JPS5949299B2 - 非晶質磁性合金 - Google Patents
非晶質磁性合金Info
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- JPS5949299B2 JPS5949299B2 JP52109746A JP10974677A JPS5949299B2 JP S5949299 B2 JPS5949299 B2 JP S5949299B2 JP 52109746 A JP52109746 A JP 52109746A JP 10974677 A JP10974677 A JP 10974677A JP S5949299 B2 JPS5949299 B2 JP S5949299B2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F1/00—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties
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-
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- C22C—ALLOYS
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、特に磁気ヘッド材料として好適な非晶質磁性
合金に関するものである。
合金に関するものである。
従来から知られている高透磁率材としては、多結晶質の
Ｆｅ−Ｎｉ系合金、Ｆｅ−Ａｔ−Ｓｉ系合金等、及び単
結晶又は多結晶フェライトがある。
Ｆｅ−Ｎｉ系合金、Ｆｅ−Ａｔ−Ｓｉ系合金等、及び単
結晶又は多結晶フェライトがある。
しかしながら、これらの材料を磁気ヘッド材とし’ て
みた場合、Ｆｅ−Ｎｉ系合金（パーマロイ系）は、磁束
密度が高々８０００Ｇａｕｓｓしかない上に、耐摩耗性
に乏しく、また高周波域での透磁率の減少が著しい。こ
の点、Ｆｅ−Ａｔ−Ｓｉ系（センタスト）は、磁束密度
が１００００Ｇａｕｓｓ程度あり、耐摩耗性も良好であ
るが、塑性加工が全くできない。またフエライトは、磁
束密度が高々４５００ＧａＵ８８程度であり、その磁気
的相互作用の性質上、これ以上高い磁束密度は望めない
。このように、従来の諸材料は各々一長一短の性質を持
ち、今後予想される高密度記録化、高品質記録化に対処
できるヘツド材料としては無理である。
みた場合、Ｆｅ−Ｎｉ系合金（パーマロイ系）は、磁束
密度が高々８０００Ｇａｕｓｓしかない上に、耐摩耗性
に乏しく、また高周波域での透磁率の減少が著しい。こ
の点、Ｆｅ−Ａｔ−Ｓｉ系（センタスト）は、磁束密度
が１００００Ｇａｕｓｓ程度あり、耐摩耗性も良好であ
るが、塑性加工が全くできない。またフエライトは、磁
束密度が高々４５００ＧａＵ８８程度であり、その磁気
的相互作用の性質上、これ以上高い磁束密度は望めない
。このように、従来の諸材料は各々一長一短の性質を持
ち、今後予想される高密度記録化、高品質記録化に対処
できるヘツド材料としては無理である。
一般に非晶質（アモルフアス）金属は、各構成原子が格
子を組んでいないと考えられるので、結晶磁気異方性は
ない。
子を組んでいないと考えられるので、結晶磁気異方性は
ない。
この点では、磁気的にソフトな（即ち小さな抗磁力と大
きな透磁率を持つ）材料と期待される。ところが、例え
ばＦｅのみを金属元素として含むか、或いは主成分がＦ
ｅであ）かつ残部がＣＯ及び／又はＮｉである金属成分
を含むアモルフアス材は、磁歪定数λが極めて大きく、
μαル（σ：内的及び外的応力の大きさ）の関係から初
透磁率が小さいという欠点がある。これらの材料は一般
に結晶化温度以下の適当な温度で焼鈍すると、透磁率が
大きく増大する。しかし実際に磁気ヘツド材料として用
いる時には、ヘツドチツプを樹脂モールドして固定しな
ければならない。この時、樹脂硬化に伴つてチツプには
大きな張力が働く。この張力は磁歪定数と結合して、新
たに誘導磁気異方性を生じ、このために材料の透磁率は
再び減少し、ヘツド出力の低下を招いてしまうっこれは
、Ｆｅを主成分とするアモルフアス金属の磁歪定数が大
きいことが原因であると考えられるので、加工等による
磁気特性の劣化のないヘツド材を得るには、磁歪定数は
できるだけ小さくなければならない。本発明は、上述し
た従来の高透磁率材の有する諸欠点を持たず、しかも透
磁率の耐加工性、耐樹脂モールド性に優れた新規な非晶
質磁性合金の提供を目的としたものであつて、その第１
発明は、Ｒｕ２〜２０ａｔ９６と、Ｐ，．Ｃ，．Ｓｉ．
Ｂ及びＧｅからなる群よシ選ばれた少なくとも１種の非
晶質形成元素（但し、Ｓ１とＣ．ＳｌとＧｅ，ＧｅとＣ
の組合せは除く）１０〜３０ａｔ％とを夫々含有し、残
