JPH1074618A - 磁気記録媒体及びその製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH1074618A JPH1074618A JP8230388A JP23038896A JPH1074618A JP H1074618 A JPH1074618 A JP H1074618A JP 8230388 A JP8230388 A JP 8230388A JP 23038896 A JP23038896 A JP 23038896A JP H1074618 A JPH1074618 A JP H1074618A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- layer
- recording medium
- substrate
- grain size
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 19
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 85
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 74
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 66
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 23
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 12
- 229910000599 Cr alloy Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 abstract description 118
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 15
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract description 13
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 12
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 abstract description 11
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 34
- 239000010408 film Substances 0.000 description 27
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 20
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 16
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 15
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 15
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 15
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 15
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 15
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 13
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 9
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 9
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000002585 base Substances 0.000 description 8
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 8
- 229910018404 Al2 O3 Inorganic materials 0.000 description 7
- 230000001050 lubricating effect Effects 0.000 description 7
- GOLCXWYRSKYTSP-UHFFFAOYSA-N Arsenious Acid Chemical compound O1[As]2O[As]1O2 GOLCXWYRSKYTSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N Na2O Inorganic materials [O-2].[Na+].[Na+] KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 5
- TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L barium sulfate Chemical compound [Ba+2].[O-]S([O-])(=O)=O TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- OSGAYBCDTDRGGQ-UHFFFAOYSA-L calcium sulfate Chemical compound [Ca+2].[O-]S([O-])(=O)=O OSGAYBCDTDRGGQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N Li2O Inorganic materials [Li+].[Li+].[O-2] FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910004742 Na2 O Inorganic materials 0.000 description 3
- -1 Pr2O3 Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 3
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 3
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- XUCJHNOBJLKZNU-UHFFFAOYSA-M dilithium;hydroxide Chemical compound [Li+].[Li+].[OH-] XUCJHNOBJLKZNU-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 239000000314 lubricant Substances 0.000 description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 3
- 239000010702 perfluoropolyether Substances 0.000 description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910017344 Fe2 O3 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910011763 Li2 O Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910017895 Sb2 O3 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 239000006103 coloring component Substances 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- WVMPCBWWBLZKPD-UHFFFAOYSA-N dilithium oxido-[oxido(oxo)silyl]oxy-oxosilane Chemical compound [Li+].[Li+].[O-][Si](=O)O[Si]([O-])=O WVMPCBWWBLZKPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GNTDGMZSJNCJKK-UHFFFAOYSA-N divanadium pentaoxide Chemical compound O=[V](=O)O[V](=O)=O GNTDGMZSJNCJKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 229910001669 fluororichterite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 2
- NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N manganese dioxide Chemical compound O=[Mn]=O NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- JKQOBWVOAYFWKG-UHFFFAOYSA-N molybdenum trioxide Chemical compound O=[Mo](=O)=O JKQOBWVOAYFWKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910021493 α-cristobalite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910016997 As2 O3 Inorganic materials 0.000 description 1
- LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M Bisulfite Chemical compound OS([O-])=O LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- 229910021274 Co3 O4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910019222 CoCrPt Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018979 CoPt Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910019830 Cr2 O3 Inorganic materials 0.000 description 1
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N CuO Inorganic materials [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910008599 TiW Inorganic materials 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical group 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ADCOVFLJGNWWNZ-UHFFFAOYSA-N antimony trioxide Inorganic materials O=[Sb]O[Sb]=O ADCOVFLJGNWWNZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N ceric oxide Chemical compound O=[Ce]=O CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000422 cerium(IV) oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- IVMYJDGYRUAWML-UHFFFAOYSA-N cobalt(II) oxide Inorganic materials [Co]=O IVMYJDGYRUAWML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- VQCBHWLJZDBHOS-UHFFFAOYSA-N erbium(III) oxide Inorganic materials O=[Er]O[Er]=O VQCBHWLJZDBHOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N fluoromethane Chemical compound FC NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000010687 lubricating oil Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- PLDDOISOJJCEMH-UHFFFAOYSA-N neodymium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Nd+3].[Nd+3] PLDDOISOJJCEMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N nickel(II) oxide Inorganic materials [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- NOTVAPJNGZMVSD-UHFFFAOYSA-N potassium monoxide Inorganic materials [K]O[K] NOTVAPJNGZMVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BALXUFOVQVENIU-KXNXZCPBSA-N pseudoephedrine hydrochloride Chemical compound [H+].[Cl-].CN[C@@H](C)[C@@H](O)C1=CC=CC=C1 BALXUFOVQVENIU-KXNXZCPBSA-N 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 description 1
- 229910001953 rubidium(I) oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052596 spinel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011029 spinel Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- YEAUATLBSVJFOY-UHFFFAOYSA-N tetraantimony hexaoxide Chemical compound O1[Sb](O2)O[Sb]3O[Sb]1O[Sb]2O3 YEAUATLBSVJFOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YTZVWGRNMGHDJE-UHFFFAOYSA-N tetralithium;silicate Chemical compound [Li+].[Li+].[Li+].[Li+].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] YTZVWGRNMGHDJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000314 transition metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021489 α-quartz Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/64—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent
- G11B5/65—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent characterised by its composition
- G11B5/657—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent characterised by its composition containing inorganic, non-oxide compound of Si, N, P, B, H or C, e.g. in metal alloy or compound
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/73—Base layers, i.e. all non-magnetic layers lying under a lowermost magnetic recording layer, e.g. including any non-magnetic layer in between a first magnetic recording layer and either an underlying substrate or a soft magnetic underlayer
- G11B5/7368—Non-polymeric layer under the lowermost magnetic recording layer
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/73—Base layers, i.e. all non-magnetic layers lying under a lowermost magnetic recording layer, e.g. including any non-magnetic layer in between a first magnetic recording layer and either an underlying substrate or a soft magnetic underlayer
- G11B5/7368—Non-polymeric layer under the lowermost magnetic recording layer
- G11B5/7369—Two or more non-magnetic underlayers, e.g. seed layers or barrier layers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/73—Base layers, i.e. all non-magnetic layers lying under a lowermost magnetic recording layer, e.g. including any non-magnetic layer in between a first magnetic recording layer and either an underlying substrate or a soft magnetic underlayer
- G11B5/7368—Non-polymeric layer under the lowermost magnetic recording layer
- G11B5/7373—Non-magnetic single underlayer comprising chromium
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/73—Base layers, i.e. all non-magnetic layers lying under a lowermost magnetic recording layer, e.g. including any non-magnetic layer in between a first magnetic recording layer and either an underlying substrate or a soft magnetic underlayer
- G11B5/739—Magnetic recording media substrates
- G11B5/73911—Inorganic substrates
- G11B5/73921—Glass or ceramic substrates
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10S428/90—Magnetic feature
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
- Y10T428/24355—Continuous and nonuniform or irregular surface on layer or component [e.g., roofing, etc.]
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
- Y10T428/24942—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including components having same physical characteristic in differing degree
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/26—Web or sheet containing structurally defined element or component, the element or component having a specified physical dimension
- Y10T428/263—Coating layer not in excess of 5 mils thick or equivalent
- Y10T428/264—Up to 3 mils
- Y10T428/265—1 mil or less
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
- Y10T428/31551—Of polyamidoester [polyurethane, polyisocyanate, polycarbamate, etc.]
