JPH0766035A - 磁性薄膜 - Google Patents
磁性薄膜Info
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- JPH0766035A JPH0766035A JP21001593A JP21001593A JPH0766035A JP H0766035 A JPH0766035 A JP H0766035A JP 21001593 A JP21001593 A JP 21001593A JP 21001593 A JP21001593 A JP 21001593A JP H0766035 A JPH0766035 A JP H0766035A
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y25/00—Nanomagnetism, e.g. magnetoimpedance, anisotropic magnetoresistance, giant magnetoresistance or tunneling magnetoresistance
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F1/00—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties
- H01F1/0036—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties showing low dimensional magnetism, i.e. spin rearrangements due to a restriction of dimensions, e.g. showing giant magnetoresistivity
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
- H01F41/14—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates
- H01F41/18—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates by cathode sputtering
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 高飽和磁束密度であって耐食性および熱的安
定性に優れ、磁気ヘッドのコア材料に好適な磁性薄膜を
提供する。 【構成】 スパッタリング装置の真空チャンバー２中で
のスパッタリングにより基板４上に磁性薄膜を成膜す
る。ターゲット１として、Ｆｅターゲット上にＣｏチッ
プと白金族元素の少なくとも１種のチップを置く。こう
してＣｏ含有量が２０〜６０ａｔ％のＦｅ−Ｃｏ合金に
白金族元素の少なくとも１種を０．１〜５ａｔ％添加し
た合金からなる磁性薄膜を成膜する。さらに、チャンバ
ー２中にＡｒガスとともにＯ2，Ｎ2，あるいはＣＨ4ガ
スを導入してＮ，Ｃ，Ｏの少なくとも１種を薄膜に添加
してもよく、ＦｅターゲットにＢを溶解して薄膜にＢを
添加してもよい。さらに、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎ
ｂ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗの少なくとも１種を添加して
もよい。
定性に優れ、磁気ヘッドのコア材料に好適な磁性薄膜を
提供する。 【構成】 スパッタリング装置の真空チャンバー２中で
のスパッタリングにより基板４上に磁性薄膜を成膜す
る。ターゲット１として、Ｆｅターゲット上にＣｏチッ
プと白金族元素の少なくとも１種のチップを置く。こう
してＣｏ含有量が２０〜６０ａｔ％のＦｅ−Ｃｏ合金に
白金族元素の少なくとも１種を０．１〜５ａｔ％添加し
た合金からなる磁性薄膜を成膜する。さらに、チャンバ
ー２中にＡｒガスとともにＯ2，Ｎ2，あるいはＣＨ4ガ
スを導入してＮ，Ｃ，Ｏの少なくとも１種を薄膜に添加
してもよく、ＦｅターゲットにＢを溶解して薄膜にＢを
添加してもよい。さらに、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎ
ｂ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗの少なくとも１種を添加して
もよい。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は磁性薄膜に関し、特に磁
気記録媒体に情報の磁気記録ないし再生を行なう磁気ヘ
ッドの磁気コア材料に好適な磁性薄膜に関するものであ
る。
気記録媒体に情報の磁気記録ないし再生を行なう磁気ヘ
ッドの磁気コア材料に好適な磁性薄膜に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】近年、磁気記録技術の発展は著しく、記
録密度の向上が進められている。記録密度を高くするた
めには高保磁力の磁気記録媒体を使用する必要があり、
また高保磁力の磁気記録媒体を磁化するためには、磁気
ヘッドの磁気コアの材料に高飽和磁束密度を有するもの
が必要となる。
