JPH04106706A - 磁気ヘッド - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明はＶＴＲ，ＤＡＴあるいはＦＤＤ等ムこ用いられ
る高保磁力の磁気記録媒体に高宙度に情報を記録再生す
るのに通した磁気ヘッドに関する。

従来の技術 高密度磁気記録再生のために、記録媒体はその保磁力を
大きくすれば、また磁気ヘッドの方はその飽和磁束密度
を大きくすれば良いことが一般に知られている。現在磁
気ヘッド材料として主流になっているフェライト材料は
その飽和磁束密度が５０００　Ｇａｕｓｓ程度であり、
１００００ｅ以上の高保磁力を示すメタルテープに使用
すると磁気飽和が起こり、記録が十分に行われない。そ
こでフェライト材料よりも飽和磁束密度の大きいセンダ
スト合金やＣ。

系アモルファス膜等を用いた磁気ヘッドが実用化されて
いる。

磁気ヘッドの構造としては第３図に示すように主コアが
フェライト１２からなり、ギャップ近傍のみが高飽和磁
束密度軟磁性材料（以下、軟磁性膜）１１からなるＭＩ
Ｇタイプのヘッドがある。このＭＩＧヘンドの中でもフ
ェライトと軟磁性膜１１の境界がギヤノブ面と平行にな
っているタイプのものは製造プロセスが従来のフェライ
トヘッドとほぼ同じであることから盛んに検討が行われ
ている。

しかしながらこのタイプのヘッドでは軟磁性膜１１とフ
ェライトの境界において、反応が起こるためにこの部分
に磁気的劣化層が形成される。この磁気劣化層がギャッ
プ面と平行になっているため疑似ギャップとして働き、
疑似信号が発生するという問題点がある（日本応用磁気
学会誌　Ｖｏｌ、１ＩＮｏ２，１９８７．　ｐｐ、１０
５〜１０８　）。

発明が解決しようとする課題 磁気ヘッドを製造する場合、ギャップ形成はガラス融着
という方法が一般に用いられる。その場合、５００°Ｃ
程度以上の熱処理が必要となる。この際に、フェライト
と上記軟磁性膜との境界で反応が起こり、磁気的に非常
に劣化した層が形成される。両者の境界はギャップ面と
平行になっているために疑似ギャップとして作用し、再
生特性に悪影響を及ぼす。

例えば孤立再生波形において本信号の両側に、いわゆる
疑似信号と言われるものが発生する。この疑似信号は先
はど述べたように、フェライトと軟磁性膜の境界に形成
される磁気劣化層がギャップとして働くために発生する
。これはまた周波数特性においてうねりとして現れる。

この疑似ギャップによる影響はＶＴＲ，ＤＡＴ、ＦＤＤ
等のシステムにとって致命的であり、この疑似信号を抑
えることが非常に重要である。

課題を解決するための手段 上記の問題点を解決するために磁気コアの巻線窓が形成
されていないコア半体側（以下、Ｉコア）にのみ軟磁性
膜を形成する。このことにより周波数特性のうねりを小
さくする、つまり疑似ギャップによる影響を低減するこ
とが可能となる。

すなわち巻線窓を形成した磁気コア半体（以下、Ｃコア
）側はギャップ面がフェライトになっている。つまりギ
ヤツブはＩコア側の軟磁性膜とＣコア側のフェライトを
突き合わせて形成する。

作用 この技術的手段の作用は次のようになる。

疑似ギャップによる影響、ここでは周波数特性のうねり
の振幅で代表させるが、これはフェライトと軟磁性膜と
の境界面に発生する磁気劣化層の大きさに関係し、この
磁気劣化層が小さいほどうねりの振幅は小さくなる。

両側に軟磁性膜を形成したＭＩＧヘッドでは非磁性領域
が両側に存在する。ところが本発明のＭＩＧヘンドでは
片側にだけ軟磁性膜を形成するために磁気劣化層も片側
にだけしか存在しない。この点では従来に比べ非磁性領
域が小さくなる。