- Y10T428/31598—Next to silicon-containing [silicone, cement, etc.] layer
- Y10T428/31601—Quartz or glass
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 メディアノイズＮｍ、Ｓ／Ｎｍ比を制御し
て、高密度の記録・再生を可能にする磁気記録媒体及び
その製造方法を得る。 【解決手段】 結晶化可能な材料からなる非磁性基板１
上に少なくとも磁性層３を含む層を有する磁気記録媒体
において、表面の結晶粒径が所定の値を持つ非磁性基板
１を選定することにより、磁性層３の磁性結晶粒径を制
御したことを特徴とする構成とした。
て、高密度の記録・再生を可能にする磁気記録媒体及び
その製造方法を得る。 【解決手段】 結晶化可能な材料からなる非磁性基板１
上に少なくとも磁性層３を含む層を有する磁気記録媒体
において、表面の結晶粒径が所定の値を持つ非磁性基板
１を選定することにより、磁性層３の磁性結晶粒径を制
御したことを特徴とする構成とした。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気ディスク装置
に使用される磁気記録媒体及びその製造方法に関する。
に使用される磁気記録媒体及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ハードディスク等の磁気記録媒体に対す
る高密度記録化の要請は近年ますます厳しいものになっ
ている。
る高密度記録化の要請は近年ますます厳しいものになっ
ている。
【０００３】ここで、一般に、ハードディスク等の磁気
記録媒体は、非磁性基板に下地層、磁性層及び保護層を
順次形成したもので、この上で磁気ヘッドが搭載された
ヘッドスライダーを浮上走行させながら記録及び再生を
行う。したがって、この磁気記録媒体の高密度記録化を
実現するためには、磁性層の高保磁力化に加えて、ヘッ
ドスライダーの低浮上走行化及びＣＳＳ（Ｃｏｎｔａｃ
ｔ Ｓｔａｒｔ ａｎｄ Ｓｔｏｐ）に対する高い耐久
性等を実現することが重要である。すなわち、ヘッドス
ライダーを低浮上走行させることによって、記録・再生
の際の磁気ヘッドと磁性層との距離を小さくして高密度
の記録・再生を可能にする必要がある。また、この低浮
上走行をさせると、ヘッドスライダーの走行開始及び停
止時における摺動走行と浮上走行との切替の繰り返し動
作（ＣＳＳ）の際に、磁気ヘッド及び磁気記録媒体に加
わる物理的・機械的負担が急激に増すので、このＣＳＳ
における磁気ヘッド及び磁気記録媒体の耐久性向上（Ｃ
ＳＳ耐久性の向上）も必要になる。さらには、高密度記
録化にともなって再生時のノイズ低減化もより厳しく要
求される。
記録媒体は、非磁性基板に下地層、磁性層及び保護層を
順次形成したもので、この上で磁気ヘッドが搭載された
ヘッドスライダーを浮上走行させながら記録及び再生を
行う。したがって、この磁気記録媒体の高密度記録化を
実現するためには、磁性層の高保磁力化に加えて、ヘッ
ドスライダーの低浮上走行化及びＣＳＳ（Ｃｏｎｔａｃ
ｔ Ｓｔａｒｔ ａｎｄ Ｓｔｏｐ）に対する高い耐久
性等を実現することが重要である。すなわち、ヘッドス
ライダーを低浮上走行させることによって、記録・再生
の際の磁気ヘッドと磁性層との距離を小さくして高密度
の記録・再生を可能にする必要がある。また、この低浮
上走行をさせると、ヘッドスライダーの走行開始及び停
止時における摺動走行と浮上走行との切替の繰り返し動
作（ＣＳＳ）の際に、磁気ヘッド及び磁気記録媒体に加
わる物理的・機械的負担が急激に増すので、このＣＳＳ
における磁気ヘッド及び磁気記録媒体の耐久性向上（Ｃ
ＳＳ耐久性の向上）も必要になる。さらには、高密度記
録化にともなって再生時のノイズ低減化もより厳しく要
求される。
【０００４】一方、従来非磁性基板としてアルミ合金基
板が用いられていて、最近になってガラス基板が注目さ
れている。これは、ガラスが、最近のハードディスクの
小径・薄板化に対応できる十分な硬度を有する等の物理
的・化学的耐久性に優れ、しかも、その表面を比較的容
易に高い表面精度に形成できる性質を有していることが
高記録密度化実現に適していることが分かってきたため
である。
板が用いられていて、最近になってガラス基板が注目さ
れている。これは、ガラスが、最近のハードディスクの
小径・薄板化に対応できる十分な硬度を有する等の物理
的・化学的耐久性に優れ、しかも、その表面を比較的容
易に高い表面精度に形成できる性質を有していることが
高記録密度化実現に適していることが分かってきたため
である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
従来から試みられている方法は、近年の厳しい要請を必
ずしも十分に満たすものではない。特に、高密度の記録
・再生をしようとする場合には、メディアノイズを低く
Ｓ／Ｎｍ比を大きくする必要があるが、そのためには磁
性層の磁性結晶粒径の大きさを制御する必要があった
が、従来の方法では、磁性層の磁性結晶粒径の大きさを
より適切なものにするには限界があった。
従来から試みられている方法は、近年の厳しい要請を必
ずしも十分に満たすものではない。特に、高密度の記録
・再生をしようとする場合には、メディアノイズを低く
Ｓ／Ｎｍ比を大きくする必要があるが、そのためには磁
性層の磁性結晶粒径の大きさを制御する必要があった
が、従来の方法では、磁性層の磁性結晶粒径の大きさを
より適切なものにするには限界があった。
【０００６】本発明は上記の背景のもとでなされたもの
であり、磁性層の磁性結晶粒径の大きさをより適切なも
のに制御して、磁気特性の優れた磁気記録媒体及びその
製造方法を提供することを目的とする。
であり、磁性層の磁性結晶粒径の大きさをより適切なも
のに制御して、磁気特性の優れた磁気記録媒体及びその
製造方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、結晶
化可能な材料からなる非磁性基板上に少なくとも磁性層
を含む層を有する磁気記録媒体において、表面の結晶粒
径が所定の値を持つ上記非磁性基板を選定することによ
り、上記磁性層の磁性結晶粒径を制御したことを特徴と
する。
化可能な材料からなる非磁性基板上に少なくとも磁性層
を含む層を有する磁気記録媒体において、表面の結晶粒
径が所定の値を持つ上記非磁性基板を選定することによ
り、上記磁性層の磁性結晶粒径を制御したことを特徴と
する。
【０００８】請求項２の発明は、請求項１に記載の磁気
記録媒体において、表面の平均結晶粒径が３〜２８ｎｍ
の範囲である上記非磁性基板を選定して、磁性層の磁性
結晶粒径を５〜３０ｎｍの範囲に制御したことを特徴と
する。
記録媒体において、表面の平均結晶粒径が３〜２８ｎｍ
の範囲である上記非磁性基板を選定して、磁性層の磁性
結晶粒径を５〜３０ｎｍの範囲に制御したことを特徴と
する。
【０００９】請求項３の発明は、請求項１又は２に記載
の磁気記録媒体において、上記非磁性基板が結晶化ガラ
スからなるものであることを特徴とする。
の磁気記録媒体において、上記非磁性基板が結晶化ガラ
スからなるものであることを特徴とする。
【００１０】請求項４の発明は、請求項１〜３の何れか
に記載の磁気記録媒体において、上記非磁性基板と上記
磁性層との間に下地層を設けて、下地層の膜厚を選定す
ることにより、上記磁性層の磁性結晶粒径を制御したこ
とを特徴とする。
に記載の磁気記録媒体において、上記非磁性基板と上記
磁性層との間に下地層を設けて、下地層の膜厚を選定す
ることにより、上記磁性層の磁性結晶粒径を制御したこ
とを特徴とする。
【００１１】請求項５の発明は、請求項４に記載の磁気
記録媒体において、上記下地層の厚さが１００ｎｍ以下
であることを特徴とする。
記録媒体において、上記下地層の厚さが１００ｎｍ以下
であることを特徴とする。
【００１２】請求項６の発明は、請求項４又は５に記載
の磁気記録媒体において、上記下地層がＣｒからなるも
のであることを特徴とする。
の磁気記録媒体において、上記下地層がＣｒからなるも
のであることを特徴とする。
【００１３】請求項７の発明は、請求項１〜６の何れか
に記載の磁気記録媒体において、上記下地層と上記磁性
層との間に中間層を設けたことを特徴とする。
に記載の磁気記録媒体において、上記下地層と上記磁性
層との間に中間層を設けたことを特徴とする。
【００１４】請求項８の発明は、請求項７に記載の磁気
記録媒体において、上記中間層がＣｒ合金からなること
を特徴とする。
記録媒体において、上記中間層がＣｒ合金からなること
を特徴とする。
【００１５】請求項９の発明は、請求項１〜８の何れか
に記載の磁気記録媒体において、上記非磁性基板と上記
下地層との間に初期層を設けたことを特徴とする。
に記載の磁気記録媒体において、上記非磁性基板と上記
下地層との間に初期層を設けたことを特徴とする。
【００１６】請求項１０の発明は、請求項９に記載の磁
気記録媒体において、上記初期層が、Ａｌ、ＡｌＮ、Ｔ
ｉの何れかからなることを特徴とする。
気記録媒体において、上記初期層が、Ａｌ、ＡｌＮ、Ｔ
ｉの何れかからなることを特徴とする。
【００１７】請求項１１の発明は、結晶化可能な材料か
らなる非磁性基板上に磁性層を形成する磁性層形成工程
