JP2884599B2 - 軟磁性非晶質膜 - Google Patents
軟磁性非晶質膜Info
- Publication number
- JP2884599B2 JP2884599B2 JP1168813A JP16881389A JP2884599B2 JP 2884599 B2 JP2884599 B2 JP 2884599B2 JP 1168813 A JP1168813 A JP 1168813A JP 16881389 A JP16881389 A JP 16881389A JP 2884599 B2 JP2884599 B2 JP 2884599B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- amorphous
- soft magnetic
- phase
- amorphous film
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
- H01F10/08—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers
- H01F10/10—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition
- H01F10/12—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition being metals or alloys
- H01F10/13—Amorphous metallic alloys, e.g. glassy metals
- H01F10/131—Amorphous metallic alloys, e.g. glassy metals containing iron or nickel
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、磁気ヘッドのコア材等として使用される軟
磁性非晶質膜に関するものであり、特に高磁束密度，高
電気抵抗及び高耐蝕性を有する軟磁性非晶質膜に関す
る。
磁性非晶質膜に関するものであり、特に高磁束密度，高
電気抵抗及び高耐蝕性を有する軟磁性非晶質膜に関す
る。
本発明は、遷移金属と２種類の異なる半金属元素〔こ
こではB,C,Si〕よりなる強磁性アモルファス相と非磁性
アモルファス相の２相が微細に分散した構造を有する軟
磁性非晶質膜に、Cr,Mo,W,Ta,Nb,V,Snの少なくとも１種
を添加することによって、耐蝕性の改善を図ろうとする
ものである。
こではB,C,Si〕よりなる強磁性アモルファス相と非磁性
アモルファス相の２相が微細に分散した構造を有する軟
磁性非晶質膜に、Cr,Mo,W,Ta,Nb,V,Snの少なくとも１種
を添加することによって、耐蝕性の改善を図ろうとする
ものである。
例えばVTR（ビデオテープレコーダ）等の磁気記録再
生装置においては、画質等を向上するために記録信号の
高密度化や高周波数化等が進められており、これに対応
して磁性粉にFe,Co,Ni等の強磁性金属の粉末を用いた，
いわゆるメタルテープや、強磁性金属材料を蒸着等の手
法により直接ベースフィルム上に被着した，いわゆる蒸
着テープ等の高抗磁力媒体を実用化されつつある。
生装置においては、画質等を向上するために記録信号の
高密度化や高周波数化等が進められており、これに対応
して磁性粉にFe,Co,Ni等の強磁性金属の粉末を用いた，
いわゆるメタルテープや、強磁性金属材料を蒸着等の手
法により直接ベースフィルム上に被着した，いわゆる蒸
着テープ等の高抗磁力媒体を実用化されつつある。
一方、磁気ヘッドにおいては、このような磁気記録媒
体の高抗磁力化に対応するべく、飽和磁束密度がフェラ
イトよりも高いFe−Al−Si系合金（いわゆるセンダス
ト）スパッタ膜やメタル−メタル系アモルファススパッ
タ膜，メタル−メタロイド系液体超急冷アモルファスリ
ボン等の合金系軟磁性材料を単独若しくはフェライトと
組み合わせて用いた磁気ヘッドが開発されている。
体の高抗磁力化に対応するべく、飽和磁束密度がフェラ
