JP2698814B2 - 軟磁性薄膜 - Google Patents
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は軟磁性薄膜に関わり，例えば磁気ヘッドのコ
ア材料，特に垂直記録用ヘッドの主磁極材料等に好適な
軟磁性薄膜に関わる。
ア材料，特に垂直記録用ヘッドの主磁極材料等に好適な
軟磁性薄膜に関わる。
［従来技術］ 例えばオーディオテープレコーダやVTR（ビデオテー
プレコーダ）等の磁気記録再生装置においては，記録信
号の高密度化や高品質化等が進められており，この高記
録密度化に対応して，磁気記録媒体として磁性粉にFe,C
o,Ni等の金属あるいは合金からなる粉末を用いた，いわ
ゆるメタルテープや，強磁性金属材料を真空薄膜形成技
術によりベースフィルム上に直接被着した，いわゆる蒸
着テープ等が開発され，各分野で実用化されている。
プレコーダ）等の磁気記録再生装置においては，記録信
号の高密度化や高品質化等が進められており，この高記
録密度化に対応して，磁気記録媒体として磁性粉にFe,C
o,Ni等の金属あるいは合金からなる粉末を用いた，いわ
ゆるメタルテープや，強磁性金属材料を真空薄膜形成技
術によりベースフィルム上に直接被着した，いわゆる蒸
着テープ等が開発され，各分野で実用化されている。
ところで，このような所定の保磁力を有する磁気記録
媒体の特性を発揮せしめるためには，磁気ヘッドのコア
材料の特性としては，保磁力が小さく，高い飽和磁束密
度を有するとともに，高透磁率を併せて有することが要
求される。また今後実用化が期待される垂直記録用磁気
ヘッドにあっては，さらに高い飽和磁束密度を有する材
料を主磁極に用いることが必要になる。ところが，従来
磁気ヘッドのコア材料としして多用されているフェライ
ト材では飽和磁束密度が低く，また，パーマロイでは耐
摩耗性に問題がある。
媒体の特性を発揮せしめるためには，磁気ヘッドのコア
材料の特性としては，保磁力が小さく，高い飽和磁束密
度を有するとともに，高透磁率を併せて有することが要
求される。また今後実用化が期待される垂直記録用磁気
ヘッドにあっては，さらに高い飽和磁束密度を有する材
料を主磁極に用いることが必要になる。ところが，従来
磁気ヘッドのコア材料としして多用されているフェライ
ト材では飽和磁束密度が低く，また，パーマロイでは耐
摩耗性に問題がある。
［発明が解決しようとする課題］ 従来，かかる諸要求を満たすコア材料として,Fe−Al
−Si系合金からなるセンダスト合金が好適であると考え
られている。センダスト合金は高透磁率で保磁力が小さ
いという軟磁気特性に優れており，この優れた軟磁気特
性を維持するためには飽和磁歪λfと結晶磁気異方性K1
とを共に零付近とすることが望ましく，磁気ヘッドに使
用可能な軟磁性材料としての組成はこれら両者の値を考
慮して定められる。材料組成が定まると，飽和磁束密度
もこの組成に依存して決まり，センダスト合金の場合,1
0〜11kガウスが限界であり必ずしも十分とはいえない。
−Si系合金からなるセンダスト合金が好適であると考え
られている。センダスト合金は高透磁率で保磁力が小さ
いという軟磁気特性に優れており，この優れた軟磁気特
性を維持するためには飽和磁歪λfと結晶磁気異方性K1
とを共に零付近とすることが望ましく，磁気ヘッドに使
用可能な軟磁性材料としての組成はこれら両者の値を考
慮して定められる。材料組成が定まると，飽和磁束密度
もこの組成に依存して決まり，センダスト合金の場合,1
0〜11kガウスが限界であり必ずしも十分とはいえない。
そのため，上記センダスト合金にかわり，高周波数領
域での透磁率の低下が少なく高い飽和磁束密度を有する
Co系非晶質磁性合金材料（いわゆるアモルファス磁性合
金材料）も開発されているが，この非晶質磁性合金材料
でも飽和磁束密度は14kガウス程度であり，これでも十
分とはいえない。
域での透磁率の低下が少なく高い飽和磁束密度を有する
Co系非晶質磁性合金材料（いわゆるアモルファス磁性合
金材料）も開発されているが，この非晶質磁性合金材料
でも飽和磁束密度は14kガウス程度であり，これでも十
分とはいえない。
さらに最近では,Fe系結晶膜のスパッタ膜等が［110］
方向に配向しやすいことを利用して［110］方向の膜の
飽和磁歪λfをゼロ近くにした［110］配向膜が提案され
ている。これによると20kガウス程度の飽和磁束密度を
実現することも可能であるが，この膜の場合保磁力が小
