JPH01263910A

JPH01263910A - 垂直磁気記録媒体および磁気ディスク装置

Info

Publication number: JPH01263910A
Application number: JP8905888A
Authority: JP
Inventors: Yoshifumi Matsuda; 松田　好文; Yoshihiro Shiroishi; 芳博城石; Sadao Hishiyama; 菱山　定夫; Hiroyuki Suzuki; 博之鈴木; Tadayuki Oono; 大野　徒之; Shinichiro Saito; 斎藤　真一郎; Kazumasa Takagi; 高木　一正
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1988-04-13
Filing date: 1988-04-13
Publication date: 1989-10-20
Anticipated expiration: 2012-10-29
Also published as: JP2669529B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】［産業上の利用分野］本発明は次世代の超高密度記録が可能な媒体として注目
されている垂直磁気記録媒体に係わり、特に高密度記録
に好適な磁気ディスク装置用媒体に関する。

［従来の技術］従来、起電密度記録用の垂直磁気記録媒体として、特公
昭５７−１７２８２号に記載のように、磁性膜としてＣ
ｏ−Ｃｒ合金薄膜を用いた媒体が提案されている。重置
磁気記録用媒体の形成法としては蒸着法、スパッタリン
グ法、メッキ法などがある。最近、記録密度の向上がま
すます要求されてきており、そのため特開昭４９−７４
９１２号公報、特開昭５８−１４３１８号公報のように
Ｇｏ−Ｃｒ合金薄膜と基板との間にＴｉ中間層を設け、
結晶性を制御して高いＣ軸配向性を得る提案がなされて
いる。また、特開昭５８−１３３６２４号公報には、Ｃ
ｏ−Ｃｒ合金との熱膨張率の差を少なくし、記録時と再
生時におけるトラックずれを小さくするために垂直磁気
記録媒体用の基板として、Ｔｉ基合金を用いることや、
さらに特開昭６２−１４３２２７，６２−１４３２２８
゜６２−１４３２２９号公報には下地層としてＴｉ合金
中間層を設け、さらに磁性層の結晶粒径を１０〜３００
ｎｍとすることで、真空蒸着法でも高い保磁力の媒体を
得ようとする提案もなされている。

［発明が解決しようとする課題］しかし、これらの発明はほとんど蒸着法、イオンブレー
ティング法などによる、磁気記録用テープやフレキシブ
ルディスクに関するものであり、強化ガラスやＮｉ−Ｐ
メッキＡｌ合金のように平坦で硬い材料からなる基板を
用いるコンピュータ用リジッドディスクにおいてはあま
り検討されていない、そこで本発明者らは、まずＮｉ−
ＰメッキＡｌ合金基板上に直接Ｃｏ−Ｃｒ合金をＲＦス
パッタリング法で形成し特性を評価してみた。ここでＣ
ｒの組成は５〜２５ａｔ％、成膜時の基板温度：室温〜
１５０℃、Ａｒガス圧　３〜３０ｍＴｏｒｒ　（０，４
〜４Ｐａ）を投入電力密度１〜１０Ｗ／ａＪ、膜厚６０
〜２５０ｎｍとした。いずれのＣｏ　−Ｃｒ膜も垂直方
向の保磁力は３０００ｅ以下と低く、しかもＧｏ−Ｃｒ
のＣ軸配向性の分散Δθ５ｏも１０”以上と悪く、良好
な垂直磁化膜は得られなかった。強化ガラス基板につい
ても同様であった。これはＮｉ−Ｐ基板や強化ガラス基
板は通常の有機系基板に比べて表面エネルギーが高く六
方晶のＣｏ−Ｃｒの最密面である０面の高配向が阻害さ
れるためである。一般に垂直磁気記録用の磁性膜におい
て高い記録密度を達成するには、垂直方向の保磁力を高
めると共に垂直磁化膜の結晶軸（Ｃ軸）を膜面に垂直に
配向させることが特に重要であることが知られている。

本発明の目的は、高い密着性が得られるスパッタリング
法などにより磁気記録用テープやフレキシブルディスク
だけでなく、強化ガラスや金應材料などの硬質基板を用
いるリジッドディスクとしても良好な結晶配向性、磁気
特性及び密着性を有する垂直磁化膜を形成し、高記録密
度が可能で信頼性の高い磁気記録媒体を提供することに
ある。