イトよりも高いFe−Al−Si系合金（いわゆるセンダス
ト）スパッタ膜やメタル−メタル系アモルファススパッ
タ膜，メタル−メタロイド系液体超急冷アモルファスリ
ボン等の合金系軟磁性材料を単独若しくはフェライトと
組み合わせて用いた磁気ヘッドが開発されている。
しかしながら、これまで用いられている合金系軟磁性
材料は、その比抵抗が小さいために高周波帯域での特性
が十分でなく、特にメガヘルツ領域では渦電流損失によ
って初透磁率が減少し、高抗磁力媒体の性能を十分に引
き出すことができないのが実情である。
材料は、その比抵抗が小さいために高周波帯域での特性
が十分でなく、特にメガヘルツ領域では渦電流損失によ
って初透磁率が減少し、高抗磁力媒体の性能を十分に引
き出すことができないのが実情である。
いわゆるハイビジョンに代表されるような高画質画像
システムの実用化が進められており、このようなシステ
ムで扱われる高周波信号を記録するための磁気ヘッドの
開発に迫られている状況では、前記高周波帯域での特性
の劣化は大きな障害となる。
システムの実用化が進められており、このようなシステ
ムで扱われる高周波信号を記録するための磁気ヘッドの
開発に迫られている状況では、前記高周波帯域での特性
の劣化は大きな障害となる。
また、従来の合金系軟磁性材料は、飽和磁束密度が高
いといってもせいぜい10000ガウス（Gauss）程度に止ま
り、磁気記録媒体における一層の高抗磁力化を考えた場
合、十分なものとは言えない。
いといってもせいぜい10000ガウス（Gauss）程度に止ま
り、磁気記録媒体における一層の高抗磁力化を考えた場
合、十分なものとは言えない。
そこで本願出願人は、先に特開昭63−119209号公報に
おいて、遷移金属と半金属とを主成分とし強磁性アモル
ファス相と非磁性アモルファス相の二つのアモルファス
相が微細に分散したヘテロアモルファス２相構造を有す
る軟磁性薄膜を提案した。この軟磁性薄膜は、電気抵抗
値が300〜4000μΩcmと非常に大きく、また飽和磁束密
度も15000ガウス程度を示し、従来のアモルファス薄膜
とは全く異なり高周波帯域で優れた磁気特性を発揮する
ものである。
おいて、遷移金属と半金属とを主成分とし強磁性アモル
ファス相と非磁性アモルファス相の二つのアモルファス
相が微細に分散したヘテロアモルファス２相構造を有す
る軟磁性薄膜を提案した。この軟磁性薄膜は、電気抵抗
値が300〜4000μΩcmと非常に大きく、また飽和磁束密
度も15000ガウス程度を示し、従来のアモルファス薄膜
とは全く異なり高周波帯域で優れた磁気特性を発揮する
ものである。
しかしながら、前述のヘテロアモルファス２相構造を
有する軟磁性薄膜は、このように優れた磁気特性を発揮
するものの、耐蝕性が低いという不満を残している。特
に、高磁気特性を狙って遷移金属の割合を増やそうとす
るとこの傾向が著しい。
有する軟磁性薄膜は、このように優れた磁気特性を発揮
するものの、耐蝕性が低いという不満を残している。特
に、高磁気特性を狙って遷移金属の割合を増やそうとす
るとこの傾向が著しい。
そこで本発明は、ヘテロアモルファス２相構造を有す
る軟磁性薄膜の耐蝕性を改善することを目的とするもの
で、高飽和磁束密度，高電気抵抗，さらには高耐蝕性の
諸特性を併せ持ち、高周波記録等に対応可能な軟磁性非
晶質膜を提供することを目的とする。
る軟磁性薄膜の耐蝕性を改善することを目的とするもの
で、高飽和磁束密度，高電気抵抗，さらには高耐蝕性の
諸特性を併せ持ち、高周波記録等に対応可能な軟磁性非
晶質膜を提供することを目的とする。
本発明者は、前述の目的を達成せんものと長期に亘り
鋭意研究を重ねた結果、Cr,Mo,W,Ta,Nb,V,Snの何れかの
添加が耐蝕性の改善に有効であることを見出した。
鋭意研究を重ねた結果、Cr,Mo,W,Ta,Nb,V,Snの何れかの
添加が耐蝕性の改善に有効であることを見出した。
本発明は、このような知見に基づいて完成されたもの
であって、 （M1-mAm）xLyJz ……（ｉ） （但し、ＭはFe,Co,Niの少なくとも１種を表し、L,Jは
それぞれB,C,Siから選ばれた互いに異なる元素を表す。