さくなければならないという軟磁気特性においては実用
的レベルに達していない。
方向に配向しやすいことを利用して［110］方向の膜の
飽和磁歪λfをゼロ近くにした［110］配向膜が提案され
ている。これによると20kガウス程度の飽和磁束密度を
実現することも可能であるが，この膜の場合保磁力が小
さくなければならないという軟磁気特性においては実用
的レベルに達していない。
本発明は，保磁力が小であり高透磁率であるという優
れた軟磁気特性と高い飽和磁束密度とを有する，新規な
軟磁性薄膜を提供することを目的とする。
れた軟磁気特性と高い飽和磁束密度とを有する，新規な
軟磁性薄膜を提供することを目的とする。
［課題を解決するための手段］ 本発明の目的は,Feを主成分とし，体心立方晶系結晶
構造（bcc構造）を備え，実質的に［111］方向に配向
し，且つ膜の飽和磁歪λfの絶対値が５×10-6以下で、
保磁力が1.5Oe以下で、飽和磁束密度が18kGを越えるこ
とを特徴とする軟磁性薄膜により達成される。膜の飽和
磁歪λfの絶対値が略５×10-6以上となると保磁力が上
昇し，本発明の目的である良好な軟磁性が維持できない
ので本発明の範囲から外れることとなる。
構造（bcc構造）を備え，実質的に［111］方向に配向
し，且つ膜の飽和磁歪λfの絶対値が５×10-6以下で、
保磁力が1.5Oe以下で、飽和磁束密度が18kGを越えるこ
とを特徴とする軟磁性薄膜により達成される。膜の飽和
磁歪λfの絶対値が略５×10-6以上となると保磁力が上
昇し，本発明の目的である良好な軟磁性が維持できない
ので本発明の範囲から外れることとなる。
好ましくは前記薄膜はCo及びNiの１種以上を合計で１
原子％以上15原子％以下含有する。まか耐摩耗性を向上
させる目的で前記薄膜はRu,Mn,Cr,Vより選ばれる少なく
とも一種の元素を合計で0.2原子％以上20原子％以下含
有することもできる。
原子％以上15原子％以下含有する。まか耐摩耗性を向上
させる目的で前記薄膜はRu,Mn,Cr,Vより選ばれる少なく
とも一種の元素を合計で0.2原子％以上20原子％以下含
有することもできる。
前記軟磁性薄膜は、好ましくは保磁力が1Oe以下であ
り、また、好ましくは300〜500℃の基板に成膜して得ら
れたものにする。
り、また、好ましくは300〜500℃の基板に成膜して得ら
れたものにする。
［作用］ 本発明に係る軟磁性薄膜は，立方晶の｛111｝面に配
向する薄膜によって実質的に構成される為，面内におけ
る磁気モーメントの回転が結晶磁気異方性K1に束縛され
ない。従って良好な軟磁性を得るにあたってもK1をゼロ
にする必要がないので，膜の組成は，膜の飽和磁歪λf
のみを考慮して決定することができる。尚このように
［111］配向した膜の飽和磁歪λfは［100］方向の単結
晶の磁歪定数をλ100，［111］方向のそれをλ111とす
ると， λf＝1/3λ100＋2/3λ111 となる。
向する薄膜によって実質的に構成される為，面内におけ
る磁気モーメントの回転が結晶磁気異方性K1に束縛され
ない。従って良好な軟磁性を得るにあたってもK1をゼロ
にする必要がないので，膜の組成は，膜の飽和磁歪λf
のみを考慮して決定することができる。尚このように
［111］配向した膜の飽和磁歪λfは［100］方向の単結
晶の磁歪定数をλ100，［111］方向のそれをλ111とす
ると， λf＝1/3λ100＋2/3λ111 となる。
［好適な実施の態様］ ［111］配向した純Fe膜の飽和磁歪は−７×10-6程度
であり，この値は軟磁性薄膜の飽和磁歪としては大きす
ぎるが，他の元素を添加することによりゼロに近づける
ことができる。例えばCo又はNiを合計で１〜15原子％添
加することにより膜の飽和磁歪の絶対値｜λf｜をゼロ
に近づけることができる。なお,Co,Ni以外にも例えばSi
を約10原子％添加することによっても｜λf｜をゼロに
近づけることができ，この場合もすぐれた軟磁性を示
す。添加元素としてCo,Niが特に優れている理由は飽和
磁束密度の低下をまねくことなくλfを調節できるとこ
ろにある。
であり，この値は軟磁性薄膜の飽和磁歪としては大きす
ぎるが，他の元素を添加することによりゼロに近づける
ことができる。例えばCo又はNiを合計で１〜15原子％添
加することにより膜の飽和磁歪の絶対値｜λf｜をゼロ
に近づけることができる。なお,Co,Ni以外にも例えばSi