［課題を解決するための手段］六方晶系の磁性合金層と強化ガラス基板、Ｎｉ−Ｐメッ
キ層付きＡｌ合金基板及びセラミックス基板等の非磁性
基板との間にＳｉ基合金、Ｔｉ基合金、Ｚｒ基合金等の
種々の非磁性中足層を設けた媒体をスパッタ法などで形
成し、その媒体の結晶学的特性及び磁気的特性、記録再
生特性さらに密着性、耐食性等の信頼性などを鋭意検討
した本発明者等の研究によれば、上記の目的は前記非磁
性中間層としてＴｉの他にＶ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ。

Ｍｏ、Ｗ、Ｎｍ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ。

素を含むＴｉ基合金中間層を用いることにより達成され
る。このＴｉ基合金中間層に対して、Ｖ。

Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｃｕ。

Ｃ，Ｓｉ、Ｇｅから成る群から選ばれた少なくとも１種
の元素を含みその組成比は総量で１ａｔ％以上２５ａｔ
％以下が望ましく、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｇ。

Ａｕ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｒｈ及びＩｒから成る群から選ばれ
た少なくとも１種の元素を含みその組成比は総量で０．
１ａｔ％以上１０ａｔ％以下とすることが望ましい、さ
らに、前記Ｔｉ基合金中間層に対して、特にＮｂ、Ｔａ
のうち何れか１種の元素の組成比が５ａｔ％以上２０ａ
ｔ％以下であることがより望ましく、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｇ
、Ａｕ、Ｒｕ。

Ｏｓ、Ｒｈ及びＩｒから成る群から選ばれた元素を含み
その組成比が総量で１ａｔ％以上７，５ａｔ％以下とす
ることがより望ましい。また、前記六方晶系の磁性合金
層としてはＣｏを５０ａｔ％以上含み、さらにＣｒ、Ｖ
、Ｍｏ、Ｗ、Ｔｉ、Ｍｎ。

Ｒｅ、Ｓｍ、Ｆｅ及びＯから成る群Ｘから選ばれた少な
くとも１種の元素を総量で０．１ａｔ％以上２５ａｔ％
以下含むＣｏ−Ｘ２元合金薄膜を用いると、磁気特性の
上でより効果的である。さらに、前記六方晶系の磁性合
金層として、Ｚｒ、Ｔｉ。

Ｈｆ、Ｔａ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ及びｐｔから成る群Ｙか
ら選ばれた少なくとも１種の元素を総量でＱ、１ａｔ％
以上１５ａｔ％以下含むＧ　ｏ　−Ｙ　２元合金薄膜を
用いてもよい。前記Ｇｏ−Ｘ２元合金にさらに前記Ｙか
ら選ばれた少なくとも１種の元素を総量で０．１ａｔ％
以上２５ａｔ％以下含むＣｏ−Ｘ−Ｙ３元合金薄膜を用
いると耐食性の上でより効果的である。

［作用］上記手段は以下の作用による。これまで、特開昭５８−
１５９２２５．５９−２２２３６．５９−２２２２５．
５９−３３６２８号公報などにポリイミド等の耐熱性基
板上にＴｉ薄膜を介してＣｏ−Ｃｒ薄膜を形成すること
で、Ｃｏ−Ｃｒ磁性膜の結晶配向性を高めることが知ら
れている。

そこでまず、Ｎｉ−Ｐ基板に対しても同様の効果が得ら
れるか検討した。すなわち、Ｎｉ−Ｐをメッキし、その
表面を鏡面研磨したＡ１合金基板上に、ＲＦスパッタリ
ング法で基板温度：室温〜２００℃、Ａｒガス圧３〜３
０ｍＴｏｒｒ　（０，４〜４Ｐａ）、投入電力密度１〜
ＩＯＷ／ａ＃として膜厚２０〜６００ｎｍのＴｉ中間層
を形成し、さらに連続して膜厚６０〜２５０ｎｍのＣｏ
　−Ｃｒ合金磁性層を形成し、特性を評価した。Ｃｒ組
成については５〜２５ａｔ％まで変えて検討した。その
結果、Ｔｉ中間層を設けることによりＣｏ−Ｃｒの保磁
力は３０００ｅ以上に高くなり、基板温度が高い程高い
保磁力が得られたが、いずれの膜においてもＣｏ−Ｃｒ
のＣ軸配向性の分散を示すΔθ５ｏは１０°以上と大き
く、良好なＣ軸配向性を示さなかった。蒸着法では１５
°以上とさらに低い配向性の膜しか得られず、強化ガラ
ス基板でもＮｉ−Ｐ基板と同様の結果しか得られなかっ
た。