部がＦｅよりなる非晶質磁性合金、又その第２発明は、
上記第１発明の構成において、ＭＯ，．Ｍｎ、ｖ及びＣ
ｒからなる群よシ選ばれた少なくとも１種の元素３ａｔ
％以下ではＲｕの一部を置換した非晶質磁性合金、その
第３及び第４発明は、上記第１及び第２発明の構成にお
いて、更にＣＯ又はＮｉの１種又は２種を１５ａｔ９６
以下含有せしめた非晶質磁性合金に夫々係るものである
。
きな透磁率を持つ）材料と期待される。ところが、例え
ばＦｅのみを金属元素として含むか、或いは主成分がＦ
ｅであ）かつ残部がＣＯ及び／又はＮｉである金属成分
を含むアモルフアス材は、磁歪定数λが極めて大きく、
μαル（σ：内的及び外的応力の大きさ）の関係から初
透磁率が小さいという欠点がある。これらの材料は一般
に結晶化温度以下の適当な温度で焼鈍すると、透磁率が
大きく増大する。しかし実際に磁気ヘツド材料として用
いる時には、ヘツドチツプを樹脂モールドして固定しな
ければならない。この時、樹脂硬化に伴つてチツプには
大きな張力が働く。この張力は磁歪定数と結合して、新
たに誘導磁気異方性を生じ、このために材料の透磁率は
再び減少し、ヘツド出力の低下を招いてしまうっこれは
、Ｆｅを主成分とするアモルフアス金属の磁歪定数が大
きいことが原因であると考えられるので、加工等による
磁気特性の劣化のないヘツド材を得るには、磁歪定数は
できるだけ小さくなければならない。本発明は、上述し
た従来の高透磁率材の有する諸欠点を持たず、しかも透
磁率の耐加工性、耐樹脂モールド性に優れた新規な非晶
質磁性合金の提供を目的としたものであつて、その第１
発明は、Ｒｕ２〜２０ａｔ９６と、Ｐ，．Ｃ，．Ｓｉ．
Ｂ及びＧｅからなる群よシ選ばれた少なくとも１種の非
晶質形成元素（但し、Ｓ１とＣ．ＳｌとＧｅ，ＧｅとＣ
の組合せは除く）１０〜３０ａｔ％とを夫々含有し、残
部がＦｅよりなる非晶質磁性合金、又その第２発明は、
上記第１発明の構成において、ＭＯ，．Ｍｎ、ｖ及びＣ
ｒからなる群よシ選ばれた少なくとも１種の元素３ａｔ
％以下ではＲｕの一部を置換した非晶質磁性合金、その
第３及び第４発明は、上記第１及び第２発明の構成にお
いて、更にＣＯ又はＮｉの１種又は２種を１５ａｔ９６
以下含有せしめた非晶質磁性合金に夫々係るものである
。
なおここで「Ａｔ％」とは、原子％（原子数の百分率）
を表わす。本発明によれば、上述の非晶質形成元素と、
残部が主としてＦｅからなるアモルフアス金属材におい
て、Ｒｕを上記範囲で添加することによう、磁歪定数が
著しく減少することが新規に知見されたのである。
を表わす。本発明によれば、上述の非晶質形成元素と、
残部が主としてＦｅからなるアモルフアス金属材におい
て、Ｒｕを上記範囲で添加することによう、磁歪定数が
著しく減少することが新規に知見されたのである。
次に本発明による磁性合金の各成分の割合を上記の如く
に限定した理由について述ぺる。
に限定した理由について述ぺる。
まずＲｕを２〜２０ａｔ％としたのは、２０ａｔｑ６を
超えると室温で強磁性を示さない（即ち磁気キユリ一点
が室温以下になる）か又は室温での磁束密度が著しく減
少してしまうためであう、また２ａｔ％未満では顕著な
磁歪定数の減少効果を示さないからである。また、非晶
質形成元素の割合る１０〜３０ａｔ％としたのは、この
範囲外ではアモルフアス状態の実現が困難な為である。
非晶質形成元素のよジ好ましい範囲は１５〜２８ａｔ％
である。なお、本発明による磁性合金においては、上述
のＲｕの一部分をＭＯ，．Ｍｎ，．Ｖ，．Ａｔ，．Ｃｒ
等で置換し、これらの置換元素（但、Ａｔを除く。）と
Ｒｕとの合計量を２〜２０ａｔ％としてもよい。即ち上
記の各置換元素も磁歪定数を顕著に減少させる効果を有
する。特にＡｔは更に磁気キユリ一点を高め、磁束密度
の減少を僅かにする効果を有するからである。このＡｔ
の含有量はアモルフアス全体に対して０．１〜１５ａｔ
９６であるのが望ましいが、１５ａｔ％を越えるとアモ
ルフアス状態の実現が困難になり、０．１ａｔ９６未満
では上記効果に乏しくなるからである。次に、上述の非
晶質形成元素としてのＰ，Ｏ，Ｓｉ．Ｂ及びＧｅをＰＵ
ＣＷＳＩＸＢＹＧ臣（但し、Ｕ＋Ｗ＋Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＝１）
で表わした時、Ｕ≦１、ｗ≦０．７、Ｘ≦０．７、Ｙ≦
１、ｚ≦０．７となるような範囲で選ぶのが良い。
超えると室温で強磁性を示さない（即ち磁気キユリ一点
が室温以下になる）か又は室温での磁束密度が著しく減
少してしまうためであう、また２ａｔ％未満では顕著な
磁歪定数の減少効果を示さないからである。また、非晶
質形成元素の割合る１０〜３０ａｔ％としたのは、この
範囲外ではアモルフアス状態の実現が困難な為である。
非晶質形成元素のよジ好ましい範囲は１５〜２８ａｔ％
