JPH0645146A - 軟磁性膜の製造方法 - Google Patents
軟磁性膜の製造方法Info
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- JPH0645146A JPH0645146A JP19733392A JP19733392A JPH0645146A JP H0645146 A JPH0645146 A JP H0645146A JP 19733392 A JP19733392 A JP 19733392A JP 19733392 A JP19733392 A JP 19733392A JP H0645146 A JPH0645146 A JP H0645146A
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F1/00—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties
- H01F1/01—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials
- H01F1/03—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity
- H01F1/12—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of soft-magnetic materials
- H01F1/14—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of soft-magnetic materials metals or alloys
- H01F1/147—Alloys characterised by their composition
- H01F1/153—Amorphous metallic alloys, e.g. glassy metals
- H01F1/15341—Preparation processes therefor
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】微結晶で高い透磁率を得るための成膜及び熱処
理方法を提供する。また、磁場中で成膜した磁性膜を特
定の温度で、回転磁場中で熱処理を行うことによって磁
気異方性の大きさを制御することができる。 【構成】Ｔx Ｍy Ｌz （但し、式中、Ｔは、Ｃｏ、Ｆ
ｅ、Ｎｉより選ばれた少なくとも１種、Ｍは、Ｎｂ、Ｚ
ｒ、Ｔａ、Ｈｆ、Ｙ、Ｍｏ、Ｗ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ａ
ｌ、Ｂ、Ｓｎ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｖの少なくとも１種、Ｌ
は、窒素または酸素の１種を表し、ｘ、ｙ、ｚはそれぞ
れ各元素の割合を原紙％で示す。）なる一般式で表さ
れ、その組成範囲が ６０≦ｘ≦９５，１≦ｙ≦２０，２≦ｚ≦２０ である軟磁性膜の製造方法において、薄膜の作成を１ｋ
Ａ／ｍ以上１０００ｋＡ／ｍ以下の磁場中で行う。
理方法を提供する。また、磁場中で成膜した磁性膜を特
定の温度で、回転磁場中で熱処理を行うことによって磁
気異方性の大きさを制御することができる。 【構成】Ｔx Ｍy Ｌz （但し、式中、Ｔは、Ｃｏ、Ｆ
ｅ、Ｎｉより選ばれた少なくとも１種、Ｍは、Ｎｂ、Ｚ
ｒ、Ｔａ、Ｈｆ、Ｙ、Ｍｏ、Ｗ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ａ
ｌ、Ｂ、Ｓｎ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｖの少なくとも１種、Ｌ
は、窒素または酸素の１種を表し、ｘ、ｙ、ｚはそれぞ
れ各元素の割合を原紙％で示す。）なる一般式で表さ
