JPH0230104A - 垂直磁化膜 - Google Patents
垂直磁化膜Info
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- JPH0230104A JPH0230104A JP18048588A JP18048588A JPH0230104A JP H0230104 A JPH0230104 A JP H0230104A JP 18048588 A JP18048588 A JP 18048588A JP 18048588 A JP18048588 A JP 18048588A JP H0230104 A JPH0230104 A JP H0230104A
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Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、垂直磁気記録媒体や光磁気記録媒体の記録層
として有用な垂直磁化膜に関するものである。
として有用な垂直磁化膜に関するものである。
本発明は、Co−Pd合金薄膜の組成並びに膜厚を規定
することにより、優れた垂直磁気特性。
することにより、優れた垂直磁気特性。
光磁気特性を発揮する垂直磁化膜を提供するものである
。
。
近年、磁気記録の分野における短波長化と狭トラツク化
による記録密度の向上は目覚ましく、ai化容易軸が記
録層形成面に対して垂直方向である垂直磁化膜を記録層
とし、いわゆる垂直磁気記録方式を採用することで、飛
躍的な高密度記録が可能となるものと期待されている。
による記録密度の向上は目覚ましく、ai化容易軸が記
録層形成面に対して垂直方向である垂直磁化膜を記録層
とし、いわゆる垂直磁気記録方式を採用することで、飛
躍的な高密度記録が可能となるものと期待されている。
あるいは、前記垂直磁気記録方式と同様書き換え可能な
高密度記録方式であり、しかも半導体レーザ等のレーザ
光により非接触記録・再生し得る光磁気記録方式が注目
されている。
高密度記録方式であり、しかも半導体レーザ等のレーザ
光により非接触記録・再生し得る光磁気記録方式が注目
されている。
いずれにしても、記録層には垂直磁化膜が使用され、例
えば垂直磁気記録媒体の記録層としてはCo−Cr合金
膜等が、光磁気記録媒体の記録層としてはTbFeCo
に代表されるような希土類元素と遷移金属とを組み合わ
せた非晶質合金膜等が、それぞれ実用化に向けて各方面
で盛んに研究されている。
えば垂直磁気記録媒体の記録層としてはCo−Cr合金
膜等が、光磁気記録媒体の記録層としてはTbFeCo
に代表されるような希土類元素と遷移金属とを組み合わ
せた非晶質合金膜等が、それぞれ実用化に向けて各方面
で盛んに研究されている。
ところで、これまで研究されている垂直磁化膜は、ある
程度の垂直磁気特性、光磁気特性を示すものの、特に耐
久性や耐蝕性等の実用特性の点で問題が多く、未だ実用
に至っていないのが実情である。
程度の垂直磁気特性、光磁気特性を示すものの、特に耐
久性や耐蝕性等の実用特性の点で問題が多く、未だ実用
に至っていないのが実情である。
例えば、垂直磁気記録媒体の記録層として期待されるC
o−Cr合金膜では、その物理的性質特に膜が非常に硬
いことからヘッド摩耗やクラック等の問題がある。
o−Cr合金膜では、その物理的性質特に膜が非常に硬
いことからヘッド摩耗やクラック等の問題がある。
一方、光磁気記録媒体の記録材料である前記非晶質合金
は、希土類元素やFeを含むことから、空気中の酸素と
容易に結合して酸化物となるという性質を存し、酸化が
進行して腐食や孔食に至ると信号の脱落を誘起するとい
う問題を有する。また特に、希土類元素が選択的に酸化
を受けると、保磁力や残留磁気カー回転角が減少しCN
比が劣化するという問題が生ずる。
は、希土類元素やFeを含むことから、空気中の酸素と
容易に結合して酸化物となるという性質を存し、酸化が
進行して腐食や孔食に至ると信号の脱落を誘起するとい
う問題を有する。また特に、希土類元素が選択的に酸化
を受けると、保磁力や残留磁気カー回転角が減少しCN
比が劣化するという問題が生ずる。
このような状況から、本発明者等は先に特願昭63−1
4935号明細書において、Co−Pd系合金膜が所定