録密度の向上が進められている。記録密度を高くするた
めには高保磁力の磁気記録媒体を使用する必要があり、
また高保磁力の磁気記録媒体を磁化するためには、磁気
ヘッドの磁気コアの材料に高飽和磁束密度を有するもの
が必要となる。
【０００３】従来の高飽和磁束密度の軟磁性材料とし
て、Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ（センダスト）合金が代表的なも
のであるが、近年、強磁性金属元素であるＣｏを主体と
する非晶質の合金膜が開発されている。また、最近の試
みとして、Ｆｅを主成分とする微細結晶からなる合金膜
（Ｆｅ−Ｃ，Ｆｅ−Ｓｉ等）により、Ｆｅの結晶磁気異
方性の影響を結晶の微細化により軽減し、高飽和磁束密
度でかつ軟磁気特性の優れた磁性薄膜を得た例がある。
て、Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ（センダスト）合金が代表的なも
のであるが、近年、強磁性金属元素であるＣｏを主体と
する非晶質の合金膜が開発されている。また、最近の試
みとして、Ｆｅを主成分とする微細結晶からなる合金膜
（Ｆｅ−Ｃ，Ｆｅ−Ｓｉ等）により、Ｆｅの結晶磁気異
方性の影響を結晶の微細化により軽減し、高飽和磁束密
度でかつ軟磁気特性の優れた磁性薄膜を得た例がある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】磁気ヘッドを組み込ん
だ装置は小型化、軽量化する傾向にあり、移動に伴う振
動にさらされたり、悪環境で使用されることが多い。こ
のため磁気ヘッドに要求される性質として、磁気特性が
優れており、磁気テープに対する耐摩耗性が優れるうえ
に、温度や腐食性の雰囲気中での耐環境性も要求され
る。また、磁気ヘッドの素材は、ヘッドの製造工程にお
けるガラス溶着工程の高温に耐え得ることが必要であ
る。
だ装置は小型化、軽量化する傾向にあり、移動に伴う振
動にさらされたり、悪環境で使用されることが多い。こ
のため磁気ヘッドに要求される性質として、磁気特性が
優れており、磁気テープに対する耐摩耗性が優れるうえ
に、温度や腐食性の雰囲気中での耐環境性も要求され
る。また、磁気ヘッドの素材は、ヘッドの製造工程にお
けるガラス溶着工程の高温に耐え得ることが必要であ
る。
【０００５】しかしながら、センダストは飽和磁束密度
が約１１０００Ｇ程度であり、高保磁力媒体に対しては
不十分である。また、Ｃｏ系アモルファス合金膜は、ガ
ラス溶着に必要な温度には耐えられない問題がある。さ
らにＦｅを主成分とする微結晶からなる合金膜は、高温
で結晶成長を起こし、軟磁気特性が劣化する。
が約１１０００Ｇ程度であり、高保磁力媒体に対しては
不十分である。また、Ｃｏ系アモルファス合金膜は、ガ
ラス溶着に必要な温度には耐えられない問題がある。さ
らにＦｅを主成分とする微結晶からなる合金膜は、高温
で結晶成長を起こし、軟磁気特性が劣化する。
【０００６】一方、Ｆｅ−Ｃｏ合金は、高い飽和磁束密
度を有し、最大２４０００Ｇにも達する。しかしなが
ら、磁気歪が大きく、容易に軟磁性が得られない欠点
や、耐食性が悪いという欠点を持っている。
度を有し、最大２４０００Ｇにも達する。しかしなが
ら、磁気歪が大きく、容易に軟磁性が得られない欠点
や、耐食性が悪いという欠点を持っている。
【０００７】そこで本発明の課題は、上述のＦｅ−Ｃｏ
系合金の磁気特性劣化の問題を解決し、耐食性を向上さ
せ、さらに熱的安定性も向上させたＦｅ−Ｃｏ系合金か
らなる磁性薄膜を得ることにある。
系合金の磁気特性劣化の問題を解決し、耐食性を向上さ
せ、さらに熱的安定性も向上させたＦｅ−Ｃｏ系合金か
らなる磁性薄膜を得ることにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
め、本発明の磁性薄膜は、Ｃｏ含有量が２０〜６０ａｔ
％であるＦｅ−Ｃｏ合金に白金族元素のＲｕ，Ｒｈ，Ｐ
ｄ，Ｏｓ，Ｉｒ，Ｐｔの少なくとも１種を０．１〜５ａ
ｔ％添加した合金からなる磁性薄膜、あるいは、この磁
性薄膜に対し更にＮ，Ｃ，Ｂ，Ｏのうち少なくとも１種
を添加し、それぞれの添加量をＮ，Ｃ，Ｂが０．１〜１
５ａｔ％、Ｏが０．１〜７ａｔ％とした磁性薄膜、ある
いは、この磁性薄膜に対し更にIVａ族元素のＴｉ，Ｚ
ｒ，Ｈｆ、Vａ族元素のＶ，Ｎｂ，Ｔａ、VIａ族元素の
Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗの少なくとも１種を０．１〜１５ａｔ％
添加した磁性薄膜とする。
め、本発明の磁性薄膜は、Ｃｏ含有量が２０〜６０ａｔ
％であるＦｅ−Ｃｏ合金に白金族元素のＲｕ，Ｒｈ，Ｐ
ｄ，Ｏｓ，Ｉｒ，Ｐｔの少なくとも１種を０．１〜５ａ
ｔ％添加した合金からなる磁性薄膜、あるいは、この磁
性薄膜に対し更にＮ，Ｃ，Ｂ，Ｏのうち少なくとも１種
を添加し、それぞれの添加量をＮ，Ｃ，Ｂが０．１〜１
５ａｔ％、Ｏが０．１〜７ａｔ％とした磁性薄膜、ある
いは、この磁性薄膜に対し更にIVａ族元素のＴｉ，Ｚ
ｒ，Ｈｆ、Vａ族元素のＶ，Ｎｂ，Ｔａ、VIａ族元素の
Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗの少なくとも１種を０．１〜１５ａｔ％
添加した磁性薄膜とする。
【０００９】
【作用】Ｆｅ−Ｃｏ合金に白金族元素のＲｕ，Ｒｈ，Ｐ