れ、その組成範囲が ６０≦ｘ≦９５，１≦ｙ≦２０，２≦ｚ≦２０ である軟磁性膜の製造方法において、薄膜の作成を１ｋ
Ａ／ｍ以上１０００ｋＡ／ｍ以下の磁場中で行う。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気ヘッドのコア材等
として使用される軟磁性膜の製造方法に関する。
として使用される軟磁性膜の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】例えば、ＶＴＲ（ビデオテープレコーダ
ー）等の磁気記録再生装置においては、画質等を向上さ
せるために記録信号の高密度化が進められており、これ
に対応して磁性粉にＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉ等の強磁性金属の
粉末を用いた所謂メタルテープや、強磁性金属材料を蒸
着等の手法により直接ベースフィルム上に被着した所謂
蒸着テープ等の高抗磁力媒体の開発が進められている。
ー）等の磁気記録再生装置においては、画質等を向上さ
せるために記録信号の高密度化が進められており、これ
に対応して磁性粉にＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉ等の強磁性金属の
粉末を用いた所謂メタルテープや、強磁性金属材料を蒸
着等の手法により直接ベースフィルム上に被着した所謂
蒸着テープ等の高抗磁力媒体の開発が進められている。
【０００３】ところで、磁気記録媒体の高抗磁力化が進
むにつれ、記録再生に使用する磁気ヘッドのヘッド材料
に高飽和磁束密度化が要求される。例えば、従来、ヘッ
ド材料として多用されるフェライト材では、飽和磁束密
度が低く、媒体の高抗磁力化に十分対処することはむず
かしい。また、記録再生兼用ヘッドでは、ヘッドの狭磁
気ギャップ化による再生出力の低下を抑えるために磁性
膜の高透磁率化が必要である。
むにつれ、記録再生に使用する磁気ヘッドのヘッド材料
に高飽和磁束密度化が要求される。例えば、従来、ヘッ
ド材料として多用されるフェライト材では、飽和磁束密
度が低く、媒体の高抗磁力化に十分対処することはむず
かしい。また、記録再生兼用ヘッドでは、ヘッドの狭磁
気ギャップ化による再生出力の低下を抑えるために磁性
膜の高透磁率化が必要である。
【０００４】このような状況から、磁気ヘッドを構成す
る磁気コアをフェライトやセラミックス等と高飽和磁束
密度を有する軟磁性膜との複合構造とし、軟磁性膜同士
を突き合わせ磁気ギャップを構成するようにした複合型
磁気ヘッドや、各磁気コアやコイル等を薄膜技術により
形成し、これらを絶縁膜を介して多層構造とした薄膜磁
気ヘッドが開発されている。
る磁気コアをフェライトやセラミックス等と高飽和磁束
密度を有する軟磁性膜との複合構造とし、軟磁性膜同士
を突き合わせ磁気ギャップを構成するようにした複合型
磁気ヘッドや、各磁気コアやコイル等を薄膜技術により
形成し、これらを絶縁膜を介して多層構造とした薄膜磁
気ヘッドが開発されている。
【０００５】前記磁気ヘッドに使用される軟磁性材料と
しては、例えばＦｅ−Ａｌ−Ｓｉ合金所謂センダスト合
金やＣｏ−Ｎｂ−Ｚｒ等の非晶質軟磁性膜が知られてお
り、これら軟磁性材料は１０ｋガウス以上の高飽和磁束
密度を有し、適当な熱処理を行うことによって高い比透
磁率を得ることが出来る。
しては、例えばＦｅ−Ａｌ−Ｓｉ合金所謂センダスト合
金やＣｏ−Ｎｂ−Ｚｒ等の非晶質軟磁性膜が知られてお
り、これら軟磁性材料は１０ｋガウス以上の高飽和磁束
密度を有し、適当な熱処理を行うことによって高い比透
磁率を得ることが出来る。
【０００６】ところで、高密度磁気記録においては、複
合型磁気ヘッドのコア材に使用される軟磁性膜にさらに
高い飽和磁束密度が要求され、上記に示したような磁気
ヘッドのコア材では充分な記録が出来なくなってきてい
る。そのため、近年さらに飽和磁束密度の高い軟磁性材
料としてＣｏやＦｅの微結晶から構成された微結晶系の
軟磁性膜が検討されている。これらの軟磁性膜は、Ｃ
