JPH06131713A - 光磁気ディスクおよびその製造方法 - Google Patents
光磁気ディスクおよびその製造方法Info
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- JPH06131713A JPH06131713A JP28266292A JP28266292A JPH06131713A JP H06131713 A JPH06131713 A JP H06131713A JP 28266292 A JP28266292 A JP 28266292A JP 28266292 A JP28266292 A JP 28266292A JP H06131713 A JPH06131713 A JP H06131713A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、信頼性に優れ、かつ短波長記録を
可能にする光磁気ディスクを提供することを目的とす
る。 【構成】 ディスク基板上に、ＮａＣｌ型結晶構造の酸
化物薄膜を形成し、その酸化物薄膜上に、ディスク基板
表面に対して垂直方向に柱状構造を有したコバルトフェ
ライト薄膜を形成し、このコバルトフェライト薄膜上に
反射膜を形成した構造の光磁気ディスク。
可能にする光磁気ディスクを提供することを目的とす
る。 【構成】 ディスク基板上に、ＮａＣｌ型結晶構造の酸
化物薄膜を形成し、その酸化物薄膜上に、ディスク基板
表面に対して垂直方向に柱状構造を有したコバルトフェ
ライト薄膜を形成し、このコバルトフェライト薄膜上に
反射膜を形成した構造の光磁気ディスク。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光磁気ディスクおよびそ
の製造方法に関するものである。
の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】現在一般的に普及している高密度のディ
スクメモリーは磁気ディスクである。これは、記録、再
生、消去が可能であるためさまざまな分野で利用されて
いる。しかし、磁気ヘッドと記録媒体とが接触に近い状
態にあるため損傷に対する信頼性に欠けるといった大き
な欠点がある。一方、最近急速に発展してきた光ディス
クは、非接触で高密度記録を可能にするといった磁気デ
ィスクに無い大きな特徴を持っている。しかし、光ディ
スクメモリーは、磁気ディスクのように書換機能がない
といった欠点がある。書換可能だが高密度化に限界があ
り、非接触に近い状態にある磁気ディスクと非接触であ
るが書換機能がない光ディスクの利点を兼ね備えた記録
方式が光磁気記録である。つまり、光磁気ディスクメモ
リーは、高密度化および書換可能な非接触記録方式なの
である。
スクメモリーは磁気ディスクである。これは、記録、再
生、消去が可能であるためさまざまな分野で利用されて
いる。しかし、磁気ヘッドと記録媒体とが接触に近い状
態にあるため損傷に対する信頼性に欠けるといった大き
な欠点がある。一方、最近急速に発展してきた光ディス
クは、非接触で高密度記録を可能にするといった磁気デ
ィスクに無い大きな特徴を持っている。しかし、光ディ
スクメモリーは、磁気ディスクのように書換機能がない
といった欠点がある。書換可能だが高密度化に限界があ
り、非接触に近い状態にある磁気ディスクと非接触であ
るが書換機能がない光ディスクの利点を兼ね備えた記録
方式が光磁気記録である。つまり、光磁気ディスクメモ
リーは、高密度化および書換可能な非接触記録方式なの
である。
【０００３】光磁気ディスク材料として、代表的なもの
に希土類金属と遷移金属とのアモルファス合金膜（Ｔｂ
ＦｅＣｏ膜）がある。ＴｂＦｅＣｏ膜は、スパッタ法や
真空蒸着法などで大面積なものが低温で作成でき、また