また、x,y,zはそれぞれ各元素の割合を原子％で表し、
ｘ＋ｙ＋ｚ＝100,y＋ｚ≧10,x≠0,y≠0,z≠０である。
ＡはCr,Mo,W,Ta,Nb,V,Snの少なくとも１種を表し、0.05
≦ｍ≦0.10である。）なる組成を有し、強磁性アモルフ
ァス相と非磁性アモルファス相とが単一層内で混在する
２相構造を有することを特徴とするものである。
であって、 （M1-mAm）xLyJz ……（ｉ） （但し、ＭはFe,Co,Niの少なくとも１種を表し、L,Jは
それぞれB,C,Siから選ばれた互いに異なる元素を表す。
また、x,y,zはそれぞれ各元素の割合を原子％で表し、
ｘ＋ｙ＋ｚ＝100,y＋ｚ≧10,x≠0,y≠0,z≠０である。
ＡはCr,Mo,W,Ta,Nb,V,Snの少なくとも１種を表し、0.05
≦ｍ≦0.10である。）なる組成を有し、強磁性アモルフ
ァス相と非磁性アモルファス相とが単一層内で混在する
２相構造を有することを特徴とするものである。
上記組成式（ｉ）中、Ｍとしては、強磁性材料である
3d遷移金属元素，すなわちFe,Co,Niのうちの１種または
２種以上が適当である。
3d遷移金属元素，すなわちFe,Co,Niのうちの１種または
２種以上が適当である。
一方、半金属元素であるL,Jとしては、B,Si,Cの中か
ら２種を選択して使用する。これら半金属元素（半導体
元素）は、合金を非晶質化するものであり、特に炭素Ｃ
は合金の耐蝕性，硬度，機械的性質等を改善し、また電
気抵抗を高める要素となる元素である。
ら２種を選択して使用する。これら半金属元素（半導体
元素）は、合金を非晶質化するものであり、特に炭素Ｃ
は合金の耐蝕性，硬度，機械的性質等を改善し、また電
気抵抗を高める要素となる元素である。
半金属元素L,Jの組み合わせとしては、Ｂ−C,Si−C,S
i−Ｂが考えられるが、炭素Ｃを含む組み合わせ（Ｂ−
C,Si−Ｃ）が好ましく、特にＢ−Ｃの組み合わせは好適
な結果を示した。
i−Ｂが考えられるが、炭素Ｃを含む組み合わせ（Ｂ−
C,Si−Ｃ）が好ましく、特にＢ−Ｃの組み合わせは好適
な結果を示した。
また、本発明の軟磁性非晶質膜において、これら半金
属元素L,Jの占める割合ｙ＋ｚは、10原子％以上である
ことが必要で、10原子％未満では非晶質状態が実現しな
い。
属元素L,Jの占める割合ｙ＋ｚは、10原子％以上である
ことが必要で、10原子％未満では非晶質状態が実現しな
い。
かかる軟磁性非晶質膜は、従来広く知られている単相
アモルファス磁性薄膜とは異なり、遷移金属元素Ｍを主
体とする強磁性アモルファス相Ｉ（Ｍ−Ｌ−Ｊ）と、こ
れをとりまき半金属元素のみからなる非磁性アモルファ
ス相II（Ｌ−Ｊ）との２相混在構造であると推定され
る。このことは、透過型電子顕微鏡による暗視野像によ
っても裏付けられている。すなわち、本発明の軟磁性非
晶質膜の電子顕微鏡写真を観察すると、暗い部分と明る
い部分とが微細に混在しており、50Å程度の超微細２相
構造のヘテロアモルファスであることが理解できる。な
お、これら暗い部分と明るい部分とはいずれも非晶質相
であることが電子線回折法により証明された。
アモルファス磁性薄膜とは異なり、遷移金属元素Ｍを主
体とする強磁性アモルファス相Ｉ（Ｍ−Ｌ−Ｊ）と、こ
れをとりまき半金属元素のみからなる非磁性アモルファ
ス相II（Ｌ−Ｊ）との２相混在構造であると推定され
る。このことは、透過型電子顕微鏡による暗視野像によ
っても裏付けられている。すなわち、本発明の軟磁性非
晶質膜の電子顕微鏡写真を観察すると、暗い部分と明る
い部分とが微細に混在しており、50Å程度の超微細２相
構造のヘテロアモルファスであることが理解できる。な
お、これら暗い部分と明るい部分とはいずれも非晶質相
であることが電子線回折法により証明された。
本発明においては、前述の軟磁性非晶質膜を構成する
元素のうち、遷移金属の一部をCr,Mo,W,Ta,Nb,V,Snで置
換することによりその耐蝕性を改善することとする。こ
れら元素の添加は、耐蝕性改善に非常に有効で、わずか
な添加でも耐蝕性が大きく改善される。ただし、あまり
添加量が多すぎると磁気特性，特に飽和磁束密度の低下
を招くことから、遷移金属に対する置換量は、10原子％