また孤立再生波形から観察される疑似信号の大きさを比
較するとＣコア側の方がＩコア側よりも大きいことが認
められる。このことはＣコア側よりもＩコア側に軟磁性
膜を形成した方が疑似ギャップ効果を低減することに有
利であることがわかる。

以上のことから、軟磁性膜をＩコア側だけに形成するこ
とにより、従来に比べ疑イ以ギヤノブによる影響の非常
に小さいＭＩＧヘッドが実現できる。

実施例 以下本発明の一実施例の磁気ヘッドについて図面を参照
しながら説明するゆ 実施例１ まず磁気ヘッドの構造に関しての実施例を示す。

第１図は本発明に述べた磁気ヘッドの一例である。第１
図（ａ）は本発明の磁気ヘッドの斜視図である。磁気コ
ア半体１（Ｉコア側）、２（Ｃコア側）が酸化物磁性材
料、たとえばＭｎＺｎフェライトからなり、磁気コア半
体の１コア側１のギャップ両側に高飽和磁束密度軟磁性
膜３（以下、軟磁性ｌりが形成されたＭＩＧタイプのヘ
ッドである。２と３の間には非磁性膜酸化物材料、例え
ばガラス膜、ＳｉＯ□等（図では省略）によりギャップ
４が形成される。トラックの両側にはトラック幅を規制
し、磁気ヘッドの磨耗を防止するためにガラス５が充填
されている。磁気コア半体２に巻線窓６が形成されてい
る。

第１図（ｂ）は本発明の磁気ヘッドの慴動面のギャップ
近傍を拡大したものである。ここで軟磁性膜３はたとえ
ばＣｏＮｂＺｒ　８　（２００人）とＣｏＮｂＺｒＮ　
７（２００人）が交互に１００層ずつ積層された膜厚４
μｍの超構造膜が用いられている。この超構造膜の飽和
磁束密度は１．４０テスラであった。

なお磁気ヘッドの構造としては第１図に示したもの以外
にも様々ある。その−例を第２図（ａ）〜（ｅ）に示す
、第２図（ａ）はトラック幅規制溝がフロントギャップ
部からバックギャップ部まで形成されており、その部分
にガラス充填されている。その他の構造は第１図と同じ
磁気ヘッドである。第２図（ｂ）は軟磁性膜３がギャッ
プ近傍だけでなく、トラック幅規制溝の部分に沿って存
在している。その他の部分は第１図と同じ構造になって
いる。第２図（Ｃ）はトラック幅規制溝がフロントギャ
ップ部からバックギャップ部まで形成されており、その
部分にガラス５が充填されている。また軟磁性ＷＩ３が
ギャップ近傍だけでなく、トランク幅規制溝の部分に沿
って存在している。その他の構造は第１図と同じ磁気ヘ
ッドである。

なおここに示した例はこのヘッドの一例であり、この発
明の本質は巻線窓を形成しない■コア側のギャップ対向
面だけに軟磁性膜を形成することである。軟磁性膜の組
成、膜厚ヘッドの形状などに関してここに示した実施例
以外にも多くの実施例が考えられる。

実施例２ 次に本発明の磁気ヘッドのＮｍ変換特性の測定結果につ
いて示す。まず第１図に示される軟磁性膜３にＣｏを主
成分とする軟磁性膜を用いたときの実施例を示す。

第４図（′ｂ）に第１図に示した本発明の磁気へンドを
用いて記録再生を行ったときの再生波形を示す。

ここで軟磁性膜３はＣｏＮｂＺｒ　（２００人）とＣｏ
ＮｂＺｒＮ（２００人）が交互に１００層ずつ積層され
た膜厚４μｍの超構造膜が用いられている。磁気ヘッド
のギャツブ長は０．３μｍ、トランク幅２０μｍである
。