大きな垂直磁気異方性をもたせることができる。現在す
でに３．５インチサイズで片面１２８ＭＢ容量のものが
実用化されている。しかし、持ち運びができる小型、大
容量ファイルとして市場を形成していく際にマルチメデ
ィアファイルへの応用などを考えると、この程度の容量
では不十分である。
に希土類金属と遷移金属とのアモルファス合金膜（Ｔｂ
ＦｅＣｏ膜）がある。ＴｂＦｅＣｏ膜は、スパッタ法や
真空蒸着法などで大面積なものが低温で作成でき、また
大きな垂直磁気異方性をもたせることができる。現在す
でに３．５インチサイズで片面１２８ＭＢ容量のものが
実用化されている。しかし、持ち運びができる小型、大
容量ファイルとして市場を形成していく際にマルチメデ
ィアファイルへの応用などを考えると、この程度の容量
では不十分である。
【０００４】光磁気ディスクの大容量化、つまり高密度
化を図るためには、レーザーの短波長化によるスポット
径の微少化が不可欠である。短波長化対応の次世代光磁
気ディスクとして、軽希土類金属（Ｎｄ）と遷移金属と
のアモルファス合金膜や貴金属／遷移金属の人工格子膜
（Ｃｏ／Ｐｔ）さらには酸化物膜（ガーネットやＣｏフ
ェライト）の研究が盛んになされている。なかでも酸化
物膜は、金属膜に比べ熱的、化学的に安定であるといっ
た大きな特長をもつことから、短波長化対応の次世代光
磁気ディスクとして、非常に有望な材料である。しか
し、これらの酸化物膜は、過去ＬＰＥ法やＣＶＤ法によ
って単結晶基板上にしか得られなかったため、高コス
ト、基板の種類が限定されていた、などといった大きな
傷害があった。
化を図るためには、レーザーの短波長化によるスポット
径の微少化が不可欠である。短波長化対応の次世代光磁
気ディスクとして、軽希土類金属（Ｎｄ）と遷移金属と
のアモルファス合金膜や貴金属／遷移金属の人工格子膜
（Ｃｏ／Ｐｔ）さらには酸化物膜（ガーネットやＣｏフ
ェライト）の研究が盛んになされている。なかでも酸化
物膜は、金属膜に比べ熱的、化学的に安定であるといっ
た大きな特長をもつことから、短波長化対応の次世代光
磁気ディスクとして、非常に有望な材料である。しか
し、これらの酸化物膜は、過去ＬＰＥ法やＣＶＤ法によ
って単結晶基板上にしか得られなかったため、高コス
ト、基板の種類が限定されていた、などといった大きな
傷害があった。
【０００５】最近、ガーネット膜がスパッタ法によりガ
ラス基板上に得られるようになった。また、Ｃｏフェラ
イト膜もフェライトメッキ法により耐熱性のないプラス
チック基板上に成膜が可能となってきた。
ラス基板上に得られるようになった。また、Ｃｏフェラ
イト膜もフェライトメッキ法により耐熱性のないプラス
チック基板上に成膜が可能となってきた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記ガーネッ
ト膜はスパッタ堆積後に高温で熱処理（約５００℃以
上）しなくてはならないため耐熱性の基板を用いなくて
はならないといった下地基板に制限を受ける。また、フ
ェライトメッキ法により作製したＣｏフェライト膜は、
磁化容易軸である＜１００＞方向に配向した膜が得られ
ないため、光磁気ディスクの大前提である垂直磁化膜と
ならず、光磁気ディスクへは応用できない。
ト膜はスパッタ堆積後に高温で熱処理（約５００℃以
上）しなくてはならないため耐熱性の基板を用いなくて
はならないといった下地基板に制限を受ける。また、フ
ェライトメッキ法により作製したＣｏフェライト膜は、
磁化容易軸である＜１００＞方向に配向した膜が得られ
ないため、光磁気ディスクの大前提である垂直磁化膜と
ならず、光磁気ディスクへは応用できない。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は上記問題点を解
決するものであり、光磁気ディスクとして、安価なディ