である。なお、本発明による磁性合金においては、上述
のＲｕの一部分をＭＯ，．Ｍｎ，．Ｖ，．Ａｔ，．Ｃｒ
等で置換し、これらの置換元素（但、Ａｔを除く。）と
Ｒｕとの合計量を２〜２０ａｔ％としてもよい。即ち上
記の各置換元素も磁歪定数を顕著に減少させる効果を有
する。特にＡｔは更に磁気キユリ一点を高め、磁束密度
の減少を僅かにする効果を有するからである。このＡｔ
の含有量はアモルフアス全体に対して０．１〜１５ａｔ
９６であるのが望ましいが、１５ａｔ％を越えるとアモ
ルフアス状態の実現が困難になり、０．１ａｔ９６未満
では上記効果に乏しくなるからである。次に、上述の非
晶質形成元素としてのＰ，Ｏ，Ｓｉ．Ｂ及びＧｅをＰＵ
ＣＷＳＩＸＢＹＧ臣（但し、Ｕ＋Ｗ＋Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＝１）
で表わした時、Ｕ≦１、ｗ≦０．７、Ｘ≦０．７、Ｙ≦
１、ｚ≦０．７となるような範囲で選ぶのが良い。
このように構成したアモルフアス金属磁性材料は、ビツ
カース硬度が８５０〜９５０又はそれ以上と高く、固有
抵抗が１３０〜１６０μΩ−？と高い値を持つており、
更にまた靭性に優れ、加工が容易である。なお、上述の
非晶質形成元素のうちＢ，又はＳｉとＢの組合せが好ま
しいが、ＳｉとＣ，ＳｉとＧｅ，又はＧｅとＣの組合せ
で使用する場合には非晶質化の点で望ましくないように
思われる。また本発明による磁性合金において、Ｆｅよ
りなる残部は７０〜９０ａｔ（！Ｉであるのがよいが、
本発明の第３及び第４発明のようにＦｅの一部分を１５
ａｔ％以下のＣＯ及び／又はＮｉ等の強磁性３ｄ遷移金
属で置換してもよい。
カース硬度が８５０〜９５０又はそれ以上と高く、固有
抵抗が１３０〜１６０μΩ−？と高い値を持つており、
更にまた靭性に優れ、加工が容易である。なお、上述の
非晶質形成元素のうちＢ，又はＳｉとＢの組合せが好ま
しいが、ＳｉとＣ，ＳｉとＧｅ，又はＧｅとＣの組合せ
で使用する場合には非晶質化の点で望ましくないように
思われる。また本発明による磁性合金において、Ｆｅよ
りなる残部は７０〜９０ａｔ（！Ｉであるのがよいが、
本発明の第３及び第４発明のようにＦｅの一部分を１５
ａｔ％以下のＣＯ及び／又はＮｉ等の強磁性３ｄ遷移金
属で置換してもよい。
以下に、比較例を参照しながら本発明を実施例に基いて
更に詳細に説明する。
更に詳細に説明する。
まずアモルフアス材の製造方法を説明すると、その実施
に際しては本出願人が特願昭５２一２２９３６号及び２
２９３７号として既に提案した両ロール法を採用した。
に際しては本出願人が特願昭５２一２２９３６号及び２
２９３７号として既に提案した両ロール法を採用した。
この両ロール法に使用する圧延急冷装置は、例えば、圧
延急冷用の一対のロールと、これらロールの少なくとも
一方に近接して配置された回転体とを夫々具備し、前記
一対のロール間から出た圧延体が前記回転体の周面に接
触しながら導びかれ、この間に前記圧延体が冷却される
ように構成した圧延急冷装置であつた。この装置によつ
て、両ロール間を出た圧延体は上記回転体によつて更に
冷却案内されながら取出されるから、冷却速度が大きく
なり、強靭で真直ぐな非晶質合金箔を安定して製造でき
た。なお上述の両ロールの周速度を互いに異ならせるよ
うにすれば、ロール間を出た圧延体は周速度の小さい一
方のロールの周面に引寄せられ、この周面に密着しなが
ら導びかれるから、冷却速度をかせぐことができ、やは
ジ強靭な非晶質合金箔を得ることができた。この両ロー
ル法によつて、合金材料を溶融状態から急冷圧延して長
いテープ状の圧延体を得た。
延急冷用の一対のロールと、これらロールの少なくとも
一方に近接して配置された回転体とを夫々具備し、前記
一対のロール間から出た圧延体が前記回転体の周面に接
触しながら導びかれ、この間に前記圧延体が冷却される
ように構成した圧延急冷装置であつた。この装置によつ
て、両ロール間を出た圧延体は上記回転体によつて更に
冷却案内されながら取出されるから、冷却速度が大きく
なり、強靭で真直ぐな非晶質合金箔を安定して製造でき
た。なお上述の両ロールの周速度を互いに異ならせるよ
うにすれば、ロール間を出た圧延体は周速度の小さい一
方のロールの周面に引寄せられ、この周面に密着しなが
ら導びかれるから、冷却速度をかせぐことができ、やは
ジ強靭な非晶質合金箔を得ることができた。この両ロー
ル法によつて、合金材料を溶融状態から急冷圧延して長
いテープ状の圧延体を得た。
この圧延体のアモルフアス性はＸ線回折法によ如確認し
た。次に、このテープ状アモルフアス金属合金について
の各特性値を測定し、後記表にそのデータを示した。ま
ず磁歪定数の測定においては、アモルフアス合金テープ
の一部を取う出し、これを表面研摩した後、機械的に直
径５１１Ｅ１０の円板を打抜いた。