の組成で垂直磁気特性を発揮し垂直磁気記録媒体の記録
層として有用であることを開示した。
4935号明細書において、Co−Pd系合金膜が所定
の組成で垂直磁気特性を発揮し垂直磁気記録媒体の記録
層として有用であることを開示した。
本発明は、かかるCo−Pd系合金よりなる垂直磁化膜
のより一層の改善を図るもので、耐蝕性。
のより一層の改善を図るもので、耐蝕性。
耐久性等の実用特性に優れるとともに、垂直磁気特性、
光磁気特性等の点でも良好な特性を発揮する垂直磁化膜
を提供することを目的とする。
光磁気特性等の点でも良好な特性を発揮する垂直磁化膜
を提供することを目的とする。
本発明者等は、前述の目的を達成せんものと種々の研究
を重ねた結果、先のCo−Pd系合金膜の膜厚が薄い場
合に垂直異方性が増加し、さらに磁気カー回転角が増大
するとの現象を見出した。
を重ねた結果、先のCo−Pd系合金膜の膜厚が薄い場
合に垂直異方性が増加し、さらに磁気カー回転角が増大
するとの現象を見出した。
本発明の垂直磁化膜はかかる知見に基づいて完成された
ものであって、50〜90原子%のPdを含存するCo
−Pd合金よりなり、膜厚が1000Å以下であること
を特徴とするものである。
ものであって、50〜90原子%のPdを含存するCo
−Pd合金よりなり、膜厚が1000Å以下であること
を特徴とするものである。
したがって、垂直磁化膜となる合金薄膜は、般弐Cox
Pd+。。−X(ただしXは組成を原子%で表し、10
≦X≦50である。)で表すことができる。
Pd+。。−X(ただしXは組成を原子%で表し、10
≦X≦50である。)で表すことができる。
上記垂直磁化膜となるCo−Pd合金薄膜は、スパッタ
リング、真空蒸着あるいは分子線エビクキシー(MBE
)等によって形成することができる。このとき使用する
蒸発源は、Co−Pd合金蒸発源であってもよいし、各
元素の独立した蒸発源であってもよい。例えば、スパッ
タリングにより合金薄膜を作成する際には、Co−Pd
合金ターゲットを使用してもよいし、円形のCOツク−
ットの上に扇形のPdのチップをit[12iWした。
リング、真空蒸着あるいは分子線エビクキシー(MBE
)等によって形成することができる。このとき使用する
蒸発源は、Co−Pd合金蒸発源であってもよいし、各
元素の独立した蒸発源であってもよい。例えば、スパッ
タリングにより合金薄膜を作成する際には、Co−Pd
合金ターゲットを使用してもよいし、円形のCOツク−
ットの上に扇形のPdのチップをit[12iWした。
いわゆる複合ターゲットを使用してもよい。
上述のCo−Pd合金薄膜の膜組成は、良好な垂直磁気
異方性を達成する観点から選ばれたものであるが、当該
垂直磁気異方性は次式で表される垂直磁気異方性定数に
0が正の値をとる時に現れる。
異方性を達成する観点から選ばれたものであるが、当該
垂直磁気異方性は次式で表される垂直磁気異方性定数に
0が正の値をとる時に現れる。
Ku=−2λσ/3 ・・・(1)式(ただし、
λは磁歪定数、σは内部応力である。)本発明で限定す
る組成範囲においては、C0Pd合金薄膜の磁歪定数λ
は負の大きな値をとるので、垂直磁気異方性定数Kuを
正の値とするためには内部応力σが正の値をとること、
すなわち内部応力σが引っ張り応力として働くことが必
要である。内部応力σの値の正負はCo−Pd合金薄膜
の成膜条件によって変わり、例えば真空蒸着では常に正
の値をとらせることができ、スパッタリングでは高ガス
圧下で正の値をとらせることができる。
λは磁歪定数、σは内部応力である。)本発明で限定す
る組成範囲においては、C0Pd合金薄膜の磁歪定数λ
は負の大きな値をとるので、垂直磁気異方性定数Kuを
正の値とするためには内部応力σが正の値をとること、
すなわち内部応力σが引っ張り応力として働くことが必
要である。内部応力σの値の正負はCo−Pd合金薄膜
の成膜条件によって変わり、例えば真空蒸着では常に正
の値をとらせることができ、スパッタリングでは高ガス
圧下で正の値をとらせることができる。
前述のCo−Pd合金薄膜の膜厚は、磁気特性等の点で
1000Å以下であることが好ましいが、特に垂直磁気
記録媒体、光磁気記録媒体への適用を考慮した場合には
角形比の点で100〜500人とすることがより好まし
い。
