JPH0387005A

JPH0387005A - 磁性膜

Info

Publication number: JPH0387005A
Application number: JP22425389A
Authority: JP
Inventors: Tadao Katsuragawa; 忠雄桂川
Original assignee: Ricoh Co Ltd
Current assignee: Ricoh Co Ltd
Priority date: 1989-08-30
Filing date: 1989-08-30
Publication date: 1991-04-11

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は磁性膜に関し、詳しくは、光磁気記録媒体とし
て特に有用であり、更には、レーザー光を利用しないで
記録・再生を行なう磁気記録媒体や、その他、書換え可
能なホログラフィ−用メモリ材料としても適用可能な磁
性膜に関する。

〔従来の技術〕

磁性膜（磁性体薄膜）を適当な基板（非磁性支持体）上
に形成したものは記録媒体（磁気記録媒体、光磁気記録
媒体）として利用されるでいる。殊に、光磁気記録方式
に採用される記録媒体（光磁気記録媒体）には、記録感
度が高いこと、磁気光学効果（ファラデー効果、カー効
果）が大きいこと、大面積のものが均質かつ安価に製作
できること、安定性にすぐれていること等が要求される
。これに加えて、磁気光学効果の大きさは磁化の向きと
光の進行方向とが平行なとき最も大きくなり、また、面
に垂直な磁化という条件は垂直磁気記録の要件も満たし
ているため高密度記録にも適する。従って、媒体の面に
垂直に磁化をもつ材料が選択されねばならない。

こうした要請から、光磁気記録媒体における磁性膜の材
料として（１）垂直磁気記録媒体で採用されている磁性
材料（代表的な六方晶最密充填（ｈｃｐ）構造のマグネ
トプラムバイト型Ｂａフェライト）を使用したり、（２
）ＭｎＢｉ、　ＭｎＣｕＢ１．　ＭｎＧａＧｅ、　Ｍｎ
ＡＱＧｅ。

ＰｔＣｏ　（以上多結晶）；　（ＹＢｉ）３　（ＦｅＧ
ａ）、０．　（単結晶）；ＧｄＣｏ、　ＧｄＦｓ、　Ｔ
ｂＦｅ、　ＧｄＴｂＦｅ、　ＴｂＤｙＦａ（以上アモル
ファス）などが使用されたりしている。

だが、前記（１）（２）の磁性膜は、その材料によって
は、製膜が低基板温度で行ないにくかったり、半導体レ
ーザーの波長域（例えば７８０ｎｉｌ、　８３０ｎ−な
ど）では大きな磁気光学効果を得ることができなかった
り、高いＳ／Ｎ比が得られなかったり、或いは、安定性
に不安があったりする、等のいずれかの欠点を有してい
る。

〔発明が解決しようとする課題〕

かかる不都合な現象のない磁性材料の開発が進められて
きた結果、近時は、窒化鉄が注目されている。この窒化
鉄は錆びることなく１強磁性体であり、しかも基板に対
して垂直方向に磁気異方性を有するため録音テープ、ビ
デオテープ、コンピュータ用の大容量記憶装置などの高
密度磁気記録媒体に応用することが提案されている（特
開昭５５−３３０９３号、同５９−２２８７０５号、同
６０−７６０２１号、同６１−１１０３２８号、同６２
−１０３８２１号などの公報）。

しかし、これまで提案されてきた窒化物磁性材料は、主
として、その垂直磁気異方性に注目した垂直磁気記録媒
体に対してであって、光磁気記録媒体への応用は大方見
送られているのが実情である。

本発明者は、こうした現状に鑑み、先に、膜構造を制御
することによって光磁気記録媒体としての特性を向上さ
せ、また、容易には熱分解が起らず、更には、特にファ
ラデー効果による再生効率の高められた磁性膜を提案し
た（特願平１−１３５５７５号）、ここに提案された磁
性膜に、非磁性支持体上に形成されるＦｅ、　Ｃｏ及び
Ｎｉから選ばれる金属ＣＭ）の少なくとも１種の窒化物
（ＭＸＮ（２＜Ｘ≦３）〕を主成分とした膜であって、
柱状構造を呈しており、かつ、その柱状構造内にはアモ
ルファス状非磁性体に包囲されたＣ軸配向の該金属窒化
物を有していることを特徴としており、この特定された
金属窒化物よりなる薄膜は良好な磁性膜となりつるもの
である。