スク基板上に（１００）面に配向したＮａＣｌ結晶構造
の酸化物膜を設け、前記酸化物膜上に（１００）面に配
向し、かつディスク基板表面に対して垂直方向に柱状構
造を有したコバルトフェライト膜を設け、前記コバルト
フェライト膜上に金属膜を設けたものである。
決するものであり、光磁気ディスクとして、安価なディ
スク基板上に（１００）面に配向したＮａＣｌ結晶構造
の酸化物膜を設け、前記酸化物膜上に（１００）面に配
向し、かつディスク基板表面に対して垂直方向に柱状構
造を有したコバルトフェライト膜を設け、前記コバルト
フェライト膜上に金属膜を設けたものである。
【０００８】また本発明の光磁気ディスクの製造方法
は、マグネシウムを含む化合物またはコバルトを含む化
合物またはニッケルを含む化合物の蒸気と酸素との混合
ガスをプラズマを用いて反応させ、ディスク基板上にＮ
ａＣｌ型結晶構造の酸化物膜を形成し、さらにコバルト
を含む化合物の蒸気と鉄を含む化合物の蒸気と酸素との
混合ガスをプラズマを用いて反応させ、前記ＮａＣｌ型
結晶構造の酸化物膜上にコバルトフェライト膜を形成
し、さらにスパッタリング法または真空蒸着法により金
属膜を形成するものである。
は、マグネシウムを含む化合物またはコバルトを含む化
合物またはニッケルを含む化合物の蒸気と酸素との混合
ガスをプラズマを用いて反応させ、ディスク基板上にＮ
ａＣｌ型結晶構造の酸化物膜を形成し、さらにコバルト
を含む化合物の蒸気と鉄を含む化合物の蒸気と酸素との
混合ガスをプラズマを用いて反応させ、前記ＮａＣｌ型
結晶構造の酸化物膜上にコバルトフェライト膜を形成
し、さらにスパッタリング法または真空蒸着法により金
属膜を形成するものである。
【０００９】さらに、マグネシウムを含む化合物および
コバルトを含む化合物およびニッケルを含む化合物およ
びコバルトを含む化合物および鉄を含む化合物がβ−ジ
ケトン系金属錯体で構成されている。
コバルトを含む化合物およびニッケルを含む化合物およ
びコバルトを含む化合物および鉄を含む化合物がβ−ジ
ケトン系金属錯体で構成されている。
【００１０】
【作用】上記構成により、Ｃｏフェライト膜が、磁化容
易軸である（１００）面に配向し、かつディスク基板表
面に対して垂直方向に柱状構造を有した構造の垂直磁化
膜であり、従来のＴｂＦｅＣｏ膜と比べ熱的、化学的に
安定で、かつレーザーの短波長化による高密度化を可能
となる。また、スパッタ法により作製したガーネット膜
と比較して安価なディスク基板に作製できる。
易軸である（１００）面に配向し、かつディスク基板表
面に対して垂直方向に柱状構造を有した構造の垂直磁化
膜であり、従来のＴｂＦｅＣｏ膜と比べ熱的、化学的に
安定で、かつレーザーの短波長化による高密度化を可能
となる。また、スパッタ法により作製したガーネット膜
と比較して安価なディスク基板に作製できる。
【００１１】
【実施例】以下、プラズマＣＶＤ法による本発明の実施
例の光磁気ディスクおよびその製造方法について図面を
参照しながら説明する。
例の光磁気ディスクおよびその製造方法について図面を
参照しながら説明する。
【００１２】図１は本発明の実施例における光磁気ディ
スクの構成を示す要部拡大断面図である。図１におい
て、３．５インチ径プリグルーブ付きガラスディスク基
板１上に、（１００）面に配向したＮａＣｌ型結晶構造
の酸化物膜としてのＭｇＯ膜２を設け、このＭｇＯ膜２
上に、このディスク基板表面に対して垂直方向に柱状構
造を有し、かつ（１００）面に配向したＣｏフェライト
膜３を設け、さらに反射膜としての金属膜であるＣｒ膜
４を設けている。
スクの構成を示す要部拡大断面図である。図１におい
て、３．５インチ径プリグルーブ付きガラスディスク基
板１上に、（１００）面に配向したＮａＣｌ型結晶構造
の酸化物膜としてのＭｇＯ膜２を設け、このＭｇＯ膜２