1000Å以下であることが好ましいが、特に垂直磁気
記録媒体、光磁気記録媒体への適用を考慮した場合には
角形比の点で100〜500人とすることがより好まし
い。
なお、上記垂直磁化膜(Co −P d合金薄膜)は、
添加元素効果や下地膜効果、基板加熱効果(アニール効
果)等により一層の特性改善を図るようにしてもよい。
添加元素効果や下地膜効果、基板加熱効果(アニール効
果)等により一層の特性改善を図るようにしてもよい。
添加元素としては、Al1Si、Ti、V、Cr、Mn
、Fe、Ni、Cu。
、Fe、Ni、Cu。
Zn、Ga、Ge、Zr; Nb、Mo、RuRh、
Ag、In、Sn、Sb、Hf、Ta。
Ag、In、Sn、Sb、Hf、Ta。
W、Re、Os、Ir、Au、Pb、Bi等が例示され
る。
る。
さらには、面内磁化膜と前記Co−Pd合金薄膜とを積
層し、いわゆる二層構造垂直磁気記録媒体として効率の
改善を図ることも可能である。
層し、いわゆる二層構造垂直磁気記録媒体として効率の
改善を図ることも可能である。
Go−Pd合金薄膜では、Pdの含有量を50〜90原
子%としたときに磁歪定数が負の大きな値となり、内部
応力σを引っ張り応力とすることで逆磁歪効果により優
れた垂直磁気異方性が発現される。特に、膜厚を薄くシ
た場合に保磁力等の点で良好な磁気特性が確保され、さ
らには磁気光学特性(磁気カー回転角)の増大が見られ
る。
子%としたときに磁歪定数が負の大きな値となり、内部
応力σを引っ張り応力とすることで逆磁歪効果により優
れた垂直磁気異方性が発現される。特に、膜厚を薄くシ
た場合に保磁力等の点で良好な磁気特性が確保され、さ
らには磁気光学特性(磁気カー回転角)の増大が見られ
る。
以下、本発明を具体的な実験結果に基づいて説明する。
Co−Pd合金薄膜は、Pdの含有量が50〜90原子
%のときに1O−4オーダーの大きな磁歪を示し、逆磁
歪効果を主要因として垂直磁気異方性を示す。このため
、膜に張力が加わるような成膜方法が望ましく、スパッ
タ法では高ガス圧下での成膜がこれに相当する。
%のときに1O−4オーダーの大きな磁歪を示し、逆磁
歪効果を主要因として垂直磁気異方性を示す。このため
、膜に張力が加わるような成膜方法が望ましく、スパッ
タ法では高ガス圧下での成膜がこれに相当する。
そこで、先ず代表的な組成としてCO3゜Pd7゜(数
値はいずれも組成を原子%で表す。)なる膜について、
緒特性のアルゴンガス圧依存性を調べた。
値はいずれも組成を原子%で表す。)なる膜について、
緒特性のアルゴンガス圧依存性を調べた。
マグネトロン・スパッタリング装Hのチャンバ内にCO
l。Pd、。なる組成を有する合金ターゲット(直径1
00sn)を設置し、水冷ガラス基板上に膜厚2000
人のCo−Pd合金薄膜を成膜した。得られたCo−P
d合金薄膜の種々の特性をポーラカーループ測定装置(
波長780nm)並びに振動試料型磁力計(VSM)に
より測定し評価した。
l。Pd、。なる組成を有する合金ターゲット(直径1
00sn)を設置し、水冷ガラス基板上に膜厚2000
人のCo−Pd合金薄膜を成膜した。得られたCo−P
d合金薄膜の種々の特性をポーラカーループ測定装置(
波長780nm)並びに振動試料型磁力計(VSM)に
より測定し評価した。
第1図は垂直方向の磁化曲線(M−Hループ)から求め
た保磁力Hcの成膜時のガス圧依存性を示すものである
。
た保磁力Hcの成膜時のガス圧依存性を示すものである
。
ここで用いた装置の場合には、アルゴンガス圧10 m
Torr以上で数百〜900 (Oe)の保磁力Hcを
有する垂直磁気異方性膜となった。
Torr以上で数百〜900 (Oe)の保磁力Hcを
有する垂直磁気異方性膜となった。
第2図(A)及び第2図(B)にアルゴンガス圧3 m
Torrで作成したCo−Pd合金薄膜の磁化曲線を、
第3図(A)及び第3図(B)にアルゴンガス圧20
mTorrで作成したCo−Pd合金薄膜の磁化曲線を
それぞれ示す。なお、第2図(A)並びに第3図(A)
は膜面に対して垂直方向での磁化曲線を表し、第2図(
B)並びに第3図(B)は面内方向での磁化曲線を表す
。また、各図の縦軸は磁化の強さM(任意スケール)、
横軸は外部磁場の強さH(Oe)である。
Torrで作成したCo−Pd合金薄膜の磁化曲線を、