ｄ，Ｏｓ，Ｉｒ，Ｐｔの少なくとも１種を添加すること
により耐食性が向上する。更にＮ，Ｃ，Ｂ，Ｏのうち少
なくとも１種を添加することにより、磁気特性を改善で
き、硬さも向上する。更にIVａ族元素のＴｉ，Ｚｒ，Ｈ
ｆ、Vａ族元素のＶ，Ｎｂ，Ｔａ、VIａ族元素のＣｒ，
Ｍｏ，Ｗの少なくとも１種を添加することにより、更に
磁気特性を改善でき、熱的安定性も向上できる。
ｄ，Ｏｓ，Ｉｒ，Ｐｔの少なくとも１種を添加すること
により耐食性が向上する。更にＮ，Ｃ，Ｂ，Ｏのうち少
なくとも１種を添加することにより、磁気特性を改善で
き、硬さも向上する。更にIVａ族元素のＴｉ，Ｚｒ，Ｈ
ｆ、Vａ族元素のＶ，Ｎｂ，Ｔａ、VIａ族元素のＣｒ，
Ｍｏ，Ｗの少なくとも１種を添加することにより、更に
磁気特性を改善でき、熱的安定性も向上できる。
【００１０】
【実施例】以下、図を参照して本発明の実施例を説明す
る。
る。
【００１１】［実施例１］まず、Ｆｅ−Ｃｏ合金の磁性
薄膜を成膜し、この薄膜におけるＣｏ含有量と飽和磁束
密度の関連について調べた。磁性薄膜の成膜は図１に示
した対向ターゲット型スパッタリング装置により、以下
の条件で行なった。
薄膜を成膜し、この薄膜におけるＣｏ含有量と飽和磁束
密度の関連について調べた。磁性薄膜の成膜は図１に示
した対向ターゲット型スパッタリング装置により、以下
の条件で行なった。
【００１２】 雰囲気：Ａｒガス ガス圧力：７．０×１０-3Ｔｏｒｒ ターゲット：Ｆｅターゲット上にＣｏチップを置いた複
合ターゲット 膜厚：５μｍ 図１のスパッタリング装置による成膜では、真空チャン
バー２内で対向して配置された１対のターゲット１のそ
れぞれにＤＣ電源６によって負の電位が印加され、マス
フローメーター５を介して真空チャンバー２内の真空中
に導入されたＡｒガスがイオン化され、負の電界によっ
て加速されターゲット１に衝突することによりターゲッ
ト１をスパッタリングする。その際、ターゲット１の裏
側に配置されたマグネット８によって発生する磁界Ｈ
（例えば１３０エルステッド程度とする）によってＡｒ
ガスイオンのプラズマは集束される。これにより回転基
板ホルダー３上に保持された試料の基板４の表面に対し
磁性薄膜の成膜を効率よく高速に行うことができる。な
お、図１において７はシールド板である。
合ターゲット 膜厚：５μｍ 図１のスパッタリング装置による成膜では、真空チャン
バー２内で対向して配置された１対のターゲット１のそ
れぞれにＤＣ電源６によって負の電位が印加され、マス
フローメーター５を介して真空チャンバー２内の真空中
に導入されたＡｒガスがイオン化され、負の電界によっ
て加速されターゲット１に衝突することによりターゲッ
ト１をスパッタリングする。その際、ターゲット１の裏
側に配置されたマグネット８によって発生する磁界Ｈ
（例えば１３０エルステッド程度とする）によってＡｒ
ガスイオンのプラズマは集束される。これにより回転基
板ホルダー３上に保持された試料の基板４の表面に対し
磁性薄膜の成膜を効率よく高速に行うことができる。な
お、図１において７はシールド板である。
【００１３】このように成膜した磁性薄膜に対して真空
中で３５０℃、０．５時間の熱処理を行なった後、磁性
薄膜の飽和磁束密度を測定した。その結果、図２に示す
ようにＣｏの含有量が８〜６０ａｔ％の組成範囲で２．
２Ｔ以上の飽和磁束密度が得られた。また、飽和磁束密
度が２．２５Ｔ以上になるのは、Ｃｏ含有量が２０〜６
０ａｔ％の組成範囲であった。従って、Ｃｏ含有量は２
０〜６０ａｔ％が望ましいことがわかった。
中で３５０℃、０．５時間の熱処理を行なった後、磁性
薄膜の飽和磁束密度を測定した。その結果、図２に示す
ようにＣｏの含有量が８〜６０ａｔ％の組成範囲で２．
２Ｔ以上の飽和磁束密度が得られた。また、飽和磁束密
度が２．２５Ｔ以上になるのは、Ｃｏ含有量が２０〜６
０ａｔ％の組成範囲であった。従って、Ｃｏ含有量は２
０〜６０ａｔ％が望ましいことがわかった。
【００１４】次に、Ｆｅが６０ａｔ％、Ｃｏが４０ａｔ
％のＦｅ−Ｃｏ合金に白金族元素のＰｔ，Ｐｄ，Ｒｕ，
Ｉｒ，Ｒｈ，Ｏｓの各々を添加した合金からなる磁性薄
膜を成膜し、各白金族元素の添加量と磁性薄膜の飽和磁
束密度Ｂｓ、保磁力Ｈｃの関係を調べた。その結果を図
３及び図４に示す。なお成膜は、図１のスパッタリング
装置によりＦｅターゲット上にＣｏチップと白金族チッ
プを置いた複合ターゲットで他は上述と同様の成膜条件
で行ない、その後、同様に熱処理を３５０℃、０．５時
間、真空中で行なった。また図３において符号１はＰ
ｔ，２はＰｄ，３はＲｕ，４はＩｒ，５はＲｈ，６はＯ
ｓを添加した薄膜の特性を示している。
％のＦｅ−Ｃｏ合金に白金族元素のＰｔ，Ｐｄ，Ｒｕ，
Ｉｒ，Ｒｈ，Ｏｓの各々を添加した合金からなる磁性薄
膜を成膜し、各白金族元素の添加量と磁性薄膜の飽和磁
束密度Ｂｓ、保磁力Ｈｃの関係を調べた。その結果を図
３及び図４に示す。なお成膜は、図１のスパッタリング
装置によりＦｅターゲット上にＣｏチップと白金族チッ
プを置いた複合ターゲットで他は上述と同様の成膜条件
で行ない、その後、同様に熱処理を３５０℃、０．５時
間、真空中で行なった。また図３において符号１はＰ
ｔ，２はＰｄ，３はＲｕ，４はＩｒ，５はＲｈ，６はＯ
ｓを添加した薄膜の特性を示している。
【００１５】図３からわかるように、各白金族元素とも