測定はドラムテスターを用いヘッドとテープの相対速度
３．１ｍで行った。テープの保磁力は１５００エルステ
ツドである。記録波形は第４図（ａ）に示す波形である
。ヘッドのＣコアと１コアの位置関係は、■コア側が先
に記録媒体に接する様にした。つまり再生波形に現れる
疑似信号は、主信号よりも前にあるのが■コア側の疑似
ギャップによるものであり、後にあるのがＣコア側の疑
似ギャップによるものである。

第４図（Ｃ）に磁気コア半体の両者に軟磁性膜を形成し
たときの再生波形を示す、第４図（Ｃ）でわかるように
後ろの疑ｆ以信号の方が前よりも大きくなっている。こ
のことがらＣコア側の疑似信号の方が１コア側の疑似信
号に比べて大きいことがわかる。

第４図（ｂ）ではそのＩコア側、つまり小さい方の疑似
信号しか現れていないことがわかる。

第１表に種々の軟磁性膜を、（１）Ｃコアにだけ形成、
（２）■コアにだけ形成、した時の疑（以信号の大きさ
を示す。この結果から疑似信号の大きさは軟磁性膜の材
料、飽和磁束密度に関わらず、（１）か（２）かという
ことだけに関係することがわかる。（１）の平均は約−
２２ｄＢであり、（２）の平均は約−２６ｄＢであった
。このことからもＩコア側の疑似信号がＣコア側よりも
小さいことがわかる。

（以下余白） 第１表 ＣｏＮｂＺｒ／ＣｏＮｂＺｒＮ ＣｏＴａＺｒ／ＣｏＴａＺｒＮ ＣｏＮｂＺｒ／ＣｏＮｂＺｒＮ ＣｏＮｂＺｒＴａ／ＣｏＮｂＺｒＴａＮＣｏＮｂＺｒ／
ＣｏＮｂＺｒＮ ＣｏＴａＺｒ／ＣｏＴａＺｒＮ ＣｏＮｂＺｒ／ＣｏＮｂＺｒＮ ＣｏＮｂＺｒ／ＣｏＮｂＺｒＮ １．１０　　　−２２　　　−２６ １．１５　　　−２１　　　−２５ １．２２　　　−２２　　　−２７ １．２５　　　−２１　　　−２７ １．３５　　　−２３　　　−２５ １．３３　　　　−２２　　　−２４ １．４２　　　−２４　　　−２８ １．５０　　　　−２３　　　−２６ 次に種々の軟磁性膜を用いたヘッドの周波数特性の測定
を行った。疑似信号により周波数特性にうねりが生じる
のは周知のことである。

第２表にうねりの振幅を示す。（１）は本発明の磁気ヘ
ッドでＩコア側にだけ軟磁性膜を形成した場合の、（２
）はＣコア側にのみ軟磁性膜を形成した場合の、（３）
はＩコア、Ｃコアの両方に軟磁性膜を形成した場合の、
磁気ヘッドの周波数特性のうねりの振幅を示す。うねり
の振幅は、ＩＭＨｚ〜６ＭＨｚでの振幅のもっとも大き
いものをその値とした。

第２表 ＣｏＮｂＺｒ／ＣｏＮｂＺｒＮ センダスト ＣｏＮｂＺｒ／ＣｏＮｂＺｒＮ ＣｏＴａＺｒ／ＣｏＴａＺｒＮ ＣｏＮｂＺｒ／ＣｏＮｂＺｒＮ ＣｏＮｂＺｒＴａ／ＣｏＮｂＺｒＴａＮＣｏＮｂＺｒ／
ＣｏＮｂＺｒＮ ＣｏＴａＺｒ／ＣｏＴａＺｒＮ ＣｏＮｂＺｒ／ＣｏＮｂＺｒＮ ＣｏＮｂＺｒ／ＣｏＮｂＺｒＮ ■、００ １．００ １．１０ １．１５ １．２２ １．２５ １．３５ １．３３ １．４２ １．５０ ２．５ ３．２ ２．５ ２．８ ２．６ ２．７ ２．５ ２．５ ２．４ ２．４ ３．８ ４．８ ３．７ ４．１ ３．８ ４．３ ３．６ ３．９ ３．５ ．３．６ （１）の場合は周波数特性からうねりの振幅の平均値が
約１．５ｄＢであり、（２）の場合はうねりの振幅が約
２．６ｄＢであり、（３）の場合は約３．９ｄＢである
ことがわかった。