ｏ、Ｆｅ、Ｎｉの強磁性金属を主な構成元素とし、窒素
との化学的な結合力の強いＡｌ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｈ
ｆ、Ｙ、Ｂ等の元素及び窒素から主に構成される。
合型磁気ヘッドのコア材に使用される軟磁性膜にさらに
高い飽和磁束密度が要求され、上記に示したような磁気
ヘッドのコア材では充分な記録が出来なくなってきてい
る。そのため、近年さらに飽和磁束密度の高い軟磁性材
料としてＣｏやＦｅの微結晶から構成された微結晶系の
軟磁性膜が検討されている。これらの軟磁性膜は、Ｃ
ｏ、Ｆｅ、Ｎｉの強磁性金属を主な構成元素とし、窒素
との化学的な結合力の強いＡｌ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｈ
ｆ、Ｙ、Ｂ等の元素及び窒素から主に構成される。
【０００７】しかし、これらの微結晶系の軟磁性膜にお
いて高い透磁率を得るためには磁気異方性を適当な大き
さにする必要がある。
いて高い透磁率を得るためには磁気異方性を適当な大き
さにする必要がある。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】そこで、近年微結晶軟
磁性材料の磁気異方性の制御方法が検討されている。本
発明は、かかる従来の事情に鑑みて提案されたものであ
って、微結晶軟磁性薄膜で高い透磁率を得るための成膜
及び熱処理方法を提供することを目的とする。
磁性材料の磁気異方性の制御方法が検討されている。本
発明は、かかる従来の事情に鑑みて提案されたものであ
って、微結晶軟磁性薄膜で高い透磁率を得るための成膜
及び熱処理方法を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、前述の目
的を達成せんものと鋭意研究を重ねた結果、微結晶軟磁
性薄膜を適当な強さの磁場中で成膜する事によって、あ
るいはそれらの軟磁性膜を適当な強度の回転磁場中で熱
処理する事によって高い透磁率が得られることを見いだ
した。本発明はかかる知見にもとずいて完成されたもの
であって、本願の発明にかかる軟磁性膜の成膜方法は、
ＴｘＭｙＬｚ（但し、式中ＴはＣｏ、Ｆｅ、Ｎｉより選
ばれた少なくとも１種を表し、Ｍは、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｔ
ａ、Ｈｆ、Ｙ、Ｍｏ、Ｗ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ａｌ、
Ｂ、Ｓｎ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｖの少なくとも１種を表し、Ｌ
は、窒素または酸素の少なくとも１種を表し、ｘ、ｙ、
ｚはそれぞれ各元素の割合を原子％で示す。）なる一般
式で表され、その組成範囲が、 ６０≦ｘ≦９５ １≦ｙ≦２０ ２≦ｚ≦２０ である軟磁性膜の製造方法において、薄膜の作成を磁場
中で行うことによって、磁性薄膜に一軸の磁気異方性を
生じさせることができ、磁化困難軸の方向に高い透磁率
を得ることができる。
的を達成せんものと鋭意研究を重ねた結果、微結晶軟磁
性薄膜を適当な強さの磁場中で成膜する事によって、あ
るいはそれらの軟磁性膜を適当な強度の回転磁場中で熱
処理する事によって高い透磁率が得られることを見いだ
した。本発明はかかる知見にもとずいて完成されたもの
であって、本願の発明にかかる軟磁性膜の成膜方法は、
ＴｘＭｙＬｚ（但し、式中ＴはＣｏ、Ｆｅ、Ｎｉより選
ばれた少なくとも１種を表し、Ｍは、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｔ
ａ、Ｈｆ、Ｙ、Ｍｏ、Ｗ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ａｌ、
Ｂ、Ｓｎ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｖの少なくとも１種を表し、Ｌ
