JPH0827897B2 - 磁気ヘッド - Google Patents

磁気ヘッド

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JPH0827897B2
JPH0827897B2 JP63055161A JP5516188A JPH0827897B2 JP H0827897 B2 JPH0827897 B2 JP H0827897B2 JP 63055161 A JP63055161 A JP 63055161A JP 5516188 A JP5516188 A JP 5516188A JP H0827897 B2 JPH0827897 B2 JP H0827897B2
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JP
Japan
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magnetic
alloy film
film
ferrite
head
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JP63055161A
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博 ▲榊▼間
浩一 小佐野
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Panasonic Holdings Corp
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Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明はVTR等の磁気ヘッドに関するものである。
従来の技術 従来より磁気ギャップ近傍にFe−Si−Al(センダス
ト)合金やCo−Nb−Zr等の非晶質合金を用い、バックコ
アにMn−Znフェライトを用いた謂ゆるメタルインギャッ
プ(MIG)ヘッドが用いられている。これは飽和磁束密
度(4πMs)の高い金属磁性合金膜をスパッター法等の
蒸着法によりフェライトコア上に形成し、金属膜部が磁
気ギャップ近傍に位置するような構成のヘッドとする事
によりフェライト単体より成る磁気ヘッドに比べて主に
記録特性の改善をはかろうとするものである。第1図に
このようなMIGタイプヘッドの一例として最も単純な構
成のもののヘッド前面図を示す。図中1はフェライトバ
ックコア、2は金属磁性合金膜、3はSiO2等より成る磁
気ギャップ部、4はコア接合用ガラス部である。
発明が解決しようとする課題 しかしながらこのような構成のヘッドの金属部コア2
にFe−Si−Al系合金やCo−Nb−Zr等の従来よりヘッドコ
ア材として用いられているものを用いるとフェライトコ
ア部と合金膜コア部の界面、即ち図中1,2の界面が磁気
ギャップ部3と平行である為に擬似ギャップとなってヘ
ッド特性を損う問題点がある。従ってこの問題点を解決
する為に第2図に示したようなヘッドが考案され使用さ
れている。同図中1はフェライトバックコア部、2は金
属磁性合金膜、3は磁気ギャップ部、4は接合ガラス部
である。図中aではフェライトと合金膜部の界面が磁気
ギャップに対して斜めとなる事により、又bではフェラ
イトと合金膜部の界面を波状とする事により、上述の擬
似ギャップの問題を避けている。しかしながら同図aの
ような構成のヘッドを作製する場合には合金膜部が斜め
になっている為、ヘッドトラック幅の規制が難しく製造
上の歩留りを下げる原因となっている。又同図bのよう
な構成のヘッドを作製する場合には、上述のフェライト
コアに波状加工が必要で、工程が増える欠点と、トラッ
ク幅が狭いものほど加工が困難となる問題点があった。
課題を解決するための手段 金属合金膜部に次式で示された組成を有するものを用
いる。
TxMyNz ………(1) ただしTはFe,Co,Ni,Mnより成る群から選択された少
なくとも1種の金属、MはNb,Zr,Ti,Ta,Hf,Cr,Moより成
る群から選択された少くとも1種の金属、NはN(窒
素)であって、x,y,zは原子パーセントを表わしそれぞ
れ 65x94 ………(2) 5y25 ………(3) 3z20 ………(4) x+y+z=100 ………(5) である。
作用 上記の構成においては、金属合金膜部に特殊な窒化合
金膜を用いる事により、フェライトコア部と窒化合金膜
部の界面が磁気ギャップ部と平行であるにもかかわらず
擬似ギャップが生じにくい効果を利用し、単純で量産に
適したMIGタイプを可能とする。
(2),(3)式において x94,5y ………(6) は合金膜が軟磁性を示すのに必要な条件、又 65x,y25 ………(7) は合金膜が十分に高い飽和磁束密度を有するのに必要な
条件であり、(4)式において 3z ………(8) は擬似ギャップ効果の低減に必要な条件であり z20 は合金膜の内部ストレスをあまり大きくしない為と、飽
和磁化を低下させない為に必要な条件である。
又この窒化合金膜の軟磁気特性を更に改善しようとす
れば、膜厚方向即ち製膜方向に組成変調された窒化合金
膜 TMN ………(9) を用いる事が望ましい。ただしT,M,Nは(1)式記載の