までとすることが好ましい。したがって、先の組成式
（ｉ）におけるｍは0.05≦ｍ≦0.10とすることが好まし
い。遷移金属に対する置換量が10原子％を越えると、飽
和磁束密度が8000ガウスを下回り実用的でない。
元素のうち、遷移金属の一部をCr,Mo,W,Ta,Nb,V,Snで置
換することによりその耐蝕性を改善することとする。こ
れら元素の添加は、耐蝕性改善に非常に有効で、わずか
な添加でも耐蝕性が大きく改善される。ただし、あまり
添加量が多すぎると磁気特性，特に飽和磁束密度の低下
を招くことから、遷移金属に対する置換量は、10原子％
までとすることが好ましい。したがって、先の組成式
（ｉ）におけるｍは0.05≦ｍ≦0.10とすることが好まし
い。遷移金属に対する置換量が10原子％を越えると、飽
和磁束密度が8000ガウスを下回り実用的でない。
本発明の軟磁性非晶質膜を作製するには、遷移金属Ｍ
の円盤の上にB,Si等の炭素化合物やSiB化合物、さらに
はCr等の耐蝕性改善のための金属Ａの角板を並べたター
ゲットを用い、スパッタリングによって製造する。ここ
で、角板の数を増減することにより得られる軟磁性非晶
質膜の組成y,zや置換量ｍをコントロールすることがで
き、目的に応じて磁気特性や電気抵抗等をコントロール
することができる。また、遷移金属Ｍの円盤の代わりに
遷移金属と前記耐蝕性改善のための金属Ａとの合金の円
盤をターゲットとして用い、この合金ターゲットの組成
によって置換量ｍをコントロールするようにしてもよ
い。スパッタリング時のアルゴンガス圧は、電気抵抗や
飽和磁束密度等にはほとんど影響を及ぼさないが、軟磁
性非晶質膜の重要な特性の一つである保磁力Hcを考慮す
ると、５×10-2Torr以上であることが好ましい。
の円盤の上にB,Si等の炭素化合物やSiB化合物、さらに
はCr等の耐蝕性改善のための金属Ａの角板を並べたター
ゲットを用い、スパッタリングによって製造する。ここ
で、角板の数を増減することにより得られる軟磁性非晶
質膜の組成y,zや置換量ｍをコントロールすることがで
き、目的に応じて磁気特性や電気抵抗等をコントロール
することができる。また、遷移金属Ｍの円盤の代わりに
遷移金属と前記耐蝕性改善のための金属Ａとの合金の円
盤をターゲットとして用い、この合金ターゲットの組成
によって置換量ｍをコントロールするようにしてもよ
い。スパッタリング時のアルゴンガス圧は、電気抵抗や
飽和磁束密度等にはほとんど影響を及ぼさないが、軟磁
性非晶質膜の重要な特性の一つである保磁力Hcを考慮す
ると、５×10-2Torr以上であることが好ましい。
強磁性アモルファス相と非磁性アモルファス相とが単
一層内で混在する２相構造を有する軟磁性非晶質膜（以
下、２相アモルファス膜と言う。）は、比抵抗が高く高
周波帯域において従来の単相アモルファスでは実現し得
ない優れた特性が発揮される。
一層内で混在する２相構造を有する軟磁性非晶質膜（以
下、２相アモルファス膜と言う。）は、比抵抗が高く高
周波帯域において従来の単相アモルファスでは実現し得
ない優れた特性が発揮される。
かかる２相アモルファス膜を構成する元素のうち、遷
移金属の一部をCr,Mo,W,Ta,Nb,V,Snの少なくとも１種で
置換すると、耐蝕性が大幅に改善される。
移金属の一部をCr,Mo,W,Ta,Nb,V,Snの少なくとも１種で
置換すると、耐蝕性が大幅に改善される。
以下、本発明を具体的な実験例により説明するが、本
発明がこれら実験例に限定解釈されるものでないことは
言うまでもない。
発明がこれら実験例に限定解釈されるものでないことは
言うまでもない。
本実験では、FeCo−B4C系２相アモルファス膜にCrを
添加し、耐蝕性改善の効果を調べた。
添加し、耐蝕性改善の効果を調べた。
２相アモルファス膜のスパッタ用ターゲットとして
は、直径100mm,厚さ2mmの円盤状のFe−Co合金ターゲッ
トを用い、その上にB4C化合物板（5mm×5mm×2mmに切断
したもの。）を必要数だけならべた。Fe−Co合金ターゲ
ットにおけるFeとCoの比率は1:1とし、Crを添加しない
もの、Crを５原子％〔合金ターゲット中のCrの原子濃