を少なくとも有する磁気記録媒体の製造方法において、
表面の結晶粒径が所定の値を持つ上記非磁性基板を選定
することにより、上記磁性層の磁性結晶粒径を制御する
ことを特徴とする。
らなる非磁性基板上に磁性層を形成する磁性層形成工程
を少なくとも有する磁気記録媒体の製造方法において、
表面の結晶粒径が所定の値を持つ上記非磁性基板を選定
することにより、上記磁性層の磁性結晶粒径を制御する
ことを特徴とする。
【００１８】請求項１２の発明は、請求項１１に記載の
磁気記録媒体の製造方法において、上記非磁性基板が結
晶化ガラスからなるものであることを特徴とする。
磁気記録媒体の製造方法において、上記非磁性基板が結
晶化ガラスからなるものであることを特徴とする。
【００１９】請求項１３の発明は、請求項１１又は１２
に記載の磁気記録媒体の製造方法において、上記非磁性
基板と上記磁性層との間に下地層形成する下地層形成工
程を有し、下地層の膜厚を選定することにより、上記磁
性層の磁性結晶粒径を制御することを特徴とする。
に記載の磁気記録媒体の製造方法において、上記非磁性
基板と上記磁性層との間に下地層形成する下地層形成工
程を有し、下地層の膜厚を選定することにより、上記磁
性層の磁性結晶粒径を制御することを特徴とする。
【００２０】請求項１４の発明は、請求項１３に記載の
磁気記録媒体の製造方法において、上記下地層の厚さを
１００ｎｍ以下にすることを特徴とする。
磁気記録媒体の製造方法において、上記下地層の厚さを
１００ｎｍ以下にすることを特徴とする。
【００２１】請求項１５の発明は、請求項１３又は１４
に記載の磁気記録媒体の製造方法において、上記下地層
がＣｒからなるものであることを特徴とする。
に記載の磁気記録媒体の製造方法において、上記下地層
がＣｒからなるものであることを特徴とする。
【００２２】請求項１６の発明は、請求項１１〜１５の
何れかに記載の磁気記録媒体の製造方法において、上記
下地層と上記磁性層との間に中間層を形成する中間層形
成工程を有することを特徴とする。
何れかに記載の磁気記録媒体の製造方法において、上記
下地層と上記磁性層との間に中間層を形成する中間層形
成工程を有することを特徴とする。
【００２３】請求項１７の発明は、請求項１１〜１６の
何れかに記載の磁気記録媒体の製造方法において、上記
非磁性基板と上記下地層との間に初期層を形成する初期
層形成工程を有することを特徴とする。
何れかに記載の磁気記録媒体の製造方法において、上記
非磁性基板と上記下地層との間に初期層を形成する初期
層形成工程を有することを特徴とする。
【００２４】
【発明の実施の形態】以下、本発明による磁気記録媒体
及びその製造方法の実施の形態を図面を参照しながら詳
細に説明する。
及びその製造方法の実施の形態を図面を参照しながら詳
細に説明する。
【００２５】（実施例１〜３）図１は実施例１〜３に係
る磁気記録媒体の構成を示す模式的断面図であり、磁気
記録媒体は非磁性基板１、非磁性金属下地層２、磁性層
３、保護層４、潤滑層５からなり、それぞれの層１〜５
が順次積層されている。
る磁気記録媒体の構成を示す模式的断面図であり、磁気
記録媒体は非磁性基板１、非磁性金属下地層２、磁性層
３、保護層４、潤滑層５からなり、それぞれの層１〜５
が順次積層されている。
【００２６】非磁性基板１は、結晶化ガラスからなり、
その表面は中心線平均粗さＲａ＝１．０ｎｍ以下程度に
研磨されていて、結晶化ガラスの結晶粒子の平均粒径が
２０ｎｍ、１５ｎｍ、１０ｎｍである３種類をそれぞれ
実施例１〜３に用いた。なお、結晶化ガラス表面の中心
線平均粗さＲａは原始間力顕微鏡（ＡＦＭ）で評価し
た。また、結晶化ガラスの結晶粒子の平均粒径は透過型
電子顕微鏡（ＴＥＭ）を用いた平面観察により計測し
た。
その表面は中心線平均粗さＲａ＝１．０ｎｍ以下程度に
研磨されていて、結晶化ガラスの結晶粒子の平均粒径が
２０ｎｍ、１５ｎｍ、１０ｎｍである３種類をそれぞれ
実施例１〜３に用いた。なお、結晶化ガラス表面の中心
線平均粗さＲａは原始間力顕微鏡（ＡＦＭ）で評価し
た。また、結晶化ガラスの結晶粒子の平均粒径は透過型
電子顕微鏡（ＴＥＭ）を用いた平面観察により計測し
た。
【００２７】ここで、非磁性基板１を構成する結晶化ガ
ラスとしては、以下の組成を有するものを用いた。
ラスとしては、以下の組成を有するものを用いた。
【００２８】 ＳｉＯ2 ……７５．５％（重量％、以下同じ） Ａｌ2 Ｏ3 …３．８％ Ｐ2 Ｏ5 ……１．９％ Ｌｉ2 Ｏ……１０．３％ Ｋ2 Ｏ………３．９％ ＭｇＯ………２．５％ ＺｎＯ………０．５％ Ａｓ2 Ｏ3 …０．５％ 主結晶………リチウムジシリケートとαークリストバラ
イト この結晶化ガラスは、例えば、次のようにして得たもの
である。すなわち、所定のバッチを白金坩堝等で数時間
溶融し、十分に均質化した後板状に成形した。この板状
のガラスを５５０〜７５０℃で０．５〜４時間保持し
て、ガラス内に結晶の元となる結晶核を生成させて核形
成を行う（一次結晶化処理）。さらに７５０℃〜１２０
０℃で０．５〜５時間保持し、ガラスの結晶化を行う
（二次結晶化処理）。その後、徐冷して結晶化ガラスを
得る。
イト この結晶化ガラスは、例えば、次のようにして得たもの
である。すなわち、所定のバッチを白金坩堝等で数時間
溶融し、十分に均質化した後板状に成形した。この板状
のガラスを５５０〜７５０℃で０．５〜４時間保持し
て、ガラス内に結晶の元となる結晶核を生成させて核形
成を行う（一次結晶化処理）。さらに７５０℃〜１２０
０℃で０．５〜５時間保持し、ガラスの結晶化を行う
（二次結晶化処理）。その後、徐冷して結晶化ガラスを
得る。
【００２９】上記結晶化ガラスが属するタイプの結晶化
ガラスとしては、以下の組成範囲を有するものがある。
ガラスとしては、以下の組成範囲を有するものがある。
【００３０】 ＳｉＯ2 ………６０〜８７％（重量％、以下同じ） Ａｌ2 Ｏ3 ……０〜１０％ Ｐ2 Ｏ5 ………０．５〜８％ Ｌｉ2 Ｏ………５〜２０％ Ｎａ2 Ｏ………０〜５％ Ｋ2 Ｏ…………０〜１０％ Ｎａ2 Ｏ＋Ｋ2 Ｏ……０．５〜１０％ ＭｇＯ…………０．５〜７．５％ ＣａＯ…………０〜９．５％ ＳｒＯ…………０〜１５％ ＢａＯ…………０〜１３％ ＺｎＯ…………０〜１３％ Ｂ2 Ｏ3 ………０〜１０％ ＴｉＯ2 ………０〜５％ ＺｒＯ2 ………０〜３％ ＳｎＯ2 ………０〜３％ Ａｓ2 Ｏ3＋Ｓｂ2 Ｏ3 …０〜２％ 上記金属酸化物の１種以上の金属元素のフッ化物をＦの
合計量………０〜５ 着色成分として、Ｖ2 Ｏ5 、ＣｕＯ、ＭｎＯ2 、Ｃｒ2
Ｏ3 、ＣｏＯ、ＭｏＯ3 、ＮｉＯ、Ｆｅ2 Ｏ3 、ＴｅＯ
2 、ＣｅＯ2 、Ｐｒ2 Ｏ3 、Ｎｄ2 Ｏ3 、Ｅｒ2 Ｏ3 の
群より選ばれた少なくとも１種……０〜５％ 主結晶………リチウムジシリケート（場合により、αー
クリストバライト、αークォーツ、リチウムモノシリケ
ート、βースポジウメン等を含む） 結晶粒の大きさ…３．０μｍ以下 また、他のタイプの結晶化ガラスの例としては、例え
ば、以下の組成のものがある。
合計量………０〜５ 着色成分として、Ｖ2 Ｏ5 、ＣｕＯ、ＭｎＯ2 、Ｃｒ2
Ｏ3 、ＣｏＯ、ＭｏＯ3 、ＮｉＯ、Ｆｅ2 Ｏ3 、ＴｅＯ
2 、ＣｅＯ2 、Ｐｒ2 Ｏ3 、Ｎｄ2 Ｏ3 、Ｅｒ2 Ｏ3 の
群より選ばれた少なくとも１種……０〜５％ 主結晶………リチウムジシリケート（場合により、αー
クリストバライト、αークォーツ、リチウムモノシリケ
ート、βースポジウメン等を含む） 結晶粒の大きさ…３．０μｍ以下 また、他のタイプの結晶化ガラスの例としては、例え
ば、以下の組成のものがある。
【００３１】 ＳｉＯ2 ……６２．９％（重量％、以下同じ） Ａｌ2 Ｏ3 …２．０％ Ｎａ2 Ｏ……７．６％ Ｋ2 Ｏ………８．４％ ＭｇＯ………０．１％ ＣａＯ………１８．３％ Ｆ……………５．２％ 主結晶………カナサイト さらに、同じタイプの結晶化ガラスの例としては以下の
組成のものがある。
組成のものがある。
【００３２】 ＳｉＯ2 ……５６．５％（重量％、以下同じ） Ｎａ2 Ｏ……５．４％ Ｋ2 Ｏ………８．７％ ＭｇＯ………１１．８％ ＣａＯ………１４．１％ Ｆ……………５．５％ 主結晶………カリウム・フルオロ・リヒテライトとカナ
サイト 上記結晶化ガラスが属するタイプの結晶化ガラスとして
は、以下の組成範囲を有するものがある。
サイト 上記結晶化ガラスが属するタイプの結晶化ガラスとして
は、以下の組成範囲を有するものがある。
【００３３】 ＳｉＯ2 ………４５〜７５％（重量％、以下同じ） ＣａＯ…………４〜３０％ Ｎａ2 Ｏ………２〜１５％ Ｋ2 Ｏ…………０〜２０％ Ａｌ2 Ｏ3 ……０〜７％ ＭｇＯ…………０〜２％ ＺｎＯ…………０〜２％ ＳｎＯ2 ………０〜２％ Ｓｂ2 Ｏ3 ……０〜１％ Ｂ2 Ｏ3 ………０〜６％ ＺｒＯ2 ………０〜１２％ Ｌｉ2 Ｏ………０〜３％ 上記金属酸化物の１種以上の金属元素のフッ化物をＦの
合計量で………３〜１２％ 着色成分………場合により、Ｃｒ2 Ｏ3 、Ｃｏ3 Ｏ4 等
を含む 主結晶………カナサイト又はカリウム・フルオロ・リヒ
テライトを含む さらに、他のタイプの結晶化ガラスの例としては、例え
ば、以下の組成のものがある。
合計量で………３〜１２％ 着色成分………場合により、Ｃｒ2 Ｏ3 、Ｃｏ3 Ｏ4 等
を含む 主結晶………カナサイト又はカリウム・フルオロ・リヒ