飽和磁束密度Ｂsは添加量が０．１ａｔ％以上で他の元
素とは異なって上昇し、０．５ａｔ％でピークとなり、
それ以上添加すると低下する。
飽和磁束密度Ｂsは添加量が０．１ａｔ％以上で他の元
素とは異なって上昇し、０．５ａｔ％でピークとなり、
それ以上添加すると低下する。
【００１６】また、図４からわかるように、保磁力Ｈc
は添加量が１ａｔ％以上でほとんどの白金族元素で上昇
してしまう。これは、磁気歪がこれらの元素の添加によ
り増加するものと思われる。
は添加量が１ａｔ％以上でほとんどの白金族元素で上昇
してしまう。これは、磁気歪がこれらの元素の添加によ
り増加するものと思われる。
【００１７】さらに、これらの磁性薄膜の耐食性を試験
した。耐食性の評価は、各試料を３０℃の１Ｎ−ＨＣｌ
液と１Ｎ−ＮａＯＨ液中に１週間浸漬し、その前後での
重量変化から判断した。その結果を下記の表１及び図５
に示す。
した。耐食性の評価は、各試料を３０℃の１Ｎ−ＨＣｌ
液と１Ｎ−ＮａＯＨ液中に１週間浸漬し、その前後での
重量変化から判断した。その結果を下記の表１及び図５
に示す。
【００１８】
【表１】
【００１９】この表１から判るように、白金族元素の２
ａｔ％の添加で耐食性が著しく向上する。また、図５か
ら判るように、白金族元素の添加量と耐食性の関係は、
１〜２ａｔ％で最も良くなり、それ以上添加すると逆に
悪くなっていく。これは、白金族を添加し過ぎると相分
離を起こすためと思われる。耐食性のデータからこれら
の白金族元素の添加量は、０．１〜５ａｔ％が適当であ
る。
ａｔ％の添加で耐食性が著しく向上する。また、図５か
ら判るように、白金族元素の添加量と耐食性の関係は、
１〜２ａｔ％で最も良くなり、それ以上添加すると逆に
悪くなっていく。これは、白金族を添加し過ぎると相分
離を起こすためと思われる。耐食性のデータからこれら
の白金族元素の添加量は、０．１〜５ａｔ％が適当であ
る。
【００２０】以上のことから、Ｃｏの含有量が２０〜６
０ａｔ％であるＦｅ−Ｃｏ合金に白金族元素のＲｕ，Ｒ
ｈ，Ｐｄ，Ｏｓ，Ｉｒ，Ｐｔの少なくとも１種を０．１
〜５ａｔ％添加した合金からなる磁性薄膜とすれば、高
飽和磁束密度で耐食性も優れたものになることがわかっ
た。
０ａｔ％であるＦｅ−Ｃｏ合金に白金族元素のＲｕ，Ｒ
ｈ，Ｐｄ，Ｏｓ，Ｉｒ，Ｐｔの少なくとも１種を０．１
〜５ａｔ％添加した合金からなる磁性薄膜とすれば、高
飽和磁束密度で耐食性も優れたものになることがわかっ
た。
【００２１】［実施例２］次に、実施例１で述べた合金
の１例である（Ｆｅ0.6−Ｃｏ0.4）0.95 Ｒｕ0.05合金
に対し更にＮを添加した合金からなる磁性薄膜を成膜し
た。その成膜は図１の対向ターゲット型スパッタリング
装置により以下の条件で行なった。
の１例である（Ｆｅ0.6−Ｃｏ0.4）0.95 Ｒｕ0.05合金
に対し更にＮを添加した合金からなる磁性薄膜を成膜し
た。その成膜は図１の対向ターゲット型スパッタリング
装置により以下の条件で行なった。
【００２２】 雰囲気：Ａｒガス＋Ｎ2 ガス圧力：７．０×１０-3Ｔｏｒｒ ターゲット：ＦｅターゲットにＣｏ，Ｒｕチップを置
く。
く。
【００２３】膜厚：５μｍ 成膜後、熱処理を真空中、３５０℃、０．５時間行なっ
た。
た。
【００２４】このように成膜した磁性薄膜のＮの濃度と
保磁力との関係を図６に示す。図６からわかるように、
Ｎを０．１ａｔ％以上添加すると磁気特性は向上し保磁
力が減少する。Ｎ濃度が１５ａｔ％以上となると保磁力
が増加し、２０ａｔ％以上となると添加しないときより
も保磁力が増加し磁気特性の劣化が起こる。従って、Ｎ
の添加量は０．１〜１５ａｔ％が望ましい。これは、磁
気歪が（Ｆｅ0.6−Ｃｏ0.4）0.95 Ｒｕ0.05合金に対し
マイナスに作用するのと、結晶粒の微細化によるものと
思われる。
保磁力との関係を図６に示す。図６からわかるように、
Ｎを０．１ａｔ％以上添加すると磁気特性は向上し保磁
力が減少する。Ｎ濃度が１５ａｔ％以上となると保磁力
が増加し、２０ａｔ％以上となると添加しないときより
も保磁力が増加し磁気特性の劣化が起こる。従って、Ｎ
の添加量は０．１〜１５ａｔ％が望ましい。これは、磁
気歪が（Ｆｅ0.6−Ｃｏ0.4）0.95 Ｒｕ0.05合金に対し
マイナスに作用するのと、結晶粒の微細化によるものと
思われる。
【００２５】また、Ｎを添加することにより、磁性薄膜
の電気比抵抗が上昇した。すなわち、３５０℃熱処理後
で （Ｆｅ0.6−Ｃｏ0.4）0.95 Ｒｕ0.05 →８０μΩ・ｃ
ｍ （Ｆｅ0.6−Ｃｏ0.4）0.87 Ｒｕ0.05 Ｎ0.08 →１０
５μΩ・ｃｍ となった。なお電気比抵抗の測定は４端子法で行なっ
た。電気比抵抗が増大すると、磁気ヘッドの磁気コア材
料に用いた場合、うず電流が小さくなり、高い周波数で
の透磁率が向上できる。
の電気比抵抗が上昇した。すなわち、３５０℃熱処理後
で （Ｆｅ0.6−Ｃｏ0.4）0.95 Ｒｕ0.05 →８０μΩ・ｃ
ｍ （Ｆｅ0.6−Ｃｏ0.4）0.87 Ｒｕ0.05 Ｎ0.08 →１０
５μΩ・ｃｍ となった。なお電気比抵抗の測定は４端子法で行なっ
た。電気比抵抗が増大すると、磁気ヘッドの磁気コア材
料に用いた場合、うず電流が小さくなり、高い周波数で
の透磁率が向上できる。
【００２６】さらに、硬さを測定すると、 （Ｆｅ0.6−Ｃｏ0.4）0.95 Ｒｕ0.05 →６３０（ヌー