この磁性膜は、これら光磁気記録媒体として用いられた
場合には、当然、レーザー光により加熱・冷却が繰り返
されるので熱安定性に対する配慮は当然なされている。

本発明はこの既に提案されている磁性膜に更に改良を加
え、より多くの繰り返しの加熱・冷却が行なわれても飽
和磁化の変化を減少させることのできる磁性膜を提供さ
れるものである。

〔課題を解決するための手段〕

本発明の第１は、非磁性支持体上に形成されるＦｅ、　
Ｃｏ及びＮｉから選ばれる金属（Ｍ）の少なくとも１種
の窒化物〔ＭｘＮ（２＜ｘ≦３）〕を主成分としＮｂが
含有された膜であって、柱状構造を示しており、かつ、
その柱状構造内にはアモルファス状非磁性体に包囲され
たＣ軸配向の該金属窒化物を有していることを特徴とす
る磁性膜である。

本発明の第２は、非磁性支持体上に形成されるＦｅ、　
Ｃｏ及びＮｉから選ばれる金属（Ｍ）の少なくとも１種
の窒化物〔ＭｘＮ（２＜ｘ≦３）〕を主成分とした膜と
、その窒化物膜上に形成されたＮｂ膜との積層膜であっ
て、該窒化物膜は柱状構造を示しており、かつ、その柱
状構造内にはアモルファス状非磁性体に包囲されたＣ軸
配向の該金属窒化物を有していることを特徴とする磁性
膜である。

以下に２本発明をさらに詳細に説明するが１本発明の磁
性膜（磁性体薄膜）は、一般には直接又は反射層を介し
て非磁性支持体上に形成されて、主として光磁気記録媒
体に供されるが、前記磁性体薄膜と前記非磁性支持体と
の間に、前記反射層に代えて、アモルファス希土類・遷
移元素合金薄膜を形成することもできる。

ところで、先に従来技術のところで触れた特開昭５９−
２２８７０５号公報には、垂直磁気異方性を有する六方
晶系窒化鉄を主体とする磁気記録媒体が記載されている
が、そこにはＮｉ、　Ｇｏ等を１０ａｔｏｍｉｃ％以下
の範囲で含有させること、磁性膜中の窒素含有率は２０
〜３２ａｔｏｍｉｃ％が好ましいこと１等が明らかにさ
れている。そして、後者の磁性膜中の窒素含有量が２０
〜３２ａｔｏｍｉｃ％と制限しているのは、膜全体が窒
化鉄（Ｆｅ、Ｎ及び／又はＦｅ、Ｎ）としているからに
他ならない、また、この文献には熱に対する特性やキュ
リー温度（磁化が消失する温度）についても明記されて
おらず、ただ、膜構造はＣｏ−Ｃｒ膜のように膜面に垂
直に結晶粒子が成長した柱状構造が望ましいことの旨は
記述されている。

六方晶系窒化鉄（六方晶系窒化コバルト、六方晶系窒化
ニッケルについても同じ）はその膜が加熱されていくと
２００〜３００℃にキュリー温度をもつが、キュリー温
度以上に加熱すると膜中から窒素が抜は出してα−Ｆｅ
となり垂直磁化膜から水平磁化膜へと移行してゆき、飽
和磁化も２〜３倍と大きくなっていく０例えば、窒化鉄
は約２９５℃にキュリー温度（Ｔｃ）を示すが、この窒
化鉄がキュリー温度（Ｔｃ）以上に加熱されると、第２
図にみられるように、飽和磁化は著しく増大する。この
飽和磁化の増大した窒化鉄膜のＸ線回折を行なうと、　
ＭｘＮの０面である（００２）の回折ピークがなくなり
、α−Ｆｅの回折ピークが現われてくる。この状態にあ
る窒化鉄膜は、磁気ヘッドを用いて加熱によらない記録
・再生・消去のための垂直磁気記録媒体には利用可能で
あっても、レーザー光で加熱し記録する光磁気記録媒体
としては有用であるとはいえない。

それにも拘らず１本発明者がすでに特願平１−１３５５
７５号で明らかにした磁性膜にそうした不都合がみられ
ないのは、特定な膜構造が採用されたため、加熱によっ
て膜中から窒素が抜けないか又は抜けにくいことを示唆
している。