テライトを含む さらに、他のタイプの結晶化ガラスの例としては、例え
ば、以下の組成のものがある。
【００３４】 ＳｉＯ2 ………４１．９％（重量％、以下同じ） Ａｌ2 Ｏ3 ……２８．７％ Ｋ2 Ｏ…………２．２％ ＺｎＯ…………２２．５％ ＴｉＯ2 ………４．７％ Ｆ………………５．５％ 主結晶………スピネル 上記結晶化ガラスが属するタイプの結晶化ガラスとして
は、以下の組成範囲を有するものがある。
は、以下の組成範囲を有するものがある。
【００３５】 ＳｉＯ2 ………３５〜６０％（重量％、以下同じ） Ａｌ2 Ｏ3 ……２０〜３５％ ＭｇＯ…………７〜２５％ ＺｎＯ…………０〜２５％ ＭｇＯ＋ＺｎＯ………１０％以上 ＴｉＯ2 ………０〜２０％ ＺｒＯ2 ………０〜１０％ Ｌｉ2 Ｏ………０〜２％ ＮｉＯ…………０〜８％ ＢａＯ、ＣａＯ、ＰｂＯ、ＳｒＯ、Ｐ2 Ｏ5 、Ｂ2 Ｏ3
、Ｇａ2 Ｏ3より選ばれた少なくとも１種……０〜５％ Ｎａ2 Ｏ、Ｋ2 Ｏ、Ｒｂ2 Ｏ、Ｃａ2 Ｏの群から選ばれ
た少なくとも１種……０〜５％ 遷移金属酸化物……０〜８％ 主結晶………スピネル 結晶粒径……０．１μｍ以下 さらに、他のタイプの結晶化ガラスの例としては、例え
ば、以下の組成のものがある。
、Ｇａ2 Ｏ3より選ばれた少なくとも１種……０〜５％ Ｎａ2 Ｏ、Ｋ2 Ｏ、Ｒｂ2 Ｏ、Ｃａ2 Ｏの群から選ばれ
た少なくとも１種……０〜５％ 遷移金属酸化物……０〜８％ 主結晶………スピネル 結晶粒径……０．１μｍ以下 さらに、他のタイプの結晶化ガラスの例としては、例え
ば、以下の組成のものがある。
【００３６】 ＳｉＯ2 ………６１．０％（重量％、以下同じ） Ａｌ2 Ｏ3 ……１０．１％ Ｌｉ2 Ｏ………２．０％ Ｎａ2 Ｏ………１８．３％ Ｋ2 Ｏ…………５．０％ ＣａＯ…………２．０％ ＢａＯ…………０．５％ ＺｒＯ2 ………１．１％ 主結晶………硫酸カルシウム、硫酸バリウム 上記結晶化ガラスが属するタイプの結晶化ガラスとして
は、以下の組成範囲を有するものがある。
は、以下の組成範囲を有するものがある。
【００３７】 ＳｉＯ2 ………５８〜８５％（重量％、以下同じ） Ｒ2 Ｏ…………２〜２５％（但しＲはアルカリ金属） ＢａＯ…………０．２〜２０％ ＣａＯ…………０．２〜２０％ Ａｌ2 Ｏ3 ……０．５〜１５％ ＺｒＯ2 ………０．１〜６％ ＳＯ3 …………０．１〜３％ ハロゲンイオン……０．１〜６％ 主結晶………硫酸カルシウム、硫酸バリウム さらに、他のタイプの結晶化ガラスの例としては、例え
ば、以下の組成のものがある。
ば、以下の組成のものがある。
【００３８】 ＳｉＯ2 ………４０．０％（重量％、以下同じ） Ａｌ2 Ｏ3 ……１６．９％ ＭｇＯ…………１３．０％ ＣａＯ…………５．８％ ＢａＯ…………０．７％ ＺｎＯ…………１６．１％ Ａｓ2 Ｏ3 ……０．５％ ＴｉＯ2 ………７．０％ 主結晶…………ガーナイト 結晶粒径………７〜５５ｎｍ 上記結晶化ガラスが属するタイプの結晶化ガラスとして
は、以下の組成範囲を有するものがある。
は、以下の組成範囲を有するものがある。
【００３９】 ＳｉＯ2 ………４０〜６０％（重量％、以下同じ） Ａｌ2 Ｏ3 ……７〜２７％ ＺｎＯ…………５〜２５％ ＭｇＯ…………１〜１５％ ＣａＯ…………０〜１５％ ＳｒＯ＋ＢａＯ……０〜５％ ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ…１〜１５％ ＴｉＯ2 ………１〜１０％ Ｂ2 Ｏ3 ………０〜５％ Ｐ2 Ｏ5 ………０〜５％ ＺｒＯ2 ………０〜２％ ＳｎＯ2 ………０〜２％ ＬｉＯ2 ＋Ｎａ2 Ｏ＋Ｋ2 Ｏ…０〜２％ Ａｓ2 Ｏ3 ＋Ｓｂ2 Ｏ3…０〜３％ 上記金属酸化物の１種以上の金属元素のフッ化物をＦの
合計量で………３〜１２％ 主結晶………ガーナイト 結晶粒径……５〜１００ｎｍ 非磁性金属下地層２は、Ｃｒ薄膜からなり、膜厚は４０
ｎｍである。
合計量で………３〜１２％ 主結晶………ガーナイト 結晶粒径……５〜１００ｎｍ 非磁性金属下地層２は、Ｃｒ薄膜からなり、膜厚は４０
ｎｍである。
【００４０】磁性層３は、ＣｏＰｔＣｒ合金薄膜からな
り、膜厚は２０ｎｍである。また、その組成はＣｏが７
４原子％、Ｐｔが１１原子％、Ｃｒが１５原子％であ
る。
り、膜厚は２０ｎｍである。また、その組成はＣｏが７
４原子％、Ｐｔが１１原子％、Ｃｒが１５原子％であ
る。
【００４１】保護層４は、水素を含有させたＣ薄膜から
なり、膜厚は１３ｎｍである。
なり、膜厚は１３ｎｍである。
【００４２】潤滑層５は、パーフルオポリエーテル潤滑
剤（例えば、モンテジソン社製ＡＭ２００１がある）を
浸漬法により保護層４の上に塗布して形成したものであ
り、膜厚は１０〓である。
剤（例えば、モンテジソン社製ＡＭ２００１がある）を
浸漬法により保護層４の上に塗布して形成したものであ
り、膜厚は１０〓である。
【００４３】以上のような構成の磁気記録媒体を静止対
向型スパッタリング装置を用いて製造するときの製造方
法を以下に説明する。
向型スパッタリング装置を用いて製造するときの製造方
法を以下に説明する。
【００４４】まず、結晶化ガラスからなる非磁性基板１
を基板ホルダに装着し、成膜準備室の中に導入した後、
成膜準備室内を大気状態から真空度５×１０-8Ｔｏｒｒ
になるまで真空排気する。その後、成膜準備室と成膜室
との間のバルブを開け、基板ホルダーを成膜室内に導入
し、Ｃｒターゲットに対向する位置に基板ホルダーを移
動する。次に成膜室内を真空度が８×１０-9Ｔｏｒｒに
なるまで真空排気してから、この位置で基板ホルダーに
装着した非磁性基板１をランプヒーターによって３００
゜Ｃで３０分間加熱する。３０分間加熱後、以下に示す
スパッタリング条件で非磁性金属下地層２を作成する。
を基板ホルダに装着し、成膜準備室の中に導入した後、
成膜準備室内を大気状態から真空度５×１０-8Ｔｏｒｒ
になるまで真空排気する。その後、成膜準備室と成膜室
との間のバルブを開け、基板ホルダーを成膜室内に導入
し、Ｃｒターゲットに対向する位置に基板ホルダーを移
動する。次に成膜室内を真空度が８×１０-9Ｔｏｒｒに
なるまで真空排気してから、この位置で基板ホルダーに
装着した非磁性基板１をランプヒーターによって３００
゜Ｃで３０分間加熱する。３０分間加熱後、以下に示す
スパッタリング条件で非磁性金属下地層２を作成する。
【００４５】 ターゲット ：Ｃｒ（４インチφ） ガス ：Ａｒ ガス圧力 ：５ｍＴｏｒｒ 投入電力 ：２００Ｗ 基板温度 ：３００゜Ｃ ターゲット基板間距離：７０ｍｍ 平均膜厚 ：４０ｎｍ 次に、基板ホルダーをＣｏＰｔＣｒターゲットに対向す
る位置へ移動し、以下に示すスパッタリング条件で磁性
層３を作成する。
る位置へ移動し、以下に示すスパッタリング条件で磁性
層３を作成する。
【００４６】 ターゲット ：Ｃｏ74Ｐｔ11Ｃｒ15（ａｔ％）（４インチφ） ガス ：Ａｒ ガス圧力 ：２０ｍＴｏｒｒ 投入電力 ：１００Ｗ 基板温度 ：３００゜Ｃ ターゲット基板間距離：７０ｍｍ 平均膜厚 ：２０ｎｍ 次に、基板ホルダーをＣターゲットに対向する位置へ移
動し、以下に示すスパッタリング条件で保護層４を作成
する。
動し、以下に示すスパッタリング条件で保護層４を作成
する。
【００４７】 ターゲット ：Ｃ（４インチφ） ガス ：Ａｒ，Ｈ2 ガス圧力 ：ＰAr＋ＰH2= １０ｍＴｏｒｒ （ＰH2／ＰAr＋ＰH2＝０．０６） 投入電力 ：５００Ｗ 基板温度 ：３００゜Ｃ ターゲット基板間距離：７０ｍｍ 平均膜厚 ：１３ｎｍ 以上のスパッタリング成膜後、基板１をスパッタリング
装置から取りだし、保護層４の上にパーフルオポリエー
テルからなる潤滑剤をディップ処理して潤滑層５を形成
し、磁気記録媒体を得る。
装置から取りだし、保護層４の上にパーフルオポリエー
テルからなる潤滑剤をディップ処理して潤滑層５を形成
し、磁気記録媒体を得る。
【００４８】このようにして得た磁気記録媒体３種（結
晶化ガラスの結晶粒子の平均粒径が２０ｎｍ、１５ｎ
ｍ、１０ｎｍである３種）について、透過型電子顕微鏡
（ＴＥＭ）を用いた平面観察により磁性結晶粒径の計測
を行った。また、磁気特性として、保磁力Ｈｃ、残留磁
化膜厚積Ｍｒｔを振動試料型磁力計（ＶＳＭ）で、メデ
ィアノイズＮｍ、Ｓ／Ｎｍ比を記録再生特性評価装置で
それぞれ解析した。これらの解析結果を図２の表にまと
めて示す。
晶化ガラスの結晶粒子の平均粒径が２０ｎｍ、１５ｎ
ｍ、１０ｎｍである３種）について、透過型電子顕微鏡
（ＴＥＭ）を用いた平面観察により磁性結晶粒径の計測
を行った。また、磁気特性として、保磁力Ｈｃ、残留磁
化膜厚積Ｍｒｔを振動試料型磁力計（ＶＳＭ）で、メデ
ィアノイズＮｍ、Ｓ／Ｎｍ比を記録再生特性評価装置で
それぞれ解析した。これらの解析結果を図２の表にまと
めて示す。
【００４９】なお、磁気記録媒体の走行テストをヘッド
浮上量０．００６５μｍでおこなったところ良好であっ
た。
浮上量０．００６５μｍでおこなったところ良好であっ
た。
【００５０】また、Ｓ／Ｎｍの評価は次のように行っ
た。まず、磁気ヘッド浮上量が０．０５０μｍのＭＲ
（磁気抵抗型）ヘッドを用いて、このＭＲヘッドと磁気
記録媒体との相対速度を６．５ｍ／ｓとして、線記録密
度１２５ｋｆｃｉにおける記録再生出力を測定した。次
に、キャリア周波数２３．５ＭＨｚで、測定帯域を２
