JP2698813B2 - 軟磁性薄膜 - Google Patents
軟磁性薄膜Info
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/64—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent
- G11B5/65—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent characterised by its composition
- G11B5/657—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent characterised by its composition containing inorganic, non-oxide compound of Si, N, P, B, H or C, e.g. in metal alloy or compound
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
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- H01F10/131—Amorphous metallic alloys, e.g. glassy metals containing iron or nickel
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は，例えば磁気ヘッドのコア材料等に好適な軟
磁性薄膜に関する。
磁性薄膜に関する。
［発明の背景］ 例えばオーディオテープレコーダやVTR（ビデオテー
プレコーダ）等の磁気記録再生装置においては，記録信
号の高密度化や高品質化等が進められており，この高記
録密度化に対応して，磁気記録媒体として磁性粉にFe,C
o,Ni等の金属あるいは合金からなる粉末を用いた，いわ
ゆるメタルテープや，強磁性金属材料を真空薄膜形成技
術によりベースフィルム上に直接被着した，いわゆる蒸
着テープ等が開発され，各分野で実用化されている。
プレコーダ）等の磁気記録再生装置においては，記録信
号の高密度化や高品質化等が進められており，この高記
録密度化に対応して，磁気記録媒体として磁性粉にFe,C
o,Ni等の金属あるいは合金からなる粉末を用いた，いわ
ゆるメタルテープや，強磁性金属材料を真空薄膜形成技
術によりベースフィルム上に直接被着した，いわゆる蒸
着テープ等が開発され，各分野で実用化されている。
［従来の技術及び発明が解決しようとする課題］ ところで，このような所定の保磁力を有する磁気記録
媒体の特性を発揮せしめるためには，磁気ヘッドのコア
材料の特性として，高い飽和磁束密度を有するととも
に，同一の磁気ヘッドで再生を行なおうとする場合にお
いては，高透磁率を併せて有することが要求される。と
ころが，従来の磁気ヘッドのコア材料として多用されて
いるフェライト材では飽和磁束密度が低く，また，パー
マロイでは耐摩耗性に問題がある。
媒体の特性を発揮せしめるためには，磁気ヘッドのコア
材料の特性として，高い飽和磁束密度を有するととも
に，同一の磁気ヘッドで再生を行なおうとする場合にお
いては，高透磁率を併せて有することが要求される。と
ころが，従来の磁気ヘッドのコア材料として多用されて
いるフェライト材では飽和磁束密度が低く，また，パー
マロイでは耐摩耗性に問題がある。
従来，かかる諸要求を満たすコア材料として,Fe−Al
−Si系合金からなるセンダスト合金が好適であると考え
られ，すでに実用に供されている。
−Si系合金からなるセンダスト合金が好適であると考え
られ，すでに実用に供されている。
しかしながら，このセンダスト合金のように軟磁気特
性に優れた材料においては，磁歪λｓと結晶磁気異方性
Ｋが共に零付近であることが望ましく，磁気ヘッドに使
用可能な材料組成はこれら両者の値を考慮して決められ
る。したがって，飽和磁束密度もこの組成に対応して一
義的に決まり，センダスト合金の場合,10〜11kガウスが
限界である。
性に優れた材料においては，磁歪λｓと結晶磁気異方性
Ｋが共に零付近であることが望ましく，磁気ヘッドに使
用可能な材料組成はこれら両者の値を考慮して決められ
る。したがって，飽和磁束密度もこの組成に対応して一
義的に決まり，センダスト合金の場合,10〜11kガウスが
限界である。
そのため，上記センダスト合金にかわり，高周波領域
での透磁率の低下が少なく高い飽和磁束密度を有するCo
系非晶質磁性合金材料（いわゆるアモルファス磁性合金