以上、第１表および第２表の結果から軟磁性膜をＩコア
側だけに形成する方が、■コアおよびＣコアの両方もし
くはＣコア側だけに軟磁性膜を形成した場合に比べ疑似
ギヤングによる悪影響を低減することが可能であること
がわかる。

しかしながら軟磁性膜を磁気コアの片側にだけ形成した
場合は記録特性が劣化する恐れがある。

そこでここではｒコアにのみ軟磁性膜を形成したときと
磁気コアの両側に形成したときの記録特性の比較を、軟
磁性膜の飽和磁束密度をいろいろ変化させて行った。

測定は上記条件と同じ条件で行った。［気ヘッドのギャ
ップ長を０．２８〜０．３０μｍとした。再生ヘッドは
ギャップ長が０．２５μｍのフェライトヘッドを用いて
行った。測定周波数は１．０ＭＨｚ、記録信号は正弦波
として再生出力が最大となるように記録電流の大きさを
選んだ。軟磁性膜の飽和磁束密度は（１）１．０テスラ
（Ｔ　）　、（２）　１．２Ｔ、（３）１．３Ｔ、（４
）１．４Ｔのものについて実験を行った。サンプル数は
各３個としてその平均値を示した。なお測定は保磁力（
ａ）　７５００　ｅと（ｂ）１７０００ｅのテープを用
いて行った。なお１７０００ｅのテープは現在市販され
ているメタルテープで最も保磁力が大きいものの一つで
ある。

第５図に結果を示す。磁気コアの両側に軟磁性膜を形成
した場合を基準（ＯｄＢ）とし、これと比較した時の特
性を示している。まず（ａ）の場合は（１）〜（４）全
てにおいて両コアに軟磁性膜を形成した場合と■コアに
だけ形成した場合で差がなかった。

つまり保磁力が７５００ｅ程度の記録媒体に対しては飽
和磁束密度１．０Ｔ、ここではセンダストを用いたが、
このセンダスト材料を１コア側に形成するだけでも、両
側のコアに形成したときと同し程度の記録が行われてい
ることがわかった。次に（ｂ）の場合は（１）では明ら
かに両コアに軟磁性膜を形成したヘッドの方が記録特性
が優れていることがわかった。しかし軟磁性膜の飽和磁
束密度がさらに大きくなって１．２Ｔ以上になると■コ
アにだけ軟磁性膜を形成した場合と、両コアに形成した
場合ではほとんど差がなくなることがわかった。このこ
とから保磁力が１７０００ｅ程度に大きくなると飽和磁
束密度が１．０Ｔのセンダスト材料では記録が不十分に
なり、１．２Ｔ以上の材料が必要になることがわかった
。

このことから軟磁性膜の飽和磁束密度が１．２Ｔ以上で
あれば夏コアにだけ軟磁性膜を形成することで、現在量
も保磁力の大きいメタルテープに対しても両コアに軟磁
性膜を形成した磁気ヘッドと遜色ない記録特性を示すＭ
ＩＧヘッドが得られることがわかった。