プ硬度） （Ｆｅ0.6−Ｃｏ0.4）0.87 Ｒｕ0.05 Ｎ0.08 →９２
０（ヌープ硬度） となった。硬さが硬くなると、磁気ヘッドの磁気コア材
料に用いた時に耐摩耗性が期待できる。
プ硬度） （Ｆｅ0.6−Ｃｏ0.4）0.87 Ｒｕ0.05 Ｎ0.08 →９２
０（ヌープ硬度） となった。硬さが硬くなると、磁気ヘッドの磁気コア材
料に用いた時に耐摩耗性が期待できる。
【００２７】次に（Ｆｅ0.6−Ｃｏ0.4）0.95 Ｒｕ0.05
の合金からなる磁性薄膜にＣを添加していくと、図７の
様に保磁力はＣ濃度が０．１ａｔ％以上で低下し、１５
ａｔ％以上で添加しないときに比べ上昇する。従って、
Ｃの添加濃度は０．１ａｔ％〜１５ａｔ％の範囲が望ま
しい。
の合金からなる磁性薄膜にＣを添加していくと、図７の
様に保磁力はＣ濃度が０．１ａｔ％以上で低下し、１５
ａｔ％以上で添加しないときに比べ上昇する。従って、
Ｃの添加濃度は０．１ａｔ％〜１５ａｔ％の範囲が望ま
しい。
【００２８】また、前記合金薄膜にＢを添加していく
と、図８に示す様に０．１ａｔ％よりも添加していくと
保磁力が減少し、１５ａｔ％以上添加すると、添加しな
い場合よりも保磁力が増加し磁気特性が劣化してくる。
従って、Ｂの添加濃度も０．１ａｔ％〜１５ａｔ％の範
囲が望ましい。
と、図８に示す様に０．１ａｔ％よりも添加していくと
保磁力が減少し、１５ａｔ％以上添加すると、添加しな
い場合よりも保磁力が増加し磁気特性が劣化してくる。
従って、Ｂの添加濃度も０．１ａｔ％〜１５ａｔ％の範
囲が望ましい。
【００２９】同様に、Ｏを添加してみると、図９の様に
０．１ａｔ％以上で磁気特性向上の効果が見られるが、
７ａｔ％以上添加すると急激に磁気特性が劣化してしま
う。従って、Ｏの添加量は０．１〜７ａｔ％が望まし
い。
０．１ａｔ％以上で磁気特性向上の効果が見られるが、
７ａｔ％以上添加すると急激に磁気特性が劣化してしま
う。従って、Ｏの添加量は０．１〜７ａｔ％が望まし
い。
【００３０】なお、上記のＣとＯの添加は、それぞれス
パッタリングの雰囲気のガスをＡｒ＋ＣＨ4、Ａｒ＋Ｏ2
として行なった。これらのガスは複合で添加してもよ
く、例えばＣとＯを同時に添加する場合は、純Ａｒガス
にＣｏ2ガスを添加してスパッタする。
パッタリングの雰囲気のガスをＡｒ＋ＣＨ4、Ａｒ＋Ｏ2
として行なった。これらのガスは複合で添加してもよ
く、例えばＣとＯを同時に添加する場合は、純Ａｒガス
にＣｏ2ガスを添加してスパッタする。
【００３１】また、Ｂの添加は、ＢをＦｅターゲット中
に溶解してＦｅ−Ｂターゲットを用意し、その上にＣｏ
とＲｕのチップを置いてスパッタして行なった。
に溶解してＦｅ−Ｂターゲットを用意し、その上にＣｏ
とＲｕのチップを置いてスパッタして行なった。
【００３２】Ｃ，Ｏ，Ｂ添加により（Ｆｅ0.6−Ｃｏ0.
4）0.95Ｒｕ0.05合金に対し、磁気歪みがマイナス側に
作用するのと、結晶粒が微細化されるために磁気特性が
向上するものと思われる。また、Ｎと同様に電気比抵抗
も増大する効果もある。さらに、硬さも硬くなる効果が
ある。
4）0.95Ｒｕ0.05合金に対し、磁気歪みがマイナス側に
作用するのと、結晶粒が微細化されるために磁気特性が
向上するものと思われる。また、Ｎと同様に電気比抵抗
も増大する効果もある。さらに、硬さも硬くなる効果が
ある。
【００３３】以上のことから、Ｆｅ−Ｃｏ合金に白金族
元素を添加した合金からなる実施例１の磁性薄膜に更に
Ｎ，Ｃ，Ｂ，Ｏのうち少なくとも１種を添加し、それぞ
れの添加量をＮ，Ｃ，Ｂが０．１〜１５ａｔ％、Ｏが
０．１〜７ａｔ％とすることにより、保磁力が減少して
磁気特性が向上し、電気比抵抗も上昇し、硬さも硬くな
り、優れた磁性薄膜が得られることがわかった。
元素を添加した合金からなる実施例１の磁性薄膜に更に
Ｎ，Ｃ，Ｂ，Ｏのうち少なくとも１種を添加し、それぞ
れの添加量をＮ，Ｃ，Ｂが０．１〜１５ａｔ％、Ｏが
０．１〜７ａｔ％とすることにより、保磁力が減少して
磁気特性が向上し、電気比抵抗も上昇し、硬さも硬くな
り、優れた磁性薄膜が得られることがわかった。
【００３４】［実施例３］次に、実施例２で述べた合金
の１例である （Ｆｅ0.6−Ｃｏ0.4）0.85 Ｒｕ0.05 Ｎ0.1合金に対
し更にＨｆを添加した合金からなる磁性薄膜を成膜し、
熱処理を真空中３５０℃で０．５時間行なった。
の１例である （Ｆｅ0.6−Ｃｏ0.4）0.85 Ｒｕ0.05 Ｎ0.1合金に対
し更にＨｆを添加した合金からなる磁性薄膜を成膜し、
熱処理を真空中３５０℃で０．５時間行なった。
【００３５】このように成膜した磁性薄膜についてＨｆ
濃度と保磁力の関係を調べたところ、図１０のようにＨ
ｆを０．１ａｔ％以上添加すると保磁力が減少するが、
１５ａｔ％より多くなると、Ｈｆを添加しない場合より
も保磁力が大きくなる。
濃度と保磁力の関係を調べたところ、図１０のようにＨ
ｆを０．１ａｔ％以上添加すると保磁力が減少するが、
１５ａｔ％より多くなると、Ｈｆを添加しない場合より
も保磁力が大きくなる。
【００３６】以上の結果からＦｅ−Ｃｏ−Ｒｕ−Ｎ 系
合金に対するＨｆの添加量は、０．１〜１５ａｔ％が望
ましい。
合金に対するＨｆの添加量は、０．１〜１５ａｔ％が望
ましい。
【００３７】また、（Ｆｅ0.6−Ｃｏ0.4）0.85 Ｒｕ0.
