JP3298893B2 - 双結晶クラスタ磁気記録媒体 - Google Patents
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Description
【発明の詳細な説明】 技術分野 本発明は、磁気記録媒体、例えば薄膜磁気記録ディス
クに関するものである。本発明は、特に、低ノイズで高
密度の磁気記録媒体に適用可能である。
クに関するものである。本発明は、特に、低ノイズで高
密度の磁気記録媒体に適用可能である。
背景技術 高い面積記録密度が要求されることから、薄膜磁気記
録ディスクに対しては、保磁性、残留磁気角形度（rema
nent squareness）、低媒体ノイズ、狭幅トラック記録
性能が次第に求められるようになった。その種の厳しい
要求を満足させる磁気記録媒体、特に、長さ方向トラッ
クでの記録のための高密度磁気ハードディスク媒体を製
造することは、きわめて難しい。
録ディスクに対しては、保磁性、残留磁気角形度（rema
nent squareness）、低媒体ノイズ、狭幅トラック記録
性能が次第に求められるようになった。その種の厳しい
要求を満足させる磁気記録媒体、特に、長さ方向トラッ
クでの記録のための高密度磁気ハードディスク媒体を製
造することは、きわめて難しい。
記録線密度は、磁気記録媒体の保磁性を増すことによ
って高めることができる。しかし、この目的は、例えば
きわめて微細な、磁気結合されていない結晶粒を維持す
ることにより、媒体のノイズを低減することでしか達成
できない。媒体ノイズは、高密度磁気ハードディスクド
ライブの記録密度増大を阻む主要因である。薄膜の媒体
ノイズは、主として不均一な結晶粒度と結晶粒間の取交
し結合とに起因する。したがって、線密度を高めるため
には、媒体ノイズを適当な微細構造制御によって最小化
せねばならない。
って高めることができる。しかし、この目的は、例えば
きわめて微細な、磁気結合されていない結晶粒を維持す
ることにより、媒体のノイズを低減することでしか達成
できない。媒体ノイズは、高密度磁気ハードディスクド
ライブの記録密度増大を阻む主要因である。薄膜の媒体
ノイズは、主として不均一な結晶粒度と結晶粒間の取交
し結合とに起因する。したがって、線密度を高めるため
には、媒体ノイズを適当な微細構造制御によって最小化
せねばならない。
従来の長さ方向トラック記録ディスク媒体は、図１に
示したように、アモルファスのニッケル−燐（NiP）膜
をめっきされた基板10、すなわち通常はアルミニウム
（Al）合金、例えばアルミニウム−マグネシウム（Al−
Mg）合金の基板を含んでいる。基板10には、概して、そ
の上に順次にクロム（Cr）の下地膜11、コバルト（Co）
基合金の磁性膜12、炭素の保護膜13、潤滑剤14が堆積さ
れている。クロム下地膜11と、Co基合金磁性膜12と、炭
素保護膜13とは、通常、スパッタ法によって堆積せしめ
られる。Co基合金の磁性膜は、通常、多結晶Cr下地膜上
にエピタキシャル成長させた多結晶を含んでいる。
示したように、アモルファスのニッケル−燐（NiP）膜
をめっきされた基板10、すなわち通常はアルミニウム
（Al）合金、例えばアルミニウム−マグネシウム（Al−
Mg）合金の基板を含んでいる。基板10には、概して、そ
の上に順次にクロム（Cr）の下地膜11、コバルト（Co）
基合金の磁性膜12、炭素の保護膜13、潤滑剤14が堆積さ
れている。クロム下地膜11と、Co基合金磁性膜12と、炭
素保護膜13とは、通常、スパッタ法によって堆積せしめ
られる。Co基合金の磁性膜は、通常、多結晶Cr下地膜上
にエピタキシャル成長させた多結晶を含んでいる。
アルミニウム合金基板上の従来のNiPめっきは、主と
して、アルミニウム合金の硬度を増すために施され、そ
れによって、研磨に適当な表面が得られ、必要な表面粗
さまたは表面組織（texture）が与えられる。NiPめっき
は、通常、無電解めっきによって約15マイクロメータ厚
に施される。
して、アルミニウム合金の硬度を増すために施され、そ
れによって、研磨に適当な表面が得られ、必要な表面粗
さまたは表面組織（texture）が与えられる。NiPめっき
は、通常、無電解めっきによって約15マイクロメータ厚
に施される。
ヴァーナ氏他による米国特許4900397号では、無線周
波数（RF）スパッタエッチングを利用して、アルミニウ
ム合金基板の従来のNiP膜上の表面堆積を除去し、次い
で酸化させて、クロム下地膜の付着力を改善すること
が、提案されている。またデルナー氏他の米国特許5302
434号では、超研磨され表面組織なしの、NiP被覆された
基板上には高い保磁性を得ることが困難であるという認
識から、空気中でアニールすることで、NiP膜の表面に
酸化ニッケル膜を形成し、保磁性を高めることが提案さ
れている。研磨されたNiP膜の滑らかな表面は、続く複
数の膜にわたって維持される。酸化ニッケル膜は、また
下地膜および磁性膜の結晶方位を変えることで変調を低
減するという。
波数（RF）スパッタエッチングを利用して、アルミニウ
ム合金基板の従来のNiP膜上の表面堆積を除去し、次い
で酸化させて、クロム下地膜の付着力を改善すること
が、提案されている。またデルナー氏他の米国特許5302
434号では、超研磨され表面組織なしの、NiP被覆された
基板上には高い保磁性を得ることが困難であるという認
識から、空気中でアニールすることで、NiP膜の表面に
酸化ニッケル膜を形成し、保磁性を高めることが提案さ
れている。研磨されたNiP膜の滑らかな表面は、続く複
数の膜にわたって維持される。酸化ニッケル膜は、また
下地膜および磁性膜の結晶方位を変えることで変調を低
減するという。
別の基板材料、例えばアモルファスガラス等のガラス