第3図(A)及び第3図(B)にアルゴンガス圧20
mTorrで作成したCo−Pd合金薄膜の磁化曲線を
それぞれ示す。なお、第2図(A)並びに第3図(A)
は膜面に対して垂直方向での磁化曲線を表し、第2図(
B)並びに第3図(B)は面内方向での磁化曲線を表す
。また、各図の縦軸は磁化の強さM(任意スケール)、
横軸は外部磁場の強さH(Oe)である。
これら図面を比べてみると明らかなように、高ガス圧(
20mTorr)下で作製した膜は垂直磁気異方性を示
した。
20mTorr)下で作製した膜は垂直磁気異方性を示
した。
第4図にはこれらの膜の内部応力σの測定結果を示す。
以上の測定結果を照らし合わせてみると、膜の内部応力
σが張力(σ〈0)のときに垂直異方性が現れることが
わかる。
σが張力(σ〈0)のときに垂直異方性が現れることが
わかる。
したがって、以下の実験ではアルゴンガス圧を20 m
TorrとしてCo−Pd合金薄膜の成膜を行った。
TorrとしてCo−Pd合金薄膜の成膜を行った。
第5図は、カー曲線から求めた保磁力Hc及び角形比(
θ、/θ3)の膜厚依存性を示すもので、保磁力Heは
200人程度の非常に薄い薄膜まで500〜700 (
Oe)とほぼ同しような値を示すものの、角形比は膜厚
が薄(なるにつれて高くなり、200〜400人の領域
で角形比−1となることがわかった。また、これら各試
料は、いずれも300〜350 (emu/cc)程度
の飽和磁化Msを示した。
θ、/θ3)の膜厚依存性を示すもので、保磁力Heは
200人程度の非常に薄い薄膜まで500〜700 (
Oe)とほぼ同しような値を示すものの、角形比は膜厚
が薄(なるにつれて高くなり、200〜400人の領域
で角形比−1となることがわかった。また、これら各試
料は、いずれも300〜350 (emu/cc)程度
の飽和磁化Msを示した。
第6図に膜T¥220人のCo−Pd合金薄膜のカー曲
線を示すが、当該Go−Pd合金薄膜は光磁気記録材料
としても良好な特性を発揮することが理解されよう。
線を示すが、当該Go−Pd合金薄膜は光磁気記録材料
としても良好な特性を発揮することが理解されよう。
また第7図にこれらの膜の内部応力σを示すが、膜厚が
薄くなるのに伴って内部応力σの著しい増加が観測され
、第5図に示す膜厚依存性はこの内部応力σの増加によ
る垂直磁気異方性定数に工の向上が原因と考えられる。
薄くなるのに伴って内部応力σの著しい増加が観測され
、第5図に示す膜厚依存性はこの内部応力σの増加によ
る垂直磁気異方性定数に工の向上が原因と考えられる。
一方、第8図は磁気カー回転角θにの膜厚依存性を示す
ものであるが、磁気カー回転角θには膜厚500Å以下
で急増し、100〜200人でピークを示した。その値
は、厚膜(膜厚1000Å以上)での値の約3倍と著し
く高い値を与えた。
ものであるが、磁気カー回転角θには膜厚500Å以下
で急増し、100〜200人でピークを示した。その値
は、厚膜(膜厚1000Å以上)での値の約3倍と著し
く高い値を与えた。
これらのCo−Pd合金薄膜は、非常に薄い膜である場
合にも耐蝕性は著しく高く、実用上問題のないものであ
った。また、キュリー温度Tcは、PdMi成によって
変化するものの、概ね150〜400°Cの範囲に入っ
ており、光磁気記録材料として使用できるキュリー温度
を有している。
合にも耐蝕性は著しく高く、実用上問題のないものであ
った。また、キュリー温度Tcは、PdMi成によって
変化するものの、概ね150〜400°Cの範囲に入っ
ており、光磁気記録材料として使用できるキュリー温度
を有している。
以上のように、Co−Pd合金薄膜は非常に薄い膜厚領
域において優れた垂直磁気異方性を発揮し、光磁気記録
媒体や垂直磁気記録媒体の記録賜として有望である。特
に、光磁気記録材料としては、500Å以下の膜厚領域
で高い磁気カー回転角θkを発揮し、しかも保磁力He
が500〜700 (Oe)程度の垂直磁化膜となるこ
とから、実用的であると言える。
域において優れた垂直磁気異方性を発揮し、光磁気記録
媒体や垂直磁気記録媒体の記録賜として有望である。特
に、光磁気記録材料としては、500Å以下の膜厚領域
で高い磁気カー回転角θkを発揮し、しかも保磁力He
が500〜700 (Oe)程度の垂直磁化膜となるこ