05 Ｎ0.1合金にIVａ族元素のＴｉ，ＺｒあるいはVａ族
元素のＶ，Ｎｂ，ＴａあるいはVIａ族元素のＣｒ，Ｍ
ｏ，Ｗを７．５ａｔ％添加した合金からなる磁性薄膜の
保磁力の値を下記の表２に示す。
05 Ｎ0.1合金にIVａ族元素のＴｉ，ＺｒあるいはVａ族
元素のＶ，Ｎｂ，ＴａあるいはVIａ族元素のＣｒ，Ｍ
ｏ，Ｗを７．５ａｔ％添加した合金からなる磁性薄膜の
保磁力の値を下記の表２に示す。
【００３８】
【表２】
【００３９】この表２に見るように、（Ｆｅ0.6−Ｃｏ
0.4）0.85 Ｒｕ0.05 Ｎ0.1合金にＴｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，
Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗを添加すると保磁力が
低下する。また、これらの各元素は０．１ａｔ％〜１５
ａｔ％添加するのが望ましい。また、これらの各元素の
添加により保磁力を減少させる効果は、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｒ
ｕ−Ｃ系，Ｆｅ−Ｃｏ−Ｒｕ−Ｂ系，及びＦｅ−Ｃｏ−
Ｒｕ−Ｏ系合金膜においても見られた。
0.4）0.85 Ｒｕ0.05 Ｎ0.1合金にＴｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，
Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗを添加すると保磁力が
低下する。また、これらの各元素は０．１ａｔ％〜１５
ａｔ％添加するのが望ましい。また、これらの各元素の
添加により保磁力を減少させる効果は、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｒ
ｕ−Ｃ系，Ｆｅ−Ｃｏ−Ｒｕ−Ｂ系，及びＦｅ−Ｃｏ−
Ｒｕ−Ｏ系合金膜においても見られた。
【００４０】次に、（Ｆｅ0.6−Ｃｏ0.4）0.85 Ｒｕ0.
05 Ｎ0.1合金膜と、（Ｆｅ0.6−Ｃｏ0.4）0.775 Ｒｕ
0.05 Ｎ0.1 Ｈｆ0.075合金膜の熱的安定性を調べた。
すなわち、真空中での熱処理として、３５０℃〜６００
℃まで５０℃おきに各３０分保持し、保持力を測定し
た。その結果を図１１に示す。
05 Ｎ0.1合金膜と、（Ｆｅ0.6−Ｃｏ0.4）0.775 Ｒｕ
0.05 Ｎ0.1 Ｈｆ0.075合金膜の熱的安定性を調べた。
すなわち、真空中での熱処理として、３５０℃〜６００
℃まで５０℃おきに各３０分保持し、保持力を測定し
た。その結果を図１１に示す。
【００４１】図１１の熱処理温度と保磁力の関係からわ
かるように、（Ｆｅ0.6−Ｃｏ0.4）0.775 Ｒｕ0.05
Ｎ0.1 Ｈｆ0.075合金膜の方が、（Ｆｅ0.6−Ｃｏ0.4）
0.85 Ｒｕ0.05 Ｎ0.1 合金膜よりも熱的に安定して
おり、磁気ヘッドのガラス溶着工程に耐えられる。
かるように、（Ｆｅ0.6−Ｃｏ0.4）0.775 Ｒｕ0.05
Ｎ0.1 Ｈｆ0.075合金膜の方が、（Ｆｅ0.6−Ｃｏ0.4）
0.85 Ｒｕ0.05 Ｎ0.1 合金膜よりも熱的に安定して
おり、磁気ヘッドのガラス溶着工程に耐えられる。
【００４２】次に、実施例２で述べた合金の他の例であ
る （Ｆｅ0.6−Ｃｏ0.4）0.85 Ｐｔ0.03 Ｃ0.12合金にＴ
ｉを添加した合金薄膜を成膜し、熱処理を真空中、３５
０℃で０．５時間行なった。
る （Ｆｅ0.6−Ｃｏ0.4）0.85 Ｐｔ0.03 Ｃ0.12合金にＴ
ｉを添加した合金薄膜を成膜し、熱処理を真空中、３５
０℃で０．５時間行なった。
【００４３】このように成膜した磁性薄膜についてＴｉ
濃度と保磁力の関係を調べたところ、図１２の様にＴｉ
を０．１ａｔ％以上添加すると保磁力は急激に低下し、
１５ａｔ％以上添加すると、Ｔｉを添加しない場合より
も保磁力が大きくなった。この結果から、Ｆｅ−Ｃｏ−
Ｐｔ−Ｃ系合金に対するＴｉの添加量は、０．１〜１５
ａｔ％が望ましい。
濃度と保磁力の関係を調べたところ、図１２の様にＴｉ
を０．１ａｔ％以上添加すると保磁力は急激に低下し、
１５ａｔ％以上添加すると、Ｔｉを添加しない場合より
も保磁力が大きくなった。この結果から、Ｆｅ−Ｃｏ−
Ｐｔ−Ｃ系合金に対するＴｉの添加量は、０．１〜１５
ａｔ％が望ましい。
【００４４】また、（Ｆｅ0.6−Ｃｏ0.4）0.85 Ｐｔ0.
