JPH04214831A - 軟磁性膜 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、磁気ヘッドのコア材等
として使用される軟磁性膜に関する。

【０００２】

【従来の技術】例えばＶＴＲ（ビデオテープレコーダ）
等の磁気記録再生装置においては、画質等を向上させる
ために記録信号の高密度化が進められており、これに対
応して磁性粉にＦｅ，Ｃｏ，Ｎｉ等の強磁性金属の粉末
を用いた所謂メタルテープや、強磁性金属材料を蒸着等
の手法により直接ベースフィルム上に被着した所謂蒸着
テープ等の高抗磁力媒体の開発が進められている。

【０００３】ところで、磁気記録媒体の高抗磁力化が進
むにつれ、記録再生に使用する磁気ヘッドのヘッド材料
に高飽和磁束密度化が要求される。例えば、従来ヘッド
材料として多用されているフェライト材では、飽和磁束
密度が低く、媒体の高抗磁力化に充分に対処することは
難しい。

【０００４】このような状況から、磁気ヘッドを構成す
る磁気コアをフェライトやセラミクス等と高飽和磁束密
度を有する軟磁性膜との複合構造とし、軟磁性膜同士を
突き合わせて磁気ギャップを構成するようにした複合型
磁気ヘッドや、各磁気コアやコイル等を薄膜技術により
形成し、これらを絶縁膜を介して多層構造とした薄膜磁
気ヘッドが開発されている。上記磁気ヘッドに使用され
る軟磁性材料としては、例えばＣｏ−Ｎｂ−Ｚｒ系やＣ
ｏ−Ｔａ−Ｚｒ系等の非晶質軟磁性膜等が知られており
、これら軟磁性材料は１０ｋガウス以上の高飽和磁束密
度を有する。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ところで、例えば上述
の複合型磁気ヘッドにおいては、その製造工程で、磁気
コア同士のギャップ接合や、或いは場合によっては金属
磁性薄膜と酸化物材料との接合を必要とする。従来より
、このような接合には、高融点の融着ガラスが使用され
ている。これは、高融点ガラスが化学的に安定なため有
機溶剤による洗浄が可能であること、強固な接合が得ら
れること等の利点を有するからである。

【０００６】ところが、上述のＣｏ−Ｎｂ−Ｚｒ系やＣ
ｏ−Ｔａ−Ｚｒ系の非晶質軟磁性膜の結晶化温度は高々
５００°程度であり、高融点ガラスによるガラス接合を
行うには耐熱性が不足する。特に、飽和磁束密度の向上
を図るために、Ｃｏの割合を増化させると、非晶質軟磁
性膜の結晶化温度は益々低下する傾向にあり、上述のよ
うな問題が顕著となる。

【０００７】これに対して、Ｃｏの添加量を抑えても非
晶質化させることができ、結晶化温度が比較的高い非晶
質材料として、Ｃｏ−Ｙ系材料が知られている。しかし
、このＣｏ−Ｙ系材料では、磁歪が大きく良好な軟磁気
特性を得ることができないという欠点がある。そこで、
本発明は、かかる従来の実情に鑑みて提案されたもので
あって、磁歪が小さく、優れた軟磁気特性を有し、且つ
良好な耐熱性を有する軟磁性膜を提供することを目的と
する。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明者等は、前述の目
的を達成せんものと鋭意研究を重ねた結果、Ｃｏ，Ｆｅ
，Ｎｉ，Ｍｎの少なくとも１種とＹ等の金属元素を主体
とする非晶質材料に窒素を添加すれば、高い結晶化温度
を確保しつつ、磁歪の小さい軟磁性膜が得られることを
見出すに至った。

【０００９】本発明はかかる知見にもとずいて完成され
たものであって、本願第１の発明にかかる軟磁性膜は、
Ｍａ　Ｙｘ　Ｎｙ　（但し、式中ＭはＣｏ，Ｆｅ，Ｎｉ
，Ｍｎの少なくとも１種を表し、ａ，ｘ，ｙはそれぞれ
各元素の割合を原子％で表す。）なる一般式で表され、
その組成範囲が ７０＜ａ＜９７ ２＜ｘ＜２０ １＜ｙ＜２０ であることを特徴とするものである。

【００１０】また、本願第２の発明にかかる軟磁性膜は
、Ｍａ　Ｌｂ　Ｙｘ　Ｎｙ　（但し、式中ＭはＣｏ，Ｆ
ｅ，Ｎｉ，Ｍｎの少なくとも１種を表し、ＬはＮｂ，Ｚ
ｒ，Ｔａ，Ｈｆ，Ｍｏ，Ｔｉ，Ｗの少なくとも１種を表
す。また、ａ，ｂ，ｘ，ｙはそれぞれ各元素の割合を原
子％で表す。）なる一般式で表され、その組成範囲が７
０＜ａ＜９７ １＜ｂ＜１５ １＜ｘ＜５ １＜ｙ＜２０ であることを特徴とするものである。

【００１１】更に、本願第３の発明にかかる軟磁性膜は
、Ｍａ　Ｌｂ　Ｙｘ　Ｎｙ　Ｊｚ　（但し、式中ＭはＣ
ｏ，Ｆｅ，Ｎｉ，Ｍｎの少なくとも１種を表し、ＬはＺ
ｒ，Ｔａ，Ｈｆ，Ｍｏ，Ｔｉ，Ｗの少なくとも１種を表
し、ＪはＣｒ，Ｖ，Ａｌ，Ｓｉの少なくとも１種を表す
。また、ａ，ｂ，ｘ，ｙ，ｚはそれぞれ各元素の割合を
原子％で表す。）なる一般式で表され、その組成範囲が
７０＜ａ＜９６ ０≦ｂ＜２０ ０≦ｘ＜２０ １＜ｂ＋ｘ＜２０ １＜ｙ＜２０ １＜ｚ＜１０ であることを特徴とするものである。

【００１２】本願第１の発明の軟磁性膜においては、強
磁性材料である遷移金属ＭのＣｏ，Ｆｅ，Ｎｉ，Ｍｎの
少なくとも１種と、金属元素のＹからなる非晶質材料に
よって非晶質状態が得られる。上記遷移金属Ｍの膜中の
組成比ａは７０＜ａ＜９７原子％とされ、Ｙの膜中の組
成比ｘは２＜ｘ＜２０原子％とされる。この軟磁性膜に
窒素を添加すると、耐熱性が改善される。窒素の添加量
は、膜中の窒素原子の組成比ｙが１＜ｙ＜２０原子％と
なる範囲とされる。窒素の添加量が少なすぎても、逆に
多すぎても耐熱性の改善が期待できず、例えば熱処理後
の保磁力が大きな値を示すようになる。特に、窒素の添
加量が２０原子％以上の範囲では、基板からの剥離が起
こり易くなる。

【００１３】また、本願第２の発明の軟磁性膜では、上
記非晶質材料及び窒素の他に添加元素ＬとしてＮｂ，Ｚ
ｒ，Ｔａ，Ｈｆ，Ｍｏ，Ｔｉ，Ｗの少なくとも１種が添
加される。これら添加元素Ｌを添加することにより、軟
磁気特性が向上するとともに、ターゲットを作製する際
に、ヒビ割れや鬆が入りにくくなる。上記添加元素Ｌは
、上記Ｙの組成比ｘの一部を上記添加元素Ｌに置換した
かたちで添加される。即ち、上記添加元素Ｌの添加量は
、膜中における上記添加元素Ｌの組成比の合計ｂが１＜
ｂ＜１５原子％となる範囲とされ、この時上記Ｙの組成
比ｘは１＜ｘ＜５原子％とされる。上記添加元素Ｌの添
加量が多すぎると、飽和磁束密度が低下する傾向にある
。また、上記添加元素Ｌの添加量とＹの添加量を併せた
添加量が窒素の添加量と等しくされる場合において、最
も良好な軟磁気特性、耐熱性を実現することができ、上
記添加元素Ｌ及びＹの添加量の合計と窒素の添加量との
差が５原子％より小さいことが実効的とされる。

【００１４】上述の本願第１の発明及び第２の発明の軟
磁性膜に、更にＣｒ，Ｖ，Ａｌ，Ｓｉの中の何れか１種
以上を添加することにより、耐蝕性が改善される。これ
が、本願第３の発明である。ここで、耐蝕性改善のため
の添加元素（Ｃｒ，Ｖ，Ａｌ，Ｓｉ）の割合ｚは、１原
子％＜ｚ＜１０原子％とすることが好ましい。前記割合
ｚが１原子％以下であると、十分な耐蝕性改善効果が期
待できず、逆に１０原子％以上となると磁気特性、特に
飽和磁束密度が低下する虞れがある。

【００１５】なお、これら添加元素が添加されるのは、
ＭＹＮ系軟磁性膜（第１の発明の軟磁性膜）或いはＭＬ
ＹＮ系軟磁性膜（第２の発明の軟磁性膜）であり、他の
構成元素であるＹやＬの割合ｘ，ｂは、先の第１の発明
或いは第２の発明の場合と同様２原子％＜ｘ＜２０原子
％、或いは１原子％＜ｂ＜１５原子％且つ１原子％＜ｘ
＜５原子％とすることが好ましいが、Ｙを含まない軟磁
性膜に適用した場合にも耐蝕性改善効果を発揮する。従
って、ここでは０原子％≦ｂ＜２０原子％、０原子％≦
ｘ＜２０原子％、１原子％＜ｂ＋ｘ＜２０原子％とする
。

【００１６】本発明の軟磁性膜は、スパッタリング等の
所謂気相メッキ技術によって製造される。スパッタリン
グは、所望の組成比となるように調整された合金ターゲ
ットを用いて行っても良いし、各原子のターゲットを個
別に用意し、その面積や印加出力等を調整して組成をコ
ントロールするようにして行ってもよい。特に前者の方
法を採用した場合、ターゲット組成と膜組成の間の組成
ズレは各原子共１％以下程度であり、膜組成はターゲッ
ト組成によってほぼ一意に決まるので、例えば大量生産
するうえで好適である。窒素を添加する方法としては、
雰囲気中に窒素ガスを導入してスパッタを行う方法等が
考えられる。

【００１７】また、本発明を適用した軟磁性膜は、単層
膜であってもよく、パーマロイ等の磁性金属や、Ａｇ，
Ｃｕ等の非磁性金属、さらにはＳｉ４　Ｎ４　，ＳｉＯ
２　等のセラミクス材料等で分断して積層構造とした多
層膜であってもよい。

【００１８】

【作用】遷移金属のＣｏ，Ｆｅ，Ｎｉ，Ｍｎの少なくと
も１種とＹからなる非晶質材料に、窒素を添加すると、
磁歪λが正から負の範囲で制御される。従って、磁歪λ
が０となる組成が存在し、良好な軟磁気特性が確保され
る。また、本発明の軟磁性膜は、微晶質からなるものと
推定され、耐熱性に優れた軟磁性膜が得られる。

【００１９】

【実施例】本発明の好適な実施例を図面を参照しながら
説明する。 実験例１ 先ず、Ｃｏ９０Ｙ１０なる組成を有するＣｏ−Ｙ２元系
合金（直径１００ｍｍ）をスパッタ用のターゲットとし
て用いて、スパッタガス中にＡｒとＮ２　ガスの混合ガ
スを導入しながらＲＦマグネトロンスパッタ法により下
記のスパッタ条件にて成膜を行った。

【００２０】スパッタ条件 到達真空度　　　　　　　　１×１０−６ＴｏｒｒＡｒ
ガス圧　　　　　　　　７×１０−４Ｔｏｒｒ投入電力
　　　　　　　　　　３００Ｗそして、得られた軟磁性
膜について、スパッタガス中のＮ２　ガス分圧と磁歪λ
の関係を調べた。その結果を図１に示す。なお、図１中
、横軸はＮ２　ガス分圧（Ｔｏｒｒ）を示し、縦軸は磁
歪λを示す。

【００２１】図１に示すように、スパッタガス中のＮ２
　ガス分圧を０〜２．５×１０−４Ｔｏｒｒの範囲で変
化させると、Ｎ２　ガス分圧の増加にともなって磁歪λ
は正から負に変化し、Ｎ２　ガス分圧が０．８×１０−
４Ｔｏｒｒである時に磁歪λはほぼ０になった。これに
より、スパッタガス中にＮ２　ガスを導入することによ
り、磁歪λが０となる組成が存在することが判った。ま
た、上記軟磁性膜についてＸ線回折を測定したところ、
上記範囲内でＮ２　ガスの導入量を変化させても、何れ
も非晶質に近い状態であることが確認された。

【００２２】そこで、窒素が添加されたＣｏ−Ｙ系軟磁
性膜の耐熱性を調べるために、以下のような実験を行っ
た。 実験例２ Ｃｏ−Ｙ２元系合金をスパッタ用のターゲットとして用
い、スパッタガス中にＮ２　ガスを導入しながらスパッ
タを行って、各種軟磁性膜を作製した。そして、得られ
た軟磁性膜のうち、表１に示す組成を有する軟磁性膜を
５５０℃にて熱処理し、熱処理の前後での各軟磁性膜の
保磁力Ｈｃを測定した。この結果を表１に示す。なお、
保磁力ＨｃはＢ−Ｈループトレーサにより測定した。

【表１】

【００２３】表１より、Ｃｏ７２Ｙ１３Ｎ１５，Ｃｏ９
２Ｙ５　Ｎ３　，及びＣｏ９７．８Ｙ２　Ｎ０．２　な
る組成を有する軟磁性膜では、高温で熱処理を行っても
、熱処理前の低保磁力Ｈｃが維持され、良好な耐熱性を
有していることが判った。また、上述のようにして作製
された軟磁性膜を用いて、これら軟磁性膜の組成と軟磁
気特性の関係を検討した。図２は、Ｙの組成比を３原子
％とした場合（図中、実線で示す。）と、５原子％とし
た場合（図中、点線で示す。）について、窒素の添加量
を変化させた時の保磁力Ｈｃの変化を示す図である。ま
た、図３は、Ｙの組成比を１０原子％とした場合におい
て、窒素の添加量に対する熱処理前後でのそれぞれ保磁
力Ｈｃの変化、及び熱処理前の磁歪λの変化を示す図で
ある。

【００２４】図２及び図３より、Ｙが何れの組成比を有
する場合でも、窒素の組成比がＹの組成比とほぼ等しく
なる時に、最も保磁力Ｈｃが小さくなることが判った。 また、図３に示すように、窒素が添加されると、磁歪λ
が極めて小さくなった。特に、窒素の組成比が２原子％
の時やＹの組成比とほぼ等しくなる時に、磁歪λがほぼ
０になり、良好な軟磁気特性を実現することができる。

【００２５】次に、Ｃｏ−Ｚｒ−Ｙ系軟磁性膜における
窒素の効果を検討した。 実験例３ 窒素が添加されたＣｏ８８Ｚｒ２　Ｙ４　Ｎ６　なる組
成を有する軟磁性膜と、窒素を含まないＣｏ９４Ｚｒ２
Ｙ４　なる組成を有する軟磁性膜を用い、これら軟磁性
膜を一定時間熱処理して、各軟磁性膜の保磁力Ｈｃの熱
処理温度依存性を調べた。その結果、図５に示すように
、Ｃｏ９４Ｚｒ２　Ｙ４　なる組成を有する軟磁性膜に
比べて、窒素が添加されたＣｏ８８Ｚｒ２　Ｙ４　Ｎ６
　なる組成を有する軟磁性膜では、熱処理温度を上げて
も保磁力Ｈｃの変化は極めて小さく、熱処理温度を６５
０℃とした場合でも、０．１Ｏｅ程度の低保磁力Ｈｃを
示した。従って、窒素を添加することにより、軟磁性膜
の耐熱性が著しく改善されることが明らかとなった。