上に、このディスク基板表面に対して垂直方向に柱状構
造を有し、かつ（１００）面に配向したＣｏフェライト
膜３を設け、さらに反射膜としての金属膜であるＣｒ膜
４を設けている。
【００１３】図２は、本発明の光磁気ディスクにおける
のＮａＣｌ型結晶構造の酸化物膜としてのＭｇＯ膜２と
Ｃｏフェライト膜３を製造するためのプラズマＣＶＤ装
置の概略構成図である。図２において、反応チャンバー
５内には、基板回転機構のついた基板加熱ヒータ６内臓
の電極７と、高周波電源（13.56MHz）)８が接続された
電極９が対向して設けられ、電極７は設置されその下方
にはプリグルーブ付きガラスディスク基板１０などの下
地基板が設置されている。また、反応チャンバー５の下
方側面には反応チャンバー５を低圧に保つための排気系
２１が設けられている。
のＮａＣｌ型結晶構造の酸化物膜としてのＭｇＯ膜２と
Ｃｏフェライト膜３を製造するためのプラズマＣＶＤ装
置の概略構成図である。図２において、反応チャンバー
５内には、基板回転機構のついた基板加熱ヒータ６内臓
の電極７と、高周波電源（13.56MHz）)８が接続された
電極９が対向して設けられ、電極７は設置されその下方
にはプリグルーブ付きガラスディスク基板１０などの下
地基板が設置されている。また、反応チャンバー５の下
方側面には反応チャンバー５を低圧に保つための排気系
２１が設けられている。
【００１４】一方、原料の入った気化器１２、１３、１
４はバルブ１５、１６、１７を介して電極７に配設され
たガラスディスク基板１０と電極９の間に開口するパイ
プに接続され、また、気化器１２、１３、１４のそれぞ
れに導入されたパイプは、バルブ１８、１９、２０を介
してキャリアガスの窒素ボンベ２１に接続されており、
バルブ１８、１９、２０の開閉によりキャリアガスの気
化器１２、１３、１４内への導入の有無が制御され、ま
た、バルブ１５、１６、１７の開閉により原料ガスとキ
ャリアガスの反応チャンバー５内への導入の有無が制御
される。また、酸素素ボンベ２２はディスク基板１０と
電極９の間に開口するパイプに接続されている。
４はバルブ１５、１６、１７を介して電極７に配設され
たガラスディスク基板１０と電極９の間に開口するパイ
プに接続され、また、気化器１２、１３、１４のそれぞ
れに導入されたパイプは、バルブ１８、１９、２０を介
してキャリアガスの窒素ボンベ２１に接続されており、
バルブ１８、１９、２０の開閉によりキャリアガスの気
化器１２、１３、１４内への導入の有無が制御され、ま
た、バルブ１５、１６、１７の開閉により原料ガスとキ
ャリアガスの反応チャンバー５内への導入の有無が制御
される。また、酸素素ボンベ２２はディスク基板１０と
電極９の間に開口するパイプに接続されている。
【００１５】ここで、実施例における光磁気ディスクの
製造方法について説明する。まず、出発原料にはマグネ
シウムを含む化合物、鉄を含む化合物、およびコバルト
を含む化合物のβ−ジケトン系金属錯体でとしてのマグ
ネシウムアセチルアセトナ−ト〔Ｍｇ（Ｃ5 Ｈ7 Ｏ2 ）
2 〕、鉄アセチルアセトナート〔Ｆｅ（Ｃ5 Ｈ7 Ｏ2）3
〕、コバルトアセチルアセトナ−ト〔Ｃｏ（Ｃ5 Ｈ7
Ｏ2 ）2 ・２Ｈ2 Ｏ〕〕を用いた。
製造方法について説明する。まず、出発原料にはマグネ
シウムを含む化合物、鉄を含む化合物、およびコバルト
を含む化合物のβ−ジケトン系金属錯体でとしてのマグ
ネシウムアセチルアセトナ−ト〔Ｍｇ（Ｃ5 Ｈ7 Ｏ2 ）
2 〕、鉄アセチルアセトナート〔Ｆｅ（Ｃ5 Ｈ7 Ｏ2）3
〕、コバルトアセチルアセトナ−ト〔Ｃｏ（Ｃ5 Ｈ7
Ｏ2 ）2 ・２Ｈ2 Ｏ〕〕を用いた。
【００１６】図２のプラズマＣＶＤ装置における気化器
１２にマグネシウムアセチルアセトナ−ト、１３に脱水
処理を行ったコバルトアセチルアセトナ−ト、１４に鉄