03 Ｃ0.12合金にＺｒ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｍｏ，
Ｗを６ａｔ％添加した合金からなる磁性薄膜の保磁力の
値を下記の表３に示す。
03 Ｃ0.12合金にＺｒ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｍｏ，
Ｗを６ａｔ％添加した合金からなる磁性薄膜の保磁力の
値を下記の表３に示す。
【００４５】
【表３】
【００４６】この表３に見るように、（Ｆｅ0.6−Ｃｏ
0.4）0.85 Ｐｔ0.03 Ｃ0.12合金にＴｉ，Ｚｒ，Ｈ
ｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗを添加すると保磁
力が低下する。また、これらの元素は０．１ａｔ％〜１
５ａｔ％添加するのが望ましい。また、これらの元素の
添加による保磁力を減少させる効果は、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｐ
ｔ−Ｎ系，Ｆｅ−Ｃｏ−Ｐｔ−Ｂ系，及びＦｅ−Ｃｏ−
Ｐｔ−Ｏ系合金膜においても見られた。
0.4）0.85 Ｐｔ0.03 Ｃ0.12合金にＴｉ，Ｚｒ，Ｈ
ｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗを添加すると保磁
力が低下する。また、これらの元素は０．１ａｔ％〜１
５ａｔ％添加するのが望ましい。また、これらの元素の
添加による保磁力を減少させる効果は、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｐ
ｔ−Ｎ系，Ｆｅ−Ｃｏ−Ｐｔ−Ｂ系，及びＦｅ−Ｃｏ−
Ｐｔ−Ｏ系合金膜においても見られた。
【００４７】さらに、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｐｄ−Ｎ，Ｆｅ−Ｃ
ｏ−Ｐｄ−Ｃ，Ｆｅ−Ｃｏ−Ｐｄ−Ｂ，Ｆｅ−Ｃｏ−Ｐ
ｄ−Ｏ系合金膜、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｒｈ−Ｎ，Ｆｅ−Ｃｏ−
Ｒｈ−Ｃ，Ｆｅ−Ｃｏ−Ｒｈ−Ｂ，Ｆｅ−Ｃｏ−Ｒｈ−
Ｏ系合金膜、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｉｒ−Ｎ，Ｆｅ−Ｃｏ−Ｉｒ
−Ｃ，Ｆｅ−Ｃｏ−Ｉｒ−Ｂ，Ｆｅ−Ｃｏ−Ｉｒ−Ｏ系
合金膜、及びＦｅ−Ｃｏ−Ｏｓ−Ｎ，Ｆｅ−Ｃｏ−Ｏｓ
−Ｃ，Ｆｅ−Ｃｏ−Ｏｓ−Ｂ，Ｆｅ−Ｃｏ−Ｏｓ−Ｏ系
合金膜でも同様な効果がみられた。
ｏ−Ｐｄ−Ｃ，Ｆｅ−Ｃｏ−Ｐｄ−Ｂ，Ｆｅ−Ｃｏ−Ｐ
ｄ−Ｏ系合金膜、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｒｈ−Ｎ，Ｆｅ−Ｃｏ−
Ｒｈ−Ｃ，Ｆｅ−Ｃｏ−Ｒｈ−Ｂ，Ｆｅ−Ｃｏ−Ｒｈ−
Ｏ系合金膜、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｉｒ−Ｎ，Ｆｅ−Ｃｏ−Ｉｒ
−Ｃ，Ｆｅ−Ｃｏ−Ｉｒ−Ｂ，Ｆｅ−Ｃｏ−Ｉｒ−Ｏ系
合金膜、及びＦｅ−Ｃｏ−Ｏｓ−Ｎ，Ｆｅ−Ｃｏ−Ｏｓ
−Ｃ，Ｆｅ−Ｃｏ−Ｏｓ−Ｂ，Ｆｅ−Ｃｏ−Ｏｓ−Ｏ系
合金膜でも同様な効果がみられた。
【００４８】以上のことから、Ｆｅ−Ｃｏ合金に白金族
元素とＮ，Ｃ，Ｂ，Ｏのうち少なくとも１種を添加した
合金からなる実施例２の磁性薄膜に、更にIVａ族元素の
Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ、Vａ族元素のＶ，Ｎｂ，Ｔａ、VIａ
族元素のＣｒ，Ｍｏ，Ｗの少なくとも１種を０．１〜１
５ａｔ％添加することにより、さらに保磁力が減少して
磁気特性が向上するとともに、熱的安定性も向上するこ
とがわかった。
元素とＮ，Ｃ，Ｂ，Ｏのうち少なくとも１種を添加した
合金からなる実施例２の磁性薄膜に、更にIVａ族元素の
Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ、Vａ族元素のＶ，Ｎｂ，Ｔａ、VIａ
族元素のＣｒ，Ｍｏ，Ｗの少なくとも１種を０．１〜１
５ａｔ％添加することにより、さらに保磁力が減少して
磁気特性が向上するとともに、熱的安定性も向上するこ
とがわかった。
【００４９】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
の磁性薄膜は、Ｃｏ含有量が２０〜６０ａｔ％であるＦ
ｅ−Ｃｏ合金に白金族元素のＲｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ｏｓ，
Ｉｒ，Ｐｔの少なくとも１種を０．１〜５ａｔ％添加し
た合金からなる磁性薄膜とすることにより、高飽和磁束
密度で耐食性を向上できる。
の磁性薄膜は、Ｃｏ含有量が２０〜６０ａｔ％であるＦ
ｅ−Ｃｏ合金に白金族元素のＲｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ｏｓ，
Ｉｒ，Ｐｔの少なくとも１種を０．１〜５ａｔ％添加し
た合金からなる磁性薄膜とすることにより、高飽和磁束
密度で耐食性を向上できる。
【００５０】さらに、この磁性薄膜に対しＮ，Ｃ，Ｂ，
Ｏのうち少なくとも１種を添加し、それぞれの添加量を
Ｎ，Ｃ，Ｂが０．１〜１５ａｔ％、Ｏが０．１〜７ａｔ
％とすることにより、磁気特性の向上が図られ、硬さも
硬くなり、電気比抵抗も増大し、磁気ヘッドの磁気コア
材料に用いた場合に高周波数帯域での透磁率も向上でき
る。
Ｏのうち少なくとも１種を添加し、それぞれの添加量を
Ｎ，Ｃ，Ｂが０．１〜１５ａｔ％、Ｏが０．１〜７ａｔ
％とすることにより、磁気特性の向上が図られ、硬さも
硬くなり、電気比抵抗も増大し、磁気ヘッドの磁気コア
材料に用いた場合に高周波数帯域での透磁率も向上でき
る。
【００５１】さらに、この磁性薄膜に対しIVａ族元素の
Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ、Vａ族元素のＶ，Ｎｂ，Ｔａ、VIａ
族元素のＣｒ，Ｍｏ，Ｗの少なくとも１種を０．１〜１
５ａｔ％添加することにより、より一層、磁気特性が改
善され、熱的安定性も向上するという優れた効果があ
る。
Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ、Vａ族元素のＶ，Ｎｂ，Ｔａ、VIａ
族元素のＣｒ，Ｍｏ，Ｗの少なくとも１種を０．１〜１
５ａｔ％添加することにより、より一層、磁気特性が改
善され、熱的安定性も向上するという優れた効果があ
る。
【図１】本発明の実施例の磁性薄膜の成膜に使用したス
パッタリング装置の構成を示す説明図である。
パッタリング装置の構成を示す説明図である。
【図２】Ｆｅ1-xＣｏx合金膜のＣｏ含有量ｘと飽和磁束