ものと同じであり、,,は膜厚方向に変動するそ
れぞれの構成元素の組成の平均で原子パーセントで 6594 ………(10) 525 ………(11) 320 ………(12) ++=100 ………(13) であり、限定理由は(2),(3),(4),(5)の
場合と同様である。このような組成変調膜は優れた軟磁
性を示し、窒化層と非窒化層よりなる多層膜を形成し熱
処理する事によって得られる事が知られている。本発明
者らは、これらの窒化合金膜を用いてMIGタイプの磁気
ヘッドを構成しても、上式で示したように、zもしくは
が3原子%以上の場合はフェライトコア部と合金膜部
の界面が磁気ギャップ部と平行の場合でも擬似ギャップ
の問題を低減する事が可能である事を見い出した。
実施例 以下本発明の効果を具体的実施例により説明を行な
う。
<実施例1> スパッタ法によりMn−Znフェライト基板上に厚さ10μ
mのFe−Si−Al(センダスト)合金膜及びCo85Nb10Zr5
非晶質合金膜を形成し、第1図に示したようにMIGタイ
プ磁気ヘッドを作製した。次にターゲットにCo−Nb−Zr
合金板を用い、N2ガスを分圧比で1.5%及び、2%含むA
rガスを用いてスパッタする事により膜組成で なる厚さ10μmの窒化合金膜を同様にMn−Znフェライト
基板上に形成し第1図に示したようなMIGタイプの磁気
ヘッドを作製した。更に同上のターゲットを用い、スパ
ッタ中にArガス中にN2ガスを周期的に混合する事により
Co−Nb−Zr−N/Co−Nb−Zrなる窒化層と非窒化層より成
る総厚10μmの多層膜をMn−Znフェライト基板上に形成
した後、520℃で熱処理し膜厚方向に形成が変調されて
いる窒化合金膜とした。この時スパッタ時のN2ガス分圧
比、及びN2混合Arガス中とArガス中のみでのスパッタ時
間を制御する事により、平均膜組成として で組成変調波長が約400Åの三種類の組成変調窒化合金
膜を得た。これらを用いて同様に第1図に示したような
MIGタイプの磁気ヘッドを作製した。
以上のようにして作製した種々の磁気ヘッドを通常の
VTRデッキに取り付け、メタルテープを用いてそれらの
特性比較を行なった。なお、どのヘッドも磁気ギャップ
とトラック幅はそれぞれ0.25μm及び20μmに統一した
結果を以下に示す。
表−1に示した実験結果より明らかなように本発明構
成の磁気ヘッドにおいては、擬似ギャップの影響により
生ずる再生出力のうねりが低減し、従来例での問題点が
大幅に改善されている事がわかる。又単層の窒化合金膜
を用いるよりも組成変調窒化合金膜を用いた法が再生出
力上有利である事が表−1中D,Eの比較よりわかる。
この他にターゲット及びスパッタガス中のN2分圧をか
えて(1)式もしくは(9)式で示される窒化合金膜を
作製しそれらを用いて第1図で示すようなMIGタイプヘ
ッドを作製したところほぼ同様の効果がある事がわかっ
た。
このように同様の結果が得られるのは窒素を含む
(1)式もしくは(9)式で示された合金膜中の活性な
Nb,Zr,Ti,Hf……等が選択的に窒化し安定になって界面
のフェライト膜との反応が押えられ擬似ギャップが生ず
るのが防がれていると思われる。実際実施例1の表−1
中の窒素を含まない合金膜Bの場合、合金膜との界面の
フェライトが酸素をうばわれ変質している事が実験より
わかった。
発明の効果 本発明構成の磁気ヘッドは、MIGヘッド特有の擬似ギ
ャップの問題が少なく、量産性に富んだ単純な構造のMI
Gタイプヘッドを可能とするものである。
【図面の簡単な説明】
第1図は単純な構造のMIGタイプの磁気ヘッドの一例を
示す正面図、第2図は従来例のMIGタイプの磁気ヘッド
を示す正面図である。 1……フェライトバックコア、2……合金膜、 3……磁気ギャップ、4……接合ガラス。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】バックコアがフェライトより成り、磁気ギ
    ャップ近傍が次式で示された組成の磁性合金膜 TxMyNz で構成され、該フェライトと該磁性合金膜の界面が該磁
    気ギャップと本質的に平行であることを特徴とする磁気
    ヘッド。 (ただしTはCo,Fe,Ni,Mnより成る群から選択された少
    なくとも1種の金属、MはNb、Zr、Ti、Ta、Hf、Cr、
    W、Moから選択された少なくとも1種の金属、NはN
    (窒素)であって、x,y,zは原子パーセントを表わし、
    それぞれ 65≦x≦94 5≦y≦25 3≦z≦20 x+y+z=100である)
  2. 【請求項2】磁気ギャップ近傍の磁性合金薄膜が製膜方
    向に組成変調されており次式で示された平均組成 TMN 有する事を特徴とする特許請求の範囲第1項記載の磁気
    ヘッド。 (ただしTはCo,Fe,Ni,Mnより成る群から選択された少
    なくとも1種の金属、MはNb、Zr、Ti、Ta、Hf、Cr、
    W、Moより成る群から選択された少なくとも1種の金
    属、NはN(窒素)であって、膜全体の平均組成が、
    ,,は原子パーセントで 65≦≦94,5≦≦25,3≦≦20 ++=100である)
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