た。次に、このテープ状アモルフアス金属合金について
の各特性値を測定し、後記表にそのデータを示した。ま
ず磁歪定数の測定においては、アモルフアス合金テープ
の一部を取う出し、これを表面研摩した後、機械的に直
径５１１Ｅ１０の円板を打抜いた。
次いでこの円板試料を有機溶媒で洗浄後、アロンアルフ
ア（商品名）を接着剤としてフオイル型ストレーンゲー
ジを貼付け、略々１０Ｋ０Ｅの静磁場中での試料の伸縮
を測定した。磁歪定数λは次の定義に従つて求めた。即
ち、ストレーンゲージ方向に磁場をかけた時の伸縮率を
（Ａｔ／ｔ）Ｉ、ストレーンゲージと直角の方向に磁場
をかけた時の伸縮率を（Δｔ／ｔ）１とすると、である
。
ア（商品名）を接着剤としてフオイル型ストレーンゲー
ジを貼付け、略々１０Ｋ０Ｅの静磁場中での試料の伸縮
を測定した。磁歪定数λは次の定義に従つて求めた。即
ち、ストレーンゲージ方向に磁場をかけた時の伸縮率を
（Ａｔ／ｔ）Ｉ、ストレーンゲージと直角の方向に磁場
をかけた時の伸縮率を（Δｔ／ｔ）１とすると、である
。
また透磁率の周波数特性を測定するには、上記アモルフ
アステープを表面研摩した後に機械的に内径２ｗｔ０、
外径５Ｔｍ０のリング状試料を打抜き、これを数枚、パ
イロフイライト製のリング収納容器に絶縁積層して収納
し、巻線を施して、低周波域はマツクズウェルブリッジ
、高周波域はベルトル・インピーダンスメータによう透
磁率を測定した。
アステープを表面研摩した後に機械的に内径２ｗｔ０、
外径５Ｔｍ０のリング状試料を打抜き、これを数枚、パ
イロフイライト製のリング収納容器に絶縁積層して収納
し、巻線を施して、低周波域はマツクズウェルブリッジ
、高周波域はベルトル・インピーダンスメータによう透
磁率を測定した。
次にこれを水素気流中で焼鈍し、同様に透磁率を測定し
た後、上記パイロフイライト製リング収納容器内にリン
グ状試料を樹脂モールド（エボキシ系樹脂である商品名
ペルノツクスＭＥ−１０５及びペルキユア一肝−３０９
を１００：３２の比で配合して４０肝ＣＸ１６時間、更
には７００ＣＸ５時間で硬化させたもの）し、更び透磁
率を測定した。また、磁気測定（室温での自発磁化σＧ
の大きさ及び磁気キユリ一点Ｔｃ）には磁気天秤を用い
、標準試料として高純度Ｎｉ捧を用いた。
た後、上記パイロフイライト製リング収納容器内にリン
グ状試料を樹脂モールド（エボキシ系樹脂である商品名
ペルノツクスＭＥ−１０５及びペルキユア一肝−３０９
を１００：３２の比で配合して４０肝ＣＸ１６時間、更
には７００ＣＸ５時間で硬化させたもの）し、更び透磁
率を測定した。また、磁気測定（室温での自発磁化σＧ
の大きさ及び磁気キユリ一点Ｔｃ）には磁気天秤を用い
、標準試料として高純度Ｎｉ捧を用いた。
磁気キユリ一点の測定は約５０／Ｎｌｉｎの昇温速度で
行ない、その値は低磁場中での磁気キユリ一点の磁場依
存性から求めた。結晶化温度ＴｃｒｙはＤＴＡ装置を用
いて決めた。
行ない、その値は低磁場中での磁気キユリ一点の磁場依
存性から求めた。結晶化温度ＴｃｒｙはＤＴＡ装置を用
いて決めた。
ビツカース硬度Ｈｖはビツカース圧子にて２００９Ｘ１
５ｓｅｃの荷重条件下で求めた。固有抵抗ρは小型ホイ
ートストーンブリツジを用いて求めた。
５ｓｅｃの荷重条件下で求めた。固有抵抗ρは小型ホイ
ートストーンブリツジを用いて求めた。
比較例 １
Ｆｅ８０ａｔ％、Ｐｌ３ａｔ％、Ｃ７ａｔ％なる組成を
持つように、Ｆｅ−Ｐ合金、Ｆｅ−Ｃ合金及びＦｅを秤
量し、これを高周波溶解炉中で溶解して原料とした。
持つように、Ｆｅ−Ｐ合金、Ｆｅ−Ｃ合金及びＦｅを秤
量し、これを高周波溶解炉中で溶解して原料とした。
この原料材料を用いて、上述した両ロール法により、テ
ープ状の圧延試料を得た。そして上述した方法によつて
磁歪定数を測定し、後記表１にその結果を示した。また
上述した方法により透磁率を測定し、次いで試料を３６
０℃で１時間焼鈍してから、実効透磁率μｅを測定し、
更に樹脂モールド後の実効透磁率μｅを測定した。実施
例 １Ｆｅ７８ａｔ％、Ｒｕ２ａｔ％、Ｐｌ３ａｔ（Ｆ
６、Ｃ７ａｔ％なる組成を持つように、Ｆｅ−Ｐ合金、
Ｆｅ−Ｃ合金、Ｆｅ及びＲｕを秤量し、比較例１に示し
たようにしてテープ状アモルフアス材料を得た。
ープ状の圧延試料を得た。そして上述した方法によつて
磁歪定数を測定し、後記表１にその結果を示した。また
上述した方法により透磁率を測定し、次いで試料を３６
０℃で１時間焼鈍してから、実効透磁率μｅを測定し、
更に樹脂モールド後の実効透磁率μｅを測定した。実施
例 １Ｆｅ７８ａｔ％、Ｒｕ２ａｔ％、Ｐｌ３ａｔ（Ｆ
６、Ｃ７ａｔ％なる組成を持つように、Ｆｅ−Ｐ合金、
Ｆｅ−Ｃ合金、Ｆｅ及びＲｕを秤量し、比較例１に示し
たようにしてテープ状アモルフアス材料を得た。
そして磁歪定数等の諸量を上述と同様の方法によつて測