度。したがって（ｉ）式中ｍ＝0.05〕添加したもの、10
原子％添加したもの〔ｍ＝0.10）、20原子％添加したも
の（ｍ＝0.20）をそれぞれ準備した。
は、直径100mm,厚さ2mmの円盤状のFe−Co合金ターゲッ
トを用い、その上にB4C化合物板（5mm×5mm×2mmに切断
したもの。）を必要数だけならべた。Fe−Co合金ターゲ
ットにおけるFeとCoの比率は1:1とし、Crを添加しない
もの、Crを５原子％〔合金ターゲット中のCrの原子濃
度。したがって（ｉ）式中ｍ＝0.05〕添加したもの、10
原子％添加したもの〔ｍ＝0.10）、20原子％添加したも
の（ｍ＝0.20）をそれぞれ準備した。
スパッタに際しては、基板にフォトセラム基板を使用
した。また、この２相アモルファス膜のスパッタ条件は
下記の通りである。
した。また、この２相アモルファス膜のスパッタ条件は
下記の通りである。
スパッタ条件 RFマグネトロンスパッタ 極板間距離 40mm 予備スパッタ時間 １時間 本スパッタ時間 ４時間 Ar流量 100msccm 到達真空度 １×10-6Torr 陽極電圧 2.2kV 陽極電流 160mA 得られたスパッタ膜はＸ線回折によって結晶，アモル
ファスの判定を行い、また膜組成の分析にはESCA（Elec
tron Spectroscopy Chemical Aalysis）及びXMA（Ｘ−r
ay microprobe Analizer）を使用した。
ファスの判定を行い、また膜組成の分析にはESCA（Elec
tron Spectroscopy Chemical Aalysis）及びXMA（Ｘ−r
ay microprobe Analizer）を使用した。
作成した各サンプルについて、腐食電流，飽和磁束密
度，電気抵抗率を測定した結果が第１図ないし第３図で
ある。ここで、第１図はCrの添加量による腐食電流の変
化を表し、第２図はCrの添加量による飽和磁束密度の変
化を、また第３図はCrの添加量による電気抵抗率の変化
をそれぞれ表す。
度，電気抵抗率を測定した結果が第１図ないし第３図で
ある。ここで、第１図はCrの添加量による腐食電流の変
化を表し、第２図はCrの添加量による飽和磁束密度の変
化を、また第３図はCrの添加量による電気抵抗率の変化
をそれぞれ表す。
第１図を見ると、Crを添加することによって腐食電流
が減少しており、例えばCrを添加していないサンプルと
Crを10原子％添加したサンプルを比較すると、後者にお
いて耐蝕性が10倍以上向上していることがわかる。実
際、これらのサンプルを純水に浸して観察すると、Crを
添加していないサンプルでは錆の発明が見られたのに対
して、Crを添加したサンプルでは錆はほとんど発生しな
かった。
が減少しており、例えばCrを添加していないサンプルと
Crを10原子％添加したサンプルを比較すると、後者にお
いて耐蝕性が10倍以上向上していることがわかる。実
際、これらのサンプルを純水に浸して観察すると、Crを
添加していないサンプルでは錆の発明が見られたのに対
して、Crを添加したサンプルでは錆はほとんど発生しな
かった。
一方、第２図から明らかなように、前記Crの添加する
と、飽和磁束密度は低下する傾向にある。ただし、添加
量を10原子％程度までに抑えれば、飽和磁束密度8000ガ
ウス以上を確保することができることがわかる。
と、飽和磁束密度は低下する傾向にある。ただし、添加
量を10原子％程度までに抑えれば、飽和磁束密度8000ガ
ウス以上を確保することができることがわかる。
電気抵抗率は、第３図に示すようにCr添加によってほ
とんど変わらず、高電気抵抗が維持されている。
とんど変わらず、高電気抵抗が維持されている。
そこで次に、Crを10原子％添加したサンプルについ
て、磁気特性，特に磁化曲線（Ｂ−Ｈループ）を振動試
料型磁力計（VSM）を用いて測定した。結果を第４図に
示す。
て、磁気特性，特に磁化曲線（Ｂ−Ｈループ）を振動試
料型磁力計（VSM）を用いて測定した。結果を第４図に
示す。
このサンプルの飽和磁束密度Bsは13000ガウス，保磁
力Hcは0.2エルステッドであった。これらの値はCrを添
加していない２相アモルファス膜のそれと変わらず、Cr