材料）も開発されているが，この非晶質磁性合金材料で
も飽和磁束密度は14kガウス程度である。
での透磁率の低下が少なく高い飽和磁束密度を有するCo
系非晶質磁性合金材料（いわゆるアモルファス磁性合金
材料）も開発されているが，この非晶質磁性合金材料で
も飽和磁束密度は14kガウス程度である。
本発明は上記従来の材料よりも高い飽和磁束密度を有
する新規な軟磁性薄膜を提供することを目的とする。
する新規な軟磁性薄膜を提供することを目的とする。
［課題を解決するための手段］ 本発明によれば，次の軟磁性薄膜により上記目的を達
成することができる。
成することができる。
FeaBbNc（但し、a,b,cは各々原子％（at％）を示し,Bは
Co,Ni,Ruの少なくとも１種以上を表わす。）なる組成式
で示される単層膜であって，その組成範囲は ０＜ｂ≦５ ０＜ｃ≦4.8 の範囲であることを特徴とする軟磁性薄膜。
Co,Ni,Ruの少なくとも１種以上を表わす。）なる組成式
で示される単層膜であって，その組成範囲は ０＜ｂ≦５ ０＜ｃ≦4.8 の範囲であることを特徴とする軟磁性薄膜。
前記軟磁性薄膜は、好ましくは保磁力が2.4Oe以下で
あり、また、好ましくは結晶粒径500オングストローム
以下の微細結晶質から成る。
あり、また、好ましくは結晶粒径500オングストローム
以下の微細結晶質から成る。
好ましくは，前記軟磁性薄膜は一軸異方性を有する。
［好適な実施態様］ 本発明の軟磁性薄膜は,Fe及びＮと，特定の添加元素
B,即ちCo,Ni,Ruの少なくとも１種以上の元素とからな
り，これらFeとＮと前記添加元素Ｂ（２種又は３種の場
合も含む）の三者は，前記特定の組成範囲内にある。
B,即ちCo,Ni,Ruの少なくとも１種以上の元素とからな
り，これらFeとＮと前記添加元素Ｂ（２種又は３種の場
合も含む）の三者は，前記特定の組成範囲内にある。
Ｎと特定の添加元素Ｂが，夫々4.8原子％以下及び５
原子％以下存在するので，所定の値（約16KG）以上の飽
和磁束密度Bsを保ちつつ保磁力Hcが低い（Hc＜4Oe）。
原子％以下存在するので，所定の値（約16KG）以上の飽
和磁束密度Bsを保ちつつ保磁力Hcが低い（Hc＜4Oe）。
添加元素Ｂは，例えば0.1原子％の存在により有意の
効果を示し，好ましくは0.5原子％以上（より好ましく
は１原子％以上）存在させる。添加元素Ｂが５原子％を
越える場合，保磁力Hcが所望の値を越えることが多いの
で，添加元素Ｂは５原子％以下にする。
効果を示し，好ましくは0.5原子％以上（より好ましく
は１原子％以上）存在させる。添加元素Ｂが５原子％を
越える場合，保磁力Hcが所望の値を越えることが多いの
で，添加元素Ｂは５原子％以下にする。
Ｎは，例えば0.1原子％の存在により有意の効果を示
し，好ましくは0.5原子％以上存在させる。Ｎが4.8原子
％を越える場合，保磁力Hcが所望の値を越えることが多
いので,Nは4.8原子％以下にする。
し，好ましくは0.5原子％以上存在させる。Ｎが4.8原子
％を越える場合，保磁力Hcが所望の値を越えることが多
いので,Nは4.8原子％以下にする。
好ましくは，本発明の軟磁性薄膜の一軸異方性を有す
る。これにより，例えば，薄膜の困難軸方向を磁化方向
とすることによって,1MHzより高い周波数での透磁率を
充分高くすることができる。従って，磁気ヘッドのコア
材料として好適である。高周波において高い透磁率を得
るには，異方性磁界の強さ10e程度以上の一軸異方性が
必要であり，好ましくは異方性磁界の強さ２〜5Oe程度
である。例えば10MHz以上において高い透磁率を得たい
場合，より好ましくは３〜5Oe程度である。
る。これにより，例えば，薄膜の困難軸方向を磁化方向
とすることによって,1MHzより高い周波数での透磁率を
充分高くすることができる。従って，磁気ヘッドのコア
材料として好適である。高周波において高い透磁率を得
るには，異方性磁界の強さ10e程度以上の一軸異方性が
必要であり，好ましくは異方性磁界の強さ２〜5Oe程度
である。例えば10MHz以上において高い透磁率を得たい
場合，より好ましくは３〜5Oe程度である。
前記添加元素Ｂは,Co,Ni若しくはRuの１種又はこれら
のうちの２種以上を含むものにすることができる。
のうちの２種以上を含むものにすることができる。
本発明の軟磁性薄膜は，例えばRFスパッタ法等の気相
析着法により前記特定組成な非晶質薄膜を得て，この非
晶質薄膜を好ましくは220〜450℃で熱処理し前記非晶質
薄膜の一部ないし全部を結晶化させて製造することがで
きる。結晶の粒径は，好ましくは500Å以下（より好ま