定し、結果を後記表１に示した。実施例 ２Ｆｅ７６ａ
ｔ９６、Ｒｕ４ａｔ９６、Ｐｌ３ａｔ９６、Ｃ７ａｔ９
６なる組成を持つアモルフアス材を比較例１に示した方
法で作成し、前記磁歪定数等の諸量を測定し、結果を後
記表１に示した。
定し、結果を後記表１に示した。実施例 ２Ｆｅ７６ａ
ｔ９６、Ｒｕ４ａｔ９６、Ｐｌ３ａｔ９６、Ｃ７ａｔ９
６なる組成を持つアモルフアス材を比較例１に示した方
法で作成し、前記磁歪定数等の諸量を測定し、結果を後
記表１に示した。
また、３４０℃で１時間焼鈍したリング状試野の樹脂モ
ールド前後の実効透磁率側の変化を第２図に示した。
１実施例 ３Ｆｅ７４ａｔ％、Ｒｕ６ａｔ％、Ｐｌ３ａ
ｔ％、Ｃ７ａｔ９ｌ）なる組成を持つアモルフアス材を
比較例１に示した方法で作成し、磁歪定数等の諸量を測
定し、結果を後記表１に示した。
ールド前後の実効透磁率側の変化を第２図に示した。
１実施例 ３Ｆｅ７４ａｔ％、Ｒｕ６ａｔ％、Ｐｌ３ａ
ｔ％、Ｃ７ａｔ９ｌ）なる組成を持つアモルフアス材を
比較例１に示した方法で作成し、磁歪定数等の諸量を測
定し、結果を後記表１に示した。
実施例 ４
Ｅｅ７２ａｔ％、Ｒｕ８ａｔ％、Ｐｌ３ａｔ％、Ｃ７ａ
ｔ％なる組成を持つアモルフアス材を比較例１１に示し
た方法で作成し、磁歪定数等の諸量を測定し、結果を後
記表１に示した。
ｔ％なる組成を持つアモルフアス材を比較例１１に示し
た方法で作成し、磁歪定数等の諸量を測定し、結果を後
記表１に示した。
また、３４０℃で１時間焼鈍したリング状試料の樹脂モ
ールド前後の実効透磁率唇の変化を第３図に示した。以
上の結果を総括的に述べると、比較例１と較べると、実
施例１〜４では磁歪定数λが著みく減少しているのがわ
かる。
ールド前後の実効透磁率唇の変化を第３図に示した。以
上の結果を総括的に述べると、比較例１と較べると、実
施例１〜４では磁歪定数λが著みく減少しているのがわ
かる。
特に実施例４では、比較例１のそれと較べると半分以下
にねつている。このように磁歪定数λの減少量はＲｕの
添加量と共に増大し、また結晶化温度も上昇していく一
方、この時磁気キユリ一点Ｔｃ及び磁束密度Ｂｓは低下
するが、この抵下量は特性上それ程問題はない。また第
１図〜第３図に示した例によつて明らかなように、Ｒｕ
を添加することによつて樹脂モールド前後の実効透磁率
の変化が著しく減少することがわかる。即ち第１図にお
いては、樹脂モールド後は樹脂モｉルド前に比べて、低
周波域で略々１／３、１／３、高周波域で略々３／５に
減少するが、Ｒｕを添加した第２図及び第３図では、低
周波域で略略２／５、高周波域で略々５／６と減少の割
合は著しく少なく、かつ高い絶対値を維持じα応ことが
わか。る。ごれは磁歪定数λの減少による為だと考えら
れる０３比較例 ２Ｆｅ７８．１ａｔ％、Ｓｉ５．９ａ
ｔ％、Ｂｌ６ａｔ％なる組成を持つアモルフアス材を、
Ｆｅ−Ｂ合金、Ｆｅ及びＳｉを原料として比較例１に述
べた方法によつて作成し、磁歪定数等の諸量を測定し、
結 ４果を後記表２に示した。
にねつている。このように磁歪定数λの減少量はＲｕの
添加量と共に増大し、また結晶化温度も上昇していく一
方、この時磁気キユリ一点Ｔｃ及び磁束密度Ｂｓは低下
するが、この抵下量は特性上それ程問題はない。また第
１図〜第３図に示した例によつて明らかなように、Ｒｕ
を添加することによつて樹脂モールド前後の実効透磁率
の変化が著しく減少することがわかる。即ち第１図にお
いては、樹脂モールド後は樹脂モｉルド前に比べて、低
周波域で略々１／３、１／３、高周波域で略々３／５に
減少するが、Ｒｕを添加した第２図及び第３図では、低
周波域で略略２／５、高周波域で略々５／６と減少の割
合は著しく少なく、かつ高い絶対値を維持じα応ことが
わか。る。ごれは磁歪定数λの減少による為だと考えら
れる０３比較例 ２Ｆｅ７８．１ａｔ％、Ｓｉ５．９ａ
ｔ％、Ｂｌ６ａｔ％なる組成を持つアモルフアス材を、
Ｆｅ−Ｂ合金、Ｆｅ及びＳｉを原料として比較例１に述
べた方法によつて作成し、磁歪定数等の諸量を測定し、
結 ４果を後記表２に示した。
実施例 ５
Ｆｅ７６．１ａｔ％、Ｒｕ２ａｔ％、Ｓｉ５．９ａｔ％
、Ｂｌ６ａｔ％なる組成を持つアモルフアス材を比較例
１と同様の方法で作成し、磁歪定数等の諸量を測定し、
結果を後記表２に示した。
、Ｂｌ６ａｔ％なる組成を持つアモルフアス材を比較例
１と同様の方法で作成し、磁歪定数等の諸量を測定し、
結果を後記表２に示した。
ま４１０℃で１時間焼鈍したリング状試料の樹脂モール
ド前後の実効透磁率唇の変化を第４図に示した。実施例
６Ｆｅ７４．１ａｔ％、Ｒｕ４ａｔ９６、Ｓｉ５．９
ａｔ％、Ｂｌ６ａｔ％なる組成を持つアモルフアス材を
比較例１と同様の方法で作成し、磁歪定数等の諸量を測
定し、結果を後記表２に示した。
ド前後の実効透磁率唇の変化を第４図に示した。実施例