かかる現象は強磁性金属（Ｆｅ、　Ｃｏ、　Ｎｉ）の六
方晶系窒化物に各種の元素を加えて飽和磁化を減少させ
、より垂直磁気異方性磁界（Ｈｋ）を高めることの検討
の上に見出されたものであり、第３図にモデル化して示
したように、膜構造が非磁性支持体３の表面の直上から
形成された柱状構造（非磁性支持体３から垂直に上方に
延びた縦線はそれら線と線とで挾まれたところが柱状構
造を呈していることを意味している）を有し、窒化物〔
ＭｘＮ（２（ｘ≦３）〕はＣ軸配向し、更に、前記元素
に代えてアモルファス状非磁性体が採用されることによ
るものと考えられる。

第３図において１個々のまちまちの形の粒子１ａはいず
れも前記式（Ｍｘ（２＜ｘ≦３）〕で表わした窒化物を
示している。結晶子（Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｔｅ：単結晶
の粒子）の大きさは約５ＯＡであり、柱状構造の柱の径
は約１５０〜３０ＯＡ　＜らいである、基板１とは反対
側の頂部は“膜表面″である。そして、個々の窒化物粒
子１ａの間の空隙にはアモルファス状非磁性元素１ｂが
充填されたかたちが採られている。

ここにおいて、個々の窒化物粒子１ａはＥ和室化物の結
晶であり、Ｃ軸配向している。柱状構造内部では、窒化
物の配向結晶は磁気的には密につながっている。なお１
面間隔は、窒化鉄２．１９人、窒化コバルト２．１７Ａ
、窒化ニッケル２．１４Ａである。

実際に、膜断面を数百万倍の倍率でＴＥＮ　（透過型電
子顕微ＩＩＩ）で見ると柱状形状は明確に認められるが
、粒子１ａの境界（粒界）は図面（第３図）に示したほ
どには明確とはなっていない、この理由はε相窒化物中
にも非磁性元素が多少入りこむ為、結晶粒界では必ずし
も十分良好ではないからと思われる。この非磁性元素は
例えばＣ，０，Ｂ、Ｆ、Ｈ，Ｓｉ、Ｓ、Ｐ等特に制限さ
れない、また、Ｆｅ、　Ｃｏ、　Ｎｉ等強磁性金属元素
が、Ｆａ−０等非磁性の結合を有して含まれていてもか
まわない。

この第３図（断面モデル図）にみられるような構造が採
用されることによって１反磁界がキャンセルされやすく
なり、レーザー光の透過性が向上し、成長した個々の柱
の間の界面のために熱は横方向より縦方向に広がりやす
くなって記録領域の面方向への広がりが少なくなり、さ
らに高密度な記録が行なえるようになる。

ところで、第３図に示したごとき構造を示した磁性膜に
よれば、既述のとおり、前記ＭＸＮ（２＜Ｘ≦３）で表
わされる窒化物１ａはその周囲がアモルファス状非磁性
体１ｂで覆われた形態を呈しているので、加熱によって
膜中から窒素が抜けることが殆んどなく、従って、第４
図に示されたごとき飽和磁化に大きな変化をもたらすよ
うなキュリー温度を示さないが、加熱によって抗磁力は
低下するので。

これら現象を利用してレーザー光で加熱し、磁界を印加
して書込むことができる光磁気記録材料となる。

また、第５図は窒化鉄の例であり、結晶部分の配向性が
より向上することにより垂直磁気異方性磁界（ｌｌｋ）
がより大きくなっていることを意味している。

この磁性膜におけるアモルファス部１ｂは１本発明磁性
膜が光磁気記録媒体として用いられるときは透光性が必
要であるので、金属より非金属元素が好ましい、第５図
に表わされた磁性膜のようにＣ軸配向性が向上すると光
は膜面に対し垂直に透過しやすくなる。

垂直磁気異方性磁界（Ｈｋ）は、これまでは例えば４Ｋ
Ｏｅ程度が最大値といわれていたが、第３図及び第５図
に示したような膜構造が採用された特願平１−１３５５
７５号で明らかにした磁性膜によればその飽和磁化は大
幅に減少し、従って、垂直磁気異方性磁界（Ｈｋ）は４
ＫＯｅ以上となり、特にＭＸＮ（２＜Ｘ≦３）のうちの
強磁性金属Ｍ（Ｆｅ、　Ｃｏ、　Ｎｉ）成分の割合を多
くしていけば５ＫＯｅ以上の値を容易に得ることができ
る。磁性層の膜厚は５００Ａ−１４が適当であり、好ま
しくは１０００人−３００ＯＡが好ましい、製膜には各
種ＰＶＤ、　ＣＶＤ法が用いられるが、特にイオンビー
ムスパッタ法が好ましい。