しくは300Å以下）にする。220℃未満又は450℃を越え
る温度で熱処理した場合，所望の低保磁力の軟磁性薄膜
を製造できないことがある。より好ましくは，前記熱処
理を磁界中で行ない一軸磁気異方性を誘導し前記非晶質
薄膜の一部ないし全部を結晶化させて製造することがで
きる。前記磁界は，好ましくは，前記非晶質薄膜の反磁
界よりも充分大きな磁界とする。
析着法により前記特定組成な非晶質薄膜を得て，この非
晶質薄膜を好ましくは220〜450℃で熱処理し前記非晶質
薄膜の一部ないし全部を結晶化させて製造することがで
きる。結晶の粒径は，好ましくは500Å以下（より好ま
しくは300Å以下）にする。220℃未満又は450℃を越え
る温度で熱処理した場合，所望の低保磁力の軟磁性薄膜
を製造できないことがある。より好ましくは，前記熱処
理を磁界中で行ない一軸磁気異方性を誘導し前記非晶質
薄膜の一部ないし全部を結晶化させて製造することがで
きる。前記磁界は，好ましくは，前記非晶質薄膜の反磁
界よりも充分大きな磁界とする。
上記製造方法により軟磁性薄膜を基板上に形成する場
合は，形成される基板の種類により製造後の軟磁性薄膜
の諸特性に差が生じる場合があるので，適宜基板を選択
して製造することが好ましい。
合は，形成される基板の種類により製造後の軟磁性薄膜
の諸特性に差が生じる場合があるので，適宜基板を選択
して製造することが好ましい。
［実施例］ 実施例１〜９ Fe−Co合金のターゲットを用い雰囲気ガスとしてArと
N2を用いてRFスパッタ法により，サファイア基板上に種
々の組成の非晶質薄膜を製膜した。膜組成の変更は，前
記ターゲットのCo含有量及び雰囲気ガス中のN2分圧を変
化させることにより行なった。前記スパッタ条件は，陰
極電力200W,全ガス（Ar＋N2）圧2.0Paであった。前記非
晶質薄膜を1k Oeの磁界中で350℃１時間熱処理して実施
例１〜９の軟磁性薄膜を得てＢ−Ｈカーブ測定を行なっ
た。Ｂ−Ｈカーブは，測定磁界Hm＝25（Oe），周波数50
Hzで測定し保磁力Hc（容易軸方向の値）及び磁界25Oeを
かけた時の磁束密度B25を求めた。これらの結果を第１
表に示す。
N2を用いてRFスパッタ法により，サファイア基板上に種
々の組成の非晶質薄膜を製膜した。膜組成の変更は，前
記ターゲットのCo含有量及び雰囲気ガス中のN2分圧を変
化させることにより行なった。前記スパッタ条件は，陰
極電力200W,全ガス（Ar＋N2）圧2.0Paであった。前記非
晶質薄膜を1k Oeの磁界中で350℃１時間熱処理して実施
例１〜９の軟磁性薄膜を得てＢ−Ｈカーブ測定を行なっ
た。Ｂ−Ｈカーブは，測定磁界Hm＝25（Oe），周波数50
Hzで測定し保磁力Hc（容易軸方向の値）及び磁界25Oeを
かけた時の磁束密度B25を求めた。これらの結果を第１
表に示す。
実施例10〜18 前記実施例１〜９において,Fe−Co合金のターゲット
の代わりとしてFe−Ni合金ターゲットを用いる以外は実
施例１〜９と同様にして軟磁性薄膜を製造した。これら
軟磁性薄膜の保磁力Hc及び磁束密度B25を，前記実施例
１〜９に記載の方法と同様にして求めた。これらの結果
を第２表に示す。
の代わりとしてFe−Ni合金ターゲットを用いる以外は実
施例１〜９と同様にして軟磁性薄膜を製造した。これら
軟磁性薄膜の保磁力Hc及び磁束密度B25を，前記実施例
１〜９に記載の方法と同様にして求めた。これらの結果
を第２表に示す。
実施例19〜27 前記実施例１〜９において,Fe−Co合金のターゲット
の代わりとしてFe−Ru合金ターゲットを用いる以外は実
施例１〜９と同様にして軟磁性薄膜を製造した。これら
軟磁性薄膜の保磁力Hc及び磁束密度B25を，前記実施例
１〜９に記載の方法と同様にして求めた。これらの結果
を第３表に示す。
の代わりとしてFe−Ru合金ターゲットを用いる以外は実
施例１〜９と同様にして軟磁性薄膜を製造した。これら
軟磁性薄膜の保磁力Hc及び磁束密度B25を，前記実施例
１〜９に記載の方法と同様にして求めた。これらの結果
を第３表に示す。
以上の実施例１〜27の軟磁性薄膜の異方性磁界の強さ
は,2〜5Oe程度であった。
は,2〜5Oe程度であった。
なお，前記実施例１〜27において，夫々非晶質薄膜を
単に350℃で１時間熱処理した場合にも，同等の保磁力H
c及び磁束密度B25を有する軟磁性薄膜（等方性のもの）
を得た。
単に350℃で１時間熱処理した場合にも，同等の保磁力H
c及び磁束密度B25を有する軟磁性薄膜（等方性のもの）
を得た。
比較例１〜３ 前記実施例１〜９において,Fe−Co合金のターゲット