アセチルアセトナ−トを入れ、それぞれ１９０℃、９５
℃、１２５℃に加熱し保持しておく。バルブ１８および
バルブ１５を開き窒素キャリア（流量３０SCCM）ととも
にマグネシウムアセチルアセトナ−トの蒸気と、反応ガ
スとして酸素（流量５SCCM）を排気系１１により減圧さ
れた反応チャンバ−５内に導入し、プラズマを発生（電
力１．４W/cm2）させ、５分間減圧下（０．０６Torr）
で反応を行い、３００℃に加熱したディスク基板（１２
０回転／分）上にＭｇＯ膜を成膜し、バルブ１８および
１５を閉じた。
１２にマグネシウムアセチルアセトナ−ト、１３に脱水
処理を行ったコバルトアセチルアセトナ−ト、１４に鉄
アセチルアセトナ−トを入れ、それぞれ１９０℃、９５
℃、１２５℃に加熱し保持しておく。バルブ１８および
バルブ１５を開き窒素キャリア（流量３０SCCM）ととも
にマグネシウムアセチルアセトナ−トの蒸気と、反応ガ
スとして酸素（流量５SCCM）を排気系１１により減圧さ
れた反応チャンバ−５内に導入し、プラズマを発生（電
力１．４W/cm2）させ、５分間減圧下（０．０６Torr）
で反応を行い、３００℃に加熱したディスク基板（１２
０回転／分）上にＭｇＯ膜を成膜し、バルブ１８および
１５を閉じた。
【００１７】さらに引き続き、真空を破らずにバルブ１
３、１４、１６、１７を開き、キャリアガス（気化器１
３、１４にそれぞれ流量７SCCM、３０SCCM）により、コ
バルトアセチルアセトナ−トおよび鉄アセチルアセトナ
−トの蒸気を、反応ガスである酸素（流量５SCCM）とと
もに反応チャンバ−５内に導入し、プラズマ中（電力
１．４W/cm2）で７分間減圧下（０．０７Torr）で反応
を行い、ＭｇＯ膜上にＣｏフェライト膜を成膜し、Ｃｏ
フェライト／ＭｇＯの二層膜を作製した。そして、二層
膜を形成したディスク基板を真空チャンバ−から取り出
し、スパッタ法によりＣｒ反射膜を表面に形成し、光磁
気ディスクＡを作製した。
３、１４、１６、１７を開き、キャリアガス（気化器１
３、１４にそれぞれ流量７SCCM、３０SCCM）により、コ
バルトアセチルアセトナ−トおよび鉄アセチルアセトナ
−トの蒸気を、反応ガスである酸素（流量５SCCM）とと
もに反応チャンバ−５内に導入し、プラズマ中（電力
１．４W/cm2）で７分間減圧下（０．０７Torr）で反応
を行い、ＭｇＯ膜上にＣｏフェライト膜を成膜し、Ｃｏ
フェライト／ＭｇＯの二層膜を作製した。そして、二層
膜を形成したディスク基板を真空チャンバ−から取り出
し、スパッタ法によりＣｒ反射膜を表面に形成し、光磁
気ディスクＡを作製した。
【００１８】このようにして作製した 光磁気ディスク
Ａは、Ａｒレーザー（波長：５１４nm）を光源に用いて
記録再生の評価を行った。その結果、記録パワー２５m
W、再生パワー１２mW、記録周波数０．５MHz、線速度
２．５m/sにおいてＣ／Ｎ値は４８dBであった。なお、
同様の測定系において測定した従来のＴｂＦｅＣｏディ
スク（光磁気ディスクＢ）のＣ／Ｎ値は３９dBであっ
た。また、比較のためにＭｇＯ下地膜を用いない構成の
光磁気ディスクＣ（Ｃｒ膜／Ｃｏフェライト膜／ディス
ク基板）を上記成膜条件で作製し、記録再生の評価を行
った。その結果Ｃ／Ｎ値は４５dBであった。
Ａは、Ａｒレーザー（波長：５１４nm）を光源に用いて
記録再生の評価を行った。その結果、記録パワー２５m
W、再生パワー１２mW、記録周波数０．５MHz、線速度
２．５m/sにおいてＣ／Ｎ値は４８dBであった。なお、
同様の測定系において測定した従来のＴｂＦｅＣｏディ
スク（光磁気ディスクＢ）のＣ／Ｎ値は３９dBであっ
た。また、比較のためにＭｇＯ下地膜を用いない構成の
光磁気ディスクＣ（Ｃｒ膜／Ｃｏフェライト膜／ディス
ク基板）を上記成膜条件で作製し、記録再生の評価を行
った。その結果Ｃ／Ｎ値は４５dBであった。