６Ｆｅ７４．１ａｔ％、Ｒｕ４ａｔ９６、Ｓｉ５．９
ａｔ％、Ｂｌ６ａｔ％なる組成を持つアモルフアス材を
比較例１と同様の方法で作成し、磁歪定数等の諸量を測
定し、結果を後記表２に示した。
実施例 ７
Ｆｅ７２．１ａｔ％、Ｒｕ６ａｔ％、Ｓｉ５．９ａｔ％
、Ｂｌ６ａｔ％なる組成を持つアモルフアス材を比較例
１と同様の方法で作成し、磁歪定数等の諸量を測定し結
果を後記表２に示した。
、Ｂｌ６ａｔ％なる組成を持つアモルフアス材を比較例
１と同様の方法で作成し、磁歪定数等の諸量を測定し結
果を後記表２に示した。
また、４１０℃で１時間焼鈍したリング試料の樹脂モー
ルド前後の透磁率の変化を第５図に示した。実施例 ８ Ｆｅ７０．１ａｔ％、Ｒｕ８ａｔ％、Ｓｉ５．９ａｔ％
、Ｂｌ６ａｔ％なる組成を持つアモルフアス材を比較例
１と同様の方法で作成し、磁歪定数等の諸量を測定し、
その結果を後記表２に示した。
ルド前後の透磁率の変化を第５図に示した。実施例 ８ Ｆｅ７０．１ａｔ％、Ｒｕ８ａｔ％、Ｓｉ５．９ａｔ％
、Ｂｌ６ａｔ％なる組成を持つアモルフアス材を比較例
１と同様の方法で作成し、磁歪定数等の諸量を測定し、
その結果を後記表２に示した。
比較例 ３
Ｆｅ８０ａｔ％、Ｐｌ５ａｔ％、Ｇｅ５ａｔ％なる組成
を持つアモルフアス材を比較例１と同様の方法で作成し
、磁歪定数等の諸量を測定し、結果を後記表２に示した
。
を持つアモルフアス材を比較例１と同様の方法で作成し
、磁歪定数等の諸量を測定し、結果を後記表２に示した
。
実施例 ９
Ｆｅ７６ａｔ％、Ｒｕ４ａｔ％、Ｐｌ５ａｔ％、Ｇｅ５
ａｔ％なる組成を持つアモルフアス材を比較例１と同様
の方法で作成し、磁歪定数等の諸量を測定し、結果を後
記表２に示した。
ａｔ％なる組成を持つアモルフアス材を比較例１と同様
の方法で作成し、磁歪定数等の諸量を測定し、結果を後
記表２に示した。
実施例５〜９においても、Ｒｕの添加に応じて、比較例
２及び３と較べて磁歪定数λの顕著な減少が見られる。
２及び３と較べて磁歪定数λの顕著な減少が見られる。
磁気キユリ一点、飽和磁束密度についても実施例１〜４
と同様の現象が見られるが、その絶対値はやや大きい。
また第４図及び第５図に示したように、樹脂モールド前
後の実効透磁率の変化が、第１図と比較して大巾に減少
していることがわかる。
と同様の現象が見られるが、その絶対値はやや大きい。
また第４図及び第５図に示したように、樹脂モールド前
後の実効透磁率の変化が、第１図と比較して大巾に減少
していることがわかる。
比較例 ４
Ｆｅ６３ａｔ％、ＣＯｌ５ａｔ％、ＳｉｌＯａｔ％、Ｂ
ｌ２ａｔ％なる組成を持つアモルフアス材を比較例１と
同様の方法によつて作成し、磁歪定数等の諸量を測定し
、結果を後記表３に示した。
ｌ２ａｔ％なる組成を持つアモルフアス材を比較例１と
同様の方法によつて作成し、磁歪定数等の諸量を測定し
、結果を後記表３に示した。
実施例 １０゛Ｆｅ５９ａｔ％、ＣＯｌ５ａｔ％、Ｒｕ
４ａｔ９６、ＳｉｌＯａｔ％、Ｂｌ２ａｔ％なる組成を
持つアモルフアス材を比較例１と同様の方法によつて作
成し、磁歪定数等の諸量を測定し、結果を後記表３に示
した。
４ａｔ９６、ＳｉｌＯａｔ％、Ｂｌ２ａｔ％なる組成を
持つアモルフアス材を比較例１と同様の方法によつて作
成し、磁歪定数等の諸量を測定し、結果を後記表３に示
した。
比較例 ５
Ｆｅ６３ａｔ％、Ｎｌｌ５ａｔ９６、ＳｉｌＯａｔ％、
Ｂｌ２ａｔ％なる組成を持つアモルフアス材を比較例１
と同様の方法によつて作成し、磁歪定数調の諸量を測定
し、結果を後記表３に示した。
Ｂｌ２ａｔ％なる組成を持つアモルフアス材を比較例１
と同様の方法によつて作成し、磁歪定数調の諸量を測定
し、結果を後記表３に示した。
実施例 １１Ｆｅ５９ａｔ％，Ｎｉｌ５ａｔ％、Ｒｕ４
ａｔ％、ＳｉｌＯａｔ％、Ｂｌ２ａｔ％なる組成を持つ
アモルフアス材を比較例１と同様の方法によつて作成し
、磁歪定数等の諸量を測定し、結果を後記表３に示した
。
ａｔ％、ＳｉｌＯａｔ％、Ｂｌ２ａｔ％なる組成を持つ
アモルフアス材を比較例１と同様の方法によつて作成し
、磁歪定数等の諸量を測定し、結果を後記表３に示した
。
実施例１０及び１１は、本発明におけるＦｅの一部分を
１５ａｔ％のＣＯまたはＮｉで置換した変形例を示した
ものである。
１５ａｔ％のＣＯまたはＮｉで置換した変形例を示した
ものである。
この場合も、比較例４及び５と較べると、Ｒｕの添加に
よる効果（即ち磁歪定数λの減少）が見られる。実施例
１２ Ｆｅ７４ａｔ％、Ｒｕ３ａｔ％、Ｃｒ３ａｔ９ｌ）、Ｐ
λ：磁歪定数、 Ｔｃ：磁気キユリ一点、 Ｔｃｒｙ：
結晶化温度 σｇ：自発磁化量Ｂｓ：飽和磁束密度、
Ｈｖ：ビツカース硬度、 ρ：固有抵抗１３ａｔ％、Ｃ
７ａｔ％なる組成を持つアモルフアス材を比較例１と同
様の方法によつて作成し、磁歪定数等の諸量を測定し、