の代わりとしてFeターゲットを用い，雰囲気ガスにN2を
含ませない以外は実施例１〜９と同様にして薄膜を製造
した（比較例１）。
の代わりとしてFeターゲットを用い，雰囲気ガスにN2を
含ませない以外は実施例１〜９と同様にして薄膜を製造
した（比較例１）。
また，前記実施例１〜９において,Fe−Co合金のター
ゲットの代わりとしてFeターゲットを用いる以外は実施
例１〜９と同様にして薄膜を製造した（比較例２〜
３）。これらの薄膜の保磁力Hc及び磁束密度B25を，前
記実施例１〜９に記載の方法と同様にして求めた。これ
らの結果を第４表に示す。
ゲットの代わりとしてFeターゲットを用いる以外は実施
例１〜９と同様にして薄膜を製造した（比較例２〜
３）。これらの薄膜の保磁力Hc及び磁束密度B25を，前
記実施例１〜９に記載の方法と同様にして求めた。これ
らの結果を第４表に示す。
第１〜４表によれば，本発明の軟磁性薄膜は，前記特
定の割合でＮ及び添加元素Ｂが存在するので，高い磁束
密度を保ちつつ保持力が小さいということがわかる。
定の割合でＮ及び添加元素Ｂが存在するので，高い磁束
密度を保ちつつ保持力が小さいということがわかる。
［発明の効果］ 本発明の軟磁性薄膜は，単層膜であり、Co,Ni,Ruの少
なくとも１種以上の元素と,Feと,Nが特定の組成範囲で
存在するので，高飽和磁束密度（例えば,B25＞16KG）を
有するとともに，保磁力が低い（Hc＜4Oe）。また，本
発明の軟磁性薄膜は，一軸異方性のものも得られる。従
って，磁気ヘッドのコア材料として好適である。
なくとも１種以上の元素と,Feと,Nが特定の組成範囲で
存在するので，高飽和磁束密度（例えば,B25＞16KG）を
有するとともに，保磁力が低い（Hc＜4Oe）。また，本
発明の軟磁性薄膜は，一軸異方性のものも得られる。従
って，磁気ヘッドのコア材料として好適である。
Claims (4)
- 【請求項１】FeaBbNc（但し、a,b,cは各々原子％を示
し、ＢはCo,Ni,Ruの少なくとも１種以上を表わす。）な
る組成式で示される単層膜であって、その組成範囲は ０＜ｂ≦５ ０＜ｃ≦4.8 の範囲であることを特徴とする軟磁性薄膜。 - 【請求項２】保磁力は2.4Oe以下であることを特徴とす
る請求項１に記載の軟磁性薄膜。 - 【請求項３】結晶粒径500オングストローム以下の微細
結晶質から成ることを特徴とする請求項１又は２に記載
の軟磁性薄膜。 - 【請求項４】一軸異方性を有することを特徴とする請求
項１〜３のいずれかに記載の軟磁性薄膜。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1081606A JP2698813B2 (ja) | 1989-04-03 | 1989-04-03 | 軟磁性薄膜 |
| US08/479,843 US6303240B1 (en) | 1989-04-03 | 1995-06-07 | Soft magnetic thin film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1081606A JP2698813B2 (ja) | 1989-04-03 | 1989-04-03 | 軟磁性薄膜 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02262307A JPH02262307A (ja) | 1990-10-25 |
| JP2698813B2 true JP2698813B2 (ja) | 1998-01-19 |
Family
ID=13750977
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1081606A Expired - Lifetime JP2698813B2 (ja) | 1989-04-03 | 1989-04-03 | 軟磁性薄膜 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6303240B1 (ja) |
| JP (1) | JP2698813B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100394993B1 (ko) * | 2001-02-20 | 2003-08-19 | 한국과학기술연구원 | ＦｅＣｏＮｉＮ계 연자성 박막합금 조성물 |
| US20030072970A1 (en) * | 2001-10-05 | 2003-04-17 | Headway Technologies, Inc. | Layered structure for magnetic recording heads |