【００１９】次に、ディスク基板上に本成膜方法におけ
る上記成膜条件でＭｇＯ膜、Ｃｏフェライト膜およびＣ
ｏフェライト／ＭｇＯ二層膜を成膜した試料膜を作製し
Ｘ線回折により結晶構造の解析を行った。その結果、上
記条件で成膜したＭｇＯ膜はＸ線的に（１００）に完全
配向していた。下地層としてＭｇＯの（１００）完全配
向膜を用いることにより、光磁気ディスクの磁性層であ
るＣｏフェライト膜の（１００）配向性は、下地層の結
晶配向性の影響をうけ、直接ディスク基板上に成膜した
場合に比較して向上していることがわかった。また、結
晶性においても優れていた。
る上記成膜条件でＭｇＯ膜、Ｃｏフェライト膜およびＣ
ｏフェライト／ＭｇＯ二層膜を成膜した試料膜を作製し
Ｘ線回折により結晶構造の解析を行った。その結果、上
記条件で成膜したＭｇＯ膜はＸ線的に（１００）に完全
配向していた。下地層としてＭｇＯの（１００）完全配
向膜を用いることにより、光磁気ディスクの磁性層であ
るＣｏフェライト膜の（１００）配向性は、下地層の結
晶配向性の影響をうけ、直接ディスク基板上に成膜した
場合に比較して向上していることがわかった。また、結
晶性においても優れていた。
【００２０】高分解能の走査型電子顕微鏡を用いて、作
製した光磁気ディスクおよび比較のための試料膜の表面
および破断面を観察した。その結果、光磁気ディスクの
それぞれの層の膜厚は、ＭｇＯ膜が４００nm、Ｃｏフェ
ライト膜が２００nm、Ｃｒ膜が１０nmであった。またＣ
ｏフェライト／ＭｇＯ二層膜は柱状構造を有し、コラム
径は３５〜６０nmであることがわかった。
製した光磁気ディスクおよび比較のための試料膜の表面
および破断面を観察した。その結果、光磁気ディスクの
それぞれの層の膜厚は、ＭｇＯ膜が４００nm、Ｃｏフェ
ライト膜が２００nm、Ｃｒ膜が１０nmであった。またＣ
ｏフェライト／ＭｇＯ二層膜は柱状構造を有し、コラム
径は３５〜６０nmであることがわかった。
【００２１】さらに、電子線マイクロアナライザ−によ
りＣｏフェライトの組成を分析した結果、Ｃｏ1.0Ｆｅ
2.0Ｏ4であった。
りＣｏフェライトの組成を分析した結果、Ｃｏ1.0Ｆｅ
2.0Ｏ4であった。
【００２２】次に、Ｃｏフェライト膜およびＣｏフェラ
イト／ＭｇＯ二層膜の磁気特性について振動試料型磁力
計（ＶＳＭ）により測定を行った。その結果、Ｃｏフェ
ライト／ＭｇＯ二層膜において、膜面に垂直方向の保磁
力はＨｃ＝４５００Oe、面内方向の保磁力はＨｃ＝３０
００Oeであり、Ｍｓは３２５emu/ccであった。また、Ｃ
ｏフェライト膜において、膜面に垂直方向の保磁力はＨ
ｃ＝３７００Oe、面内方向の保磁力はＨｃ＝３０００Oe
であり、Ｍｓは２４９emu/ccであった。なお、ヒステリ
シスループでの垂直方向の角型性は、ＭｇＯ下地膜を設
けることにより大きく向上していた。これは、ＭｇＯ下
地膜を設けることによりＣｏフェライト膜の垂直方向か
らの磁気異方性の分散が小さくなったためであると考え
られる。
イト／ＭｇＯ二層膜の磁気特性について振動試料型磁力
計（ＶＳＭ）により測定を行った。その結果、Ｃｏフェ
ライト／ＭｇＯ二層膜において、膜面に垂直方向の保磁
力はＨｃ＝４５００Oe、面内方向の保磁力はＨｃ＝３０
００Oeであり、Ｍｓは３２５emu/ccであった。また、Ｃ
ｏフェライト膜において、膜面に垂直方向の保磁力はＨ
ｃ＝３７００Oe、面内方向の保磁力はＨｃ＝３０００Oe
であり、Ｍｓは２４９emu/ccであった。なお、ヒステリ
シスループでの垂直方向の角型性は、ＭｇＯ下地膜を設
けることにより大きく向上していた。これは、ＭｇＯ下
地膜を設けることによりＣｏフェライト膜の垂直方向か
らの磁気異方性の分散が小さくなったためであると考え
られる。
【００２３】さらに磁気光学特性について測定した。そ
の結果、波長５１４nmにおける光磁気ディスクＣ（比較