飽和磁束密度１．２Ｔ以上、５００°Ｃ以上の熱処理後
も軟磁気特性を示すＣＯを主成分とする材料としては、
一般弐ＣｏＭで表される材料とその窒化物（一般弐Ｃｏ
ＭＮ　）とが厚さ方向に組成変調された構造になってい
るもの（以下、ＣｏＭ　／　ＣｏＭＮと表す）、いわゆ
る超構造Ｃｏ系組成変調窒化合金膜が挙げられる。

ここで組成に関してはＣｏは飽和磁束密度を１．２Ｔ以
上にするため原子比で８０％以上とし、またＭは所定の
軟磁気特性を確保するためにＷｂ、　Ｚｒ、　Ｔａ、Ｔ
ｉ、　Ｍｏ、　Ｗの中から少なくとも１種類以上の元素
から構成されるものとし、原子比で５％以上２０％以下
とする。また−層当りの厚みは１５００Å以下であれば
所定の軟磁気特性が得られる。

これらの材料を例示するならばＣｏＮｂＺｒ／ＣｏＮｂ
ＺｒＮ　。

ＣｏＴａＺｒ／ＣｏＴａＺｒＮ、　ＣｏＮｂＺｒＴａ／
ＣｏＮｂＺｒＴａＮ、　ＣｏＭｏＺｒ／ＣｏＭｏＺｒＮ
、　ＣｏＮｂＭｏＺｒ／ＣｏＮｂＭｏＺｒＮ、　ＣｏＴ
１Ｎｂ／ＣｏＴｉＮｂＮ。

ＣｏＷＮｂ／ＣｏＷＮｂＮ等があり、この中でも特にＣ
ｏＮｂＺｒ／ＣｏＮｂＺｒＮ、　ＣｏＴａＺｒ／ＣｏＴ
ａＺｒＮ、　ＣｏＮｂＺｒＴａ／ＣｏＮｂＺｒＴａＮが
望ましい。

本実施例では軟磁性膜にＣＯを主成分とする軟磁性材料
の例を示したが本発明はこれに限定されるものではない
、飽和磁束密度が１．２Ｔ以上、所定の軟磁気特性を示
すものであれば同様の効果が得られることは容易に類推
できる。また膜厚に関しても磁気ヘッドの用途によって
いるいろ変えることが可能である。

実施例３ 第１図に示される軟磁性膜３にＦｅを主成分とする軟磁
性膜を用いたときの実施例を示す。この例ではＩコア側
にだけＦｅＮｂＺｒ　（１００人）とＦｅＮｂＺｒＮ（
１００人）とを各々２５０層ずつ、膜厚にして５μｍの
軟磁性膜を形成したＭＩＧへンドの例である。

ここで軟磁性膜の飽和磁束密度は１．５Ｔであった。

以下ｉｉｔ磁変換特性に関して、実施例１と同様の測定
を行ったときの結果を示す。

第３表にＦｅ　−（Ｔｉ、　Ｎｂ、　Ｚｒ５Ｔａ、　Ｍ
ｎ）　　（１００人）とＦｅ　−（Ｔｉ、　Ｎｂ、　Ｚ
ｒ、　Ｔａ、　Ｍｎ）　−Ｎ　（１００人）とを各々２
００層ずつ、膜厚にして４μｍの軟磁性膜を（１）■コ
アにだけ形成したＭＩＧヘッド、（２）Ｃコアにだけ形
成したＭＩＣヘッドの周波数特性のうねりの振幅を示す
０周波数特性のうねりの振幅の平均値は、（１）の場合
的１．５ｄＢであり、（２）の場合的２．６ｄＢであり
、軟磁性膜の飽和磁束密度には依存しないことがわかっ
た。このことがら■コアにだけ軟磁性膜を形成すること
によりうねりの振幅を小さくすることが可能となる。