は、窒素または酸素の少なくとも１種を表し、ｘ、ｙ、
ｚはそれぞれ各元素の割合を原子％で示す。）なる一般
式で表され、その組成範囲が、 ６０≦ｘ≦９５ １≦ｙ≦２０ ２≦ｚ≦２０ である軟磁性膜の製造方法において、薄膜の作成を磁場
中で行うことによって、磁性薄膜に一軸の磁気異方性を
生じさせることができ、磁化困難軸の方向に高い透磁率
を得ることができる。
【００１０】成膜中に印加される磁場の強さが１ｋＡ／
ｍ以下の場合十分な効果が得られず、反対に１０００ｋ
Ａ／ｍ以上では膜に必要以上の磁気異方性が生じてしま
い軟磁性膜の透磁率が減少してしまうため、成膜中に印
加される磁場の強さは１ｋＡ／ｍ以上１０００ｋＡ／ｍ
以下が好ましい。また、磁場中で成膜した軟磁性膜を回
転磁場中で熱処理を行うことによって磁気異方性の大き
さを制御することができ、より高い透磁率を持った軟磁
性薄膜を得ることができる。熱処理の温度は３００℃以
下では軟磁性膜の磁気異方性の変化がほとんど無く、ま
た７００℃以上では軟磁性膜自体の軟磁気特性が劣化し
てしまうため、３００℃以上７００℃以下の温度で熱処
理をするのが好ましい。また、熱処理時に印加される磁
場の強さが１ｋＡ／ｍ以下では十分な効果が得られず、
また、１０００ｋＡ／ｍ以上では装置が大がかりになる
ため有効でないので、回転磁場中熱処理の磁場の強さは
１ｋＡ／ｍ以上１０００ｋＡ／ｍ以下が好ましい。
ｍ以下の場合十分な効果が得られず、反対に１０００ｋ
Ａ／ｍ以上では膜に必要以上の磁気異方性が生じてしま
い軟磁性膜の透磁率が減少してしまうため、成膜中に印
加される磁場の強さは１ｋＡ／ｍ以上１０００ｋＡ／ｍ
以下が好ましい。また、磁場中で成膜した軟磁性膜を回
転磁場中で熱処理を行うことによって磁気異方性の大き
さを制御することができ、より高い透磁率を持った軟磁
性薄膜を得ることができる。熱処理の温度は３００℃以
下では軟磁性膜の磁気異方性の変化がほとんど無く、ま
た７００℃以上では軟磁性膜自体の軟磁気特性が劣化し
てしまうため、３００℃以上７００℃以下の温度で熱処
理をするのが好ましい。また、熱処理時に印加される磁
場の強さが１ｋＡ／ｍ以下では十分な効果が得られず、
また、１０００ｋＡ／ｍ以上では装置が大がかりになる
ため有効でないので、回転磁場中熱処理の磁場の強さは
１ｋＡ／ｍ以上１０００ｋＡ／ｍ以下が好ましい。
【００１１】本発明の軟磁性膜は、スパッタリング等の
所謂気相メッキ技術によって製造される。スパッタリン
グは、所望の組成比となるように調整された合金ターゲ
ットを用いて行っても良いし、各原子のターゲットを個
別に用意し、その面積や印加出力等を調整して組成をコ
ントロールするようにして行っても良い。特に前者の方
法を採用した場合、膜組成はターゲット組成によってほ
ぼ一意に決まるので、例えば大量生産するうえで好適で
ある。
所謂気相メッキ技術によって製造される。スパッタリン
グは、所望の組成比となるように調整された合金ターゲ
ットを用いて行っても良いし、各原子のターゲットを個
別に用意し、その面積や印加出力等を調整して組成をコ
ントロールするようにして行っても良い。特に前者の方
法を採用した場合、膜組成はターゲット組成によってほ
ぼ一意に決まるので、例えば大量生産するうえで好適で
ある。
【００１２】窒素を添加する方法としては、雰囲気中に
窒素またはアンモニアガスを導入して成膜を行う、また
は窒素を含んだターゲットを用いる方法等が考えられ
る。同様に酸素を添加する方法としては、雰囲気中に酸
素を導入して成膜する方法等が考えられる。成膜時の磁
場の印加方法は成膜を行う基板の側面に永久磁石を配置
し軟磁性材料で構成されたコアを用いて一方向に磁場が
印加される様にしてもよいし、電磁石で同様に磁場を印
加してもよい。
窒素またはアンモニアガスを導入して成膜を行う、また
は窒素を含んだターゲットを用いる方法等が考えられ
る。同様に酸素を添加する方法としては、雰囲気中に酸
素を導入して成膜する方法等が考えられる。成膜時の磁