のために作製したＣｏフェライト単層膜ディスク）のカ
ー回転角は０．８×１０4deg/μmで、光磁気ディスクＡ
（本発明の光磁気ディスク）のカー回転角は１．４×１
０4deg/μmであった。なお、光磁気ディスクＢ（従来の
ＴｂＦｅＣｏディスク）のカー回転角は０．０８×１０
4degであった。
の結果、波長５１４nmにおける光磁気ディスクＣ（比較
のために作製したＣｏフェライト単層膜ディスク）のカ
ー回転角は０．８×１０4deg/μmで、光磁気ディスクＡ
（本発明の光磁気ディスク）のカー回転角は１．４×１
０4deg/μmであった。なお、光磁気ディスクＢ（従来の
ＴｂＦｅＣｏディスク）のカー回転角は０．０８×１０
4degであった。
【００２４】以上により本発明の光磁気ディスクＡが光
磁気ディスクＢ（従来のＴｂＦｅＣｏディスク）より高
いＣ／Ｎ値を示すのは、Ｃｏフェライトが短波長域にお
いて大きな磁気光学効果を有するからである。また、光
磁気ディスクＣ（比較のために作製したＣｏフェライト
単層膜ディスク）より高いＣ／Ｎ値を示すのは、ＭｇＯ
下地膜の影響で磁性層のＣｏフェライト膜の垂直方向の
角型性が向上したことおよび磁気光学効果が大きくなっ
たことが原因であると考えられる。また、本発明の光磁
気ディスクは、非常に微細な柱状構造を有することによ
り多結晶であるにもかかわらず媒体ノイズが低いこと
も、高いＣ／Ｎが得られる原因の一つである。
磁気ディスクＢ（従来のＴｂＦｅＣｏディスク）より高
いＣ／Ｎ値を示すのは、Ｃｏフェライトが短波長域にお
いて大きな磁気光学効果を有するからである。また、光
磁気ディスクＣ（比較のために作製したＣｏフェライト
単層膜ディスク）より高いＣ／Ｎ値を示すのは、ＭｇＯ
下地膜の影響で磁性層のＣｏフェライト膜の垂直方向の
角型性が向上したことおよび磁気光学効果が大きくなっ
たことが原因であると考えられる。また、本発明の光磁
気ディスクは、非常に微細な柱状構造を有することによ
り多結晶であるにもかかわらず媒体ノイズが低いこと
も、高いＣ／Ｎが得られる原因の一つである。
【００２５】ＮａＣｌ型結晶構造の酸化物薄膜としてＭ
ｇＯ膜の代わりに、ＣｏＯ薄膜、ＮｉＯ膜を用いた場合
においても、同様の結果がえられた。
ｇＯ膜の代わりに、ＣｏＯ薄膜、ＮｉＯ膜を用いた場合
においても、同様の結果がえられた。
【００２６】
【発明の効果】本発明は上記実施例より明らかなよう
に、ディスク基板上に、ＮａＣｌ型結晶構造の酸化物薄
膜を形成し、その酸化物薄膜上に、ディスク基板表面に
対して垂直方向に柱状構造を有したコバルトフェライト
膜を形成し、このコバルトフェライト膜上に金属膜を形
成した構造の光磁気ディスクであるため、高信頼性であ
り、かつ短波長化対応が可能となるものである。
に、ディスク基板上に、ＮａＣｌ型結晶構造の酸化物薄
膜を形成し、その酸化物薄膜上に、ディスク基板表面に
対して垂直方向に柱状構造を有したコバルトフェライト
膜を形成し、このコバルトフェライト膜上に金属膜を形
成した構造の光磁気ディスクであるため、高信頼性であ
り、かつ短波長化対応が可能となるものである。
【図１】本発明の実施例における製造方法により作製し
た光磁気ディスクの要部拡大図
た光磁気ディスクの要部拡大図
【図２】本発明の実施例におけるコバルトフェライト膜
およびＮａＣｌ型結晶構造の酸化物薄膜を作製するため
に使用するプラズマＣＶＤ装置の概略図
およびＮａＣｌ型結晶構造の酸化物薄膜を作製するため
に使用するプラズマＣＶＤ装置の概略図
１ プリグルーブ付きディスク基板 ２ ＭｇＯ膜 ３ Ｃｏフェライト膜 ４ Ｃｒ膜 ５ 反応チャンバー ６ 基板加熱ヒーター ７ 電極 ８ 高周波電源 ９ 電極 １０ プリグルーブ付きガラスディスク基板 １１ 排気系 １２ 気化器 １３ 気化器 １４ 気化器 １５ 原料ガス供給バルブ １６ 原料ガス供給バルブ １７ 原料ガス供給バルブ １８ キャリアガス供給バルブ ２０ キャリアガス供給バルブ ２１ 窒素ボンベ ２２ 酸素ボンベ