を約10原子％添加することによっても｜λf｜をゼロに
近づけることができ，この場合もすぐれた軟磁性を示
す。添加元素としてCo,Niが特に優れている理由は飽和
磁束密度の低下をまねくことなくλfを調節できるとこ
ろにある。
耐摩耗性が要求される用途に用いる場合は,Ru,Mn,Cr,
Vより選ばれる少なくとも１種以上の元素を添加するこ
とができる。Ru,Mn,Cr,Vより選ばれる少なくとも１種以
上の元素を合計で0.2原子％以上添加することにより耐
摩耗性の向上が計られる。しかしRu,Mn,Cr,Vより選ばれ
る少なくとも１種以上の元素を合計で20原子％を越えて
添加すると飽和磁束密度の低下をまねき本発明の目的に
反する。更にこれらとCo,Niの１種以上との合計も同様
の観点から全組成中20原子％以下に抑えることが望まし
い。
Vより選ばれる少なくとも１種以上の元素を添加するこ
とができる。Ru,Mn,Cr,Vより選ばれる少なくとも１種以
上の元素を合計で0.2原子％以上添加することにより耐
摩耗性の向上が計られる。しかしRu,Mn,Cr,Vより選ばれ
る少なくとも１種以上の元素を合計で20原子％を越えて
添加すると飽和磁束密度の低下をまねき本発明の目的に
反する。更にこれらとCo,Niの１種以上との合計も同様
の観点から全組成中20原子％以下に抑えることが望まし
い。
本発明に係る軟磁性薄膜は，立方晶の｛111｝面に配
向して形成された薄膜であってかつ膜の磁歪λfが｜λf
｜≦５×10-6であることによって本発明の目的が達成さ
れるものである。従っていずれの元素を添加する場合で
あっても上記の条件を満足する必要があり，逆にこの条
件を満足するならば，例えば耐食性を向上させる目的
で,Pt,Rh,Ir,Os等を飽和磁束密度のいちじるしい低下を
まねかない範囲で添加することもできる。
向して形成された薄膜であってかつ膜の磁歪λfが｜λf
｜≦５×10-6であることによって本発明の目的が達成さ
れるものである。従っていずれの元素を添加する場合で
あっても上記の条件を満足する必要があり，逆にこの条
件を満足するならば，例えば耐食性を向上させる目的
で,Pt,Rh,Ir,Os等を飽和磁束密度のいちじるしい低下を
まねかない範囲で添加することもできる。
本発明の下記実施例ではGaAs基板を用いたが，勿論こ
の基板材料としては薄膜が［111］方向に配向可能であ
れば足り,GaAs基板に限定されるものではなく，例えばG
e基板を用いても同様な結果が得られる。
の基板材料としては薄膜が［111］方向に配向可能であ
れば足り,GaAs基板に限定されるものではなく，例えばG
e基板を用いても同様な結果が得られる。
この他Ni,Mn,Ge等の六方晶B8構造を有する材料のＣ面
は,Fe基bcc結晶の｛111｝面と格子整合性が良好なもの
が多いので，このNi,Mn,Ge等の材料は本発明に係る薄膜
の下地材として適している。
は,Fe基bcc結晶の｛111｝面と格子整合性が良好なもの
が多いので，このNi,Mn,Ge等の材料は本発明に係る薄膜
の下地材として適している。
また製膜方法も勿論RFスパッタ法に限定されるもので
はなく，例えば,MBE法（分子線エピタキシャル法），イ
オンビームスパッタ法等を使用することもできる。
はなく，例えば,MBE法（分子線エピタキシャル法），イ
オンビームスパッタ法等を使用することもできる。
成膜時の基板温度としては300〜500℃の範囲が好まし
く，特に好ましいのは約350℃である。この温度が低す
ぎると所要の配向が得られず，低い基板温度の時は得ら
れる膜が［110］方向に配向する傾向が強い。
く，特に好ましいのは約350℃である。この温度が低す
ぎると所要の配向が得られず，低い基板温度の時は得ら
れる膜が［110］方向に配向する傾向が強い。
［実施例］ 次に本発明に係る薄膜について行なった実験について
述べる。
述べる。
実施例１ Fe−Co合金（Co0〜16at％）ターゲットを用いArによ
るRFスパッタ法によりGaAs基板上に薄膜を得た。この薄
膜のCo含有量はターゲット組成を変えることによって変
化させた。GaAs基板としては｛111｝面が鏡面に研摩さ
れたものを用い，スパッタの条件としては，陰極電力が
60W,ターゲットの直径が４吋（100mm），ガス圧が0.6P
a,基板温度が350℃であり，基板と平行に約600eの磁界
を印加することとした。この条件のもとでスパッタを３
時間行ない，これにより実用上十分な厚みである約0.2