密度の関係を示す線図である。
密度の関係を示す線図である。
【図３】（Ｆｅ0.6Ｃｏ0.4）100-x （Ｐｔ族）x合金膜
におけるＰｔ族添加量ｘと飽和磁束密度の関係を示す線
図である。
におけるＰｔ族添加量ｘと飽和磁束密度の関係を示す線
図である。
【図４】（Ｆｅ0.6Ｃｏ0.4）100-x （Ｐｔ族）x合金膜
におけるＰｔ族添加量ｘと保磁力の関係を示す線図であ
る。
におけるＰｔ族添加量ｘと保磁力の関係を示す線図であ
る。
【図５】（Ｆｅ0.6Ｃｏ0.4）100-x （Ｐｔ族）x合金膜
を１Ｎ−ＨＣｌ中に１週間浸漬した前後の重量変化と各
Ｐｔ族添加量の関係を示す線図である。
を１Ｎ−ＨＣｌ中に１週間浸漬した前後の重量変化と各
Ｐｔ族添加量の関係を示す線図である。
【図６】（Ｆｅ0.6Ｃｏ0.4）0.95Ｒｕ0.05合金にＮを添
加した合金の薄膜におけるＮの濃度と保磁力の関係を示
す線図である。
加した合金の薄膜におけるＮの濃度と保磁力の関係を示
す線図である。
【図７】（Ｆｅ0.6Ｃｏ0.4）0.95Ｒｕ0.05合金にＣを添
加した合金の薄膜におけるＣの濃度と保磁力の関係を示
す線図である。
加した合金の薄膜におけるＣの濃度と保磁力の関係を示
す線図である。
【図８】（Ｆｅ0.6Ｃｏ0.4）0.95Ｒｕ0.05合金にＢを添
加した合金の薄膜におけるＢの濃度と保磁力の関係を示
す線図である。
加した合金の薄膜におけるＢの濃度と保磁力の関係を示
す線図である。
【図９】（Ｆｅ0.6Ｃｏ0.4）0.95Ｒｕ0.05合金にＯを添
加した合金の薄膜におけるＯの濃度と保磁力の関係を示
す線図である。
加した合金の薄膜におけるＯの濃度と保磁力の関係を示
す線図である。
【図１０】（Ｆｅ0.6Ｃｏ0.4）0.85Ｒｕ0.05Ｎ0.1合金
にＨｆを添加した合金の薄膜におけるＨｆの濃度と保持
力の関係を示す線図である。
にＨｆを添加した合金の薄膜におけるＨｆの濃度と保持
力の関係を示す線図である。
【図１１】（Ｆｅ0.6Ｃｏ0.4）0.85Ｒｕ0.05Ｎ0.1合金
膜と（Ｆｅ0.6Ｃｏ0.4）0.775Ｒｕ0.05Ｎ0.1Ｈｆ0.075
合金膜の真空中での熱処理温度と保磁力の関係を示す線
図である。
膜と（Ｆｅ0.6Ｃｏ0.4）0.775Ｒｕ0.05Ｎ0.1Ｈｆ0.075
合金膜の真空中での熱処理温度と保磁力の関係を示す線
図である。
【図１２】（Ｆｅ0.6Ｃｏ0.4）0.85Ｐｔ0.03Ｃ0.12合金
にＴｉを添加した合金の薄膜におけるＴｉ濃度と保磁力
の関係を示す線図である。
にＴｉを添加した合金の薄膜におけるＴｉ濃度と保磁力
の関係を示す線図である。
１ ターゲット ２ 真空チャンバー ３ 基板ホルダー ４ 基板 ５ マスフローメータ ６ ＤＣ電源 ７ シールド板 ８ マグネット
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 川上 良男 埼玉県秩父市大字山田2699−６ (72)発明者 高岡 智志 埼玉県秩父市大字大官6278−１
Claims (3)
- 【請求項１】 Ｃｏ含有量が２０〜６０ａｔ％であるＦ
ｅ−Ｃｏ合金に白金族元素のＲｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ｏｓ，
Ｉｒ，Ｐｔの少なくとも１種を０．１〜５ａｔ％添加し
た合金からなることを特徴とする磁性薄膜。 - 【請求項２】 更にＮ，Ｃ，Ｂ，Ｏのうち少なくとも１
種を添加し、それぞれの添加量をＮ，Ｃ，Ｂが０．１〜
１５ａｔ％、Ｏが０．１〜７ａｔ％としたことを特徴と
する請求項１に記載の磁性薄膜。 - 【請求項３】 更にIVａ族元素のＴｉ，Ｚｒ，Ｈｆ、V
ａ族元素のＶ，Ｎｂ，Ｔａ、VIａ族元素のＣｒ，Ｍｏ，
Ｗの少なくとも１種を０．１〜１５ａｔ％添加したこと
を特徴とする請求項２に記載の磁性薄膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21001593A JPH0766035A (ja) | 1993-08-25 | 1993-08-25 | 磁性薄膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21001593A JPH0766035A (ja) | 1993-08-25 | 1993-08-25 | 磁性薄膜 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0766035A true JPH0766035A (ja) | 1995-03-10 |
Family
ID=16582419
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21001593A Pending JPH0766035A (ja) | 1993-08-25 | 1993-08-25 | 磁性薄膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0766035A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7095586B2 (en) | 2002-01-15 | 2006-08-22 | Alps Electric Co., Ltd. | Soft magnetic film having saturation magnetic flux density Bs of at least 2.0 T and magnetic head including the same |
| JP2008127588A (ja) * | 2006-11-17 | 2008-06-05 | Sanyo Special Steel Co Ltd | （ＣｏＦｅ）ＺｒＮｂ／Ｔａ／Ｈｆ系ターゲット材およびその製造方法 |
-
1993
- 1993-08-25 JP JP21001593A patent/JPH0766035A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7095586B2 (en) | 2002-01-15 | 2006-08-22 | Alps Electric Co., Ltd. | Soft magnetic film having saturation magnetic flux density Bs of at least 2.0 T and magnetic head including the same |
| JP2008127588A (ja) * | 2006-11-17 | 2008-06-05 | Sanyo Special Steel Co Ltd | （ＣｏＦｅ）ＺｒＮｂ／Ｔａ／Ｈｆ系ターゲット材およびその製造方法 |
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