（以下余白） センダスト ＦｅＴａＺｒ／ＦｅＴａＺｒＮ ＦｅＮｂＴｉ／ＦｅＮｂＴｉＮ ＦｅＮｂＺｒ／ＦｅＮｂＺｒＮ ＦｅＮｂＴｉ／ＦｅＮｂＴｉＮ ＦｅＮｂＺｒ／ＦｅＮｂＺｒＮ ＦｅＺｒ／ＦｅＺｒＮ ＦｅＮｂ／ＦｅＮｂＮ ＦｅＮｂＺｒ／ＦｅＮｂＺｒＮ 第３表 １．００　　　　２．０　　　３．２ １．１８　　　　１．６　　　２．５ １．２５　　　　１．５　　　２．８ １．３２　　　　１．３　　　２．６ １．４！　　　　　１．４　　　２．７１．４５　　　
　１．５　　　２．５ １．５２　　　　１．６　　　２．５ １．６２　　　　１．３　　　２．４ １．６５　　　　１．４　　　２．４ また記録能力に関しても保磁力（ａ）　７５００ｅと（
ロ）１７０００ｅの記録媒体を用いて軟磁性膜の飽和磁
束密度を（１）１．ＯＴ、（２）１．２Ｔ、（３）１．
４Ｔ、（４）１．５Ｔ、（５）１．６Ｔの物について実
験を行った。その結果を第６図に示す、軟磁性膜にＣｏ
系組成変調窒化合金膜を用いたときと同じように、（ａ
）に関しては（１）〜（５）でほとんど差がなく！コア
にだけ軟磁性膜を形成しても記録特性が劣化しない一一
方（ｂ）の高保磁力媒体に間し′ては（１）では■コア
にだけ軟磁性膜を形成した場合に比べ記録特性が劣って
いるが（２）から（５）に関してはほぼ差がないことが
ｆｌｉｌできた。

飽和磁束密度１．２Ｔ以上、５００　”Ｃ以上の熱処理
後も軟磁気特性を示すＦｅを主成分とする材料としては
、例えばＦｅＭ膜とＦｅＭＮ膜の積層構造（以下、Ｆｅ
Ｍ／ＦｅＭＮ）を有するＰａ　ｔｌｌ　遣Ｍが挙げられ
る。さらに組成に関してはＰｅは飽和磁束密度を１．２
Ｔ以上にするため原子比で７０％以上とし、またＭは所
定の軟磁気特性を確保するためにＮｂ、　Ｚｒ、　Ｔａ
、　Ｔｉ、Ｃｒ、　Ｈ（、門。、Ｗ、　Ｍｎ、　Ｒｅ、
　Ｒｕの中から少なくとも１種類以上の元素から構成さ
れるものとし、原子比で５％以上３０％以下とするもの
が挙げられる。

これらの材料の中でも特に、ＦｅＮｂ／ＦｅＮｂＮ、　
ＦｅＺｒ／ＦｅＺｒＮ５ＦｅＴｉ／ＦｅＴｉＮ、　Ｐｅ
Ｔａ／ＦｊＴａＮ、　ＦｅＮｂＺｒ／ＦｅＮｂＺｒＮ。

ＦｅＮｂＴｉ／ＦｅＮｂＴｉＮ、　ＦｅＮｂＴｉ／Ｆｅ
ＮｂＴｉＮ、　ＦｅＺｒＴｉ／ＦｅＺｒＴｉＮ、　Ｆｅ
ＺｒＴｉ／ＦｅＺｒＴｉＮ、　ＦｅＺｒＭｎ／ＦｅＺｒ
ＭｎＮＳＦｅＮｂＭｎ／ＦｅＮｂＭｎＮ等が望ましい、
また−層当りの厚みは軟磁気特性が保たれる範囲であれ
ば、軟磁性膜３の膜厚もヘッドの用途に合わせて変える
ことが可能である。

ここでは実施例２及び３に示した超構造を有する軟磁性
膜の製造方法としては、例えばスパッタ法でＣｏＭもし
くはＦｅＭをターゲットとしてＡｒガス窒素ガスを所定
の割合で周期的に混合すること等により得ることができ
る。