場の印加方法は成膜を行う基板の側面に永久磁石を配置
し軟磁性材料で構成されたコアを用いて一方向に磁場が
印加される様にしてもよいし、電磁石で同様に磁場を印
加してもよい。
【００１３】また、本発明を適用した軟磁性膜の成膜法
及び熱処理方法は、単層膜であってもよく、パーマロイ
等の強磁金属や、Ａｇ、Ｃｕ等の非磁性金属、さらに
は、Ｓｉ3 Ｎ4 、ＳｉＯ2 等のセラミック材料等で分断
して積層構造とした多層膜であってもよい。
及び熱処理方法は、単層膜であってもよく、パーマロイ
等の強磁金属や、Ａｇ、Ｃｕ等の非磁性金属、さらに
は、Ｓｉ3 Ｎ4 、ＳｉＯ2 等のセラミック材料等で分断
して積層構造とした多層膜であってもよい。
【００１４】
【作用】窒素を含む微結晶の磁性材料において適当な強
度の磁場中で成膜することによって軟磁性膜に一軸の磁
気異方性を付加する事によって高い透磁率を得ることが
出きる。また、磁場中で成膜した軟磁性膜を適当な強度
の回転磁場中で適当な温度での熱処理を加えることで磁
気異方性の大きさを制御することができ、より高い透磁
率を得ることが出きる。
度の磁場中で成膜することによって軟磁性膜に一軸の磁
気異方性を付加する事によって高い透磁率を得ることが
出きる。また、磁場中で成膜した軟磁性膜を適当な強度
の回転磁場中で適当な温度での熱処理を加えることで磁
気異方性の大きさを制御することができ、より高い透磁
率を得ることが出きる。
【００１５】
【実施例】成膜は合金ターゲット（直径１００mm）を用
いたＤＣまたはＲＦマグネトロンスパッタにより行っ
た、窒素の添加はスパッタ中にＡｒ、Ｎ2 混合ガスを導
入しながら成膜して行った。酸素はＡｒ、Ｏ2 混合ガス
を導入しながら成膜して行った。成膜は下記の条件で行
った。 到達真空度 １×１０-4Ｐａ Ａｒガス圧 ０．５Ｐａ 投入電力 ３００Ｗ
いたＤＣまたはＲＦマグネトロンスパッタにより行っ
た、窒素の添加はスパッタ中にＡｒ、Ｎ2 混合ガスを導
入しながら成膜して行った。酸素はＡｒ、Ｏ2 混合ガス
を導入しながら成膜して行った。成膜は下記の条件で行
った。 到達真空度 １×１０-4Ｐａ Ａｒガス圧 ０．５Ｐａ 投入電力 ３００Ｗ
【００１６】膜厚は、厚さ３μｍで、透磁率は８の字コ
イル法により測定した。スパッタリングターゲットとし
てＣｏ88Ｚｒ7 Ｙ5 、Ｆｅ85Ｈｆ15、Ｆｅ85Ｔａ15、Ｆ
ｅ85Ａｌ15、Ｆｅ98Ａｌ1 Ｎｂ1 を用いて窒素分圧を適
当に選び成膜した。Ｆｅ98Ａｌ1 Ｎｂ1 のターゲットは
ＲＦマグネトロンスパッタで窒素及び酸素を導入し成膜
し、それ以外はＤＣマグネトロンスパッタで窒素を導入
し成膜した。磁場中の成膜は、図１に示すように、基板
１面に一様な磁場を発生するように永久磁石２を組み込
んだ基板ホルダーを用いて行った。磁場の大きさは５０
ｋＡ／ｍと１０ｋＡ／ｍとした。表１に軟磁性膜の組成
と無磁場中成膜した膜と磁場中成膜した膜の５ＭＨｚで
の比透磁率示す。
イル法により測定した。スパッタリングターゲットとし
てＣｏ88Ｚｒ7 Ｙ5 、Ｆｅ85Ｈｆ15、Ｆｅ85Ｔａ15、Ｆ
ｅ85Ａｌ15、Ｆｅ98Ａｌ1 Ｎｂ1 を用いて窒素分圧を適
当に選び成膜した。Ｆｅ98Ａｌ1 Ｎｂ1 のターゲットは
ＲＦマグネトロンスパッタで窒素及び酸素を導入し成膜
し、それ以外はＤＣマグネトロンスパッタで窒素を導入
し成膜した。磁場中の成膜は、図１に示すように、基板
１面に一様な磁場を発生するように永久磁石２を組み込
んだ基板ホルダーを用いて行った。磁場の大きさは５０
ｋＡ／ｍと１０ｋＡ／ｍとした。表１に軟磁性膜の組成
と無磁場中成膜した膜と磁場中成膜した膜の５ＭＨｚで
の比透磁率示す。
【００１７】次に、無磁場中で成膜を行い無磁場中で熱
処理をした膜と磁場中で成膜を行い回転磁場中で熱処理
を行った膜の比透磁率を表２に示す。回転磁場中の熱処
理は図２に示すような装置で行った。この装置では、基
板１に永久磁石２によって磁場が与えられる。３は永久
磁石２のヨークとなる鉄芯である。モータ４により永久