６．５ＭＨｚとしてスペクトルアナライザーによってこ
の磁気記録媒体について信号記録再生時におけるノイズ
スペクトラムを測定した。なお、この測定に用いたＭＲ
ヘッドは、記録トラック幅４．１μｍ、再生トラック幅
３．１μｍ、記録ギャップ長０．４８μｍ、再生ギャッ
プ長０．３０μｍの特性を持つものである。
た。まず、磁気ヘッド浮上量が０．０５０μｍのＭＲ
（磁気抵抗型）ヘッドを用いて、このＭＲヘッドと磁気
記録媒体との相対速度を６．５ｍ／ｓとして、線記録密
度１２５ｋｆｃｉにおける記録再生出力を測定した。次
に、キャリア周波数２３．５ＭＨｚで、測定帯域を２
６．５ＭＨｚとしてスペクトルアナライザーによってこ
の磁気記録媒体について信号記録再生時におけるノイズ
スペクトラムを測定した。なお、この測定に用いたＭＲ
ヘッドは、記録トラック幅４．１μｍ、再生トラック幅
３．１μｍ、記録ギャップ長０．４８μｍ、再生ギャッ
プ長０．３０μｍの特性を持つものである。
【００５１】図２に示したように、非磁性基板１に用い
た結晶化ガラスの結晶粒子の平均粒径が小さいほど、そ
の上に作成される磁性層３の磁性結晶粒径は小さくな
り、その結果メディアノイズＮｍは低減し、Ｓ／Ｎｍが
増大することが分かる。つまり、非磁性基板１に用いた
結晶化ガラスの結晶粒子を制御することにより、磁性層
３の磁性結晶粒径を制御することができ、かつメディア
ノイズＮｍ、Ｓ／Ｎｍを制御することができる。なお、
非磁性基板に用いる結晶化ガラスの結晶粒子の平均粒径
は３〜２８ｎｍの範囲であればよく、また磁性層３の磁
性結晶粒径は５〜３０ｎｍの範囲であればよい。
た結晶化ガラスの結晶粒子の平均粒径が小さいほど、そ
の上に作成される磁性層３の磁性結晶粒径は小さくな
り、その結果メディアノイズＮｍは低減し、Ｓ／Ｎｍが
増大することが分かる。つまり、非磁性基板１に用いた
結晶化ガラスの結晶粒子を制御することにより、磁性層
３の磁性結晶粒径を制御することができ、かつメディア
ノイズＮｍ、Ｓ／Ｎｍを制御することができる。なお、
非磁性基板に用いる結晶化ガラスの結晶粒子の平均粒径
は３〜２８ｎｍの範囲であればよく、また磁性層３の磁
性結晶粒径は５〜３０ｎｍの範囲であればよい。
【００５２】また、図２を見ると、磁性層３の磁性結晶
粒径は、非磁性基板１に用いた結晶化ガラスの結晶粒径
に比べ１ｎｍ程度大きくなる傾向を示していることが分
かる。この磁性層３の磁性結晶粒径の、非磁性基板１に
用いた結晶化ガラスの結晶粒径に対して大きくなる度合
いは、下地層２のＣｒ膜厚に依存していることが分かっ
た。図３は、磁性層３の磁性結晶粒径の下地層（Ｃｒ
膜）膜厚依存性を、非磁性基板１に用いた結晶化ガラス
の結晶粒径が１０．２ｎｍ、１４．８ｎｍ、２０．３ｎ
ｍの場合について示したものである。何れの場合につい
ても、下地層（Ｃｒ膜）膜厚が増加するにつれて、磁性
層３の磁性結晶粒径が大きくなることが分かる。ただ
し、この増加についても、下地層（Ｃｒ膜）膜厚が１０
０ｎｍ以上で飽和する傾向が見られる。なお、下地層２
の膜厚は、１００ｎｍ以下〜１０ｎｍの範囲が好まし
い。下地層２の膜厚が１０ｎｍより小さくなると、保磁
力Ｈｃが下がるために好ましくない。
粒径は、非磁性基板１に用いた結晶化ガラスの結晶粒径
に比べ１ｎｍ程度大きくなる傾向を示していることが分
かる。この磁性層３の磁性結晶粒径の、非磁性基板１に
用いた結晶化ガラスの結晶粒径に対して大きくなる度合
いは、下地層２のＣｒ膜厚に依存していることが分かっ
た。図３は、磁性層３の磁性結晶粒径の下地層（Ｃｒ
膜）膜厚依存性を、非磁性基板１に用いた結晶化ガラス
の結晶粒径が１０．２ｎｍ、１４．８ｎｍ、２０．３ｎ
ｍの場合について示したものである。何れの場合につい
ても、下地層（Ｃｒ膜）膜厚が増加するにつれて、磁性
層３の磁性結晶粒径が大きくなることが分かる。ただ
し、この増加についても、下地層（Ｃｒ膜）膜厚が１０
０ｎｍ以上で飽和する傾向が見られる。なお、下地層２
の膜厚は、１００ｎｍ以下〜１０ｎｍの範囲が好まし
い。下地層２の膜厚が１０ｎｍより小さくなると、保磁
力Ｈｃが下がるために好ましくない。
【００５３】（実施例４〜２１）実施例１〜３におい
て、磁性層３の材料及び組成を以下の通りに変えた以外
は実施例１〜３と同様に製造したものを実施例４〜２１
とした。なお、磁性層３の製造条件はターゲットを各材
料及び各組成に変えただけであり、ガス、ガス厚、投入
電力、基板温度、ターゲット基板間距離、膜厚は変化さ
せていない。
て、磁性層３の材料及び組成を以下の通りに変えた以外
は実施例１〜３と同様に製造したものを実施例４〜２１
とした。なお、磁性層３の製造条件はターゲットを各材
料及び各組成に変えただけであり、ガス、ガス厚、投入
電力、基板温度、ターゲット基板間距離、膜厚は変化さ
せていない。
【００５４】 磁性組成式（ａｔ％） 結晶化ガラスの 結晶粒径（ｎｍ） 実施例４ Ｃｏ84Ｐｔ11Ｃｒ10 ２０．３ 実施例５ Ｃｏ84Ｐｔ11Ｃｒ10 １４．８ 実施例６ Ｃｏ84Ｐｔ11Ｃｒ10 １０．２ 実施例７ Ｃｏ69Ｐｔ11Ｃｒ20 ２０．３ 実施例８ Ｃｏ69Ｐｔ11Ｃｒ20 １４．８ 実施例９ Ｃｏ69Ｐｔ11Ｃｒ20 １０．２ 実施例１０ Ｃｏ76Ｐｔ11Ｃｒ11Ｔａ2 ２０．３ 実施例１１ Ｃｏ76Ｐｔ11Ｃｒ11Ｔａ2 １４．８ 実施例１２ Ｃｏ76Ｐｔ11Ｃｒ11Ｔａ2 １０．２ 実施例１３ Ｃｏ73Ｐｔ11Ｃｒ11Ｗ4 ２０．３ 実施例１４ Ｃｏ73Ｐｔ11Ｃｒ11Ｗ4 １４．８ 実施例１５ Ｃｏ73Ｐｔ11Ｃｒ11Ｗ4 １０．２ 実施例１６ （Ｃｏ75Ｐｔ11Ｃｒ11）97（ＳｉＯ2 ）3 ２０．３ 実施例１７ （Ｃｏ75Ｐｔ11Ｃｒ11）97（ＳｉＯ2 ）3 １４．８ 実施例１８ （Ｃｏ75Ｐｔ11Ｃｒ11）97（ＳｉＯ2 ）3 １０．２ 実施例１９ （Ｃｏ72Ｐｔ11Ｃｒ11）94（ＳｉＯ2 ）6 ２０．３ 実施例２０ （Ｃｏ72Ｐｔ11Ｃｒ11）94（ＳｉＯ2 ）6 １４．８ 実施例２１ （Ｃｏ72Ｐｔ11Ｃｒ11）94（ＳｉＯ2 ）6 １０．２ 実施例４〜２１に係る磁気記録媒体の、結晶化ガラスの
結晶粒径、磁性層３における磁性結晶粒径、保磁力Ｈ
ｃ、及び残留磁化膜厚積ＭｒｔとメディアノイズＮｍ、
Ｓ／Ｎｍ比の解析結果を図４の表にまとめて示す。な
お、解析には実施例１〜３と同じ解析方法を用いた。
結晶粒径、磁性層３における磁性結晶粒径、保磁力Ｈ
ｃ、及び残留磁化膜厚積ＭｒｔとメディアノイズＮｍ、
Ｓ／Ｎｍ比の解析結果を図４の表にまとめて示す。な
お、解析には実施例１〜３と同じ解析方法を用いた。
【００５５】図４の表から分かるように、磁性層３の材
料及び組成が変わっても、結晶化ガラスの結晶化粒径が
小さいほどその上に作成される磁性層３の磁性結晶粒径
は小さくなり、その結果、メディアノイズは低減し、Ｓ
／Ｎｍが増大することが分かる。また、この結晶化ガラ
スの平均粒径に対して磁性結晶粒径が大きくなる度合い
は、磁性層３の材料及び組成にはほとんど依存しないこ
とが分かる。
料及び組成が変わっても、結晶化ガラスの結晶化粒径が
小さいほどその上に作成される磁性層３の磁性結晶粒径
は小さくなり、その結果、メディアノイズは低減し、Ｓ
／Ｎｍが増大することが分かる。また、この結晶化ガラ
スの平均粒径に対して磁性結晶粒径が大きくなる度合い
は、磁性層３の材料及び組成にはほとんど依存しないこ
とが分かる。
【００５６】（実施例２２〜２７）図５は実施例２２〜
２７に係る磁気記録媒体の構成を示す模式的断面図であ
り、磁気記録媒体は非磁性基板１、非磁性金属下地層
２、中間層６、磁性層３、保護層４、潤滑層５からな
り、それぞれの層が順次積層されていて、図１との同一
対応部分には同一符号を付した。なお、中間層６以外の
各層は、実施例１〜３と同様であるのでその説明は省略
する。
２７に係る磁気記録媒体の構成を示す模式的断面図であ
り、磁気記録媒体は非磁性基板１、非磁性金属下地層
２、中間層６、磁性層３、保護層４、潤滑層５からな
り、それぞれの層が順次積層されていて、図１との同一
対応部分には同一符号を付した。なお、中間層６以外の
各層は、実施例１〜３と同様であるのでその説明は省略
する。
【００５７】中間層６は、非磁性金属下地層２と磁性層
３との間に設けられた層であり、Ｃｒ合金（Ｃｒ95Ｍｏ
5 、Ｃｒ90Ｖ10）からなり、膜厚は４ｎｍである。
３との間に設けられた層であり、Ｃｒ合金（Ｃｒ95Ｍｏ
5 、Ｃｒ90Ｖ10）からなり、膜厚は４ｎｍである。
【００５８】Ｃｒ合金としてＣｒ95Ｍｏ5 を用いて、結
晶化ガラスの結晶粒径が２０．３ｎｍ、１４．８ｎｍ、
１０．２であるものをそれぞれ実施例２２〜２４とし
て、Ｃｒ合金としてＣｒ90Ｖ10を用いて、結晶化ガラス
の結晶粒径が２０．３ｎｍ、１４．８ｎｍ、１０．２で
あるものをそれぞれ実施例２５〜２７とする。
晶化ガラスの結晶粒径が２０．３ｎｍ、１４．８ｎｍ、
１０．２であるものをそれぞれ実施例２２〜２４とし
て、Ｃｒ合金としてＣｒ90Ｖ10を用いて、結晶化ガラス
の結晶粒径が２０．３ｎｍ、１４．８ｎｍ、１０．２で
あるものをそれぞれ実施例２５〜２７とする。
【００５９】なお、中間層６を設けた以外は、実施例１
〜３と同様にして磁気記録媒体の作成を行った。中間層
６の作成条件を以下に示す。
〜３と同様にして磁気記録媒体の作成を行った。中間層
６の作成条件を以下に示す。