とから、実用的であると言える。
また、このCo−Pd合金薄膜は、スパックしたままの
状態(例えば熱処理等を加えない状態)で前述の特性が
得られることから、複雑な成膜を必要とせず、さらには
ディスク状基板以外にテープ状支持体等への成膜も可能
であることから、実用性は格段に広がる。
状態(例えば熱処理等を加えない状態)で前述の特性が
得られることから、複雑な成膜を必要とせず、さらには
ディスク状基板以外にテープ状支持体等への成膜も可能
であることから、実用性は格段に広がる。
C発明の効果〕
以上の説明からも明らかなように、本発明によれば、耐
蝕性、耐久性等の実用特性に優れるとともに、垂直磁気
特性、光磁気特性等の点でも良好な特性を発揮する垂直
磁化膜を提供することが可能である。
蝕性、耐久性等の実用特性に優れるとともに、垂直磁気
特性、光磁気特性等の点でも良好な特性を発揮する垂直
磁化膜を提供することが可能である。
また、本発明の垂直磁化膜は、例えば人工格子構造のよ
うな複雑な成膜を必要とせず、成膜したままの状態で優
れた特性を発揮することから、実用性の高いものと言え
る。さらにはテープ化も容易で、その利用範囲を格段に
広げることができる。
うな複雑な成膜を必要とせず、成膜したままの状態で優
れた特性を発揮することから、実用性の高いものと言え
る。さらにはテープ化も容易で、その利用範囲を格段に
広げることができる。
第1図はCo−Pd合金薄膜における保磁力Hcのアル
ゴンガス圧依存性を示す特性図である。 第2図(A)及び第2図(B)はアルゴンガス圧3mT
orrで成膜されたCo−Pd合金薄膜の磁化面&’>
51(M−Hループ)を示す特性図であり、第2図(A
)は垂直方向での磁化曲線、第2図(B)は面内方向で
の磁化曲線をそれぞれ示す。 第3図(A)及び第3図(B)はアルゴンガス圧20
m Torrで成膜されたCo−Pd合金薄膜の磁化曲
線(M−Hループ)を示す特性図であり、第3図(A)
は垂直方向での磁化曲線、第3図(B)は面内方向での
磁化曲線をそれぞれ示す。 第4図は内部応力σのアルゴンガス圧依存性を示す特性
図である。 第5図はアルゴンガス圧20 m Torrで成膜され
たCo−Pd合金薄膜における保磁力Hc及び角形比の
膜厚依存性を示す特性図である。 第6図は膜厚220人のCo−Pd合金薄膜の磁気カー
曲線を示す特性図である。 第7図は内部応力σの膜厚依存性を示す特性図であり、
第8図は磁気カー回転角θにの膜厚依存性を示す特性図
である。
ゴンガス圧依存性を示す特性図である。 第2図(A)及び第2図(B)はアルゴンガス圧3mT
orrで成膜されたCo−Pd合金薄膜の磁化面&’>
51(M−Hループ)を示す特性図であり、第2図(A
)は垂直方向での磁化曲線、第2図(B)は面内方向で
の磁化曲線をそれぞれ示す。 第3図(A)及び第3図(B)はアルゴンガス圧20
m Torrで成膜されたCo−Pd合金薄膜の磁化曲
線(M−Hループ)を示す特性図であり、第3図(A)
は垂直方向での磁化曲線、第3図(B)は面内方向での
磁化曲線をそれぞれ示す。 第4図は内部応力σのアルゴンガス圧依存性を示す特性
図である。 第5図はアルゴンガス圧20 m Torrで成膜され
たCo−Pd合金薄膜における保磁力Hc及び角形比の
膜厚依存性を示す特性図である。 第6図は膜厚220人のCo−Pd合金薄膜の磁気カー
曲線を示す特性図である。 第7図は内部応力σの膜厚依存性を示す特性図であり、
第8図は磁気カー回転角θにの膜厚依存性を示す特性図
である。
Claims (1)
- 50〜90原子%のPdを含有するCo−Pd合金より
なり、膜厚が1000Å以下であることを特徴とする垂
直磁化膜。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18048588A JPH0230104A (ja) | 1988-07-20 | 1988-07-20 | 垂直磁化膜 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18048588A JPH0230104A (ja) | 1988-07-20 | 1988-07-20 | 垂直磁化膜 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0230104A true JPH0230104A (ja) | 1990-01-31 |