Family Cites Families (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3663767A (en) * | 1968-11-16 | 1972-05-16 | Tokyo Shibaura Electric Co | Magnetic head |
| JPS5949299B2 (ja) * | 1977-09-12 | 1984-12-01 | ソニー株式会社 | 非晶質磁性合金 |
| US4271232A (en) * | 1978-08-28 | 1981-06-02 | International Business Machines Corporation | Amorphous magnetic film |
| JPS60152651A (ja) * | 1984-01-20 | 1985-08-10 | Res Dev Corp Of Japan | 窒素を含む非晶質合金およびその製造方法 |
| JPS60220913A (ja) * | 1984-04-18 | 1985-11-05 | Sony Corp | 磁性薄膜 |
| JPH061551B2 (ja) * | 1984-08-24 | 1994-01-05 | 富士写真フイルム株式会社 | 磁気記録媒体の製造方法 |
| KR940004986B1 (ko) | 1984-08-27 | 1994-06-09 | 가부시기가이샤 히다찌세이사꾸쇼 | 자성막의 제조방법 및 그것을 사용한 자기헤드 |
| US4814921A (en) * | 1984-10-17 | 1989-03-21 | Hitachi, Ltd. | Multilayered magnetic films and thin-film magnetic heads using the same as a pole |
| JPS62197916A (ja) * | 1986-02-24 | 1987-09-01 | Seiko Instr & Electronics Ltd | 磁気記録媒体 |
| KR960004065B1 (ko) * | 1986-05-30 | 1996-03-26 | 가부시기가이샤 히다찌세이사꾸쇼 | 자성체막 및 이것을 사용한 자기 헤드 |
| US4791021A (en) * | 1986-10-13 | 1988-12-13 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Magnetic recording medium |
| JPS63219114A (ja) * | 1987-03-06 | 1988-09-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁性薄膜の熱処理方法 |
| JP2555057B2 (ja) * | 1987-03-25 | 1996-11-20 | 株式会社日立製作所 | 耐食強磁性膜 |
| JP2790451B2 (ja) | 1987-04-10 | 1998-08-27 | 松下電器産業株式会社 | 窒素を含む軟磁性合金膜 |
| US4904543A (en) | 1987-04-23 | 1990-02-27 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Compositionally modulated, nitrided alloy films and method for making the same |
| JP2690904B2 (ja) | 1987-08-10 | 1997-12-17 | 株式会社日立製作所 | 耐熱磁性膜 |
| EP0303324A1 (en) * | 1987-08-10 | 1989-02-15 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Magnetic material, method of manufacturing this material and a magnetic head provided with this material |
| JPH0827897B2 (ja) | 1988-03-09 | 1996-03-21 | 松下電器産業株式会社 | 磁気ヘッド |
-
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