】強磁性薄膜の保磁力のアニール温度依存性を示
す図
す図
１ 高周波電源
２，３ ガス供給管
４ 流量計
５ 排気口
６ 水
７ チャンバー
８ 基板
９ シャッター
１０ 鉄円板
１１ マグネット
１３ 添加物元素ペレット
Claims (3)
- 【請求項１】Ｆｅを主成分とし、Ｂ，Ｃ，Ａｌ，Ｓｉの
少なくとも１種以上の元素と、Ａｕ，Ａｇ，Ｒｕ，Ｐｄ
，Ｏｓ，Ｉｒ，Ｐｔの貴金属を除く遷移金属元素の少な
くとも１種以上とを含有することを特徴とする強磁性薄
膜。 - 【請求項２】Ｂ，Ｃ，Ａｌ，Ｓｉの少なくとも１種以上
の元素の含有量が１〜２０ａｔ％（ アトミックパーセ
ント） であり、かつ、Ｂ，Ｃ，Ａｌ，ＳｉとＡｕ，Ａ
ｇ，Ｒｕ，Ｐｄ，Ｏｓ，Ｉｒ，Ｐｔの貴金属を除く遷移
金属元素との含有量が２〜３８ａｔ％の範囲であること
を特徴とする請求項１に記載の強磁性薄膜。 - 【請求項３】Ｆｅを主成分とし、Ｂ，Ｃ，Ａｌ，Ｓｉの
少なくとも１種以上の元素と、Ａｕ，Ａｇ，Ｒｕ，Ｐｄ
，Ｏｓ，Ｉｒ，Ｐｔの貴金属を除く遷移金属元素を少な
くとも１種以上とを含有する強磁性薄膜の製造方法にお
いて、ＡｒとＮ２の混合ガス雰囲気化で成膜した後、２
００℃〜８００℃の温度範囲で熱処理を行うことを特徴
とする強磁性薄膜の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2401897A JPH04214206A (ja) | 1990-12-13 | 1990-12-13 | 強磁性薄膜とその製造方法 |
| US07/805,141 US5244627A (en) | 1990-12-13 | 1991-12-11 | Ferromagnetic thin film and method for its manufacture |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2401897A JPH04214206A (ja) | 1990-12-13 | 1990-12-13 | 強磁性薄膜とその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04214206A true JPH04214206A (ja) | 1992-08-05 |
Family
ID=18511713
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2401897A Pending JPH04214206A (ja) | 1990-12-13 | 1990-12-13 | 強磁性薄膜とその製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5244627A (ja) |
| JP (1) | JPH04214206A (ja) |
Families Citing this family (7)
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|---|---|---|---|---|
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| JP3233313B2 (ja) * | 1993-07-21 | 2001-11-26 | 日立金属株式会社 | パルス減衰特性に優れたナノ結晶合金の製造方法 |
| JPH07334819A (ja) * | 1994-06-07 | 1995-12-22 | Alps Electric Co Ltd | 薄膜磁気ヘッド |
| US5858548A (en) * | 1994-08-12 | 1999-01-12 | Hitachi, Ltd. | Soft magnetic thin film, and magnetic head and magnetic recording device using the same |
| US5873955A (en) * | 1994-08-12 | 1999-02-23 | Hitachi, Ltd. | Soft magnetic thin film, and magnetic head and magnetic recording device using the same |
| US6033792A (en) * | 1995-02-02 | 2000-03-07 | Hitachi, Ltd. | Soft magnetic thin film, and magnetic head and magnetic recording device using the same |
| KR100470151B1 (ko) * | 2002-10-29 | 2005-02-05 | 한국과학기술원 | ＦｅＰｔＣ 박막을 이용한 고밀도 자기기록매체 및 그제조방법 |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS507535A (ja) * | 1973-05-17 | 1975-01-25 | ||
| US4082579A (en) * | 1975-02-11 | 1978-04-04 | The Foundation: The Research Institute Of Electric And Magnetic Alloys | Rectangular hysteresis magnetic alloy |
| JPS6020882B2 (ja) * | 1980-02-01 | 1985-05-24 | 東北大学金属材料研究所長 | 高透磁率アモルフアス合金を用いてなる磁気ヘツドの製造法 |
| JPS5978503A (ja) * | 1982-10-28 | 1984-05-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁心材料 |
| JPS60128235A (ja) * | 1983-12-15 | 1985-07-09 | Nippon Mining Co Ltd | 高透磁率磁性合金 |
| JP2790451B2 (ja) * | 1987-04-10 | 1998-08-27 | 松下電器産業株式会社 | 窒素を含む軟磁性合金膜 |
| US4904543A (en) * | 1987-04-23 | 1990-02-27 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Compositionally modulated, nitrided alloy films and method for making the same |
| JP2511465B2 (ja) * | 1987-07-14 | 1996-06-26 | 株式会社アイジー技術研究所 | 押出成形装置 |
| JPH01144603A (ja) * | 1987-11-30 | 1989-06-06 | Nec Home Electron Ltd | 磁性体膜 |
| US5084795A (en) * | 1989-02-08 | 1992-01-28 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magnetic head and method of manufacturing the same |
| KR920003999B1 (ko) * | 1989-03-08 | 1992-05-21 | 알프스 덴기 가부시기가이샤 | 연자성 합금막 |
| US5091024A (en) * | 1989-07-13 | 1992-02-25 | Carpenter Technology Corporation | Corrosion resistant, magnetic alloy article |
-
1990
- 1990-12-13 JP JP2401897A patent/JPH04214206A/ja active Pending
-
1991
- 1991-12-11 US US07/805,141 patent/US5244627A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5244627A (en) | 1993-09-14 |
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