や、アモルファス材料と結晶材料との混合材を含むガラ
ス−セラミック材料も、用いられてきた。ガラス−セラ
ミック材料は、普通は、結晶表面は示さない。ガラスと
ガラス−セラミックとは、概して、高い耐衝撃性を有し
ている。ガラス−セラミック材料等のガラス基の材料の
使用は、フーヴァー氏他の米国特許5273834号に開示さ
れている。
や、アモルファス材料と結晶材料との混合材を含むガラ
ス−セラミック材料も、用いられてきた。ガラス−セラ
ミック材料は、普通は、結晶表面は示さない。ガラスと
ガラス−セラミックとは、概して、高い耐衝撃性を有し
ている。ガラス−セラミック材料等のガラス基の材料の
使用は、フーヴァー氏他の米国特許5273834号に開示さ
れている。
双結晶クラスタ（集団）微細構造を示す磁性膜は、近
年の研究テーマとなっているが、これは、高い保磁性、
低ノイズ、高い残留磁気角形度が期待されるためであ
る。しかし、双結晶クラスタ磁性膜が、商業的に実現可
能なものかどうかは明らかではない。ウォン氏他（IEEE
Trans.Magn.,MAG−27,p.4733,1991）、ミルザマーニ氏
他（J.Appl.Phys.,69,p.5169、1991）、ミン氏およびジ
ュー氏（J.Appl.Phys.,75,p.6129,1994）、ディン氏お
よびジュー氏（IEEE Trans.Magn.,MAG−30,p.3978,199
4）、フタモト氏他（IEEE TRANS.MAG−30,P.3975,199
4）らは、単結晶基板上に双結晶媒体を形成することに
成功している。また、イェー氏およびジュー氏は、コン
ピュータを使用して、双結晶構造をシミュレートしてい
る（J.Appl.Phys.,75,p.6135,1994）。しかし、イェー
氏およびジュー氏のコンピュータで形成せしめられた理
想微細構造に対応する実際の双結晶クラスタ媒体の製造
は、明らかにされていない。
年の研究テーマとなっているが、これは、高い保磁性、
低ノイズ、高い残留磁気角形度が期待されるためであ
る。しかし、双結晶クラスタ磁性膜が、商業的に実現可
能なものかどうかは明らかではない。ウォン氏他（IEEE
Trans.Magn.,MAG−27,p.4733,1991）、ミルザマーニ氏
他（J.Appl.Phys.,69,p.5169、1991）、ミン氏およびジ
ュー氏（J.Appl.Phys.,75,p.6129,1994）、ディン氏お
よびジュー氏（IEEE Trans.Magn.,MAG−30,p.3978,199
4）、フタモト氏他（IEEE TRANS.MAG−30,P.3975,199
4）らは、単結晶基板上に双結晶媒体を形成することに
成功している。また、イェー氏およびジュー氏は、コン
ピュータを使用して、双結晶構造をシミュレートしてい
る（J.Appl.Phys.,75,p.6135,1994）。しかし、イェー
氏およびジュー氏のコンピュータで形成せしめられた理
想微細構造に対応する実際の双結晶クラスタ媒体の製造
は、明らかにされていない。
NiP被覆されたアルミニウム基板上に堆積させたCr/Co
合金に双結晶クラスタ構造を形成することが、ノラン氏
他（J.Appl.Phys.,73,p.5566,1993）、ペン氏他（JA−0
1,Intermag Conference,San Antonio,Texas,April 199
5）、ホソエ氏他（JA−02,Intermag Conference,San An
tonio,Texas,April 1995）により行われている。また、
ディン氏他の『GaAs基板上の双結晶ディスクの製造およ
び記録性能』（Jounal of The Magnetics Society of J
apan,Vol.18,Supplement,No.S1,（1991）およびディン
氏他の『双結晶薄膜媒体の記録およびトラックエッジ特
性についての実験研究』（IEEE Trans.Magn.,MAG−31,
p.2827,1995）も、参照のこと。しかし、双結晶クラス
タ微細構造を含む磁性記録媒体は、市場での実際的な利
益には結び付かなかった。これは、おそらく単結晶基板
が高価なことと、製造上の要求が複雑なことによる。
合金に双結晶クラスタ構造を形成することが、ノラン氏
他（J.Appl.Phys.,73,p.5566,1993）、ペン氏他（JA−0
1,Intermag Conference,San Antonio,Texas,April 199
5）、ホソエ氏他（JA−02,Intermag Conference,San An
tonio,Texas,April 1995）により行われている。また、
ディン氏他の『GaAs基板上の双結晶ディスクの製造およ
び記録性能』（Jounal of The Magnetics Society of J
apan,Vol.18,Supplement,No.S1,（1991）およびディン
氏他の『双結晶薄膜媒体の記録およびトラックエッジ特
性についての実験研究』（IEEE Trans.Magn.,MAG−31,
p.2827,1995）も、参照のこと。しかし、双結晶クラス
タ微細構造を含む磁性記録媒体は、市場での実際的な利
益には結び付かなかった。これは、おそらく単結晶基板
が高価なことと、製造上の要求が複雑なことによる。
したがって、長さ方向トラックでの記録用の、媒体ノ
イズが低く保磁性が高い磁気ハードディスクを製造する
必要が存在する。また、双結晶クラスタ媒体の理論的利
点を、費用効果のよいやり方で、商業的に利用し得るよ
うにする必要が存在する。
イズが低く保磁性が高い磁気ハードディスクを製造する
必要が存在する。また、双結晶クラスタ媒体の理論的利
点を、費用効果のよいやり方で、商業的に利用し得るよ