μｍ厚の膜を得ることができた。この成膜に先だってGa
As基板としてはArイオンのイオンボンバードメントによ
り十分な清浄化を行ったものを使用した。得られた膜は
いずれも［111］方向に配向しており，これらの膜の飽
和磁歪λf及び保磁力Hcを縦軸にとり、横軸にとったタ
ーゲットのCo含有量（at％）に対してプロットしたもの
を第１図に示す。膜の飽和磁歪λfは膜面と平行に各方
向について測定をしたが，面内にも若干の異方性が観測
されている。保磁力Hcは困難軸方向で測定をしたもので
ある。なお飽和磁束密度は測定方向に依存しない。第１
図に見る如く，飽和磁歪λfの絶対値が｜λf｜≦５×10
-6のときに，保磁力HcがHc≦10eであるという良好な軟
磁性膜が得られている。なお，これらの膜の厚みが0.2
μｍと小さく膜厚の測定に少なからぬ誤差をともなうも
のであるため飽和磁束密度の値について正確な決定を行
なうことはできなかったが，測定値から計算した限りで
はこの飽和磁束密度は18kGを越える良好なものであっ
た。特にCo約5at％にて｜λf｜＝0,Hc＝0.30eといずれ
も最小を示すことは特筆に値する。
るRFスパッタ法によりGaAs基板上に薄膜を得た。この薄
膜のCo含有量はターゲット組成を変えることによって変
化させた。GaAs基板としては｛111｝面が鏡面に研摩さ
れたものを用い，スパッタの条件としては，陰極電力が
60W,ターゲットの直径が４吋（100mm），ガス圧が0.6P
a,基板温度が350℃であり，基板と平行に約600eの磁界
を印加することとした。この条件のもとでスパッタを３
時間行ない，これにより実用上十分な厚みである約0.2
μｍ厚の膜を得ることができた。この成膜に先だってGa
As基板としてはArイオンのイオンボンバードメントによ
り十分な清浄化を行ったものを使用した。得られた膜は
いずれも［111］方向に配向しており，これらの膜の飽
和磁歪λf及び保磁力Hcを縦軸にとり、横軸にとったタ
ーゲットのCo含有量（at％）に対してプロットしたもの
を第１図に示す。膜の飽和磁歪λfは膜面と平行に各方
向について測定をしたが，面内にも若干の異方性が観測
されている。保磁力Hcは困難軸方向で測定をしたもので
ある。なお飽和磁束密度は測定方向に依存しない。第１
図に見る如く，飽和磁歪λfの絶対値が｜λf｜≦５×10
-6のときに，保磁力HcがHc≦10eであるという良好な軟
磁性膜が得られている。なお，これらの膜の厚みが0.2
μｍと小さく膜厚の測定に少なからぬ誤差をともなうも
のであるため飽和磁束密度の値について正確な決定を行
なうことはできなかったが，測定値から計算した限りで
はこの飽和磁束密度は18kGを越える良好なものであっ
た。特にCo約5at％にて｜λf｜＝0,Hc＝0.30eといずれ
も最小を示すことは特筆に値する。
実施例２ Fe90Co5Ru5（原子比）からなるターゲットを用いて実
施例１と同様なRFスパッタリングを行い，これにより得
た薄膜の飽和磁束密度を測定したところ18kG以上であ
り，更にその保磁力Hcは0.50e以下という良好な軟磁性
を示すものであった。このRu添加合金の耐摩耗性を評価
するため,Coの含有量が一定でFe,Ruの含有量が夫々異な
る合金，Fe95Co5，Fe90Co5Ru5，Fe85Co5Ru10，Fe80Co5R
u15の４種類の合金を用意し，このバルク材を用いてダ
ミーヘッドを作りメタルフロッピー（フジックスFIJIXV
F−HR）上において摺動テストを行なった。1000時間の
摺動テストの後摩耗した体積を求めてFe95Co5よりなる
ダミーヘッドの摩耗量を１としたときの相対摩耗量を各
合金毎に表したものを第２図に示す。この図よりRuの添
加にともなって著しく耐摩耗性が向上していることがわ
かる。尚Ru添加によっても前述の良好な軟磁性材料とし
ての特性が維持できることは別に確認されている。
施例１と同様なRFスパッタリングを行い，これにより得
た薄膜の飽和磁束密度を測定したところ18kG以上であ
り，更にその保磁力Hcは0.50e以下という良好な軟磁性
を示すものであった。このRu添加合金の耐摩耗性を評価
するため,Coの含有量が一定でFe,Ruの含有量が夫々異な
る合金，Fe95Co5，Fe90Co5Ru5，Fe85Co5Ru10，Fe80Co5R
u15の４種類の合金を用意し，このバルク材を用いてダ
ミーヘッドを作りメタルフロッピー（フジックスFIJIXV