磁石２は回転し、永久磁石２は基板１に対して回転磁場
を作る。基板１の周囲には、ヒータ５が配設されてい
て、基板１を所定の温度まで熱する。６は熱伝対で基板
１の温度を測定する。
処理をした膜と磁場中で成膜を行い回転磁場中で熱処理
を行った膜の比透磁率を表２に示す。回転磁場中の熱処
理は図２に示すような装置で行った。この装置では、基
板１に永久磁石２によって磁場が与えられる。３は永久
磁石２のヨークとなる鉄芯である。モータ４により永久
磁石２は回転し、永久磁石２は基板１に対して回転磁場
を作る。基板１の周囲には、ヒータ５が配設されてい
て、基板１を所定の温度まで熱する。６は熱伝対で基板
１の温度を測定する。
【００１８】熱処理はいずれも５５０℃で１時間真空中
で行った。磁場中成膜の磁場の強度は５０ｋＡ／ｍ、回
転磁場中熱処理の磁場の強度は８０ｋＡ／ｍで行った。
で行った。磁場中成膜の磁場の強度は５０ｋＡ／ｍ、回
転磁場中熱処理の磁場の強度は８０ｋＡ／ｍで行った。
【００１９】
【表１】
【００２０】
【表２】
【００２１】以上の結果より、本発明によれば、窒素を
含む微結晶軟磁性材料を磁場中で成膜することによっ
て、無磁場中成膜に比べて飛躍的に軟磁性膜の透磁率を
向上させることができ、さらに回転磁場中の熱処理を加
えることでより高い透磁率を得ることができることが分
かった。
含む微結晶軟磁性材料を磁場中で成膜することによっ
て、無磁場中成膜に比べて飛躍的に軟磁性膜の透磁率を
向上させることができ、さらに回転磁場中の熱処理を加
えることでより高い透磁率を得ることができることが分
かった。
【００２２】
【発明の効果】以上の説明からも明かなように、本願の
発明にかかる軟磁性膜の成膜方法は、ＴｘＭｙＬｚ（但
し、式中Ｔは、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｎｉより選ばれた少なくと
も１種を表し、Ｍは、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｈｆ、Ｙ、Ｍ
ｏ、Ｗ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｂ、Ｓｎ、Ｇａ、Ｇ
ｅ、Ｖの少なくとも１種を表し、Ｌは、窒素または酸素
の少なくとも１種を表し、ｘ、ｙ、ｚはそれぞれ各元素
の割合を原子％で示す。）なる一般式で表され、その組
成範囲が、 ６０≦ｘ≦９５ １≦ｙ≦２０ ２≦ｚ≦２０ である軟磁性膜の製造方法において、薄膜の作成を１ｋ
Ａ／ｍ以上１０００ｋＡ／ｍ以下の磁場中で行うことに
よって、薄膜に一軸の磁気異方性が生じ磁化困難軸の方
向に高い透磁率を得ることができる。また、磁場中で成
膜した軟磁性膜を３００℃以上７００℃以下の温度で、
１ｋＡ／ｍ以上１０００ｋＡ／ｍ以下の回転磁場中で熱
処理を行うことによって磁気異方性の大きさを制御する
ことができ、高い透磁率を持った軟磁性薄膜を提供する
ことができる。
発明にかかる軟磁性膜の成膜方法は、ＴｘＭｙＬｚ（但
し、式中Ｔは、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｎｉより選ばれた少なくと
も１種を表し、Ｍは、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｈｆ、Ｙ、Ｍ
ｏ、Ｗ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｂ、Ｓｎ、Ｇａ、Ｇ
ｅ、Ｖの少なくとも１種を表し、Ｌは、窒素または酸素
の少なくとも１種を表し、ｘ、ｙ、ｚはそれぞれ各元素
の割合を原子％で示す。）なる一般式で表され、その組
成範囲が、 ６０≦ｘ≦９５ １≦ｙ≦２０ ２≦ｚ≦２０ である軟磁性膜の製造方法において、薄膜の作成を１ｋ
Ａ／ｍ以上１０００ｋＡ／ｍ以下の磁場中で行うことに
よって、薄膜に一軸の磁気異方性が生じ磁化困難軸の方
向に高い透磁率を得ることができる。また、磁場中で成
膜した軟磁性膜を３００℃以上７００℃以下の温度で、