かかる磁性膜は、上記のような構成が採用されたことに
より、熱的安定性が向上しているのが認められる。その
理由は、必ずしも明らかでないが。

（ｉ）アモルファス状非磁性体の存在の為に結晶成長が
抑えられること、（且）高配向性をとった結晶部分は磁歪が小さくなるこ
と。

（ｆｉｔ）結晶部に入り込んだアモルファス部構成元索
の存在によることなどが考えられる。

だが、こうした磁性膜はその膜中にＮｂ又はＢ（硼素）
特にＮｂを加えておくことにより、磁性膜の繰り返し加
熱の冷却に対し飽和磁化の変化が少なくなり熱安定性が
更に向上するようになる。　ＮｂやＢを膜中に含有せし
めることによって熱安定性が更に向上する理由は明らか
でないが、ＮｂやＢは窒素との結合性が良好であるのは
知られていることであり、従って、　ＮｂやＢの存在は
窒素が膜中から抜は出ることを防止するのに寄与してい
ると考えられる。但し、本発明者の実施によれば、この
窒素の離脱防止効果は硼素よりもＮｂの方が大きい。

Ｎｂの膜中における含有量はＮの量と同等程度でよく、
５〜２０ａｔｏｍｉｃぷくらいが適当である。第１図（
イ）の磁性膜１１はＮｂを含有している磁性層を表わし
ている。

本発明に係る磁性膜は、Ｎｂを膜中に存在させることな
く、磁性膜をＮｂ膜で覆うように、Ｎｂ膜を設けるよう
にしてもよい、但し、その場合には、Ｎｂ膜は厚くする
とＮｂ膜での光吸収量が多くなり磁性膜への光量が減っ
てしまい光磁気記録媒体として適さなくなるといった不
都合が生じる。

このため、磁性膜中にＮｂを存在させることなく。

Ｎｂを含有しない磁性膜１２をＮｂ膜で被覆するタイプ
のもの［第１図（ロ）］にあっては、そのＮｂ膜４の厚
さは１０００Å以下好ましくは５０−２００人くらいが
適当である。また、このＮｂ膜４中には窒素の遮断をよ
り有効なさしめるために、Ｎｂ膜に他の元素例えば０、
Ｆ、　Ｃ１Ｂなどを含有させてもよい、更には、このＮ
ｂ膜の暦数に特に限定されるものではなく、Ｎｂ膜で磁
性層の上下を挾んでもよいが、一般には、基板上の磁性
層にＮｂ膜を積層すれば充分である。

これまでの説明では、■磁性層中にＮｂを含有させるか
、又は■磁性層中にＮｂを含有させることなくこの磁性
層表面をＮｂ膜で被覆するか、の二連りについて述べて
きたが、これら■■を併用してよりいことは勿論である
。

実際に本発明に係る磁性膜を製膜するには、（イ）非磁
性支持体上に直接又は反射層を介してＮｂ含有の磁性膜
を形成せしめるか、（ロ）非磁性支持体上に直接又は反
射層を介して磁性膜を形成し、その上にＮｂ膜を形成せ
しめるか、あるいは（ハ）非磁性支持体上に直接又は反
射層を介してＮｂ膜の磁性膜を形成し、その上にＮｂ膜
を形成せしめるがすればよい、磁性膜の製膜法は前記の
とおりであるが、その際、ＣＯ□ガスや０□ガスなどを
用いＮ２、Ａｒのイオン化ガスの総ガス圧力を最適化す
ることによって、所望の膜構造を得ることができる。

かくして製膜されたアモルファス性非磁性成分を含有し
たＥ相ＭｘＮ（２＜ｘ≦３、Ｍ：Ｆｅ、　Ｇｏ又はＮｉ
）の柱状磁性膜は、耐熱性が大幅に向上しており、膜は
緻密で耐摩擦特性、耐蝕性が良好で、機械的にも化学的
にも安定なものとなっている。それに加え、磁性膜中及
び／又は磁性膜上にはＮｂが含有は被覆されているので
、窒素の離膜が大幅におさえられ、磁性膜の熱安定性は
極めて向上したものとなる。

非磁性体支持体３にはプラスチックフィルム（ポリイミ
ド、ポリアミド、ポリエーテルサルホン等の耐熱性プラ
スチックフィルムやポリエチレンテレフタレート、ポリ
塩化ビニル、三酢酸セルロース、ポリカーボネート、ポ
リメチルメタクリレートなど）、セラミック、金属、ガ
ラスなどが用いられ、その形態としては例えばフィルム
状、テープ状、シート状、ディスク状、カード状、ドラ
ム状などである。