うにする必要が存在する。
発明の開示 本発明の目的は、低ノイズで、高保磁性を有する磁気
記録媒体を得ることである。
記録媒体を得ることである。
本発明の別の目的は、双結晶クラスタ微細構造を有す
る磁気膜を含む磁気記録媒体を得ることである。
る磁気膜を含む磁気記録媒体を得ることである。
本発明の付加的目的、利点、その他の特徴は、以下の
説明で一部明らかになるであろうし、また、当業者に
は、一部は以下の検討から明らかになるか、または本発
明の実際から知ることができよう。本発明の目的および
利点は、特に請求の範囲に記載のように実現かつ達成す
ることができる。
説明で一部明らかになるであろうし、また、当業者に
は、一部は以下の検討から明らかになるか、または本発
明の実際から知ることができよう。本発明の目的および
利点は、特に請求の範囲に記載のように実現かつ達成す
ることができる。
本発明によれば、前記およびその他の目的は、一部、
ガラスまたはガラス−セラミック材料からなる基板と、
基板上の種膜と、種膜上の下地膜と、下地膜上の磁性
膜、それも双結晶クラスタ微細構造を有する磁性膜とを
含む磁気記録媒体により達成された。
ガラスまたはガラス−セラミック材料からなる基板と、
基板上の種膜と、種膜上の下地膜と、下地膜上の磁性
膜、それも双結晶クラスタ微細構造を有する磁性膜とを
含む磁気記録媒体により達成された。
本発明の他の態様は、ガラスまたはガラス−セラミッ
ク材料からなる基板と、基板上の表面酸化種膜と、種膜
上の、（200）結晶方位の下地膜と、下地膜上の磁性膜
とを含む磁気記録媒体であり、しかも、前記磁性膜は双
結晶クラスタ微細構造を有し、前記磁気記録媒体は127K
FCI（インチ当たり1000磁束反転）で測定して約15dBを
超える信号／ノイズ比を有している。
ク材料からなる基板と、基板上の表面酸化種膜と、種膜
上の、（200）結晶方位の下地膜と、下地膜上の磁性膜
とを含む磁気記録媒体であり、しかも、前記磁性膜は双
結晶クラスタ微細構造を有し、前記磁気記録媒体は127K
FCI（インチ当たり1000磁束反転）で測定して約15dBを
超える信号／ノイズ比を有している。
本発明の付加的な目的および利点は、当業者には、以
下の詳細な説明により直ちに明らかになろう。以下の説
明では、本発明の具体例が、本発明を実施するに当たっ
て考えられる最良の態様を図示することにより、説明さ
れている。本発明には、別の、異なる具体例も可能であ
り、また本発明のいくつかの細部は、本発明の範囲を逸
脱することなしに、種々の明瞭な点で変更が可能であ
る。したがって、図面および説明は、本発明を制限する
ものではなく、事実上説明と見なされれねばならない。
下の詳細な説明により直ちに明らかになろう。以下の説
明では、本発明の具体例が、本発明を実施するに当たっ
て考えられる最良の態様を図示することにより、説明さ
れている。本発明には、別の、異なる具体例も可能であ
り、また本発明のいくつかの細部は、本発明の範囲を逸
脱することなしに、種々の明瞭な点で変更が可能であ
る。したがって、図面および説明は、本発明を制限する
ものではなく、事実上説明と見なされれねばならない。
図面の簡単な説明 図１は従来の磁気記録媒体の構造を示す略示図。
図２は本発明による双結晶クラスタ微細構造の略示
図。
図。
図３は本発明の一実施例による磁気記録媒体の構造を
有する略示図。
有する略示図。
図４は本発明による双結晶クラスタ微細構造を有する
Cr/Co合金膜のＸ線回折曲線を示す図。
Cr/Co合金膜のＸ線回折曲線を示す図。
図５は双結晶クラスタ微細構造を有さないCr/Co合金
膜のＸ線回折曲線を示す図。
膜のＸ線回折曲線を示す図。
図６は双結晶クラスタ微細構造を有する見本と、有さ
ない見本の、信号とAC消磁ノイズのスペクトルを比較し
た図。
ない見本の、信号とAC消磁ノイズのスペクトルを比較し
た図。
発明の説明 本発明により得られる磁気記録媒体は、高い保磁性、
高い残留磁気角形度を有し、媒体ノイズが有意に低く、
効率的かつ費用効果あるやり方で商業利用するのに適し
ている。本発明により製造された磁気記録媒体は、127K
FCIで測定した約20dBを超える値を含めて約15dBを超え
る信号／ノイズ比を有している。この極めて望ましい磁
気記録媒体は、双結晶クラスタ微細構造を有する磁性合
金膜を堆積させ、エピタキシャル成長させることで実現
される。重要な点は、本発明により、双結晶クラスタ微
細構造を有する磁性合金膜が、きわめて効率的な、安価
で簡単な仕方で、単結晶基板を必要とすることなしに実
現される点である。また、本発明により、ガラスまたは
ガラス−セラミック材料製の基板上に双結晶クラスタ微
細構造を有する磁性合金膜を含む磁気記録媒体が得られ
る。
高い残留磁気角形度を有し、媒体ノイズが有意に低く、
効率的かつ費用効果あるやり方で商業利用するのに適し
ている。本発明により製造された磁気記録媒体は、127K
FCIで測定した約20dBを超える値を含めて約15dBを超え
る信号／ノイズ比を有している。この極めて望ましい磁
気記録媒体は、双結晶クラスタ微細構造を有する磁性合
金膜を堆積させ、エピタキシャル成長させることで実現
される。重要な点は、本発明により、双結晶クラスタ微
細構造を有する磁性合金膜が、きわめて効率的な、安価
で簡単な仕方で、単結晶基板を必要とすることなしに実
現される点である。また、本発明により、ガラスまたは
ガラス−セラミック材料製の基板上に双結晶クラスタ微
細構造を有する磁性合金膜を含む磁気記録媒体が得られ
る。
本発明により形成される双結晶クラスタ微細構造は、
磁性多結晶粒クラスタが特徴であり、その場合、各クラ
スタ下地膜の単結晶粒上にエピタキシャル成長せしめら
れている。双結晶クラスタ膜内では、多結晶磁性合金膜