１ｋＡ／ｍ以上１０００ｋＡ／ｍ以下の回転磁場中で熱
処理を行うことによって磁気異方性の大きさを制御する
ことができ、高い透磁率を持った軟磁性薄膜を提供する
ことができる。
【図１】本発明の磁場中成膜治具の説明図である。
【図２】本発明の回転磁場中熱処理装置の説明図であ
る。
る。
１ 基板 ２ 永久磁石 ３ 鉄芯 ４ モータ ５ ヒータ ６ 熱伝対
Claims (2)
- 【請求項１】 Ｔx Ｍy Ｌz （但し、式中、Ｔは、Ｃ
ｏ、Ｆｅ、Ｎｉより選ばれた少なくとも１種を表し、Ｍ
は、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｈｆ、Ｙ、Ｍｏ、Ｗ、Ｃｒ、Ｔ
ｉ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｂ、Ｓｎ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｖの少なくと
も１種を表し、Ｌは、窒素または酸素の少なくとも１種
を表し、ｘ、ｙ、ｚはそれぞれ各元素の割合を原子％で
示す。）なる一般式で表され、その組成範囲が ６０≦ｘ≦９５ １≦ｙ≦２０ ２≦ｚ≦２０ である軟磁性膜の製造方法において、薄膜の作成を１ｋ
Ａ／ｍ以上１０００ｋＡ／ｍ以下の磁場中で行うことを
特徴とする軟磁性膜の製造方法。 - 【請求項２】 軟磁性膜作成後３００℃以上７００℃以
下の温度で、１ｋＡ／ｍ以上１０００ｋＡ／ｍ以下の回
転磁場中で熱処理を行うことを特徴とする請求項１記載
の軟磁性膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19733392A JPH0645146A (ja) | 1992-07-24 | 1992-07-24 | 軟磁性膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19733392A JPH0645146A (ja) | 1992-07-24 | 1992-07-24 | 軟磁性膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0645146A true JPH0645146A (ja) | 1994-02-18 |
Family
ID=16372728
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19733392A Pending JPH0645146A (ja) | 1992-07-24 | 1992-07-24 | 軟磁性膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0645146A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100394331B1 (ko) * | 1999-03-15 | 2003-08-06 | 가부시끼가이샤 도시바 | 자성박막 및 자기소자 |
| JP4972164B2 (ja) * | 2007-06-05 | 2012-07-11 | 株式会社メニコン | 眼用レンズの製造方法及び装置 |
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1992
- 1992-07-24 JP JP19733392A patent/JPH0645146A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100394331B1 (ko) * | 1999-03-15 | 2003-08-06 | 가부시끼가이샤 도시바 | 자성박막 및 자기소자 |
| JP4972164B2 (ja) * | 2007-06-05 | 2012-07-11 | 株式会社メニコン | 眼用レンズの製造方法及び装置 |
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