F−HR）上において摺動テストを行なった。1000時間の
摺動テストの後摩耗した体積を求めてFe95Co5よりなる
ダミーヘッドの摩耗量を１としたときの相対摩耗量を各
合金毎に表したものを第２図に示す。この図よりRuの添
加にともなって著しく耐摩耗性が向上していることがわ
かる。尚Ru添加によっても前述の良好な軟磁性材料とし
ての特性が維持できることは別に確認されている。
比較例 本発明に係る薄膜材料との比較のために，公知例の軟
磁性材料であるFe98Si2からなるターゲットを用いるこ
と及びGaAsの｛110｝面からなる基板を用いること以外
は実施例１と同様な方法で成膜した比較例の薄膜を製作
して軟磁性に関する同様な測定を行った。測定の結果，
この比較例の膜は［110］方向に配向しており，膜の飽
和磁束密度は18kG以上，飽和磁歪λfはほぼ０ではあっ
たが，保磁力Hcが2.5Oeと大きく，本発明に係る薄膜と
比較をすると保磁力において劣っていることが確認され
た。なお上記のいずれの実験においても得られた薄膜の
組成はターゲットの組成と同じものであるとしたが，こ
のようにしても殆んど実質的な誤差は生じない。
磁性材料であるFe98Si2からなるターゲットを用いるこ
と及びGaAsの｛110｝面からなる基板を用いること以外
は実施例１と同様な方法で成膜した比較例の薄膜を製作
して軟磁性に関する同様な測定を行った。測定の結果，
この比較例の膜は［110］方向に配向しており，膜の飽
和磁束密度は18kG以上，飽和磁歪λfはほぼ０ではあっ
たが，保磁力Hcが2.5Oeと大きく，本発明に係る薄膜と
比較をすると保磁力において劣っていることが確認され
た。なお上記のいずれの実験においても得られた薄膜の
組成はターゲットの組成と同じものであるとしたが，こ
のようにしても殆んど実質的な誤差は生じない。
［発明の効果］ 本発明に係る軟磁性薄膜をFeを主成分とし，体心立法
晶系の結晶構造を備え，実質的に［111］方向に配向
し，且つ膜の飽和磁歪λfの絶対値が５×10-6以下で、
保磁力が1.5Oe以下で、飽和磁束密度が18kGを越えるも
のにすることによって，保磁力が小であり，高透率とい
う良好な軟磁性を有すると共に高飽和磁束密度をも併せ
て有する軟磁性薄膜を提供できることとなった。この薄
膜は特に高飽和磁束密度であるという顕著な特性を有す
るものであり，例えば高飽和磁束密度を要求される垂直
磁化記録媒体用の書込／読出ヘッドのコアとして用いた
場合には，この優れた特性を発揮させることができる。
晶系の結晶構造を備え，実質的に［111］方向に配向
し，且つ膜の飽和磁歪λfの絶対値が５×10-6以下で、
保磁力が1.5Oe以下で、飽和磁束密度が18kGを越えるも
のにすることによって，保磁力が小であり，高透率とい
う良好な軟磁性を有すると共に高飽和磁束密度をも併せ
て有する軟磁性薄膜を提供できることとなった。この薄
膜は特に高飽和磁束密度であるという顕著な特性を有す
るものであり，例えば高飽和磁束密度を要求される垂直
磁化記録媒体用の書込／読出ヘッドのコアとして用いた
場合には，この優れた特性を発揮させることができる。
この薄膜は，上記特性を維持させながらCo及びNiの一
種以上を１原子％以上15原子％以下含有させることがで
きる。この添加により，高飽和磁束密度を維持しつつ膜
の飽和磁歪を調節することができる。
種以上を１原子％以上15原子％以下含有させることがで
きる。この添加により，高飽和磁束密度を維持しつつ膜
の飽和磁歪を調節することができる。
前記薄膜は,Ru,Mn,Cr,Vより選ばれる少くとも一種の
元素を合計で0.2原子％以上20原子％以下含有すること
により耐摩耗性が向上するので，磁気ヘッドのコア部に
応用した場合，長時間の稼動に耐える耐摩耗性の良好な
薄膜磁気ヘッドとすることができる。
元素を合計で0.2原子％以上20原子％以下含有すること
により耐摩耗性が向上するので，磁気ヘッドのコア部に
応用した場合，長時間の稼動に耐える耐摩耗性の良好な
薄膜磁気ヘッドとすることができる。
第１図は［111］方向に配向した本発明の一実施例に係
るFe−Co合金薄膜の飽和磁歪及びHcのCo含有量依存性を
示すグラフを， 第２図は，本発明に係る薄膜のRu添加量と摩耗量との関
係を示すグラフを， 夫々表わす。
るFe−Co合金薄膜の飽和磁歪及びHcのCo含有量依存性を
示すグラフを， 第２図は，本発明に係る薄膜のRu添加量と摩耗量との関
係を示すグラフを， 夫々表わす。