なお実施例１．２．３では軟磁性膜に主に超構造膜を用
いた実施例を示したが、本発明は超構造膜だけに限定さ
れる物ではない。例えば疑似信号の大きさは軟磁性膜の
飽和磁束密度の大きさにほとんど依存せず、常にＩコア
の方がＣコアよりも小さいことが第１表、第２表および
第３表かられかった。従ってどの様な軟磁性膜を用いて
も常に１コア側だけに軟磁性膜を形成すれば、疑１以信
号による影Ｗ（周波数特性のうねり）を小さくできる。

また記録特性に関しても、記録媒体の保磁力が７５００
ｅならば軟磁性膜の飽和磁束密度が１．０Ｔ以上、１７
０００ｅならば１，２Ｔ以上あれば両側に配したヘッド
と１コアにだけ配したヘッドでほぼ同等であることがわ
かった。

これらのことからも本実施例が超構造膜だけに限定され
る物ではないことが容易に類推できる。

発明の効果 本発明による磁気へンドにより、例えばＶＴＲ１ＤＡＴ
、ＦＤＤ用ヘッドに従来よりも疑似信号の小さい、製造
工程が苦略な、低コストのＭＩＧタイプヘッドが利用で
き、実用価値の非常に高い磁気ヘッドの提供が可能とな
る。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａｌは本発明の磁気ヘッドの１実施例の♀′■
膜、４・・・・・・ギ十ノフ゛、５・・・・・・ガラス
、６・・・・・・巻線窓。 代理人の氏名　弁理士　小鍜治　明　ほか２名発明の磁
気ヘッドと従来の磁気ヘッドの孤立再生波形の図、第５
図、第６図はこれらのヘッドの記録特性を示す図である
。 １・・・・・・磁気コア半体（■コア）、２・・・・・
・磁気コア半体（Ｃコア）、３・・・・・・高、緯和磁
束密度軟磁性簿 ！ 図 瞥Ｍた 第 図 図 ／３７Ｄヌ ／ｌ息〜和ｙＬ求Ｅ贋軸性材料 第 図 第 図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）酸化物磁性材料からなる一対の磁気コア半体のう
   ち、片方のコア半対にだけ巻線窓を設け、巻線窓を設け
   ないコア半体にだけ、ギャップ形成両側に高飽和磁束密
   度軟磁性材料を形成したことを特徴とする磁気ヘッド。 （２）高飽和磁束密度軟磁性材料の酸化物磁性材料の境
   界面がギャップ面とほぼ平行であることを特徴とする請
   求項（１）記載の磁気ヘッド。 （３）高飽和磁束密度軟磁性材料の飽和磁束密度が１．
   ２テスラ以上であることを特徴とする請求項（１）記載
   の磁気ヘッド。 （４）高飽和磁束密度軟磁性材料がＣｏａＭｂで表され
   る材料とその窒化物とが厚さ方向に組成変調された構造
   になっていることを特徴とする請求項（１）記載の磁気
   ヘッド。 ここでＭはＮｂ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗか
   ら選ばれる少なくとも１種類以上の元素からなり、ａ、
   ｂは原子比を表し次の式を満足するものとする。 ０．８０≦ａ≦０．９５ ０．０５≦ｂ≦０．２０ ａ＋ｂ＝１．０ （５）高飽和磁束密度軟磁性材料がＦｅａＭｂで表され
   る材料とその窒化物とが厚さ方向に組成変調された構造
   になっていることを特徴とする請求項（１）記載の磁気
   ヘッド。 ここでＭはＮｂ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｃｒ
   、Ｗ、Ｍｎ、Ｒｅ、Ｒｕから選ばれる少なくとも１種類
   以上の元素からなり、ａ、ｂは原子比を表し次の式を満
   足するものとする。 ０．７０≦ａ≦０．９５ ０．０５≦ｂ≦０．３０ ａ＋ｂ＝１．０