を添加しても主要な軟磁気特性が劣化することはないこ
とがわかった。
力Hcは0.2エルステッドであった。これらの値はCrを添
加していない２相アモルファス膜のそれと変わらず、Cr
を添加しても主要な軟磁気特性が劣化することはないこ
とがわかった。
また、実効初透磁率を測定したところ、第５図に示す
ようにおよそ1200と高い値を示し、これは10MHzでもほ
とんど劣化せず優れた周波数特性を示すことがわかっ
た。
ようにおよそ1200と高い値を示し、これは10MHzでもほ
とんど劣化せず優れた周波数特性を示すことがわかっ
た。
なお、以上はCrについての実験結果であるが、Mo,W,T
a,Nb,V,Snについても同様の実験を行ったところ耐蝕性
改善の効果が見られ、軟磁気特性が劣化することもなか
った。
a,Nb,V,Snについても同様の実験を行ったところ耐蝕性
改善の効果が見られ、軟磁気特性が劣化することもなか
った。
以上の説明からも明らかなように、本発明において
は、２相アモルファス膜にCr,Mo,W,Ta,Nb,V,Snの少なく
とも一種を添加しているので、耐蝕性を大幅に向上する
ことができ、例えば磁気ヘッドに応用した場合に加工時
の歩留まりや加工後の信頼性を向上することができる。
また、これら元素を添加しても２相アモルファス膜の軟
磁気特性を損なうことはなく、良好な高周波特性や高飽
和磁束密度を維持することができる。
は、２相アモルファス膜にCr,Mo,W,Ta,Nb,V,Snの少なく
とも一種を添加しているので、耐蝕性を大幅に向上する
ことができ、例えば磁気ヘッドに応用した場合に加工時
の歩留まりや加工後の信頼性を向上することができる。
また、これら元素を添加しても２相アモルファス膜の軟
磁気特性を損なうことはなく、良好な高周波特性や高飽
和磁束密度を維持することができる。
したがって、高飽和磁束密度，高電気抵抗，高耐蝕性
の諸特性を併せ持ち、高周波記録等に対応し得る軟磁性
非晶質膜を提供することが可能となり、ビデオテープレ
コーダ用磁気ヘッド等においてその利用価値は極めて大
きい。
の諸特性を併せ持ち、高周波記録等に対応し得る軟磁性
非晶質膜を提供することが可能となり、ビデオテープレ
コーダ用磁気ヘッド等においてその利用価値は極めて大
きい。
第１図はCrの添加による腐食電流の変化を示す特性図で
あり、第２図はCrの添加による飽和磁束密度の変化を示
す特性図で、第３図はCrの添加による電気抵抗率の変化
を示す特性図である。 第４図はCrを添加したFe−Co−B4C系２相アモルファス
膜の磁化曲線（Ｂ−Ｈループ）を示す特性図であり、第
５図は実効初透磁率の周波数特性を示す特性図である。
あり、第２図はCrの添加による飽和磁束密度の変化を示
す特性図で、第３図はCrの添加による電気抵抗率の変化
を示す特性図である。 第４図はCrを添加したFe−Co−B4C系２相アモルファス
膜の磁化曲線（Ｂ−Ｈループ）を示す特性図であり、第
５図は実効初透磁率の周波数特性を示す特性図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01F 10/16 C22C 45/02 - 45/04
Claims (1)
- 【請求項１】（M1-mAm）xLyJz（但し、ＭはFe,Co,Niの
少なくとも１種を表し、L,JはそれぞれB,C,Siから選ば
れた互いに異なる元素を表す。また、x,y,zはそれぞれ
各元素の割合を原子％で表し、ｘ＋ｙ＋ｚ＝100,y＋ｚ
≧10,x≠0,y≠0,z≠０である。ＡはCr,Mo,W,Ta,Nb,V,Sn
の少なくとも１種を表し、0.05≦ｍ≦0.10である。）な
る組成を有し、強磁性アモルファス相と非磁性アモルフ
ァス相とが単一層内で混在する２相構造を有することを
特徴とする軟磁性非晶質膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1168813A JP2884599B2 (ja) | 1989-06-30 | 1989-06-30 | 軟磁性非晶質膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1168813A JP2884599B2 (ja) | 1989-06-30 | 1989-06-30 | 軟磁性非晶質膜 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0336244A JPH0336244A (ja) | 1991-02-15 |