結果を後記表４に示した〇実施例 １３Ｆｅ７４ａｔ９
１１，．Ｒｕ３ａｔ９１）、ＭＯ３ａｔ９ｌ）、Ｐｌ３
ａｔ９ｌｌ．Ｃ７ａｔ％なる組成を持つアモルフアス材
を比較例１と同様の方法によつて作成し、磁実施例 １
４Ｆｅ７６ａｔ％、Ｒｕ２ａｔ９６、Ｖ２ａｔ９６、Ｐ
ｌ３ａｔ９６、Ｃ７ａｔＳなる組成を持つアモルフアス
材＄を比較例１と同様の方法によつて作成し、磁歪定数
等の諸量を測定し、結果を後記表４に示した。
よる効果（即ち磁歪定数λの減少）が見られる。実施例
１２ Ｆｅ７４ａｔ％、Ｒｕ３ａｔ％、Ｃｒ３ａｔ９ｌ）、Ｐ
λ：磁歪定数、 Ｔｃ：磁気キユリ一点、 Ｔｃｒｙ：
結晶化温度 σｇ：自発磁化量Ｂｓ：飽和磁束密度、
Ｈｖ：ビツカース硬度、 ρ：固有抵抗１３ａｔ％、Ｃ
７ａｔ％なる組成を持つアモルフアス材を比較例１と同
様の方法によつて作成し、磁歪定数等の諸量を測定し、
結果を後記表４に示した〇実施例 １３Ｆｅ７４ａｔ９
１１，．Ｒｕ３ａｔ９１）、ＭＯ３ａｔ９ｌ）、Ｐｌ３
ａｔ９ｌｌ．Ｃ７ａｔ％なる組成を持つアモルフアス材
を比較例１と同様の方法によつて作成し、磁実施例 １
４Ｆｅ７６ａｔ％、Ｒｕ２ａｔ９６、Ｖ２ａｔ９６、Ｐ
ｌ３ａｔ９６、Ｃ７ａｔＳなる組成を持つアモルフアス
材＄を比較例１と同様の方法によつて作成し、磁歪定数
等の諸量を測定し、結果を後記表４に示した。
実施例 １５Ｆｅ７２．１ａｔ％、Ｒｕ３ａｔ％、Ｃｒ
３ａｔ％、Ｓｉ５．９ａｔ％、Ｂｌ６ａｔ％なる組成を
持つアモルフアス材を比較例１と同様の方法によつて作
成し、磁歪定数等の諸量を測定し、結果を後記表４に示
した。
３ａｔ％、Ｓｉ５．９ａｔ％、Ｂｌ６ａｔ％なる組成を
持つアモルフアス材を比較例１と同様の方法によつて作
成し、磁歪定数等の諸量を測定し、結果を後記表４に示
した。
実施例 １６
Ｆｅ７２．１ａｔ％，Ｒｕ３ａｔ％，Ｍｃ３ａｔ％，Ｓ
ｉ５．９ａｔＯＡＫλ：磁歪定数，． Ｔｃ：磁気キユ
リ一点、 Ｔｃｒｙ：結晶化温度、Ｂｓ：飽和磁束密度
、 Ｈｖ：ピツカース硬度、 σ：固有抵抗σｇ：自発
磁化量Ｂｌ６ａｔ９６なる組成を持つアモルフアス材を
比較例１と同様の方法によつて作成し、磁歪定数等の諸
量を測定し、結果を後記表４に示した。
ｉ５．９ａｔＯＡＫλ：磁歪定数，． Ｔｃ：磁気キユ
リ一点、 Ｔｃｒｙ：結晶化温度、Ｂｓ：飽和磁束密度
、 Ｈｖ：ピツカース硬度、 σ：固有抵抗σｇ：自発
磁化量Ｂｌ６ａｔ９６なる組成を持つアモルフアス材を
比較例１と同様の方法によつて作成し、磁歪定数等の諸
量を測定し、結果を後記表４に示した。
実施例 １７Ｆｅ７２．１ａｔ９６、ＲＵ３ａｔ％、Ｍ
ｎ３ａｔ％、Ｓｌ５．９ａｔ９６、Ｂｌ６ａｔ９６なる
組成を持つアモルフアス材を比較例１と同様の方法によ
つて作成し、磁歪定数等の諸量を測定し、結果を後記表
４に示した。
ｎ３ａｔ％、Ｓｌ５．９ａｔ９６、Ｂｌ６ａｔ９６なる
組成を持つアモルフアス材を比較例１と同様の方法によ
つて作成し、磁歪定数等の諸量を測定し、結果を後記表
４に示した。
実施例１２〜１７は、本発明におけるＲｕの一部分を３
ａｔ％以下のＣｒ，．ＭＯ，．Ｖ．Ｍｎでそれぞれ置換
した例である。
ａｔ％以下のＣｒ，．ＭＯ，．Ｖ．Ｍｎでそれぞれ置換
した例である。
これらの場合も、比較例１及び２と較べると著しい磁歪
定数λの減少が見られる。即ちＲｕの一部分を３ａｔ９
６以下のＣｒ、ＭＯ、Ｖ．Ｍｎで置換しても、同様の効
果が得られることがわかる。
定数λの減少が見られる。即ちＲｕの一部分を３ａｔ９
６以下のＣｒ、ＭＯ、Ｖ．Ｍｎで置換しても、同様の効
果が得られることがわかる。
図面は本発明によるアモルフアス材料を説明する為のも
のであつて、第１図は比較例による焼鈍されたアモルフ
アス材料の樹脂モールド前後の実効透磁率の周波数依存
性を示すグラフ、第２図〜第５図は本発明の実施例によ
る焼鈍されたアモルフアス材料の樹脂モールド前後の実
効透磁率の周波数依存性を示すグラフである。
のであつて、第１図は比較例による焼鈍されたアモルフ
アス材料の樹脂モールド前後の実効透磁率の周波数依存
性を示すグラフ、第２図〜第５図は本発明の実施例によ
る焼鈍されたアモルフアス材料の樹脂モールド前後の実
効透磁率の周波数依存性を示すグラフである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ （Ａ）Ｒｕを２〜２０ａｔ％、 （Ｂ）Ｐ、Ｃ、Ｓｉ、Ｂ及びＧｅからなる郡より選ばれ
た少なくとも１種の非晶質形成元素（但し、ＳｉとＣ、
ＳｉとＧｅ、ＧｅとＣの組合せは除く）を１０〜３０ａ
ｔ％、を夫々含有し、残部がＦｅよりなる非晶質磁性合
金。 ２ （Ａ）Ｍｏ、Ｍｎ、Ｖ及びＣｒからなる群より選ば
れた少なくとも１種の元素３ａｔ％以下とＲｕとを合計
で２〜２０ａｔ％、（Ｂ）Ｐ、Ｃ、Ｓｉ、Ｂ及びＧｅか
らなる群より選ばれた少なくとも１種の非晶質形成元素
（但し、ＳｉとＣ、ＳｉとＧｅ、ＧｅとＣの組合せは除
く）を１０〜３０ａｔ％、を夫々含有し、残部がＦｅよ
りなる非晶質磁性合金。 ３ （Ａ）Ｒｕを２〜２０ａｔ％、 （Ｂ）Ｐ、Ｃ、Ｓｉ、Ｂ及びＧｅからなる群より選ばれ
た少なくとも１種の非晶質形成元素（但し、ＳｉとＣ、
ＳｉとＧｅ、ＧｅとＣの組合せは除く）を１０〜３０ａ
ｔ％、（Ｃ）Ｃｏ又はＮｉの１種又は２種を１５ａｔ％
以下、を夫々含有し、残部がＦｅよちなる非晶質磁性合
金。 ４ （Ａ）Ｍｏ、Ｍｎ、Ｖ及びＣｒからなる群より選ば
れた少なくとも１種の元素３ａｔ％以下とＲｕとを合計
で２〜２０ａｔ％、（Ｂ）Ｐ、Ｃ、Ｓｉ、Ｂ及びＧｅか
らなる群より選ばれた少なくとも１種の非晶質形成元素
（但し、ＳｉとＣ、ＳｉとＧｅ、ＧｅとＣの組合せは除
く）を１０〜３０ａｔ％、（Ｃ）Ｃｏ又はＮｉの１種又
は２種を１５ａｔ％以下、を夫々含有し、残部がＦｅよ
りなる非晶質磁性合金。
Priority Applications (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP52109746A JPS5949299B2 (ja) | 1977-09-12 | 1977-09-12 | 非晶質磁性合金 |
| US05/940,172 US4190438A (en) | 1977-09-12 | 1978-09-07 | Amorphous magnetic alloy |
| CA310,895A CA1086986A (en) | 1977-09-12 | 1978-09-08 | Amorphous magnetic alloy |
| GB7836308A GB2005303B (en) | 1977-09-12 | 1978-09-11 | Amorphous magnetic alloys |
| NL7809284A NL7809284A (nl) | 1977-09-12 | 1978-09-12 | Amorfe magnetische legering. |
| FR7826187A FR2402713B1 (fr) | 1977-09-12 | 1978-09-12 | Alliage magnetique amorphe |
| DE19782839626 DE2839626A1 (de) | 1977-09-12 | 1978-09-12 | Amorphe magnetische legierung |
| FR8419822A FR2561263B1 (fr) | 1977-09-12 | 1984-12-26 | Alliage magnetique amorphe |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP52109746A JPS5949299B2 (ja) | 1977-09-12 | 1977-09-12 | 非晶質磁性合金 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5443118A JPS5443118A (en) | 1979-04-05 |
| JPS5949299B2 true JPS5949299B2 (ja) | 1984-12-01 |
Family
ID=14518188
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP52109746A Expired JPS5949299B2 (ja) | 1977-09-12 | 1977-09-12 | 非晶質磁性合金 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4190438A (ja) |
| JP (1) | JPS5949299B2 (ja) |
| CA (1) | CA1086986A (ja) |
| DE (1) | DE2839626A1 (ja) |
| FR (1) | FR2402713B1 (ja) |
| GB (1) | GB2005303B (ja) |
| NL (1) | NL7809284A (ja) |
Families Citing this family (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5515284A (en) * | 1978-07-20 | 1980-02-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Improvement of magnetic property of amorphous magnetic material |
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