反射層２はＡｕ、ＡＱ、　Ａｇ、　Ｐｔ、　Ｃｒ、　Ｎ
ｄ、　Ｇａ、　Ｒｈ、　Ｃｕ、　ＴｉＮなとの材料を用
い、電子ビーム（ＥＢ）蒸着法等の各種蒸着法やイオン
ブーティング、スパッタリング、ＰＶＤ法、ＣＶＤ法な
どの薄膜形成法により製膜される０反射層２の厚さは１
−以下好ましくはｏ、ｏｓ−ｏ、ｓ、　＜らいが適当で
ある。

なお、図示されていないが、磁性膜１１の上両又は下面
（Ｎｂ膜が設けられるタイプのものでは、それらＮｂ膜
４の上面又は下面）に誘電体層（Ｓｉｎ、　。

ＴｉＯ２，窒化シリコン、窒化アルミニウム、アモルフ
ァス８１などの薄膜）を設けてエンハンス効果を出すよ
うにしてもよい。

また、表面層（■第１図（イ）の例では磁性膜であり、
また、第１図（ロ）の例ではＮｂ膜であり、■図面され
ていないが１層構成が透明非磁性支持体上に磁性膜（又
は、磁膜性及びＮｂ膜）、反射層を順次形成されたもの
では反射層であり、■これら■■の上面に誘電体層が設
けられたものではその誘電体層である）上には、必要に
応じて、保護層が設けられていてもよい、保護層の材料
は一部が前記誘電体層のものと重複するが、ＳｉＮ、　
Ｙ、Ｏ，、ＡＱ、Ｏ，。

Ｚｎ５％５ｉＯ１Ｓｉｎ、、　ＡＱＮ、　Ａ１１などが
あげられる。これら誘電体層及び保護層の厚さは１−以
下好ましくは０．０３〜０．５．ｃｍ＜らいが適当であ
る。

〔実施例〕

次に実施例及び比較例を示すが、本発明磁性膜はこの実
施例に限られるものではない。

実施例１イオンビームスパッタ装置を用い下記の条件でポリカー
ボネート基板上に厚さ約２４０ＯＡの磁性膜を製膜した
。

ターゲットと基板との距離真空槽の背圧　　Ｉ　Ｘ　１０−”Ｔｏｒｒイオン銃電
圧　　８ＫＶイオン銃電流　　２ｍＡイオン化ガＸ　　　Ｎｘ　（２５％）”Ａｒ　（７５％
）５ｍｍ導入空気圧力　　３．２　Ｘ　１０−”製膜持金ガス圧
力　　１．７　Ｘ　１０−”　Ｔｏｒｒターゲットへの
イオン入射角　　３０度製膜した磁性膜をＸ線回折法で
調べたところ、２θ＝４１　、２ｄｅｇに窒化鉄と窒化
コバルトの（００２）の強い回折ピークが観察された。

　ＴＥＭ像からは柱状構造がＩｉｌ！察され柱の径は約
２００人であり、柱状組織内部には約１００人の粒径の
Ｃ軸配向したｔ和室化物がａｌＡされ、その囲りは回折
像とならないアモルファス状の物質が存在していた。ｘ
ＰＳ等を用いて求めた組成はＦｅ−２７，６ａｔｏ＠ｉ
ｃ％、　Ｎ−７，Ｏａｔｏｍｉｃ％、　Ｃ。

−２５，Ｏａｔｏｍｉｃ％、Ｃ−４，２ａｔｏｍｉｃ％
、０−２８，８ａｔｏｍｉｃ％、Ｎｂ−７，４ａｔｏｍ
ｉｃ％であった。

ＶＳＭで調べた磁気特性は抗磁力（ＨｃＬ）＝７７００
ｇ、抗磁力（Ｈｃ＊）＝１３００ｓ、角型比（Ｓｑ上）
＝ｏ、ｉａ、角型比（ＳＱｓ）”０．０７．垂直磁気異
方性磁界（Ｈｌ＜）＝５．１　ＫＯｅの垂直磁化膜であ
った。

波長７８０ｎｍのレーザー光で測定したファラデー回転
角（θＦ）は７．３ｄｅｇ／　ｐ　ｍであった（１２　
ＫＯａ印加）。

５００℃まで上記膜を加熱し、ついで室温まで放置・冷
却して繰返し飽和磁化の変化を調べた。繰返し回数は１
００回とした。製膜後５６０ａｍｕ／ｃｃであった飽和
磁化は加熱テスト後も５５０ｅｍｕ／ｃｃと安定であっ
た。なお、波長７８０ｎｍの光の透過率は３６％であっ
た。また、６ケ月塩水中（常温）に放置しても飽和磁化
の変化はなかった。