【００６０】 ターゲット ：Ｃｒ95Ｍｏ5 、Ｃｒ90Ｖ10（４インチφ） ガス ：Ａｒ ガス圧力 ：５ｍＴｏｒｒ 投入電力 ：２００Ｗ 基板温度 ：３００゜Ｃ ターゲット基板間距離：７０ｍｍ 平均膜厚 ：４ｎｍ このようにして作成した実施例２２〜２７に係る磁気記
録媒体の、結晶化ガラスの結晶粒径、磁性層３における
磁性結晶粒径、保磁力Ｈｃ、及び残留磁化膜厚積Ｍｒｔ
とメディアノイズＮｍ、Ｓ／Ｎｍ比の解析結果を図６の
表にまとめて示す。なお、解析には実施例１〜３と同じ
解析方法を用いた。
録媒体の、結晶化ガラスの結晶粒径、磁性層３における
磁性結晶粒径、保磁力Ｈｃ、及び残留磁化膜厚積Ｍｒｔ
とメディアノイズＮｍ、Ｓ／Ｎｍ比の解析結果を図６の
表にまとめて示す。なお、解析には実施例１〜３と同じ
解析方法を用いた。
【００６１】図６の表から分かるように、非磁性金属下
地層２と磁性層３との間に中間層６を設けても、結晶化
ガラスの結晶化粒径が小さいほどその上に作成される磁
性層３の磁性結晶粒径は小さくなり、その結果、メディ
アノイズは低減し、Ｓ／Ｎｍが増大することが分かる。
また、この結晶化ガラスの平均粒径に対して磁性結晶粒
径が大きくなる度合いは、中間層６の種類にほとんど依
存しないことが分かる。
地層２と磁性層３との間に中間層６を設けても、結晶化
ガラスの結晶化粒径が小さいほどその上に作成される磁
性層３の磁性結晶粒径は小さくなり、その結果、メディ
アノイズは低減し、Ｓ／Ｎｍが増大することが分かる。
また、この結晶化ガラスの平均粒径に対して磁性結晶粒
径が大きくなる度合いは、中間層６の種類にほとんど依
存しないことが分かる。
【００６２】（実施例２８〜３６）図７は実施例２８〜
３６に係る磁気記録媒体の構成を示す模式的断面図であ
り、磁気記録媒体は非磁性基板１、初期層７、非磁性金
属下地層２、磁性層３、保護層４、潤滑層５からなり、
それぞれの層が順次積層されていて、図１との同一対応
部分には同一符号を付した。なお、初期層７以外の各層
は、実施例１〜３と同様であるのでその説明は省略す
る。
３６に係る磁気記録媒体の構成を示す模式的断面図であ
り、磁気記録媒体は非磁性基板１、初期層７、非磁性金
属下地層２、磁性層３、保護層４、潤滑層５からなり、
それぞれの層が順次積層されていて、図１との同一対応
部分には同一符号を付した。なお、初期層７以外の各層
は、実施例１〜３と同様であるのでその説明は省略す
る。
【００６３】初期層７は、非磁性基板１と非磁性金属下
地層２との間に設けられた層であり、Ａｌ、ＡｌＮ、Ｔ
ｉの何れかの薄膜からなり、膜厚は５ｎｍである。
地層２との間に設けられた層であり、Ａｌ、ＡｌＮ、Ｔ
ｉの何れかの薄膜からなり、膜厚は５ｎｍである。
【００６４】初期層７Ａｌを用いて、結晶化ガラスの結
晶粒径が２０．３ｎｍ、１４．８ｎｍ、１０．２である
ものをそれぞれ実施例２８〜３０として、初期層７とし
てＡｌＮを用いて、結晶化ガラスの結晶粒径が２０．３
ｎｍ、１４．８ｎｍ、１０．２であるものをそれぞれ実
施例３１〜３３として、初期層７としてＴｉを用いて、
結晶化ガラスの結晶粒径が２０．３ｎｍ、１４．８ｎ
ｍ、１０．２であるものをそれぞれ実施例３４〜３６と
する。
晶粒径が２０．３ｎｍ、１４．８ｎｍ、１０．２である
ものをそれぞれ実施例２８〜３０として、初期層７とし
てＡｌＮを用いて、結晶化ガラスの結晶粒径が２０．３
ｎｍ、１４．８ｎｍ、１０．２であるものをそれぞれ実
施例３１〜３３として、初期層７としてＴｉを用いて、
結晶化ガラスの結晶粒径が２０．３ｎｍ、１４．８ｎ
ｍ、１０．２であるものをそれぞれ実施例３４〜３６と
する。
【００６５】なお、初期層７を設けた以外は、実施例１
〜３と同様にして磁気記録媒体の作成を行った。初期層
７の作成条件を以下に示す。
〜３と同様にして磁気記録媒体の作成を行った。初期層
７の作成条件を以下に示す。
【００６６】＜Ａｌ初期層の作成条件＞ ターゲット ：Ａｌ（４インチφ） ガス ：Ａｒ ガス圧力 ：５ｍＴｏｒｒ 投入電力 ：２００Ｗ 基板温度 ：３００゜Ｃ ターゲット基板間距離：７０ｍｍ 平均膜厚 ：５ｎｍ ＜ＡｌＮ初期層の作成条件＞ ターゲット ：Ａｌ（４インチφ） ガス ：Ａｒ，Ｈ2 ガス圧力 ：ＰAr＋ＰN2= ５ｍＴｏｒｒ（Ｐ
N2／ＰAr＋ＰN2＝０．２０） 投入電力 ：２００Ｗ 基板温度 ：３００゜Ｃ ターゲット基板間距離：７０ｍｍ 平均膜厚 ：５ｎｍ ＜Ｔｉ初期層の作成条件＞ ターゲット ：Ｔｉ（４インチφ） ガス ：Ａｒ ガス圧力 ：５ｍＴｏｒｒ 投入電力 ：２００Ｗ 基板温度 ：３００゜Ｃ ターゲット基板間距離：７０ｍｍ 平均膜厚 ：５ｎｍ このようにして作成した実施例２８〜３６に係る磁気記
録媒体の、結晶化ガラスの結晶粒径、磁性層３における
磁性結晶粒径、保磁力Ｈｃ、及び残留磁化膜厚積Ｍｒｔ
とメディアノイズＮｍ、Ｓ／Ｎｍ比の解析結果を図８の
表にまとめて示す。なお、解析には実施例１〜３と同じ
解析方法を用いた。
N2／ＰAr＋ＰN2＝０．２０） 投入電力 ：２００Ｗ 基板温度 ：３００゜Ｃ ターゲット基板間距離：７０ｍｍ 平均膜厚 ：５ｎｍ ＜Ｔｉ初期層の作成条件＞ ターゲット ：Ｔｉ（４インチφ） ガス ：Ａｒ ガス圧力 ：５ｍＴｏｒｒ 投入電力 ：２００Ｗ 基板温度 ：３００゜Ｃ ターゲット基板間距離：７０ｍｍ 平均膜厚 ：５ｎｍ このようにして作成した実施例２８〜３６に係る磁気記
録媒体の、結晶化ガラスの結晶粒径、磁性層３における
磁性結晶粒径、保磁力Ｈｃ、及び残留磁化膜厚積Ｍｒｔ
とメディアノイズＮｍ、Ｓ／Ｎｍ比の解析結果を図８の
表にまとめて示す。なお、解析には実施例１〜３と同じ
解析方法を用いた。
【００６７】図８の表から分かるように、非磁性基板１
と非磁性金属下地層２との間に初期層７を設けても、結
晶化ガラスの結晶化粒径が小さいほどその上に作成され
る磁性層３の磁性結晶粒径は小さくなり、その結果、メ
ディアノイズは低減し、Ｓ／Ｎｍが増大することが分か
る。また、この結晶化ガラスの平均粒径に対して磁性結
晶粒径が大きくなる度合いは、初期層６の種類にほとん
ど依存しないことが分かる。
と非磁性金属下地層２との間に初期層７を設けても、結
晶化ガラスの結晶化粒径が小さいほどその上に作成され
る磁性層３の磁性結晶粒径は小さくなり、その結果、メ
ディアノイズは低減し、Ｓ／Ｎｍが増大することが分か
る。また、この結晶化ガラスの平均粒径に対して磁性結
晶粒径が大きくなる度合いは、初期層６の種類にほとん
ど依存しないことが分かる。
【００６８】以上のように実施例により本発明を説明し
てきたが、本発明は以下の変形例及び応用例を含むもの
である。
てきたが、本発明は以下の変形例及び応用例を含むもの
である。
【００６９】上記実施例では、基板として、結晶化ガラ
スを用いているが、結晶化するものであれば、例えば、
カーボン基板、シリコン基板、石英基板等の他の材料を
用いてもよい。
スを用いているが、結晶化するものであれば、例えば、
カーボン基板、シリコン基板、石英基板等の他の材料を
用いてもよい。
【００７０】また、下地層の材料として、Ｃｒを用いて
いるが、これは、ＴｉＷ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｗ、Ｚ
ｒ、Ｃｕ、Ａ、Ｚｎ、Ｉｎ、Ｓｎ等の非磁性材料を用い
ることができる。
いるが、これは、ＴｉＷ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｗ、Ｚ
ｒ、Ｃｕ、Ａ、Ｚｎ、Ｉｎ、Ｓｎ等の非磁性材料を用い
ることができる。
【００７１】さらに、磁性層としては、実施例で掲げた
例のほかに、ＣｏＮｉＣｒＴａ、ＣｏＮｉＰｔ，ＣｏＮ
ｉＺｒ、ＣｏＣｒＰｔ，ＣｏＰｔ，ＣｏＣｒＰｔＢ，Ｃ
ｏＰ等の他のＣｏ系合金やＦｅ2 Ｏ3 等の磁性材料によ
り磁性層を構成してもよいさらにまた、上記実施例で
は、初期層にＡｌ、ＡｌＮ、Ｔｉを用いているが、他の
材料でもよく、例えば、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｚｎ等の金属、あ
るいはこれらのうち少なくとも１つを含んだ合金又はこ
れらの酸化物、チッカブツ窒化物からなる薄膜を用いて
もよい。
例のほかに、ＣｏＮｉＣｒＴａ、ＣｏＮｉＰｔ，ＣｏＮ
ｉＺｒ、ＣｏＣｒＰｔ，ＣｏＰｔ，ＣｏＣｒＰｔＢ，Ｃ
ｏＰ等の他のＣｏ系合金やＦｅ2 Ｏ3 等の磁性材料によ
り磁性層を構成してもよいさらにまた、上記実施例で
は、初期層にＡｌ、ＡｌＮ、Ｔｉを用いているが、他の
材料でもよく、例えば、Ｓｎ、Ｉｎ、Ｚｎ等の金属、あ
るいはこれらのうち少なくとも１つを含んだ合金又はこ
れらの酸化物、チッカブツ窒化物からなる薄膜を用いて
もよい。
【００７２】上記実施例では、静止対向型スパッタリン
グ装置を用いた例を示したが、他のスパッタリング装置
や成膜装置を用いて各層を形成できることは勿論であ
る。
グ装置を用いた例を示したが、他のスパッタリング装置
や成膜装置を用いて各層を形成できることは勿論であ
る。
【００７３】さらに、実施例では潤滑層の材料としてパ
ーフルオポリエーテルを用いた例を示したが、ハイドロ
カーボン系やフルオロカーボン系の液体潤滑油やスルホ
ン酸のアルカリ金属塩からなる潤滑剤を用いることがで
きる。その膜厚は１０〜３０オングストロームであるこ
とが好ましく、その理由は１０オングストローム未満で
あると耐摩擦性の向上を計ることが十分でなく、また３
０オングストロームを越えると耐摩擦性の向上が見られ
ず、しかも磁気ヘッドの吸着の問題が生ずるからであ
る。
ーフルオポリエーテルを用いた例を示したが、ハイドロ
カーボン系やフルオロカーボン系の液体潤滑油やスルホ
ン酸のアルカリ金属塩からなる潤滑剤を用いることがで
きる。その膜厚は１０〜３０オングストロームであるこ
とが好ましく、その理由は１０オングストローム未満で
あると耐摩擦性の向上を計ることが十分でなく、また３
０オングストロームを越えると耐摩擦性の向上が見られ
ず、しかも磁気ヘッドの吸着の問題が生ずるからであ
る。
【００７４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、結晶化
可能な材料からなる非磁性基板上に少なくとも磁性層を
含む層を有する磁気記録媒体において、表面の結晶粒径
が所定の値を持つ非磁性基板を選定することにより、磁
性層の磁性結晶粒径を制御したことを特徴とするもの
で、これにより、メディアノイズＮｍ、Ｓ／Ｎｍを制御
することができ、磁気特性の優れた磁気記録媒体得るこ
とが可能になる。
可能な材料からなる非磁性基板上に少なくとも磁性層を
含む層を有する磁気記録媒体において、表面の結晶粒径
が所定の値を持つ非磁性基板を選定することにより、磁
性層の磁性結晶粒径を制御したことを特徴とするもの
で、これにより、メディアノイズＮｍ、Ｓ／Ｎｍを制御
することができ、磁気特性の優れた磁気記録媒体得るこ
とが可能になる。
【図１】実施例１〜２１に係る磁気記録性媒体の構成を
示す模式的断面図である。
示す模式的断面図である。
【図２】実施例１〜３に係る結晶化ガラスの結晶粒径、
磁性層における磁性結晶粒径、保磁力Ｈｃ、残留磁化膜
厚積Ｍｒｔ、メディアノイズＮｍ、Ｓ／Ｎｍ比を表にし
て示した図である。
磁性層における磁性結晶粒径、保磁力Ｈｃ、残留磁化膜
厚積Ｍｒｔ、メディアノイズＮｍ、Ｓ／Ｎｍ比を表にし
て示した図である。
【図３】実施例１〜３に係る磁性結晶粒径の下地層膜厚
依存性を示すグラフである。
依存性を示すグラフである。
【図４】実施例４〜２１に係る磁性組成式、結晶化ガラ
スの結晶粒径、磁性層における磁性結晶粒径、保磁力Ｈ
ｃ、残留磁化膜厚積Ｍｒｔ、メディアノイズＮｍ、Ｓ／
Ｎｍ比を表にして示した図である。
スの結晶粒径、磁性層における磁性結晶粒径、保磁力Ｈ
ｃ、残留磁化膜厚積Ｍｒｔ、メディアノイズＮｍ、Ｓ／
Ｎｍ比を表にして示した図である。
【図５】実施例２２〜２７に係る磁気記録性媒体の構成
を示す模式的断面図である。
を示す模式的断面図である。
【図６】実施例２２〜２７に係る中間層組成、結晶化ガ
ラスの結晶粒径、磁性層における磁性結晶粒径、保磁力
Ｈｃ、残留磁化膜厚積Ｍｒｔ、メディアノイズＮｍ、Ｓ
／Ｎｍ比を表にして示した図である。
ラスの結晶粒径、磁性層における磁性結晶粒径、保磁力
Ｈｃ、残留磁化膜厚積Ｍｒｔ、メディアノイズＮｍ、Ｓ
／Ｎｍ比を表にして示した図である。
【図７】実施例２８〜３６に係る磁気記録性媒体の構成
を示す模式的断面図である。
を示す模式的断面図である。
【図８】実施例２８〜３６に係る中間層組成、結晶化ガ
ラスの結晶粒径、磁性層における磁性結晶粒径、保磁力
Ｈｃ、残留磁化膜厚積Ｍｒｔ、メディアノイズＮｍ、Ｓ
／Ｎｍ比を表にして示した図である。
ラスの結晶粒径、磁性層における磁性結晶粒径、保磁力
Ｈｃ、残留磁化膜厚積Ｍｒｔ、メディアノイズＮｍ、Ｓ
／Ｎｍ比を表にして示した図である。
１ 非磁性基板 ２ 非磁性金属下地層 ３ 磁性層 ４ 保護層 ５ 潤滑層 ６ 中間層 ７ 初期層
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成８年９月１９日
【手続補正１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】全図
【補正方法】変更
【補正内容】
【図１】
【図２】
【図７】
【図３】
【図５】
【図４】
【図６】
【図８】
Claims (17)
- 【請求項１】 結晶化可能な材料からなる非磁性基板上
に少なくとも磁性層を含む層を有する磁気記録媒体にお
いて、 表面の結晶粒径が所定の値を持つ上記非磁性基板を選定
することにより、上記磁性層の磁性結晶粒径を制御した
ことを特徴とする磁気記録媒体。 - 【請求項２】 表面の平均結晶粒径が３〜２８ｎｍの範
囲である上記非磁性基板を選定して、 磁性層の磁性結晶粒径を５〜３０ｎｍの範囲に制御した
ことを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体。 - 【請求項３】 上記非磁性基板が結晶化ガラスからなる
ものであることを特徴とする請求項１又は２に記載の磁
気記録媒体。 - 【請求項４】 上記非磁性基板と上記磁性層との間に下
地層を設けて、下地層の膜厚を選定することにより、上
記磁性層の磁性結晶粒径を制御したことを特徴とする請
求項１〜３の何れかに記載の磁気記録媒体。 - 【請求項５】 上記下地層の厚さが１００ｎｍ以下であ
ることを特徴とする請求項４に記載の磁気記録媒体。 - 【請求項６】 上記下地層がＣｒからなるものであるこ
とを特徴とする請求項４又は５に記載の磁気記録媒体。 - 【請求項７】 上記下地層と上記磁性層との間に中間層
を設けたことを特徴とする請求項１〜６の何れかに記載
の磁気記録媒体。 - 【請求項８】 上記中間層がＣｒ合金からなることを特
徴とする請求項７に記載の磁気記録媒体。 - 【請求項９】 上記非磁性基板と上記下地層との間に初
期層を設けたことを特徴とする請求項１〜８の何れかに
記載の磁気記録媒体。 - 【請求項１０】 上記初期層が、Ａｌ、ＡｌＮ、Ｔｉの
何れかからなることを特徴とする請求項９に記載の磁気
記録媒体。 - 【請求項１１】 結晶化可能な材料からなる非磁性基板
上に磁性層を形成する磁性層形成工程を少なくとも有す
る磁気記録媒体の製造方法において、 表面の結晶粒径が所定の値を持つ上記非磁性基板を選定
することにより、上記磁性層の磁性結晶粒径を制御する
ことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項１２】 上記非磁性基板が結晶化ガラスからな
るものであることを特徴とする請求項１１に記載の磁気
記録媒体の製造方法。 - 【請求項１３】 上記非磁性基板と上記磁性層との間に
下地層形成する下地層形成工程を有し、 下地層の膜厚を選定することにより、上記磁性層の磁性
結晶粒径を制御することを特徴とする請求項１１又は１
２に記載の磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項１４】 上記下地層の厚さを１００ｎｍ以下に
することを特徴とする請求項１３に記載の磁気記録媒体
の製造方法。 - 【請求項１５】 上記下地層がＣｒからなるものである
ことを特徴とする請求項１３又は１４に記載の磁気記録
媒体の製造方法。 - 【請求項１６】 上記下地層と上記磁性層との間に中間
層を形成する中間層形成工程を有することを特徴とする
請求項１１〜１５の何れかに記載の磁気記録媒体の製造
方法。 - 【請求項１７】 上記非磁性基板と上記下地層との間に
初期層を形成する初期層形成工程を有することを特徴と
する請求項１１〜１６の何れかに記載の磁気記録媒体の
製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8230388A JPH1074618A (ja) | 1996-08-30 | 1996-08-30 | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
| US08/916,157 US6162526A (en) | 1996-08-30 | 1997-09-02 | Magnetic recording medium having a crystalized glass substrate |
| US09/702,731 US6379775B1 (en) | 1996-08-30 | 2000-11-01 | Magnetic recording medium and method of manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8230388A JPH1074618A (ja) | 1996-08-30 | 1996-08-30 | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1074618A true JPH1074618A (ja) | 1998-03-17 |
Family
ID=16907102
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8230388A Pending JPH1074618A (ja) | 1996-08-30 | 1996-08-30 | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6162526A (ja) |
| JP (1) | JPH1074618A (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004227717A (ja) * | 2003-01-24 | 2004-08-12 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 磁気記録媒体およびその製造方法 |
| JP3684231B2 (ja) * | 2003-02-28 | 2005-08-17 | 株式会社東芝 | 磁気記録媒体及び磁気記録再生装置 |
| US20050095421A1 (en) * | 2003-11-03 | 2005-05-05 | Seagate Technology | Magnetic material for non-reactive process of granular perpendicular recording application |
| JP2006185489A (ja) * | 2004-12-27 | 2006-07-13 | Fujitsu Ltd | 磁気記録媒体および磁気記憶装置 |
| TW200724506A (en) * | 2005-10-07 | 2007-07-01 | Ohara Kk | Inorganic composition |
| GB2461278A (en) * | 2008-06-25 | 2009-12-30 | Univ Sheffield | Dental constructs comprising glass ceramic with fluor-canasite structure |
| JP4815002B2 (ja) | 2009-06-04 | 2011-11-16 | 株式会社オハラ | 情報記録媒体用結晶化ガラス基板およびその製造方法 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5494721A (en) * | 1989-01-13 | 1996-02-27 | Hitachi, Ltd. | Magnetic disc substrate |
| JPH0692263B2 (ja) * | 1989-02-16 | 1994-11-16 | 伊藤忠商事株式会社 | 記録ディスク基板及びその製造方法 |
| JP2513893B2 (ja) * | 1989-04-26 | 1996-07-03 | 日立金属株式会社 | 磁気記録媒体 |
| US5119258A (en) * | 1990-02-06 | 1992-06-02 | Hmt Technology Corporation | Magnetic disc with low-friction glass substrate |
| US5413873A (en) * | 1991-04-26 | 1995-05-09 | Victor Company Of Japan, Ltd. | Magnetic recording medium having a glass or amorphous carbon substrate, vanadium or molybdenum precoat layer, chromium primer layer and cobalt magnetic layer |
| US5476821A (en) * | 1994-11-01 | 1995-12-19 | Corning Incorporated | High modulus glass-ceramics containing fine grained spinel-type crystals |
| JPH08227515A (ja) * | 1995-02-21 | 1996-09-03 | Hitachi Ltd | 面内記録用磁気記録媒体及びその製造方法 |
| JP2937294B2 (ja) * | 1995-04-28 | 1999-08-23 | ホーヤ株式会社 | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
| US5830584A (en) * | 1996-01-16 | 1998-11-03 | Seagate Technology, Inc. | Bicrystal cluster magnetic recording medium |
| US5879783A (en) * | 1996-08-05 | 1999-03-09 | Seagate Technology, Inc. | Low noise magnetic recording medium and method of manufacturing |
-
1996
- 1996-08-30 JP JP8230388A patent/JPH1074618A/ja active Pending
-
1997
- 1997-09-02 US US08/916,157 patent/US6162526A/en not_active Expired - Lifetime
-
2000
- 2000-11-01 US US09/702,731 patent/US6379775B1/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6379775B1 (en) | 2002-04-30 |
| US6162526A (en) | 2000-12-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5567217A (en) | Method for manufacturing a crystalized glass magnetic disk substrate | |
| JP3989988B2 (ja) | 情報記録媒体用基板及び磁気ディスク、並びにその製造方法 | |
| US20050164036A1 (en) | Substrate for information recording medium and magnetic recording medium composed of crystallized glass | |
| JP2004247010A (ja) | 磁気ディスク | |
| JP4282273B2 (ja) | ガラス基板 | |
| JPH1079122A (ja) | 情報記録媒体用基板に適した材料の選定方法、この方法を用いて選定した材料、この材料を用いた基板及び磁気ディスク | |
| EP0917135A1 (en) | Substrate for information recording media | |
| US20020164505A1 (en) | Substrate for information recording medium, information recording medium, and method for controlling surface of substrate for information recording medium | |
| EP0858974B1 (en) | Glass for information recording medium substrate and glass substrate | |
| JP3379621B2 (ja) | 情報記録媒体用基板に用いる材料、これを用いる基板及びこの基板を用いる磁気ディスク | |
| EP1067101A2 (en) | Process for preparation of crystallized glass for information recording disk | |
| JPH1074618A (ja) | 磁気記録媒体及びその製造方法 | |
| JP2006327935A (ja) | ガラス基板 | |
| JP2937294B2 (ja) | 磁気記録媒体及びその製造方法 | |
| JP2006327936A (ja) | ガラス基板 | |
| WO2002004371A1 (fr) | Composition de verre, substrat pour support d'enregistrement d'informations, disque magnetique, dispositif d'enregistrement/reproduction d'informations et dispositif a disque magnetique utilisant cette composition | |
| JPH101327A (ja) | 記録媒体用ガラス基板、該基板を用いた磁気記録媒体及びその製造方法 | |
| JP3657344B2 (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JP2004277232A (ja) | ガラス組成物及びガラス基板 | |
| JPH10105948A (ja) | 磁気記録媒体及びその製造方法 | |
| JP3144820B2 (ja) | 結晶化ガラス | |
| JP2001180975A (ja) | 結晶化ガラスからなる情報記録媒体用基板及び情報記録媒体 | |
| JP4442051B2 (ja) | ガラス基板およびこれを用いた情報記録用媒体、光通信用素子 | |
| JP4323598B2 (ja) | 情報記録ディスク用結晶化ガラス | |
| JP4043171B2 (ja) | 情報記録ディスク用結晶化ガラスの製造方法 |