| JP2884599B2 true JP2884599B2 (ja) | 1999-04-19 |
Family
ID=15874972
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1168813A Expired - Fee Related JP2884599B2 (ja) | 1989-06-30 | 1989-06-30 | 軟磁性非晶質膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2884599B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3759191B2 (ja) * | 1995-03-30 | 2006-03-22 | 株式会社東芝 | 薄膜磁気素子 |
-
1989
- 1989-06-30 JP JP1168813A patent/JP2884599B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0336244A (ja) | 1991-02-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4743491A (en) | Perpendicular magnetic recording medium and fabrication method therefor | |
| US4935314A (en) | Ferromagnetic film and magnetic head using the same | |
| KR960006055B1 (ko) | 연자성 박막 | |
| EP0238047B1 (en) | Magnetic storage medium with perpendicular anisotropy | |
| US4748000A (en) | Soft magnetic thin film | |
| US4325733A (en) | Amorphous Co-Ti alloys | |
| US6822831B2 (en) | Magnetic thin film, magnetic thin film forming method, and recording head | |
| JP2698814B2 (ja) | 軟磁性薄膜 | |
| JP2884599B2 (ja) | 軟磁性非晶質膜 | |
| JPH07116563B2 (ja) | Ｆｅ基軟磁性合金 | |
| JP2821627B2 (ja) | 軟磁性非晶質合金薄膜 | |
| JP2710440B2 (ja) | 軟磁性合金膜 | |
| JP3232592B2 (ja) | 磁気ヘッド | |
| JP3121933B2 (ja) | 軟磁性薄膜 | |
| JP2784105B2 (ja) | 軟磁性薄膜 | |
| JP2853923B2 (ja) | 軟磁性合金膜 | |
| JP2979557B2 (ja) | 軟磁性膜 | |
| JP2508462B2 (ja) | 軟磁性薄膜 | |
| JP2675178B2 (ja) | 軟磁性合金膜 | |
| JP2727274B2 (ja) | 軟磁性薄膜 | |
| JP3019400B2 (ja) | 非晶質軟磁性材料 | |
| JP3087265B2 (ja) | 磁性合金 | |
| JP3238216B2 (ja) | 軟磁性薄膜 | |
| JP2551008B2 (ja) | 軟磁性薄膜 | |
| JP2771664B2 (ja) | 軟磁性合金膜 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |