JPH0410402A - 軟磁性薄膜とその製造方法並びに磁気ヘッド - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、磁気録画再生装置（ＶＴＲ）、磁気録音再往
装置等の磁気記録再生装置における磁気ヘッド等に用い
られる軟磁性薄膜とその製造方法並びに磁気ヘッドに関
するものである。

従来の技術 近年の磁気記録分野における高密度記録化の要求に対し
て、高保磁力媒体に対応した高性能磁気ヘッドの開発が
進められている。磁気ヘッドの特性は、それに使用する
コア材料の材料特性に密接に関連しており、磁気ヘッド
の高性能化に向けて、高い飽和磁束密度を有し、熱的に
安定な優れた軟磁気特性を有すると共に、耐食性、及び
耐摩耗性に優れた高性能軟磁性薄膜が要求されている。

このような要求に対し、フェライトの飽和磁束ｉ度は約
０．５７、パーマロイ、センダスト、Ｃ。

系非晶質材料でも約ＩＴ前後と低く、これら従来の材料
では飽和磁束密度に限界が有る。

一方、Ｆｅ−３ｉ／Ｎｉ−Ｆｅ、Ｆｅ−Ｃ／Ｎｉ−Ｆｅ
、Ｆｅ／５ｉｎ２、Ｆｅ−ＡＩ−Ｎ／Ｓｉ　−Ｎ等の様
に数十〜数百人の異種類の磁性膜、あるいは非磁性膜と
を交互に積層した多層膜は、高飽和磁束密度を有すると
共に、熱的に安定な良好な軟磁気特性を示すことが知ら
れている。そして、これら多層膜の高飽和磁束密度、優
れた軟磁気特性はＦｅ主成分の微細結晶粒組織に起因し
ていると考えられている。

しかしながら、これら多層膜を磁気ヘッドコア材料とし
て用いる場合、数十〜数百人の異種類の極薄膜を交互に
積層し、総膜厚数μｍ〜数十μｍ形成する必要があるた
め、成膜プロセスが繁雑であり、また、各層が異種類の
極薄膜であるため膜厚制御が困難であり、成膜速度を速
くすることが出来ず、量産性に問題がある。

最近、量産性に問題のある多層化によらず、単層膜の状
態で結晶粒の微細化を図り、高飽和磁束密度、及び熱的
安定性に優れた軟磁性を実現する目的で、種々の研究が
なされはじめた。その一つとして、Ｆｅ−Ｎ膜が研究さ
れている。しかし、このＦｅ−Ｎ膜は３５０°Ｃ以上の
熱処理で軟磁気特性が象、激に劣化し、軟磁気特性の熱
的安定性に問題がある事が知られている。そこで、この
Ｆｅ−Ｎ膜の熱安定性の向上を図る試みとして、微量の
Ｎを添加したＦｅ−Ｎ膜にＺｒ、Ｔｉを１原子％微量添
加した膜（第１３回日本応用磁気学会学術講演概要集　
２４ｐ　Ｆ　−２（１９８９））の研究がなされている
。

発明が解決しようとする課題 ところが、上記のような１原子％程度の微量のＺｒ、Ｔ
ｉ、及び微量のＮを添加したＦｅ−Ｎ膜を磁気ヘッドコ
ア材料として用いた場合、前記膜中に耐食性、耐摩耗性
に効果のあるＺｒ、Ｔｉ、Ｎ元素の含有量が極めて微量
であるため、この磁気ヘッドが磁気記録媒体との相対速
度の速い高品位ＶＴＲ等の磁気ヘッドとして供され、か
っこのＶＴＲに磁気ヘッドに対して研削性の強い磁気記
録媒体が使用される場合、前記軟磁性’７９４膜の耐摩
耗性、及び−高湿下での使用における耐食性に問題を生
じる。

また、最近の高密度記録化の著しい進展に伴って、磁気
ヘッドコア材料として、更に優れた軟磁気特性を有する
軟磁性薄膜が求められている。このような点から、上記
のような１原子％程度の微量のＺｒ５Ｔｉ及び微量のＮ
を添加したＦｅ−Ｎ膜では、軟磁気特性上不十分である
と共に、熱的安定性に問題がある。

従って、更に一層、耐摩耗性、耐食性、及び軟磁気特性
に優れた高性能軟磁性薄膜の開発が求められている。ま
た、このような軟磁性薄膜を再現性良く、量産性良く、
生産性高く製造するための適切な製造方法、及び前記高
性能軟磁性薄膜を磁気ヘッドコア材料として使用した磁
気ヘッドが求められている。

本発明は上述の問題点を解決するためになされたもので
あり、優れた耐摩耗性、耐食性を有すると共に、更に優
れた軟磁気特性とその熱的安定性、及び高飽和磁束密度
を有する鉄系単層窒化合金から成る軟磁性薄膜とこのよ
うな軟磁性薄膜を生産性高く製造するための適切な製造
方法、及び前記軟磁性薄膜を磁気ヘッドコア材料として
用いた磁気ヘッドを提供しようとするものである。

課題を解決するための手段 本発明者は、Ｆｅの高い飽和磁束密度と窒化物特有の優
れた耐摩耗性、耐食性に着目し、高飽和磁束密度を有し
、優れた軟磁気特性を有すると共にその熱的安定性の優
れ、耐食性、及び耐摩耗性に優れた高性能軟磁性薄膜を
開発するため、Ｆｅを主成分とし、Ｎを含むと共に、Ｉ
Ｖａ族元素のＴｉ、、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖａ族元素のＶ、Ｎ
ｂ、Ｔａ、Ｖｌａ族元素のＣｒ、Ｍｏ、Ｗ、ＶＩＩａ族
元素のＭｎの群における１種もしくは２種以上の元素を
含む系の合金薄膜について鋭意研究を行ったところ、前
記合金薄膜の組成が特定の範囲にあるとき優れた軟磁気
特性（低い保磁力、高い透磁率）を呈するという事実を
見いだし請求項（１）の発明に至った。

特に、Ｆｅを主成分とし、Ｎ、Ｚｒを含むと共に、Ｔｉ
、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ元素の少なくとも１種の元素を含む
系の軟磁性合金薄膜は、特定の組成範囲において、更に
優れた軟磁気特性とその熱的安定性、及び高い飽和磁束
密度を有すると共に、更に優れた耐摩耗性、耐食性を併
せ持つという事実を見いだし請求項（２）の発明に至っ
た。

請求項（３）の発明に係る軟磁性薄膜の製造方法は、成
膜速度は遅いが、装置が安価で膜の組成制御が容易であ
るという長所をもつスパッタ法によるものである。第５
図に示すように、磁路の大部分をフェライ目７で構成し
、磁気的に飽和しやすいギヤツブ１８近傍部にのみ軟磁
性薄膜１９を設けた磁気ヘッド（Ｍ　ｒ　Ｇヘッドと呼
ばれている）等のように比較的薄い膜厚（数μｍ以下）
の軟磁性薄膜を形成する場合に適している。前記スパッ
タ法はＡｒガス中にＮ２ガスを混入させた反応性スパッ
タ法、あるいは窒化物をターゲットに用いたスパッタ法
であり、直流または高周波による二極、三極、マグネト
ロン方式のスパッタ法、およびバイアススパッタ法、イ
オンビームスパッタ法である。

請求項（４）の発明に係る軟磁性薄膜の製造方法は、ス
パッタ法に比べ成膜速度が速く、ハツチ処理量が大きく
採れる電子ビーム蒸着法によるものである。第６図に示
すように、非磁性基板２０で軟磁性薄膜２１が挟持され
、軟磁性薄膜２１によって磁路が形成されるタイプのバ
ルク薄膜型の磁気ヘッド等のように、比較的厚い膜厚（
数μｍ〜数十μｍ）の軟磁性薄膜を大量に形成する場合
に適している。

請求項（５）の発明に係る磁気ヘッドは、信顛性高く、
高密度記録を達成するために、高い飽和磁束密度と優れ
た軟磁気特性を有すると共に耐食性、及び耐摩耗性に優
れた本発明の軟磁性薄膜を磁気ヘッドコア材料として用
いたものである。

作用 請求項（１）の発明の構成によれば、Ｆｅを主成分とし
、Ｎを含むと共に、ＩＶａＶａ族元素ｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、
Ｖａ族元素のＶ、Ｎｂ、、Ｔａ、Ｖｌａ族元素のＣｒ、
Ｍｏ、Ｗ、ＶＩＩａ族元素のＭｎ０群における１種もし
くは２種以上の元素を含む系の軟磁性合金薄膜の組成が
特定の範囲にあるものであるから、前記軟磁性薄膜は、
優れた軟磁気特性とその熱的安定性、及び高飽和磁束密
度を有すると共に、優れた耐摩耗性、耐食性を併せ持つ
ことが出来る。

特に、請求項（２）の発明の構成によれば、Ｆｅを主成
分とし、Ｎ、Ｚｒを含むと共に、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃ
ｒ元素の少なくとも１種の元素を含む系の特定の組成範
囲の軟磁性合金薄膜であるから、更に優れた軟磁気特性
、高飽和磁束密度を有すると共に、優れた耐摩耗性、耐
食性を併せ持つことが出来る。

請求項（３）の発明の構成によれば、装置が安価で膜の
組成制御が容易であるスパッタ法によるものであるから
、比較的薄い膜厚（数μｍ以下）の軟磁性薄膜を少量生
産する場合に生産性を高める。

請求項（４）の発明の構成によれば、スパッタ法に比べ
成膜速度が速く、バッチ処理量が大きく採れる電子ビー
ム蒸着法によるものであるから、比較的厚い膜厚（数μ
ｍ〜数十μｍ）の軟磁性薄膜を大量に形成する場合に生
産性を高める。

請求項（５）の発明の構成によれば、高い飽和磁束密度
と優れた軟磁気特性とその熱的安定性を存すると共に、
優れた耐摩耗性、耐食性を併せ持つ前記軟磁性薄膜を磁
気ヘッドコア材料として使用した磁気ヘッドであるから
、信転性の高い磁気へ・７ＦｅＺｒのターゲットを用い
、Ａｒガス中にＮ２ガスを導入し、Ｎ２分圧２．５％で
反応性スパッタ法により、第１表のＮｏ、　１〜Ｎｏ、
　４の膜組成を有する膜厚２μｍの軟磁性薄膜を形成し
、これらの軟磁性薄膜を真空中、回転磁場中で、２００
〜５５０°Ｃの範囲で１時間の熱処理を行った。５００
°Ｃの熱処理後のこれらの軟磁性薄膜の保磁力Ｈｃ、及
び飽和磁束密度Ｂｓを測定し、膜中Ｚｒ含有量に対して
プロットしたところ第１図に示すように、保磁力Ｈｃは
、Ｚｒ含有量の増加と共に減少し、Ｚｒ含有量約９〜１
２原子％の範囲で０．２０．以下（ＩＭ七における実効
透磁率５０００以上）の優れた軟磁気特性を示し、Ｚｒ
含有量約７原子％でも０．８０゜の低い保磁力を示す、
飽和磁束密度Ｂｓは、Ｚｒ含有量約９原子％まで１．７
Ｔ以上の高い値を示し、Ｚｒ含有量約１２原子％でも約
１．６　Ｔの値を示すが、Ｚｒ含有量約３０原子％以上
ではＦｅ含有量が減少し、飽和磁束密度が低下するので
好ましくなかった。

第１表 より、いずれの軟磁性薄膜も４００’Ｃ以上の熱処理温
度に対して保磁力Ｈｃは一定の値を示し、膜の軟磁気特
性は熱的安定性に優れていることが分かった。

次に、同様の反応性スパッタ法により、Ｎ２分圧０．５
〜１０％の範囲で膜厚２ｕｍのＦｅ−ＺｒＮ膜を形成し
た。これらの軟磁性薄膜の膜組成と真空中、回転磁場中
での熱処理後の保磁力Ｈｃの測定結果を第２表に示す。

第２表に示すように、膜中Ｎ含有量１〜２０原子％、Ｚ
ｒ含有量３原子％以上の範囲において、良好な保磁力Ｈ
ｃを示すことを確認した。

第２表 前記第１表のＮｏ、１（膜組成Ｆｅ８８原子％、Ｚｒ７
原子％、Ｎ５原子％、以下Ｆ　ｅｆｆｅＺ　ｒ　？　Ｎ
ｓのように示す）　、Ｎｏ、２　（Ｆ　ｅｓｂＺ　ｒｑ
　ＮＳ　）及びＮ。

３　（Ｆ　ｅｅ、、Ｚ　ｒ１２Ｎ５　）の軟磁性薄膜の
熱処理温度に対する保磁力Ｈｃの変化を第２図に示す。

図なお、本実施例ではＦｅ−Ｚｒ−Ｎ膜について説明し
たが、前記以外のＦｅを主成分としＮを１〜２０原子％
含むと共に、ＴＶａＶａ族元素ｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖａ族
元素のＶ、Ｎｂ、、Ｔａ、Ｖｌａ族元素のＣｒ、Ｍｏ、
Ｗ、ＶＩＩａ族元素のＭｎの群における１種もしくは２
種以上の元素を３〜３０原子％含む組成を有する鉄系単
層窒化合金から成る軟磁性薄膜でも同様の効果を有する
。また、前記スパッタ法はＡｒガス中にＮ２ガスを混入
させた反応性スパッタ法に限るものではなく、窒化物を
ターゲットに用いたスパッタ法、直流または高周波によ
る二極、三極、マグネトロン方式のスパッタ法、および
バイアススパッタ法、イオンビームスパッタ法において
も同様の効果を有する。

次に、上記の鉄系単層窒化合金から成る軟磁性薄膜につ
いて、耐摩耗性試験を行った。その結果を第３表に示す
。この試験では、微量のＺｒ、及びＮを添加したＦｅ−
Ｎ膜（Ｆ　ｅ＊６Ｚ　ｒ、Ｎ、）との摩耗量を相対比較
した。試験に際しては、第４図に示すように、基板１４
の曲面１４ａに前記鉄系窒化合金から成る軟磁性薄膜Ｉ
５を形成し、ダミーヘッド１６を作製した。そして、鉄
系単層窒化合金膜１５の表面にメタルテープを摺接させ
、鉄系窒化合金膜１５の摩耗量を測定した。

第３表 第３表の結果より、ＮあるいはＺｒ含有量の増加と共に
耐摩耗性は向上している。また、Ｎｂ。

’ｌ’ｉ、　Ｔａ、Ｃｒ元素の少なくとも１種の元素を
含有することにより、更に、１ｌｉ１摩耗性は向上して
いる。

上記の例では、Ｎｂ、Ｔｉ、Ｔａ、、Ｃｒ元素を単独に
使用した場合を示しているが、上記の元素を複数種類同
時に１〜ｌＯ原子％含有する場合であっても同様に耐摩
耗性を向上する二゛とができる。

次に、上記の鉄系単層窒化合金から成る軟磁性薄膜につ
いて、耐食性試験を行った結果を以下に示す。この試験
では、室温にて、５％のＮａＣｌ水溶液に２４時間浸漬
し腐食状態を調べた。Ｆｅ、。

Ｚｒ、Ｎ、、Ｆ　ｅ７．Ｔ　ｉ　、Ｎ２膜は、点状に腐
食が生じたが、Ｆｅを主成分としＮを１〜２０原子％、
Ｚｒを３〜２０原子％含むと共に、Ｎｂ、Ｔｉ、Ｔａ、
Ｃｒ元素の少なくとも１種の元素を１〜１０原子％含む
組成を有する鉄系単層窒化合金膜においてはいずれの膜
も腐食は生じなかった。この結果より、前記鉄系単層窒
化合金膜は耐食性が向上していることが分かった。

なお、前記以外のＦｅを主成分としＮを１〜２０原子％
含むと共に、ＩＶａＶａ族元素ｉ、　Ｚｒ、　Ｈｆ、Ｖ
ａ族元素のＶ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｖｌａ族元素のＣｒ、Ｍｏ
、Ｗ、ＶＩＩａ族元素のＭｎの群における１種もしくは
２種以上の元素を３〜３０原子％含む組成を有する鉄系
単層窒化合金から成る軟磁性薄膜でも同様、耐食性及び
耐摩耗性向上の効果を有する。

実施例２ 本発明に関する軟磁性薄膜はＦｅを主成分としＮを１〜
２０原子％含むと共に、ＩＶａＶａ族元素ｉ、Ｚｒ、Ｈ
ｆ、Ｖａ族元素のＶ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｖｉａ族元素のＣｒ
、Ｍｏ、Ｗ１ＶＩＩａ族元素のＭｎの群における１種も
しくは２種以上の元素を３〜３０原子％含む組成を有し
ている。

上記の軟磁性薄膜を第３図に示すイオンガン併用の電子
ビーム蒸着装置により膜厚２μｍに作成した。以下、第
３図に基づいて説明する。

真空容器としての真空ベルジャ１内の上部に、結晶化ガ
ラスあるいはセラミックス等から成り、蒸着膜の形成さ
れる複数の基板２が藤着面を下方に向けて円弧状の基板
ホルダー３に並設されている。また、前記基板ホルダー
３には基板ホルダー３を回転する為のモーターに連動し
たシャフト４が設けられており、基板ホルダー３はシャ
フト４を中心として回転している。真空ベルジャ１内の
下部には電子銃としての電子ビーム発生用フィラメント
５，６が左右の対称位置に配されており、各電子ビーム
発生用フィラメント５，６から発生される電子ビーム５
ａ、６ａの照射位置、即ち両型子ビーム発生用フィラメ
ント５，６間に、各フィラメント５．６と対応するるつ
ぼ７，８が左右対称に配されている。一方のるつぼ７内
には、蒸発源材料としての鉄９が配され、他方のるつぼ
８内には鉄以外の蒸発源材料１０が配されている。前記
蒸発源材料１０はＩＶａＶａ族元素ｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ
ａ族元素のＶ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｖｌａ族元素のＣｒ。

Ｍｏ、Ｗ、ＶＩＩａ族元素のＭｎの群における１種もし
くは２種以上の元素を高周波溶解炉等にて溶融すること
により作製した合金インゴットから成る。

また、真空ベルジャ１内における基板ホルダー３とるつ
ぼ７，８との間には、開閉可能であり、閉成動作時に上
記の蒸発源材料９，１０の蒸気が基板２へ達するのを規
制するシャッタ１１が設けられている。また、真空ベル
ジヤ１内側面には、イオンガン１２が併設されており、
窒素ガスを導入し、窒素イオンビーム１３を作り出す。

上記の構成において、電子ビーム蒸着装置が作動すると
、電子ビーム発生用フィラメント５，６から電子ビーム
５ａ、６ａが発生し、これら電子ビーム５ａ、６ａはる
つぼ７．８に配された蒸発源材料９．１０に照射される
。このときシャッタ１１は開成されている。電子ビーム
５ａ、６ａが照射されると、蒸発源材料９．ＩＯは蒸気
となる。この蒸気は蒸気流となり基板２に達し、基板２
の表面に付着する。この時、同時にイオンガン１２で放
出された窒素イオンビーム１３も基板２に達し、鉄系単
層窒化合金から成る軟磁性薄膜が形成される。

本実施例において作成した前記軟磁性薄膜は、実施例１
と同様の効果を有していることを確認出来た。

なお、本実施例においては、蒸発源材料９．１０に個々
に対応する電子ビーム発生用フィラメント５．６の設け
られた構成となっているが、この電子ビーム発生用フィ
ラメント５，６を１個とし、この１個のフィラメントか
ら発生される電子ビームを蒸発源材料９．１０に対して
微小時間間隔にて交互に照射させる方式とすることも可
能である。

実施例３ 第５図に示した構造の磁気ヘッド（Ｍ　Ｉ　Ｇヘッド）
の軟磁性薄膜１９部分に実施例１あるいは実施例２で作
成した飽和磁束密度１．５Ｔの鉄系単層窒化合金から成
る軟磁性薄膜を用いてＭＩＧヘッドを作製した。前記鉄
系単層窒化合金から成る軟磁性薄膜の膜厚（第５図中り
、Ｍ）は各々５μｍとし、ギャップ長０．１５μｍ、ト
ラック幅５μｍ、ギャップデプス２０μｍ１コイルの巻
き数は２２ターンとした。また、比較として、飽和磁束
密度１．１Ｔのセンダスト膜を軟磁性薄膜１９部分に用
いて前記同様の構造のＭＩＧヘッドを作製し、Ｃｏ−Ｃ
ｒ単層媒体（厚み０．２μｍ、Ｈｃ　（上）＝１３００
０ｅ、Ｈｋ＝５ＫＯｅ）での記録再生特性を調べた。周
速３　ｍ／ｓｅｃで自己録再で行った。その結果、本発
明の鉄系単層窒化合金から成る軟磁性薄膜を磁気ヘッド
コア材料として用いた磁気ヘッドは、センダスト膜を磁
気ヘッドコア材料として用いた磁気ヘッドに比べて約３
ｄＢの再生出力の増加が得られた。

発明の効果 請求項（］）の発明によれば、熱的に安定な優れた軟磁
気特性と高飽和磁束密度を有すると共に、優れた耐摩耗
性、耐食性を併せ持つ軟磁性薄膜を提供することが出来
、本発明の軟磁性薄膜を使用する磁気ヘッドは、例えば
、磁気記録媒体と速い相対速度で摺動する高品位ＶＴＲ
等に好適である。

請求項（２）の発明によれば、請求項（１）の発明によ
る軟磁性薄膜よりも、更に優れた軟磁気特性、高い飽和
磁束密度を有すると共に、優れた耐摩耗性、耐食性を併
せ持つ軟磁性薄膜を提供することが出来る。

請求項（３）の発明によれば、比較的薄い膜厚（数μｍ
以下）の軟磁性薄膜を少量生産する場合に生産性を高め
ることができる。

請求項（４）項の発明によれば、比較的厚い膜厚（数μ
ｍ〜数十μｍ）の軟磁性薄膜を大量に形成する場合に生
産性を高めることができる。

請求項（５）の発明によれば、熱的に安定な優れた軟磁
気特性と高い飽和磁束密度を有すると共に、優れた耐摩
耗性、耐食性を併せ持つ軟磁性薄膜を磁気ヘッドコア材
料として使用した磁気ヘッドであるから、信頼性の高い
磁気ヘッドで高密度記録を達成することが出来る。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例で作成した軟磁性薄膜の膜中
Ｚｒ含有量に対する保磁力Ｈｃ、及び飽和磁束密度Ｂｓ
の変化を示す図、第２図は本発明の実施例で作成した軟
磁性薄膜の熱処理温度に対する保磁力Ｈｃの変化を示す
図、第３図は本発明の一実施例の説明に供する電子ビー
ム蒸着装置の模式構成図、第４図は耐摩耗性測定用のダ
ミーヘッドを示す斜視図、第５図、及び第６図は従来提
供されている磁気ヘッドの概略図である。 １・・・・・・真空ベルジャ、２・・・・・・基板、３
・・・・・・基板ホルダー　４・・・・・・シャフト、
５．６・・・・・・ｔ　子ビーム発生用フィラメント（
電子銃）、７．８・・・・・・るつぼ、９・・・・・・
蒸発源材料としての鉄、１０・・・・・・鉄以外の蒸発
源材料、１１・・・・・・シャッタ、１２・・・・・・
イオンガン、１３・・・・・・窒素イオンビーム、Ｉ４
・・・・・・基板、１５・・・・・・軟磁性薄膜、１６
・・・・・・ダミーヘッド、１７・・・・・・フェライ
ト、１８・・・・・・ギャップ、１９・・・・・・軟磁
性薄膜、２０・・・・・・非磁性基板、２１・・・・・
・軟磁性薄膜、２２．２３・・・・・・ガラス。 代理人の氏名　弁理士　粟野重孝　はか１名第 図 ７ｒｔＴ’＋ｔ　（ａｔ％） 弔 図 熱 列 理 １度 （’Ｃ）

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. （１）Ｆｅを主成分としＮを１〜２０原子％含むと共に
   、IVａ族元素のＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖａ族元素のＶ、Ｎ
   ｂ、Ｔａ、VIａ族元素のＣｒ、Ｍｏ、Ｗ、VIIａ族元素
   のＭｎの群における１種もしくは２種以上の元素を３〜
   ３０原子％含む組成を有することを特徴とする鉄系単層
   窒化合金から成る軟磁性薄膜。
2. （２）Ｆｅを主成分としＮを１〜２０原子％、Ｚｒを３
   〜２０原子％含むと共に、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ元素
   の少なくとも１種の元素を１〜１０原子％含む組成を有
   することを特徴とする鉄系単層窒化合金から成る軟磁性
   薄膜。
3. （３）請求項（１）または（２）のいずれかに記載の軟
   磁性薄膜をスパッタ法により形成することを特徴とする
   鉄系単層窒化合金から成る軟磁性薄膜の製造方法。
4. （４）請求項（１）または（２）のいずれかに記載の軟
   磁性薄膜を電子ビーム蒸着法により形成することを特徴
   とする鉄系単層窒化合金から成る軟磁性薄膜の製造方法
   。
5. （５）請求項（１）または（２）のいずれかに記載の軟
   磁性薄膜を磁気ヘッドコア材料として用いたことを特徴
   とする磁気ヘッド。