【００２６】実験例４ 上記実験例１でスパッタ用のターゲットとして使用した
Ｃｏ９０Ｙ１０２元系合金をＣｏ９０Ｚｒ３　Ｙ７　３
元系合金に代えて、上記スパッタ条件にてスパッタを行
って、軟磁性膜を成膜した。なお、スパッタガス中のＮ
２　ガス分圧は１．４×１０−４Ｔｏｒｒとした。そし
て、得られた軟磁性膜を真空中で約１時間熱処理した。 この軟磁性膜を用いて、熱処理後の軟磁性膜の保磁力Ｈ
ｃ（Ｏｅ）と熱処理温度（℃）との関係を調べた。その
結果を図４に示す。

【００２７】図４に示すように、６００℃以上の高い温
度で熱処理を行った場合でも、保磁力Ｈｃの劣化は僅か
であり、熱処理温度を６５０℃とした時でも、０．２Ｏ
ｅ以下の低保磁力Ｈｃを維持することが判った。このよ
うな軟磁性膜は、熱処理前には非晶質であるが、熱処理
を施すことによって結晶粒径の小さい微結晶が生成され
ると考えられる。しかし、何れの状態においても軟磁性
は変わらず、熱処理前及び熱処理後の飽和磁束密度Ｂｓ
は１４ＫＧａｕｓｓであった。

【００２８】ここで、様々な組成を有する軟磁性膜を作
製し、これら軟磁性膜の組成と熱処理後の軟磁気特性，
或いは耐熱性の関係を調べた。 実験例５ 先ず、組成の異なるＣｏ−Ｚｒ−Ｙ３元系合金をスパッ
タ用のターゲットとして用い、スパッタガス中にＮ２　
ガスを導入しながらスパッタを行って、（Ｃｏ，Ｚｒ，
Ｙ）９１〜８９　Ｎ９〜１１なる組成を有する各種軟磁
性膜を作製した。そして、上記軟磁性膜をそれぞれ５５
０℃にて熱処理し、熱処理後の飽和磁束密度Ｂｓ及び保
磁力Ｈｃをそれぞれ測定した。図６に上記軟磁性膜の組
成と熱処理後の飽和磁束密度Ｂｓを示し、図７に上記軟
磁性膜の組成と熱処理後の保磁力Ｈｃを示す。

【００２９】図６から、Ｚｒの添加量が多い組成範囲で
は、良好な飽和磁束密度Ｂｓを有する膜が得られにくく
、１３ＫＧａｕｓｓを越える飽和磁束密度Ｂｓを実現す
るためには、Ｚｒの添加量が５原子％よりも少ないこと
が必要であることが判った。また、図７に示すように、
本発明における組成範囲を満たしている軟磁性膜につい
ては、５５０℃で熱処理しても、低保磁力Ｈｃを維持し
ていることができることが明らかにされた。また、Ｃｏ
：Ｚｒ＝９４．６：５．４やＣｏ：Ｙ＝９４．４：５．
６の組成を有する軟磁性膜では、窒素の添加量が一定で
ある場合には低保磁力Ｈｃが得られないことから、Ｙや
Ｚｒは軟磁気特性の向上に寄与していることが判る。

【００３０】また、表２に示す組成を有する軟磁性膜を
５５０℃にて熱処理し、熱処理前後における各軟磁性膜
の保磁力（Ｏｅ）及び飽和磁束密度Ｂｓ（ＫＧａｕｓｓ
）を測定した。この結果を表２に示す。

【表２】

【００３１】表２より、本発明を適用した軟磁性膜につ
いては、低保磁力Ｈｃ，高飽和磁束密度Ｂｓを有してお
り、更にこれら軟磁気特性は高温で熱処理を行っても、
良好な値を維持していることが判った。これに対して、
Ｃｏ９５Ｚｒ３　Ｙ１　Ｎ１　のように、窒素の添加量
が十分でないと、耐熱性の改善を期待することは難しい
。また、Ｃｏ９５Ｚｒ３　Ｎ２　の結果より、Ｙは低保
磁力化に寄与していることが判る。更に、Ｃｏ８３Ｔｉ
７　Ｙ４　Ｎ６　のように、添加元素Ｔｉの割合が多す
ぎると、飽和磁束密度Ｂｓの低下が著しい。

【００３２】更に、ＣｏＬＹＮ系軟磁性膜（ＬはＮｂや
Ｚｒ，Ｈｆ等の添加元素）に対してＦｅやＮｉ，Ｍｎ等
の遷移元素を加えて表３に示す軟磁性膜を作製し、これ
ら軟磁性膜について５００℃の熱処理前後における各軟
磁性膜の保磁力（Ｏｅ）及び飽和磁束密度Ｂｓ（ＫＧａ
ｕｓｓ）を測定した。この結果を表３に示す。

【表３】

【００３３】表３に示すように、強磁性材料としてＣｏ
だけでなくＦｅを添加することにより、高飽和磁束密度
を得ることができる。但し、この場合、Ｆｅの添加量が
多すぎると、磁歪が大きくなってしまう。また、Ｎｉの
添加は、耐食性の改善に有効で、磁歪の変化も小さいが
、飽和磁束密度Ｂｓが低下する傾向にある。また、Ｃｏ
とともにＭｎを添加した場合でも、磁歪の変化が少なく
、飽和磁束密度Ｂｓが減少する傾向が見られる。

【００３４】また、各種添加元素が添加された軟磁性膜
を作製し、耐食性に対する添加元素の効果を検討した。 実施例７ 各種合金ターゲットを用いて、Ｎ２　ガスとＡｒガスの
混合ガスよりなるスパッタガス中で成膜を行い、表４に
示す組成を有する軟磁性膜を膜厚３μｍとなるように作
製した。なお、スパッタ条件は上記実施例１と同様の条
件とした。そして、得られた軟磁性膜及びこれら軟磁性
膜と同様の手法により作製したＣｏ８０Ｆｅ４　Ｚｒ３
　Ｙ３　Ｎ４　Ｐｄ６　なる組成を有する軟磁性膜を用
いて、耐食性を調べた。即ち、温度２０℃の飽和食塩水
中で２００時間放置した後、これら軟磁性膜の表面状態
を観察し、放置後変化が見られなかった状態を○、表面
に変色が生じた状態を△、腐食による孔が発生した状態
を×として、この結果を表４に示した。

【表４】

【００３５】表４から明らかなように、Ｃｏ８７Ｆｅ４
　Ｚｒ２．５　Ｙ２．５　Ｎ４　膜やＣｏ８０Ｆｅ４　
Ｚｒ３　Ｙ３　Ｎ４　Ｐｄ６　膜では、腐食による孔や
変色が生じたのに対して、本発明を適用した軟磁性膜で
は、放置後にも変化が見られなかった。従って、所定の
割合でＣｒ，Ｖ，Ａｌ，Ｓｉ等の添加元素を添加するこ
とにより、耐食性を向上させることができる。

【００３６】

【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明の軟磁性膜では、Ｃｏ，Ｆｅ，Ｎｉ，Ｍｎの少なくと
も１種とＹ等の金属元素を主体とする非晶質材料に窒素
が添加されているので、磁歪を正から負の範囲で制御す
ることができる。従って、磁歪が０となる組成が存在す
るので、優れた軟磁気特性を有する軟磁性膜を提供する
ことができる。また、本発明の軟磁性膜は、優れた耐熱
性を有しているので、高温で熱処理を行っても軟磁気特
性の劣化が小さい。従って、このような軟磁性膜は、ギ
ャップ接合におけるガラス融着を必要とする，所謂メタ
ル・イン・ギャップ型の磁気ヘッドのコア材として使用
しても好適である。

【００３７】更に、本発明の軟磁性膜においては、Ｃｒ
，Ｖ，Ａｌ，Ｓｉ等の添加元素が添加されているので、
耐食性を向上させることができ、実用性に優れた軟磁性
膜を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】ＣｏＹＮ系軟磁性膜におけるスパッタガス中の
Ｎ２　ガス分圧と磁歪λの関係を示す特性図である。

【図２】ＣｏＹＮ系軟磁性膜におけるＹの割合による保
磁力Ｈｃの窒素依存性の相違を示す特性図である。

【図３】ＣｏＹＮ系軟磁性膜における膜中の窒素の組成
比に対する保磁力Ｈｃ及び磁歪λの変化を示す特性図で
ある。

【図４】ＣｏＺｒＹＮ系軟磁性膜における熱処理温度と
保磁力Ｈｃの関係を示す特性図である。

【図５】ＣｏＺｒＹＮ系軟磁性膜における熱処理温度と
保磁力Ｈｃの関係をＣｏＺｒＹ系軟磁性膜との比較にお
いて示す特性図である。

【図６】ＣｏＺｒＹＮ系軟磁性膜における飽和磁束密度
Ｂｓの組成依存性を示す３元組成図である。

【図７】ＣｏＺｒＹＮ系軟磁性膜における保磁力Ｈｃの
組成依存性を示す３元組成図である。

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】　　Ｍａ　Ｙｘ　Ｎｙ　（但し、式中Ｍは
   Ｃｏ，Ｆｅ，Ｎｉ，Ｍｎの少なくとも１種を表し、ａ，
   ｘ，ｙはそれぞれ各元素の割合を原子％で表す。）なる
   一般式で表され、その組成範囲が ７０＜ａ＜９７ ２＜ｘ＜２０ １＜ｙ＜２０ であることを特徴とする軟磁性膜。
2. 【請求項２】　　Ｍａ　Ｌｂ　Ｙｘ　Ｎｙ　（但し、式
   中ＭはＣｏ，Ｆｅ，Ｎｉ，Ｍｎの少なくとも１種を表し
   、ＬはＮｂ，Ｚｒ，Ｔａ，Ｈｆ，Ｍｏ，Ｔｉ，Ｗの少な
   くとも１種を表す。また、ａ，ｂ，ｘ，ｙはそれぞれ各
   元素の割合を原子％で表す。）なる一般式で表され、そ
   の組成範囲が ７０＜ａ＜９７ １＜ｂ＜１５ １＜ｘ＜５ １＜ｙ＜２０ であることを特徴とする軟磁性膜。
3. 【請求項３】　　Ｍａ　Ｌｂ　Ｙｘ　Ｎｙ　Ｊｚ　（但
   し、式中ＭはＣｏ，Ｆｅ，Ｎｉ，Ｍｎの少なくとも１種
   を表し、ＬはＺｒ，Ｔａ，Ｈｆ，Ｍｏ，Ｔｉ，Ｗの少な
   くとも１種を表し、ＪはＣｒ，Ｖ，Ａｌ，Ｓｉの少なく
   とも１種を表す。また、ａ，ｂ，ｘ，ｙ，ｚはそれぞれ
   各元素の割合を原子％で表す。）なる一般式で表され、
   その組成範囲が ７０＜ａ＜９６ ０≦ｂ＜２０ ０≦ｘ＜２０ １＜ｂ＋ｘ＜２０ １＜ｙ＜２０ １＜ｚ＜１０ であることを特徴とする軟磁性膜。