Family
ID=16084051
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP18048588A Pending JPH0230104A (ja) | 1988-07-20 | 1988-07-20 | 垂直磁化膜 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0230104A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0505783A1 (en) * | 1991-03-28 | 1992-09-30 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Magnetic recording medium |
US5242762A (en) * | 1991-02-19 | 1993-09-07 | Sony Corporation | Magnetic recording medium having an underlayer and a thin film magnetic layer which consists of a specified cobalt-platinum-palladium alloy |
EP1724368A2 (en) * | 2004-10-12 | 2006-11-22 | Heraeus, Inc. | Low oxygen content alloy compositions |
JP2010503772A (ja) * | 2006-09-15 | 2010-02-04 | イボクラール ビバデント アクチェンゲゼルシャフト | パラジウム−コバルトをベース配合とする合金及びそれを含む歯科製品 |
-
1988
- 1988-07-20 JP JP18048588A patent/JPH0230104A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5242762A (en) * | 1991-02-19 | 1993-09-07 | Sony Corporation | Magnetic recording medium having an underlayer and a thin film magnetic layer which consists of a specified cobalt-platinum-palladium alloy |
EP0505783A1 (en) * | 1991-03-28 | 1992-09-30 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Magnetic recording medium |
US5413868A (en) * | 1991-03-28 | 1995-05-09 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Perpendicular magnetic recording medium comprising a magnetic thin film of cobalt, palladium, chromium and oxygen |
EP1724368A2 (en) * | 2004-10-12 | 2006-11-22 | Heraeus, Inc. | Low oxygen content alloy compositions |
EP1724368A3 (en) * | 2004-10-12 | 2010-02-17 | Heraeus, Inc. | Low oxygen content alloy compositions |
JP2010503772A (ja) * | 2006-09-15 | 2010-02-04 | イボクラール ビバデント アクチェンゲゼルシャフト | パラジウム−コバルトをベース配合とする合金及びそれを含む歯科製品 |
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