一方、ポリエチレンテレフタレート、ポリイミド。

ポイアミド等の有機系基板に対してはいずれの方法でも
Δθ５ｏは約５°と高いＣ軸配向性を有する膜が得られ
た。これは、Ｎｉ−Ｐ基板や強化ガラス基板は有機系基
板に比べて表面エネルギーが高く、Ｔｉ中間層の最密面
であるＣ面の配向も阻害されてしまうためである。そこ
で本発明者らは、まず中間層の配向性を高めることにつ
いて上記成膜条件で、Ｔｉに４Ａ、５Ａ、６Ａ、７Ａ、
８゜ＩＢ、２Ｂ、３Ｂ、４Ｂ、５Ｂ、６Ｂ族の元素を添
加した中間層を成膜、特性評価することで鋭意検討する
ことにした。その結果、いずれの成膜条件においても、
Ｔｉの他に、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ。

Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ＋　Ｍｎ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ。

Ａ　ｇ　ｒ　Ａ　ｕ　ｙ　Ｃ＋　Ｓ　ｉ＋　Ｇ　ｅ　＋
　Ｒｕ　＋　Ｏｓ　ｒ　Ｒｈ及びＩｒから成る群から選
ばれた少なくとも１種の元素を含むＴｉ基合金中間層は
、Ｔｉ単相膜に比べて、非磁性基板上に垂直にＣ軸が配
向し易いことがＲＨＥＥＤ、Ｘ線回折法などにより明ら
かになった。実際、第４図（ａ）にはＮｉ−Ｐ基板上に
形成した、ＴｉにＮｂ、Ｔａに添加したＴｉ基合金中間
層とその上に形成したＣｏ−Ｃｒ磁性合金層のＣ軸配向
性を示すが、Ｔｉ基合金中間層に対してＮｂ、Ｔａの何
れか１種の組成比が５ａｔ％以上２０ａｔ％以下のとき
に、Ｔｉ−Ｎｂ。

Ｔ　ｉ　−Ｔ　ａ合金中間層及びＣｏ−Ｃｒ磁性合金層
の００２反射のΔθ５ｏが小さく、特にＣｏ−ＣｒＮｂ
−Ｔａ合金やＶ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ。

Ｎｉ、Ｃｕ、Ｃ，Ｓｉ及びＧｅから成る群から選ばれた
元素の１種をＴｉに添加した場合やこれらの組み合わせ
から成る合金も同様の添加量で同じ効果が認められた。

ここでＴｉにＮｂ、Ｔａのいずれか１種を添加した膜は
、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ。

Ｎｉ、Ｃｕ、Ｃ，Ｓｉ及びＧｅの１種を添加した場合に
比べて耐食性が高く中間層としては特に好ましい。また
、Ｔｉ基合金中間層にＮｂ、Ｔａの何れか１種を５ａｔ
％以上２０ａｔ％以下添加した場合に最も高いＣ軸配向
性が得られた。さらに、第４図（ｂ）には、ＴｉにＰｔ
、Ｐｄを添加したＴｉ基合金中間層上に形成したＧｏ−
Ｃｒ磁性合金層のＣ軸配向性を示すが、Ｔｉ基合金に対
してＰｔ、Ｐｄの何れか１種の組成比が１ａｔ％以上７
．５ａｔ％以下のときに、特にＣｏ−Ｃｒ磁性合金層の
Ｃ軸配向性が高いことが分かる。Ｒｕ。

○ｓ、Ｒｈ、Ｉ　ｒ、Ａｇ及びＡｕから成る群から選ば
れた元素の少なくとも１種をＴｉに添加した場合やＴｉ
にＲｕ、Ｏｓ、Ｒｈ、Ｉ　ｒ、ＡｇｅＡｕ、Ｐｔ、Ｐｄ
の合金を添加した場合にも同様の添加量で同じ効果が認
められた。ここで、ＴｉにＶ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ
、Ｗ、Ｍｎ、Ｎｉ＋Ｃｕ、Ｃ，Ｓｉ、Ｇｅを添加したＴ
ｉ基合金系に比べて、これらの合金系は高価ではあるが
耐食性が高く、信頼性の面ではより好ましい。いずれに
せよ、このように、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ。

Ｗ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ。

Ｃ，Ｓｉ、Ｇｅｔ　Ｒｕ、Ｏｓ、Ｒｈ及びＩｒから成る
群から選ばれた少なくとも１種の元素をＴｉに添加する
ことにより、Ｔｉ基合金中間層としてのＣ軸配向性が向
上するのは、Ｔｉ基合金のバルクの状態図においてＴｉ
の六方晶相を保持できるＶ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、
ｗ、Ｍｎ、Ｎｉ。

Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｃ，Ｓｉ、Ｇｅ。

Ｒｕ、Ｏｓ、Ｒｈ及びＩｒ等の固溶限が非常に小さく、
したがって、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ。

Ｗ　＋　Ｍ　ｎ　ｔ　Ｎ　ｉ＋　Ｐ　ｄ　＋　Ｐ　ｔ　
＋　Ｃｕ　ｔ　Ａ　ｇ　ＨＡ　ｕ　ｙＣ，Ｓｉ、Ｇｅ、
Ｒｕ、Ｏｓ、Ｒｈ及びＩｒ等の成分はＴｉ基合金中間層
の柱状結晶の粒界に偏析し易く、そのために最密面であ
る０面が基板面に平行に成長し易いためである。ただし
一般にスパッタリング法等で成膜した薄膜状態での状態
図は組成の絶対値、相状態等はバルクの状態図とは著し
く異なることが通常で、バルクの状態図だけがら逆に本
効果を予想することは困難であり、既に説明したような
詳細な実験が必要である。さらにＣｏ　−Ｃｒ　、　Ｇ
　ｏ　−Ｖ　、　Ｃｏ　−Ｍ　ｏ　、　Ｃｏ　−Ｗ　。

Ｇｏ−Ｒｅ、Ｃｏ−Ｔｉ、Ｃｏ−８ｍ、Ｃｏ−Ｍ　ｎ　
、　Ｃｏ　−Ｔ　ａ　、　Ｃｏ　−Ｚ　ｒ　、　Ｃｏ　
−Ｈｆ　。

Ｃｏ−Ｐｄ、Ｃｏ−Ｐｔ、Ｃｏ−Ｆｅ、Ｃｏ−０゜Ｃｏ
−Ｃｒ−Ｒｈ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｒｕ、Ｃｏ−Ｃｒ　−Ｔ　
ａ　、　Ｃｏ　−Ｃｒ　−Ｚ　ｒ　、　Ｃｏ　−Ｃｒ　
−Ｐｔ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｄ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔｉ。

Ｇｏ−Ｃｒ−Ｈｆ、Ｇｏ−Ｔｉ−Ｔａ等の六方晶系磁性
合金は上記Ｔｉ基合金と格子定数が近いため、エピタキ
シャル的に六方晶系磁性合金層がＴｉ基合金上に成長し
易く、上記六方晶系磁性合金から成る、高いＣ軸配向性
を示す垂直磁化膜が得られることになる。ここでＣｏ基
３元合金はｃＯ基２元合金に比べて耐食性が高いので好
ましい。

次に本発明より成る高配向垂直磁化膜の磁気特性、記録
再生特性について述べる。ＴｉにそれぞれＮｂ、Ｔａ及
びＰｔ、Ｐｄを添加したＴｉ基合金中間層上に形成した
Ｃｏ−Ｃｒ磁性合金層の磁気特性を第４図（ａ）、第４
図（ｂ）に示した。

Ｃｏ−Ｃｒ磁性合金層のＣ軸配向性が高いＴｉ基合金組
成で、垂直磁気異方性が高く角形比が大きい等の優れた
垂直磁気特性が得られた。また、Ｖ。

Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｎｉ　、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ。

Ｃ，Ｓｉ、Ｇｅ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｒｈ及びＩｒから成る群
から選ばれた少なくとも１種の元素をＴｉに添加した場
合も同様に、Ｃｏ基磁性合金層のＣ軸配向性が高いＴｉ
基合金組成で、優れた垂直磁気特性が得られた。特に、
前記六方晶系の磁性合金層として、Ｃｒ、Ｖ、Ｍｏ、Ｗ
、Ｔｉ、Ｍｎ。

Ｒｅ、Ｓｍ、Ｆｅ及びＯから成る群Ｘがら選ばれた少な
くとも１種の添加元素を総量で０．１ａｔ％以上２５ａ
ｔ％以下含むＣｏ基合金薄膜を用いると、より良好な記
録再生特性を示し、添加元素量をＱ、１ａｔ％未滴にす
ると面内記録成分が著しく強くなり、２５ａｔ％より多
くすると再生出力が著しく低下し、何れも記録再生特性
は劣化した。さらに、前記六方晶系の磁性合金層として
、Ｚｒ。

Ｔｉ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ及びＰＬから成る
群Ｙから選ばれた少なくとも１種の添加元素を総量で０
．１ａｔ％以上１５ａｔ％以下含むＣ０基合金薄膜を用
いても良好な記録再生特性を示すが、添加元素量を０．
１ａｔ％未満にしても、１５ａｔ％より多くしても、前
記と同様に記録再生特性は劣化した。ここで前記のよう
にＣｏ−Ｘ２元合金にＹ群から選ばれた少なくとも１種
の元素を総量で０．１ａｔ％以上２５ａｔ％以下添加し
たＣｏ−Ｘ−Ｙ３元合金は、再生出力が若干低下するが
優れた耐食性を示すので応用上より好ましい。以上の効
果は蒸着法によっても確認されたが、Δθ５゜は７°程
度と、効果の大きさはスパッタリング法によるものに比
べて大きかった。これは一般に蒸着法で成膜された膜は
、蒸着粒子の運動エネルギーが０．１〜１ｅＶと小さい
ので、１桁長度高い運動エネルギーを有する、スパッタ
リング法による膜と比べて膜の配向性や密着性に劣るた
めである。このようにスパッタリング法による膜は密着
性にも優れているため、耐摺動性等の信頼性の面でも好
ましい。以上の効果はスパッタリング中のガス中にＮ２
，０２．Ｎ２等の不純物ガスを１ｖ０１％まで添加して
もほぼ同様であった。

以上の効果により、スパッタリング法などによりｕ、Ａ
ｇ、Ａｕ、Ｃ，Ｓｉ、Ｇｅ、Ｒｕ、Ｏｓ。

Ｒｈ及びＩｒから成る群から選ばれた少なくとも１種の
元素を含むＴｉ基合金中間層を形成することにより、六
方晶系磁性合金層は基板面に対して垂直方向にＣ軸配向
性が高く、優れた垂直磁気特性を示すと共に密着性も高
いので、本発明より成る六方晶系磁性合金層を用いるこ
とにより、特に優れた記録再生特性及び信頼性を有する
垂直磁気記録媒体及び装置を提供することができる。

［実施例］以下、本発明の詳細な説明する。

［実施例１］　第１図において、１１はＡｌ金合金から
成る非磁性基板、１２，１２’はＮｉ−Ｐ。

Ｎｉ−Ｗ−Ｐもしくはこれらを主たる成分とする合金か
ら成る非磁性メッキ層、１３．１３’はＴｉ基合金から
成る非磁性中間層、１４．１４’はＣｏ−Ｃｒから成る
六方晶系磁性合金層、１５゜１５′はＣ，Ｂ、Ｂ４Ｃ，
５ｉ−Ｃ，Ｃｏ３Ｏ４゜Ｓ　ｉ０２．　Ｓ　ｉ３Ｎ４．
　Ｗ−Ｃ，Ｓ　ｉ　−Ｃ，Ｚ　ｒ　−Ｃ等から成る保護
潤滑層であり、それぞれは以下に示すように形成される
。外径１３０ｍｍΦ、内径４０ｍｍΦ、厚さ１．９ｍｍ
のＡｌ合金基板１１の上に、膜厚２０μｍの非磁性１２
ｗｔ％Ｐ−Ｎｉメッキ層１２，１２’　を形成した後１
表面を円周方向に微細な凹凸を有しその中心線平均面粗
さ１０ｎｍになるように鏡面研磨して膜厚を１５μｍと
した。この基板上にＲＦマグネトロンスパッタ装置によ
り基板温度１００℃、Ａｒガス圧０．７　Ｐ　ａ　、　
ＲＦ投入電力５　Ｗ／ｃｄのスパッタ条件で以下のＴｉ
基合金中間層を膜厚４００ｎｍ形成して非磁性中間ｆｆ
１１３．１３’　とした後、同一のスパッタ条件で２１
ａｔ％Ｃｒ−Ｃｏ磁性Ｍ１４゜１４′を膜厚２５０ｎｍ
形成した。ここで、非磁性中間層としてＴｉ基合金中間
層には、Ｖ、Ｎｂ。

Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｃ。

Ｓｉ及びＧｅを各々１０ａｔ％添加して形成した薄膜と
、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｇ、Ａｕ、Ｒｕ、Ｏｓ。

Ｒｈ及びＩｒを各々５ａｔ％添加して形成した薄膜を用
いたさらにＤＣマグネトロンスパッタ装置により、基板
温度１００℃、Ａｒガス圧１．３Ｐａ。

ＤＣ投入電力３　Ｗ／ａＪのスパッタ条件でＣから成る
保護潤滑層１５．１５’　を膜厚３０ｎｍ形成し、磁気
ディスクを作製した。

［実施例２コ　第２図において、２１は表面に円周方向
に微細な凹凸を有しその中心線平均面粗さを５ｎｍとし
た強化ガラス等から成る非磁性基板２２．２２’はＴｉ
基合金から成る非磁性中間層２３．２３’はＣｏ−Ｃｒ
等から成る六方晶系磁性合金層、２４，２４’はＣ，Ｂ
、Ｂ４Ｃ，５ｉ−Ｃ等から成る保護潤滑層であり、それ
ぞれは以下に示すように形成される。強化ガラス基板２
１上にＤＣマグネトロンスパッタ装置により、基板温度
１００℃、Ａｒガス圧０．５　Ｐ　ａ　、　ＤＣＣ投入
力カフＷ／ｃｄのスパッタ条件で以下のＴｉ基合金中間
層を膜厚２００ｎｍ形成して非磁性中間層２２．２２’
　とした後、同一のスパッタ条件で２０ａｔ％Ｃｒ−Ｃ
ｏ磁性層２３，２３’　を膜厚２００ｎｍ形成した。こ
こで、非磁性中間層としてのＴｉ基合金中間層には、Ｖ
、Ｎｂ、Ｔａ。

Ｃｒ、　Ｍｏ、　Ｗ、　Ｍｎ、　Ｎｉ、　Ｃｕ、　Ｃ，
Ｓｉ及びＧｅを各々８ａｔ％添加して形成した薄膜と、
Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｇ、Ａｕ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｒｈ及びＩｒを
各々３ａｔ％添加して形成した薄膜を用いた。

さらに、ＤＣマグネトロンスパッタ装百により、基板温
度１００℃、Ａｒガス圧１．３Ｐａ、ＤＣ投入電力３　
Ｗ／ａＪでＢから成る保護潤滑層２４゜２４′を膜厚２
０ｎｍ形成し、磁気ディスクを作製した。

［比較例１］　実施例１における非磁性中間層１３．１
３’　をＴｉ単相膜とした以外は実施例１と同一構成か
つ同一スパッタ条件で、磁気ディスクを作製した。

［比較例２コ　実施例２における非磁性中間層２２．２
２’　をＴｉ単相膜とした以外は実施例２と同一構成か
つ同一スパッタ条件で、磁気ディスクを作製した。

［比較例３コ　実施例１における非磁性中間層１３．１
３’　を除いた以外は実施例１と同一構成かつ同一スパ
ッタ条件で、磁気ディスクを作製した。

［比較例４］　実施例２における非磁性中間層２２．２
２’　を除いた以外は実施例２と同一構成かつ同一スパ
ッタ条件で、磁気ディスクを作製した。

上記実施例１，２及び比較例１，２，３．４によって得
られた磁気ディスクにおけるＣ　ｏ　−Ｃｒ磁性層のＣ
軸配向性及び磁気特性の測定結果を第１表に示す。ここ
で、Ｃｏ　−Ｃｒ磁性層のΔθ５゜はＣｏ−Ｃｒの００
２反射のロッキング曲線の半筒　　１　　表値幅であり、Δθ５ｏが小さい程配向性は高い。

Ｒｅ土は基板面に対し垂直方向に磁界を印加したときの
保磁力である。上記の各媒体の記録再生特性はＭ　ｎ　
−Ｚ　ｎフェライトリングヘッドにより、磁性層表面か
らの浮上スペーシング０．２４μｍで評価した。ここで
、Ｄ５゜は孤立波再生出力が半分になるときの線記録密
度である。これらの結果から明かなように、本発明によ
れば、非磁性中間層としてのＴｉ単相膜を設けただけの
比較例１゜２や非磁性中間層を設けない比較例３，４に
比べて、実施例１，２ではＣｏ　−Ｃｒ磁性層の保磁力
及びＣ軸配向性が大幅に向上している。これに対応して
良好な記録再生特性が得られた。特に、ＴｉにＮｂ、Ｔ
ａを添加した場合に最も良好なＣ軸配向性が得られてい
る。また、本効果は強化ガラス基板、セラミックス基板
、プラスチック被膜Ａｌ合金基板等の基板を用いた場合
にも認められた。本発明によるディスクを用いた磁気デ
ィスク装胃は、装置容量が比較例によるディスクを用い
た磁気ディスク装置に比べて装置容量が２倍以上大きく
、ざらに摺動等により装置がダウンしてしまうまでの平
均時間も１桁以上長く、特に良好であった。

［実施例３］　第３図において、３１は表面に円周方向
に微細な凹凸を有しその中心線平均面粗さ−を５ｎｍと
した強化ガラス等から成る非磁性基板３２．３２’はＣ
ｏ−Ｚｒ−Ｍｏ、Ｆｅ−Ｎｉ。

Ｍｏ−Ｆｅ−Ｎｉ、Ｆｅ−Ｃｏ−Ａｌ１１−３ｉ合金等
の高透磁率磁性層、３３．３３’はＴｉ基合金から成る
非磁性中間層、３４．３４’はＣｏ−Ｃｒ等から成る六
方晶系磁性合金層、３５゜３５′はＣ，Ｂ、Ｂ４Ｃ，５
ｉ−Ｃ等から成る保護潤滑層であり、それぞれは以下に
示すように形成される。強化ガラス基板３１上にＤＣマ
グネトロンスパッタ装置により、基板温度１５０°Ｃ２
Ａｒガス圧０．６Ｐａ、ＤＣ投入電力６Ｗ／ｃ＋Ｊのス
パッタ条件で２０ａｔ％Ｆｅ−ＮｉもしくはＣ。

−Ｚｒ−Ｍｏ高透磁率磁性層３２．３２’　を膜厚５０
０ｎｍ形成し、その上に同一のスパッタ条件で以下のＴ
ｉ基合金中間層を膜厚２，５．１０及び２０ｎｍ形成し
て非磁性中間Ｎ３３，３３’　とした後、同一のスパッ
タ条件で５ａｔ％Ｔａ−１６ａｔ％Ｃｒ−Ｃｏもしくは
５ａｔ％Ｚｒ−１５ａｔ％Ｃｒ　−Ｃｏ磁性層３４．３
４’　を膜厚２００ｎｍ形成した。ここで、非磁性中間
層としてＴｉ基合金中間層には、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ
、Ｍｏ、Ｗ。

Ｍｎ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｃ，Ｓｉ及びＧｅを各々１１ａｔ％
添加して形成した薄膜と、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｇ。

Ａｕ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｒｈ及びＩｒを各々６ａｔ％添加し
て形成した薄膜を用いた。さらに、ＤＣマグネトロンス
パッタ装置により、基板温度１００℃。

Ａｒガス圧１．３Ｐａ、ＤＣ投入電力５Ｗ／ａｄでＢか
ら成る保護潤滑層３５．３５’　を膜厚２０ｎｍ形成し
、磁気ディスクを作製した。この磁気ディスクを垂直型
磁気ヘッドを用いて記録再生特性を評価した結果、実施
例１及び２の方法で作製した磁気ディスクの記録再生特
性に比べて２倍長度の高い出力が得られ、特に良好な記
録再生特性を示した。また、いずれのディスクも３０に
回以上の良好な耐ＣＳＳ　（コンタクト・スタート・ス
トップ）特性を示し、耐摺動性にも優れていた。

なお、前記六方晶系磁性合金層として、Ｃｏ−Ｃｒ磁磁
性以外にＣｏ　−Ｖ　、　Ｃｏ　−Ｍ　ｏ　、　Ｃｏ　
−Ｗ、Ｃｏ−Ｒｅ、Ｃｏ−Ｔｉ、Ｃｏ−３ｍ、Ｃ。

−Ｍｎ、Ｃｏ−Ｐｄ、Ｃｏ−Ｐｔ、Ｃｏ−Ｆｅ。

Ｃｏ−０、Ｃｏ　−Ｃｒ　−Ｒｈ　、　Ｃｏ　−Ｃｒ　
−Ｒｕ　。

Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔｉ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｈｆ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐ
ｔ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｄ、Ｃｏ−Ｔｉ−Ｔａ、Ｃｏ−Ｍｏ
−Ｔａ、Ｃｏ−Ｗ、Ｒｕ等の六方晶系磁性合金層を用い
ても同様の効果があった。

また、さらに実施例１．実施例２及び実施例３において
、第１図、第２図及び第３図の保護潤滑層１５．１５’
　、２４，２４’及び３５．３５’の上にパーフルオロ
ポリエーテル系極性潤滑剤などの潤滑層を２ｎｍ以上８
ｎｍ以下形成すると耐摺動性が向上するのでさらに好ま
しい。

［発明の効果］以上説明したように本発明により、六方晶系磁性合金層
と非磁性基板の間にＴｉ基合金中間層を有する垂直磁気
記録媒体において、前記Ｔｉ基合全中間層に対して、Ｖ
、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ。

Ｗ　＋　　Ｍ　ｎ　ｒ　　Ｎ　ｉｒ　　Ｐ　ｄ　＋　　
Ｐ　ｔ　＋　　Ｃｕ　ｙ　　Ａ　ｇ　＋　　Ａ　ｕ　ｔ
Ｃ，Ｓｉ、Ｇｅ、Ｒｕ、○ｓ、Ｒｈ及びＩｒから成る群
の中から少なくとも１種の元素を添加した薄膜を用いる
ことにより、六方品系磁性合金中間暦のＣ軸配向性及び
磁気特性を大幅に改善し、良好な記録再生特性及び信頼
性を有する磁気ディスク及び装置を提供することができ
る。

【図面の簡単な説明】

第１図、第２図及び第３図は本発明の実施例の磁気ディ
スクの断面図、第４図（ａ）および第４図（ｂ）は本発
明の磁気ディスク等における種々の添加元素に対するＴ
ｉ基合金中間暦の組成とＴｉ基合金中間Ｊｅ及びＣｏ−
Ｃｒ磁性合金暦のＣ軸配向性と関係を示す図である。１１．２１．３１・・・基板、１２．１２’・・・非磁性メッキ、１３．１３’　、２２，２２’　、３３，３３’　・・
・非磁性中間層、１４．１４’　、２３．２３’　、３４，３４’・・・
六方晶系磁性合金層、１５．１５’　、２４．２４’　、３５．３５’・・・
保護潤滑層。３２．３２’・・・高透磁率磁性層。１　ノ１２３第４目乙θりＯ−・Ｃ−Ｃ？鼻疼１Ｃ和沢何皮Ｈレ−・・・ｇ
詠Ｉ工−−−−・老工方伺汐・−−一一面月方河

Claims

【特許請求の範囲】１、六方晶系の磁性合金層と非磁性基板との間に少なく
ともＴｉ基合金中間層を有することを特徴とする垂直磁
気記録媒体。２、上記Ｔｉ基合金中間層と非磁性基板との間にさらに
高透磁率磁性層を設けることを特徴とする特許請求の範
囲第１項に記載の垂直磁気記録媒体。３、前記Ｔｉ基合金中間層として、Ｔｉの他にＶ、Ｎｂ
、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃ
ｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｒｈ及
びＩｒから成る群から選ばれた少なくとも１種の元素を
含むことを特徴とする特許請求の範囲第１項ないし第２
項に記載の垂直磁気記録媒体。４、前記Ｔｉ基合金中間層に対して、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、
Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｃ、Ｓｉ及びＧｅ
から成る群から選ばれた少なくとも１種の元素を含みそ
の組成比が総量で１ａｔ％以上２５ａｔ％以下であるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第３項に記載の垂直磁気
記録媒体。５、前記Ｔｉ基合金中間層に対して、Ｎｂ、Ｔａのうち
何れか１種の元素の組成比が５ａｔ％以上２０ａｔ％以
下であることを特徴とする特許請求の範囲第４項に記載
の垂直磁気記録媒体。６、前記Ｔｉ基合金中間層に対して、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｒｈ
、Ｉｒ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｇ及びＡｕから成る群から選ば
れた少なくとも１種の元素を含みその組成比が総量で０
．１ａｔ％以上１０ａｔ％以下であることを特徴とする
特許請求の範囲第３項に記載の垂直磁気記録媒体。７、前記Ｔｉ基合金中間層に対して、特にＲｕ、Ｏｓ、
Ｒｈ、Ｉｒ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｇ及びＡｕから成る群から
選ばれた少なくとも１種の元素を含みその組成比が総量
で１ａｔ％以上７．５ａｔ％以下であることを特徴とす
る特許請求の範囲第６項に記載の垂直磁気記録媒体。８、前記六方晶系の磁性合金層をＣｏ組成比が５０ａｔ
％以上のＣｏ基合金薄膜とすることを特徴とする特許請
求の範囲第１項ないし第７項に記載の垂直磁気記録媒体
。９、前記Ｃｏ基合金薄膜が、Ｃｒ、Ｖ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔｉ
、Ｍｎ、Ｒｅ、Ｓｍ、Ｆｅ及びＯから成る群から選ばれ
た少なくとも１種の元素を含みその組成比が総量で０．
１ａｔ％以上２５ａｔ％以下であることを特徴とする特
許請求の範囲第８項に記載の垂直磁気記録媒体。１０、前記Ｃｏ基合金薄膜が、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｈｆ、Ｔａ
、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ及びＰｔから成る群から選ばれた少
なくとも１種の元素を含みその組成比が総量で０．１ａ
ｔ％以上１５ａｔ％以下含むことを特徴とする特許請求
の範囲第８項ないし第９項に記載の垂直磁気記録媒体。１１、前記非磁性基板として、強化ガラス基板、Ｎｉ−
Ｐメッキ層付きＡｌ合金基板及びセラミックス基板の何
れか１種を用いることを特徴とする特許請求の範囲第１
項ないし第１０項に記載の垂直磁気記録媒体。１２、特許請求の範囲第１項ないし第１１項に記載の垂
直磁気記録媒体を用いた磁気ディスク装置。