実施例２ターゲット材料をＦａＣｏ合金（Ｆｅ含有量５０ａｔｏ
ｍｉｃ％）とした以外は実施例１と全く同様にして磁性
膜を作製したＸ線回折やＴＥＭ像の結果は同様であった
。

組成や磁気特性は次の通りであった。即ち、　Ｆｅ−２
９，１ａｔｏｉｃｉｃ％、　Ｎ−８，９ａｔｏｍｉｃ％
、Ｇｏ−２７，７ａｔｏｍｉｃ％、　Ｃ−４，３ａｔｏ
ｍｉｃ％、０−３０．０ａｔｏｍｉｃ％、抗磁力（Ｈｃ
ｉ）”８７００ｅ、抗磁力（Ｈｃｚ）＝１４００ｓ、角
型比（Ｓｑｉ）＝０．１７．角型比（Ｓｑ＃）＝０．０
８．垂直磁気異方性磁界（Ｈｋ）＝５．５　ＫＯｓであ
った。

ついで上記膜の上にイオンビームスパッタ装置を用いて
厚さ約１００人のＮｂ膜を製膜した。ターゲット材料Ｎ
ｂイオン化ガスＡｒ（１００％）、ａｉｒの導入は行な
わず、他は実施例１と全く同じ条件とした。

作製した膜の光透過率は３部であった（λ＝７８Ｏｎ＋
ｍ）　＃また。ファラデー回転角（θＦ）は８　、２ｄ
ｅｇ／μ膳であった・実施例１と同様の加熱テストを繰り返したところ、Ｉ！
腹膜後８０ｅｙｍｕ／ｃｃであった飽和磁化は５６０ｅ
ｍｕ／ｃｃと安定であった。

比較例１実施例２と同じく同様にして約２４００λ厚の鉄コバル
トの窒化膜を作製した９作製した膜の光透過率は３９算
であった。ファラデー回転角（θＦ）は７．８ｄｅｇ／
μ票であった。１に膜後の飽和磁化は５８０ｅｍｕ／ｃ
ｃであったが、加熱・冷却テスト繰り返し後は７２０ｅ
＋ｉｕ／ｃｃであった。

〔発明の効果〕

本発明に係るＮｂ含有の鉄族窒化物磁性膜は垂直磁気異
方性磁界（）ｌｋ）が大きく、しかも、加熱によって窒
素の分解・逸散もなく、光磁気配＠媒体への応用にはす
こぶる有利である。５００℃までの加熱・冷却の繰り返
しに対し飽和磁化の変化が少ない、即ち、膜中から窒素
が抜けでることが極めて少なくなり熱安定性が向上した
光磁気記録媒体が得られる。かかる効果は、鉄族窒化物
磁性膜上にＮｂ膜を形成した場合にも認められる。

【図面の簡単な説明】

第１図（イ）（ロ）は光磁気記録媒体の代表的な二側の
断面図である。第２図及び及び第４図はともに飽和磁化
と加熱温度との関連を表わしたグラフである。第３図及
び第５図は基板（非磁性支持体）上に本発明に係る柱状
構造の磁性膜が形成されていることを説明するための図
である。

Claims

【特許請求の範囲】

（１）　非磁性支持体上に形成されるＦｅ、Ｃｏ及びＮ
ｉから選ばれる金属（Ｍ）の少なくとも１種の窒化物〔
ＭｘＮ（２＜ｘ≦３）〕を主成分としＮｂが含有された
膜であって、柱状構造を示しており、かつ、その柱状構
造内にはアモルフアス状非磁性体に包囲されたＣ軸配向
の該金属窒化物を有していることを特徴とする磁性膜。
（２）　非磁性支持体上に形成されるＦｅ、Ｃｏ及びＮ
ｉから選ばれる金属（Ｍ）の少なくとも１種の窒化物〔
ＭｘＮ（２＜ｘ≦３）〕を主成分とした膜と、その窒化
物膜上に形成されたＮｂ膜との積層膜であって、該窒化
物膜は柱状構造を示しており、かつ、その柱状構造内に
はアモルフアス状非磁性体に包囲されたＣ軸配向の該金
属窒化物を有していることを特徴とする磁性膜。