Claims (6)
- 【請求項１】ディスク基板上に、ＮａＣｌ型結晶構造の
酸化物膜を形成し、前記酸化物膜上にコバルトフェライ
ト膜を形成し、前記コバルトフェライト膜上に金属反射
膜を形成した光磁気ディスク。 - 【請求項２】ＮａＣｌ型結晶構造の酸化物膜が、結晶学
的に面指数（１００）面に配向する構成とした請求項１
記載の光磁気ディスク。 - 【請求項３】ＮａＣｌ型結晶構造の酸化物膜が、マグネ
シウム酸化物またはコバルト酸化物またはニッケル酸化
物である請求項１記載の光磁気ディスク。 - 【請求項４】コバルトフェライト膜が、結晶学的に面指
数（１００）面に配向し、かつディスク基板表面に対し
て垂直方向に柱状構造を有した構成とした請求項１記載
の光磁気ディスク。 - 【請求項５】マグネシウムを含む化合物またはコバルト
を含む化合物またはニッケルを含む化合物の蒸気と酸素
との混合ガスをプラズマを用いて反応させ、ディスク基
板上にＮａＣｌ型結晶構造の酸化物膜を形成し、さらに
コバルトを含む化合物の蒸気と鉄を含む化合物の蒸気と
酸素との混合ガスをプラズマを用いて反応させ、前記Ｎ
ａＣｌ型結晶構造の酸化物膜上にコバルトフェライト膜
を形成し、さらにスパッタリング法または真空蒸着法に
より反射膜としての金属膜を形成する光磁気ディスクの
製造方法。 - 【請求項６】マグネシウムを含む化合物およびコバルト
を含む化合物およびニッケルを含む化合物およびコバル
トを含む化合物および鉄を含む化合物がβ−ジケトン系
金属錯体である請求項６記載の光磁気ディスクの製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28266292A JPH06131713A (ja) | 1992-10-21 | 1992-10-21 | 光磁気ディスクおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28266292A JPH06131713A (ja) | 1992-10-21 | 1992-10-21 | 光磁気ディスクおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06131713A true JPH06131713A (ja) | 1994-05-13 |
Family
ID=17655429
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28266292A Pending JPH06131713A (ja) | 1992-10-21 | 1992-10-21 | 光磁気ディスクおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06131713A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004068485A1 (ja) * | 2003-01-31 | 2004-08-12 | Fujitsu Limited | 光磁気記録媒体およびその製造方法 |
-
1992
- 1992-10-21 JP JP28266292A patent/JPH06131713A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004068485A1 (ja) * | 2003-01-31 | 2004-08-12 | Fujitsu Limited | 光磁気記録媒体およびその製造方法 |
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