Claims (5)
- 【請求項１】Feを主成分とし、体心立方晶系の結晶構造
を備え、実質的に［111］方向に配向し、且つ膜の飽和
磁歪λfの絶対値が５×10-6以下で、保磁力が1.5Oe以下
で、飽和磁束密度が18kGを越えることを特徴とする軟磁
性薄膜。 - 【請求項２】Co及びNiの１種以上を合計で１原子％以上
15原子％以下含有することを特徴とする請求項１記載の
軟磁性薄膜。 - 【請求項３】Ru,Mn,Cr,Vより選ばれる少くとも一種の元
素を合計で0.2原子％以上20原子％以下含有することを
特徴とする請求項１又は２に記載の軟磁性薄膜。 - 【請求項４】）保磁力が1Oe以下であることを特徴とす
る請求項１〜３のいずれかに記載の軟磁性薄膜。 - 【請求項５】300〜500℃の基板に成膜して得られたこと
を特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の軟磁性薄
膜。
Priority Applications (2)
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|---|---|---|---|
| JP1178924A JP2698814B2 (ja) | 1989-07-10 | 1989-07-10 | 軟磁性薄膜 |
| US07/549,996 US5114800A (en) | 1989-07-10 | 1990-07-09 | Soft magnetic thin film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1178924A JP2698814B2 (ja) | 1989-07-10 | 1989-07-10 | 軟磁性薄膜 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0342806A JPH0342806A (ja) | 1991-02-25 |
| JP2698814B2 true JP2698814B2 (ja) | 1998-01-19 |
Family
ID=16057027
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1178924A Expired - Lifetime JP2698814B2 (ja) | 1989-07-10 | 1989-07-10 | 軟磁性薄膜 |
Country Status (2)
| Country | Link |
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| JP (1) | JP2698814B2 (ja) |
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| JPS60251682A (ja) * | 1984-05-29 | 1985-12-12 | Hitachi Ltd | 磁気抵抗効果型素子 |
| JPH0772928B2 (ja) * | 1985-03-29 | 1995-08-02 | 株式会社日立製作所 | 磁気ヘッド |
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| CA1338255C (en) * | 1987-06-30 | 1996-04-23 | Kazuhiko Hayashi | Soft magnetic thin film |
| JPH01132109A (ja) * | 1987-11-18 | 1989-05-24 | Hitachi Ltd | 強磁性薄膜およびこれを用いた磁気ヘッド |
-
1989
- 1989-07-10 JP JP1178924A patent/JP2698814B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1990
- 1990-07-09 US US07/549,996 patent/US5114800A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0342806A (ja) | 1991-02-25 |
| US5114800A (en) | 1992-05-19 |
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