が、好ましい方位を有している。Co基合金を用いること
で、複数の（11.0）平面が、膜平面と平行に優先整合さ
れる。各クラスタでは、Co基合金サブ結晶粒のＣ軸が２
つの直交方向に沿って位置している。異なるクラスタの
サブ結晶粒のＣ軸は、膜平面内にランダムに分配されて
いる。先に挙げたディン氏他の刊行物参照。
磁性多結晶粒クラスタが特徴であり、その場合、各クラ
スタ下地膜の単結晶粒上にエピタキシャル成長せしめら
れている。双結晶クラスタ膜内では、多結晶磁性合金膜
が、好ましい方位を有している。Co基合金を用いること
で、複数の（11.0）平面が、膜平面と平行に優先整合さ
れる。各クラスタでは、Co基合金サブ結晶粒のＣ軸が２
つの直交方向に沿って位置している。異なるクラスタの
サブ結晶粒のＣ軸は、膜平面内にランダムに分配されて
いる。先に挙げたディン氏他の刊行物参照。
本発明により、双結晶クラスタ微細構造を有する磁性
合金膜が、比較的安価なガラスまたはガラス−セラミッ
ク材料製の基板を使用して形成される。磁性合金膜に双
結晶クラスタ微細構造を形成するには、下地膜の結晶方
位を制御する。例えば、（200）結晶方位で形成された
下地膜、例えばCr下地膜は、その上に堆積されエピタキ
シャル成長せしめられる磁性合金膜内に双結晶クラスタ
微細構造を誘起することが判明した。しかし、下地膜
は、Crには限定されず、クロムバナジウム合金（CrV）
製またはクロムチタニウム合金（CrTi）製でもよい。下
地膜の表面組織が（110）対（200）の場合、双結晶クラ
スタ微細構造は、その上に堆積されエピタキシャル成長
せしめられる磁性合金膜内には形成されない。
合金膜が、比較的安価なガラスまたはガラス−セラミッ
ク材料製の基板を使用して形成される。磁性合金膜に双
結晶クラスタ微細構造を形成するには、下地膜の結晶方
位を制御する。例えば、（200）結晶方位で形成された
下地膜、例えばCr下地膜は、その上に堆積されエピタキ
シャル成長せしめられる磁性合金膜内に双結晶クラスタ
微細構造を誘起することが判明した。しかし、下地膜
は、Crには限定されず、クロムバナジウム合金（CrV）
製またはクロムチタニウム合金（CrTi）製でもよい。下
地膜の表面組織が（110）対（200）の場合、双結晶クラ
スタ微細構造は、その上に堆積されエピタキシャル成長
せしめられる磁性合金膜内には形成されない。
図２には、本発明により得られる双結晶クラスタ微細
構造が示されている。この場合、Cr下地膜20が、その上
に形成されたCo基合金膜21と共に示されている。Co基合
金膜21は、（200）結晶表面組織または結晶方位を有す
るCr下地膜上に形成されている。矢印23は、堆積したCo
基合金微細構造のＣ軸を示している。（200）結晶方位
を有する下地膜を形成することによって、下地膜上にエ
ピタキシャル成長せしめられる磁性合金膜内に双結晶ク
ラスタ微細構造を形成できる。例えば、Cr下地膜に（20
0）結晶方位を設けることによって、その上のエピタキ
シャル成長磁性Co基合金膜は、優先方位を有することに
なる。すなわち、（11.0）平面が、優先的に膜平面と平
行になる。Cr（200）平面も、優先的に膜平面と平行に
整合せしめられる。したがって、多結晶粒から成るCo基
合金膜は、多結晶Cr下地膜上にエピタキシャル成長せし
められ、そのさい、異なるクラスタのサブ結晶粒のＣ軸
は、膜平面内で２つの直交する方向に沿ってランダムに
分配される。したがって、本発明は、単結晶基板を必要
としない。むしろ、ガラスまたはガラス−セラミック材
料を使用でき、その上に種膜を設け、この種膜によっ
て、（200）結晶方位を有する下地膜の堆積が可能にな
り、この下地膜上に、また双結晶クラスタ微細構造を有
する磁性膜の形成が可能になる。
構造が示されている。この場合、Cr下地膜20が、その上
に形成されたCo基合金膜21と共に示されている。Co基合
金膜21は、（200）結晶表面組織または結晶方位を有す
るCr下地膜上に形成されている。矢印23は、堆積したCo
基合金微細構造のＣ軸を示している。（200）結晶方位
を有する下地膜を形成することによって、下地膜上にエ
ピタキシャル成長せしめられる磁性合金膜内に双結晶ク
ラスタ微細構造を形成できる。例えば、Cr下地膜に（20
0）結晶方位を設けることによって、その上のエピタキ
シャル成長磁性Co基合金膜は、優先方位を有することに
なる。すなわち、（11.0）平面が、優先的に膜平面と平
行になる。Cr（200）平面も、優先的に膜平面と平行に
整合せしめられる。したがって、多結晶粒から成るCo基
合金膜は、多結晶Cr下地膜上にエピタキシャル成長せし
められ、そのさい、異なるクラスタのサブ結晶粒のＣ軸
は、膜平面内で２つの直交する方向に沿ってランダムに
分配される。したがって、本発明は、単結晶基板を必要
としない。むしろ、ガラスまたはガラス−セラミック材
料を使用でき、その上に種膜を設け、この種膜によっ
て、（200）結晶方位を有する下地膜の堆積が可能にな
り、この下地膜上に、また双結晶クラスタ微細構造を有
する磁性膜の形成が可能になる。
本発明の一実施例では、（200）結晶方位を有する下
地膜が、ガラスまたはガラス−セラミック材料製基板上
に種膜を設けることで堆積可能になる。該種膜は、下地
膜内に（200）結晶方位を誘起する。この種膜は、その
上に堆積される下地膜内に（200）結晶方位を誘起し得
る材料であれば、どのような材料でもよい。例えば、種
膜はNi3P、NiP、タンタル（Ta）のいずれかを含むこと
ができる。
地膜が、ガラスまたはガラス−セラミック材料製基板上
に種膜を設けることで堆積可能になる。該種膜は、下地
膜内に（200）結晶方位を誘起する。この種膜は、その
上に堆積される下地膜内に（200）結晶方位を誘起し得
る材料であれば、どのような材料でもよい。例えば、種
膜はNi3P、NiP、タンタル（Ta）のいずれかを含むこと
ができる。
種膜には表面粗さを与えることで、その上の下地膜内
での（200）結晶方位の誘起を容易にするのが好ましい
ことが判明した。種膜には、例えば酸エッチングまたは
酸化によって適当に表面粗さが与えられる。例えば、本
発明の一実施例では、種膜がガラスまたはガラス−セラ
ミック材料製基板上に堆積され、同時継続出願08/58652
9号に開示された技術により酸化される。該出願の全開
示内容が、本明細書で参考にされている。例えば、酸化
は、空気、酸素、不活性ガスと酸素との混合物のいずれ
かの環境内で行うことができる。
での（200）結晶方位の誘起を容易にするのが好ましい
ことが判明した。種膜には、例えば酸エッチングまたは
酸化によって適当に表面粗さが与えられる。例えば、本
発明の一実施例では、種膜がガラスまたはガラス−セラ
ミック材料製基板上に堆積され、同時継続出願08/58652
9号に開示された技術により酸化される。該出願の全開
示内容が、本明細書で参考にされている。例えば、酸化
は、空気、酸素、不活性ガスと酸素との混合物のいずれ
かの環境内で行うことができる。
図３に示した本発明の一実施例では、例えばガラス−
セラミックの基板30に、例えばNi3PまたはNiPの酸化種
膜を備えている。その上には、例えばCrの下地膜32が堆
積され、下地膜32上には、例えばCo基合金等の磁性合金
膜33が、エピタキシャル成長せしめられ、双結晶クラス
タ微細構造を有している。図１に示された従来形式の磁
気記録媒体同様、例えば炭素の保護膜34が、磁性合金膜
33上に設けられ、保護膜34上には潤滑膜35が施されてい
る。
セラミックの基板30に、例えばNi3PまたはNiPの酸化種
膜を備えている。その上には、例えばCrの下地膜32が堆
積され、下地膜32上には、例えばCo基合金等の磁性合金
膜33が、エピタキシャル成長せしめられ、双結晶クラス
タ微細構造を有している。図１に示された従来形式の磁
気記録媒体同様、例えば炭素の保護膜34が、磁性合金膜
33上に設けられ、保護膜34上には潤滑膜35が施されてい
る。
ガラスまたはガラス−セラミック材料製基板と一緒に
種膜31を用いることは、Al合金基板上に従来のNiPめっ
きを行うこととは全く異なる。NiPめっきは、第一に、
硬度を増し、かつ表面組織を与えやすい表面を得るため
に、Al合金基板上に施され、その場合、続いて堆積され
る相似する各膜が所望の外表面粗さを生じる。しかし、
本発明では、種膜が、基板の放射率（emissivity）を低
減するために備えられ、下地膜の構造に影響を与えるこ
とによって、下地膜が（200）結晶方位を得ることにな
る。このように、本発明の種膜は、約200Å〜約2000Å
の厚さ、例えば500Å（0.05マイクロメータ）の厚さを
有していさえすればよく、物理気相堆積法によって成膜
させることができる。
種膜31を用いることは、Al合金基板上に従来のNiPめっ
きを行うこととは全く異なる。NiPめっきは、第一に、
硬度を増し、かつ表面組織を与えやすい表面を得るため
に、Al合金基板上に施され、その場合、続いて堆積され
る相似する各膜が所望の外表面粗さを生じる。しかし、
本発明では、種膜が、基板の放射率（emissivity）を低
減するために備えられ、下地膜の構造に影響を与えるこ
とによって、下地膜が（200）結晶方位を得ることにな
る。このように、本発明の種膜は、約200Å〜約2000Å
の厚さ、例えば500Å（0.05マイクロメータ）の厚さを
有していさえすればよく、物理気相堆積法によって成膜
させることができる。
本発明で採用された基板は、種々のガラスまたはガラ
ス−セラミック材料のいずれか、例えば磁気記録媒体用
基板として用いられる材料を含むのが好ましい。ガラス
−セラミック材料は、通常、表面の熱処理によって形成
され、その上にセラミックの薄い結晶膜が形成される。
従来のガラス−セラミック材料のいくつかの形態は、
「オハラ（Ohara）・ガラス」と呼ばれる。基板は、約
２Å〜約100Å、例えば約５Å〜約20Åの平均表面粗さR
aを有することができる。
ス−セラミック材料のいずれか、例えば磁気記録媒体用
基板として用いられる材料を含むのが好ましい。ガラス
−セラミック材料は、通常、表面の熱処理によって形成
され、その上にセラミックの薄い結晶膜が形成される。
従来のガラス−セラミック材料のいくつかの形態は、
「オハラ（Ohara）・ガラス」と呼ばれる。基板は、約
２Å〜約100Å、例えば約５Å〜約20Åの平均表面粗さR
aを有することができる。
本発明で用いられる下地膜は、磁気記録媒体製造に従
来用いられてきた種々の材料のいずれか、例えばCr、Cr
V、CrTiのいずれかを含むことができる。下地膜は、適
当な方法、例えば化学気相堆積法、物理気相堆積法、ス
パッタ法のいずれかで堆積できる。下地膜の厚さは、そ
の上に堆積される磁性合金膜の結晶方位に十分に影響す
るようにすべきであり、特定の条件向きに最適化でき
る。下地膜の厚さは、約100Å〜約2000Å、例えば約550
Åで十分であることが判明した。
来用いられてきた種々の材料のいずれか、例えばCr、Cr
V、CrTiのいずれかを含むことができる。下地膜は、適
当な方法、例えば化学気相堆積法、物理気相堆積法、ス
パッタ法のいずれかで堆積できる。下地膜の厚さは、そ
の上に堆積される磁性合金膜の結晶方位に十分に影響す
るようにすべきであり、特定の条件向きに最適化でき
る。下地膜の厚さは、約100Å〜約2000Å、例えば約550
Åで十分であることが判明した。
本発明の磁性膜は、従来、磁気記録媒体の製造に用い
られた何らかの磁性合金を含むことができる。その種の
合金には、コバルト−クロム（CoCr）などのCo基合金、
コバルト−クロム−タンタル（CoCrTa）、コバルト−ニ
ッケル−クロム（CoNiCr）、コバルト−クロム−プラチ
ナ−タンタル（CoCrPtTa）、コバルト−クロム−プラチ
ナ（CoCrPt）、コバルト−ニッケル−プラチナ（CoNiP
t）、コバルト−ニッケル−クロム−プラチナ（CoNiCrP
t）、コバルト−クロム−プラチナ−ボロン（CoCrPtB）
が含まれている。しかし、これらに限定されるものでは
ない。磁性膜の厚さは、磁気記録媒体を製造するさいの
従来の慣例に従う。Co基合金の場合、適当と判明した膜
厚は、約100Å〜約1000Å、例えば200Å〜500Åであ
る。
られた何らかの磁性合金を含むことができる。その種の
合金には、コバルト−クロム（CoCr）などのCo基合金、
コバルト−クロム−タンタル（CoCrTa）、コバルト−ニ
ッケル−クロム（CoNiCr）、コバルト−クロム−プラチ
ナ−タンタル（CoCrPtTa）、コバルト−クロム−プラチ
ナ（CoCrPt）、コバルト−ニッケル−プラチナ（CoNiP
t）、コバルト−ニッケル−クロム−プラチナ（CoNiCrP
t）、コバルト−クロム−プラチナ−ボロン（CoCrPtB）
が含まれている。しかし、これらに限定されるものでは
ない。磁性膜の厚さは、磁気記録媒体を製造するさいの
従来の慣例に従う。Co基合金の場合、適当と判明した膜
厚は、約100Å〜約1000Å、例えば200Å〜500Åであ
る。
本発明により製造された磁気記録媒体は、保磁性が高
く、媒体ノイズが著しく低い。本発明によれば、保磁性
は1000〜10000エルステッド（Oe）（1Oe＝103/4πA/
m）、例えば1700〜3000エルステッドの範囲に達するこ
とが可能である。加えて、磁気記録媒体は、残留磁化と
膜厚との積（Mrt）が、磁気抵抗媒体の場合は、約0.4〜
約3.0memu/cm2、例えば0.6〜1.2memu/cm2であり、誘導
性媒体の場合は、約1.8〜約2.8memu/cm2である。
く、媒体ノイズが著しく低い。本発明によれば、保磁性
は1000〜10000エルステッド（Oe）（1Oe＝103/4πA/
m）、例えば1700〜3000エルステッドの範囲に達するこ
とが可能である。加えて、磁気記録媒体は、残留磁化と
膜厚との積（Mrt）が、磁気抵抗媒体の場合は、約0.4〜
約3.0memu/cm2、例えば0.6〜1.2memu/cm2であり、誘導
性媒体の場合は、約1.8〜約2.8memu/cm2である。
従来の磁気記録媒体同様、保護膜は、磁性膜上に適当
な方法、例えばスパッタ法により堆積できる。保護膜
は、水素化炭素をふくむ炭素、炭化珪素（SiC）、酸化
ジルコニウム（ZrO2）、窒化炭素（CN）のいずれかを含
むことができる。保護膜は、また下地膜の保護に適当な
厚さで設けられている。適当と判明したのは、約50Å〜
約300Å、例えば100Å〜200Åの厚さの保護膜である。
な方法、例えばスパッタ法により堆積できる。保護膜
は、水素化炭素をふくむ炭素、炭化珪素（SiC）、酸化
ジルコニウム（ZrO2）、窒化炭素（CN）のいずれかを含
むことができる。保護膜は、また下地膜の保護に適当な
厚さで設けられている。適当と判明したのは、約50Å〜
約300Å、例えば100Å〜200Åの厚さの保護膜である。
従来の磁気記録媒体同様、潤滑剤は、保護膜上に付加
できる。潤滑剤の厚さは適当でよい。潤滑剤の厚さとし
て適当と判明したのは、約５Å〜50Å、例えば約10Å〜
約20Åである。
できる。潤滑剤の厚さは適当でよい。潤滑剤の厚さとし
て適当と判明したのは、約５Å〜50Å、例えば約10Å〜
約20Åである。
例 本発明の効果を示すために、比較テストを、２つの異
なる磁気記録媒体について実施した。これら記録媒体
は、同一条件下で、改めて指示するもの以外は、同一の
設備を用いて製造されたものである。用いたガラス−セ
ラミック製基板は、平均表面粗さRaが10Åであり、この
基板上には、順次にNi3Pの種膜、Cr下地膜、磁性Co基合
金、炭素保護膜を、スパッタ法によって堆積されてい
る。磁性Co基合金は、15at.％のCr、11at.％のPt、4at.
％のTa、残部のCoから成っている。Ni3P種膜は約500
Å、Cr下地膜は約550Å、磁性Co基合金は約240Å、炭素
の保護膜は約190Åの厚さを、それぞれ有している。種
膜、下地膜、磁性合金膜は、約10mトルのアルゴン圧下
で、スパッタ法により堆積される。Ni3Pのスパッタ電力
密度は10.3ワット/cm2、Cr下地膜のスパッタ電力密度は
7.3ワット/cm2、磁性Co基合金のスパッタ電力密度は13.
2ワット/cm2である。いずれの場合にも、基板のバイア
スは使用しなかった。
なる磁気記録媒体について実施した。これら記録媒体
は、同一条件下で、改めて指示するもの以外は、同一の
設備を用いて製造されたものである。用いたガラス−セ
ラミック製基板は、平均表面粗さRaが10Åであり、この
基板上には、順次にNi3Pの種膜、Cr下地膜、磁性Co基合
金、炭素保護膜を、スパッタ法によって堆積されてい
る。磁性Co基合金は、15at.％のCr、11at.％のPt、4at.
％のTa、残部のCoから成っている。Ni3P種膜は約500
Å、Cr下地膜は約550Å、磁性Co基合金は約240Å、炭素
の保護膜は約190Åの厚さを、それぞれ有している。種
膜、下地膜、磁性合金膜は、約10mトルのアルゴン圧下
で、スパッタ法により堆積される。Ni3Pのスパッタ電力
密度は10.3ワット/cm2、Cr下地膜のスパッタ電力密度は
7.3ワット/cm2、磁性Co基合金のスパッタ電力密度は13.
2ワット/cm2である。いずれの場合にも、基板のバイア
スは使用しなかった。
本発明の例である見本１の場合、種膜は酸化させた。
他方、（比較）見本２では、種膜を酸化させなかった。
この点が、見本１と（比較）見本２との間の、事実上唯
一の相違である。高解像度透過電子顕微鏡（HRTEM）を
用いて、見本１および（比較）見本２の磁性Co基合金膜
の写真と電子回折パターンが得られた。本発明による見
本１の磁性Co基合金膜は、双結晶クラスタ微細構造を有
しており、他方、（比較）見本２の磁性Co基合金は、双
結晶クラスタ微細構造を有していない。
他方、（比較）見本２では、種膜を酸化させなかった。
この点が、見本１と（比較）見本２との間の、事実上唯
一の相違である。高解像度透過電子顕微鏡（HRTEM）を
用いて、見本１および（比較）見本２の磁性Co基合金膜
の写真と電子回折パターンが得られた。本発明による見
本１の磁性Co基合金膜は、双結晶クラスタ微細構造を有
しており、他方、（比較）見本２の磁性Co基合金は、双
結晶クラスタ微細構造を有していない。
見本１の双結晶クラスタの平面像の直径は、約150Å
〜300Åで測定された。平面像の形状は完全な円形では
ないが、クラスタやサブ結晶粒の「直径」という用語
は、クラスタやサブ結晶粒の平面像の境界上の最も隔た
った２点を結ぶ直線の長さを示すのに用いる。サブ結晶
粒の平面像の直径は、約50Å〜約20Åである。このよう
な双結晶クラスタは、（比較）見本２には見られない。
〜300Åで測定された。平面像の形状は完全な円形では
ないが、クラスタやサブ結晶粒の「直径」という用語
は、クラスタやサブ結晶粒の平面像の境界上の最も隔た
った２点を結ぶ直線の長さを示すのに用いる。サブ結晶
粒の平面像の直径は、約50Å〜約20Åである。このよう
な双結晶クラスタは、（比較）見本２には見られない。
図４および図５は、見本１および（比較）見本２のＸ
線回折曲線である。図４から明らかになる点は、本発明
の磁気記録媒体は、（200）結晶方位を有するCr下地膜
と、その上の、双結晶クラスタ微細構造を有する磁性Co
基合金膜とを含む点である。図４に示された双結晶クラ
スタ媒体のＸ線回折パターンに見られるCrピークのみ
が、（200）である。（110）Crピークは視認できない。
しかし、図５から明らかなように、磁性Co基合金膜が双
結晶クラスタ微細構造を有していない（比較）見本２の
場合、Cr下地膜は、（110）の結晶方位を示している。
線回折曲線である。図４から明らかになる点は、本発明
の磁気記録媒体は、（200）結晶方位を有するCr下地膜
と、その上の、双結晶クラスタ微細構造を有する磁性Co
基合金膜とを含む点である。図４に示された双結晶クラ
スタ媒体のＸ線回折パターンに見られるCrピークのみ
が、（200）である。（110）Crピークは視認できない。
しかし、図５から明らかなように、磁性Co基合金膜が双
結晶クラスタ微細構造を有していない（比較）見本２の
場合、Cr下地膜は、（110）の結晶方位を示している。
本発明の利点は、図６から明らかである。図６は、見
本１および（比較）見本２の、信号および交流（AC）消
磁されたノイズスペクトルの比較を示したものである。
この測定は、HP3588Aスペクトル分析器とグジック（Guz
ik）312スピンスタンドを使用し、誘導書込みヘッドと
磁気抵抗（MR）プレイバックヘッドを用いて、30.4MHz
で行った。見本１は、双結晶クラスタ微細構造を有する
が、（比較）見本２は、双結晶クラスタ微細構造を有し
ていない。双方の見本の、基板の表面組織に起因する狭
帯域ノイズと、信号出力とは、基本的に等しい。だが、
媒体過渡（transition）ノイズは、著しく異なってい
る。見本１と見本２との信号／媒体ノイズ（SNR）は、
それぞれ20.2dBと15.2dBである。このように、本発明に
よる見本１では、SNRが5dBだけ改善され、この改善が、
性能面での78％の改善に反映されている。
本１および（比較）見本２の、信号および交流（AC）消
磁されたノイズスペクトルの比較を示したものである。
この測定は、HP3588Aスペクトル分析器とグジック（Guz
ik）312スピンスタンドを使用し、誘導書込みヘッドと
磁気抵抗（MR）プレイバックヘッドを用いて、30.4MHz
で行った。見本１は、双結晶クラスタ微細構造を有する
が、（比較）見本２は、双結晶クラスタ微細構造を有し
ていない。双方の見本の、基板の表面組織に起因する狭
帯域ノイズと、信号出力とは、基本的に等しい。だが、
媒体過渡（transition）ノイズは、著しく異なってい
る。見本１と見本２との信号／媒体ノイズ（SNR）は、
それぞれ20.2dBと15.2dBである。このように、本発明に
よる見本１では、SNRが5dBだけ改善され、この改善が、
性能面での78％の改善に反映されている。
比較テストを行う場合、見本１のNi3P種膜、Cr下地
膜、磁性Co基合金膜、炭素保護膜の堆積条件、例えばタ
ーゲットの出力、アルゴン圧、パレット移動速度は、堆
積温度を除いて、（比較）見本２の場合とそれぞれ同じ
である。双方の見本は、類似の保磁性（Hc）および残留
磁化と膜厚との積（Mrt）を有している。基板温度は、
各見本に類似の保磁性が得られるように調節されている
ことから、差は僅かである。（比較）見本２のCr下地膜
は、新たに堆積されたNi3P種膜上に成長させた。他方、
本発明の例である見本１では、Ni3P種膜の表面が酸化さ
れている。酸化は、約100℃の温度で、約１分間、約10m
トルのアルゴン約80％および酸素約20％の雰囲気内で行
った。
膜、磁性Co基合金膜、炭素保護膜の堆積条件、例えばタ
ーゲットの出力、アルゴン圧、パレット移動速度は、堆
積温度を除いて、（比較）見本２の場合とそれぞれ同じ
である。双方の見本は、類似の保磁性（Hc）および残留
磁化と膜厚との積（Mrt）を有している。基板温度は、
各見本に類似の保磁性が得られるように調節されている
ことから、差は僅かである。（比較）見本２のCr下地膜
は、新たに堆積されたNi3P種膜上に成長させた。他方、
本発明の例である見本１では、Ni3P種膜の表面が酸化さ
れている。酸化は、約100℃の温度で、約１分間、約10m
トルのアルゴン約80％および酸素約20％の雰囲気内で行
った。
表１は、残留磁気モーメント磁力計（RMM）を用いて
測定した、見本１および（比較）見本２の磁気特性を示
したものである。
測定した、見本１および（比較）見本２の磁気特性を示
したものである。
表１ 見本 Hcr（エルステッド） Mrt（memu/cm2） 見本１ 2395 0.80 見本２ 2440 0.79 両見本とも、同じ磁性Co基合金膜を含み、類似の保磁
性およびMrtを有しているが、見本１は、（比較）見本
２に対し、信号／媒体ノイズ比が5dB改善されている。
これら両媒体の媒体ノイズの差は、磁性Co基合金膜の微
細構造に帰し得るものである。双結晶クラスタ微細構造
を有する磁性Co基合金膜の媒体ノイズは、双結晶クラス
タ微細構造を有さない同じ磁性Co基合金膜に比して、有
意に低減されている。
性およびMrtを有しているが、見本１は、（比較）見本
２に対し、信号／媒体ノイズ比が5dB改善されている。
これら両媒体の媒体ノイズの差は、磁性Co基合金膜の微
細構造に帰し得るものである。双結晶クラスタ微細構造
を有する磁性Co基合金膜の媒体ノイズは、双結晶クラス
タ微細構造を有さない同じ磁性Co基合金膜に比して、有
意に低減されている。
本発明は、以上に開示した具体例または使用された特
定材料に限定されるものではない。本発明の磁気記録媒
体は、異なる種類のガラスまたはガラス−セラミック製
基板のいずれか、異なる磁性Co基合金膜を含む異なる種
類の磁性合金膜のいずれかを含むことができる。本発明
の磁気記録媒体の下地膜は、Crに限定されるものではな
く、立方多結晶構造を有する金属を含む他の種々の材
料、例えばCrVまたはCrTiを含むことができる。本発明
の磁気記録媒体は、種々の用途に利用でき、特に長さ方
向トラックでの記録用の磁気ハードディスク等の、高密
度が要求される用途に利用できる。
定材料に限定されるものではない。本発明の磁気記録媒
体は、異なる種類のガラスまたはガラス−セラミック製
基板のいずれか、異なる磁性Co基合金膜を含む異なる種
類の磁性合金膜のいずれかを含むことができる。本発明
の磁気記録媒体の下地膜は、Crに限定されるものではな
く、立方多結晶構造を有する金属を含む他の種々の材
料、例えばCrVまたはCrTiを含むことができる。本発明
の磁気記録媒体は、種々の用途に利用でき、特に長さ方
向トラックでの記録用の磁気ハードディスク等の、高密
度が要求される用途に利用できる。
以上、本発明の一実施例および本発明の多くの面の少
数例のみを説明した。本発明は、種々の他の組合わせ及
び環境において使用可能であり、かつまた本明細書に記
載された発明概念の枠内で変形や変更態様が可能である
ことを理解すべきである。
数例のみを説明した。本発明は、種々の他の組合わせ及
び環境において使用可能であり、かつまた本明細書に記
載された発明概念の枠内で変形や変更態様が可能である
ことを理解すべきである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平６−349046（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−267050（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−307020（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−212531（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G11B 5/64 G11B 5/738 H01F 10/08 H01F 10/16 H01F 10/26
Claims (8)
- 【請求項１】磁気記録媒体において、 ガラスまたはガラス−セラミック材料を含む基板と、 該基板上の、Ni3PとNiPとTaとからなるグループから選
択される材料を含む種膜と、 該種膜上の（200）結晶方位を有する下地膜と、 該下地膜上の磁性膜とを含み、しかも、該磁性膜が双結
晶クラスタ微細構造を含み、下地膜に隣接する種膜の表
面に、エッチングによって粗さが与えられている磁気記
録媒体。 - 【請求項２】基板が、２Å〜100Åの平均表面粗さRaを
有している請求項１に記載された磁気記録媒体。 - 【請求項３】下地膜がCr、CrV、CrTiのいずれかを含ん
でいる請求項１に記載された磁気記録媒体。 - 【請求項４】下地膜の膜厚が100Å〜2000Åである請求
項１に記載された磁気記録媒体。 - 【請求項５】媒体が、誘導媒体であり、残留磁気と膜厚
Mrtとの積が1.8〜2.8memu/cm2である請求項１に記載さ
れた磁気記録媒体。 - 【請求項６】127KFCIで測定して15dBを超える信号／ノ
イズ比を有する請求項１に記載された磁気記録媒体。 - 【請求項７】127KFCIで測定して20dBを超える信号／ノ
イズ比を有する請求項１に記載された磁気記録媒体。 - 【請求項８】磁気記録媒体において、 ガラスまたはガラス−セラミック材料を含む基板と、 該基板上の、Ni3PとNipとTaとからなるグループから選
択される材料を含む種膜と、 該種膜上の（200）結晶方位を有する下地膜と、 該下地膜上の磁性膜とを含み、しかも、該磁性膜が双結
晶クラスタ微細構造を含み、下地膜に隣接する種膜の表
面に粗さが与えられ、残留磁化と膜厚との積（Mrt）が
0.4〜3.0memu/cm2である磁気記録媒体。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US08/586,571 | 1996-01-16 | ||
| US08/586,571 US5830584A (en) | 1996-01-16 | 1996-01-16 | Bicrystal cluster magnetic recording medium |
| PCT/US1996/020153 WO1997026650A1 (en) | 1996-01-16 | 1996-12-23 | Bicrystal cluster magnetic recording medium |
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|---|---|
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| JP3298893B2 true JP3298893B2 (ja) | 2002-07-08 |
Family
ID=24346292
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP52599597A Expired - Fee Related JP3298893B2 (ja) | 1996-01-16 | 1996-12-23 | 双結晶クラスタ磁気記録媒体 |
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| JP (1) | JP3298893B2 (ja) |
| KR (1) | KR100362257B1 (ja) |
| CN (1) | CN1167051C (ja) |
| DE (1) | DE19681740T1 (ja) |
| GB (1) | GB2323857B (ja) |
| HK (1) | HK1016322A1 (ja) |
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| US6803119B2 (en) | 2001-09-13 | 2004-10-12 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Oriented magnetic recording media on a nonmetallic substrate |
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| JP2005276367A (ja) * | 2004-03-25 | 2005-10-06 | Toshiba Corp | 垂直磁気記録媒体及び磁気記録再生装置 |
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| WO2018111916A1 (en) | 2016-12-12 | 2018-06-21 | Gi Dynamics, Inc. | Therapeutic methods involving gastrointestinal implants |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US5344706A (en) * | 1991-10-01 | 1994-09-06 | Carnegie Mellon University | Magnetic recording medium comprising an underlayer and a cobalt samarium amorphous magnetic layer having a SmCo5 crystalline interface with the underlayer |
| US5302434A (en) * | 1992-08-07 | 1994-04-12 | International Business Machines Corporation | Magnetic recording disk for contact recording |
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| US5569533A (en) * | 1994-03-14 | 1996-10-29 | Hmt Technology Corporation | Thin-film medium with sublayer |
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- 1996-12-23 DE DE19681740T patent/DE19681740T1/de not_active Withdrawn
-
1999
- 1999-04-01 HK HK99101336A patent/HK1016322A1/xx not_active IP Right Cessation
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