JPH0138862B2 - - Google Patents

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JPH0138862B2
JPH0138862B2 JP55177108A JP17710880A JPH0138862B2 JP H0138862 B2 JPH0138862 B2 JP H0138862B2 JP 55177108 A JP55177108 A JP 55177108A JP 17710880 A JP17710880 A JP 17710880A JP H0138862 B2 JPH0138862 B2 JP H0138862B2
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JP
Japan
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magnetic
alloy
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magnetic flux
amount
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JP55177108A
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Tsutomu Nakamura
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TOOKIN KK
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TOOKIN KK
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Description

【発明の詳細な説明】
本発明は、磁性材料に関し、特に、高磁束密度
で高透磁率の合金を提供することを目的とするも
のである。 磁性材料の一用途として、磁気記録再生用の磁
気ヘツドコアがあり、従来は、パーマロイ、Fe
−Si−Al系合金(商標センダスト)、フエライト
が用いられている。 近年、磁気記録媒体として、従来の磁気テープ
(マグネタイトテープやクロームテープ)に代え
て、高密度記録の利点を有するメタルテープが用
いられるようになつている。ところで、メタルテ
ープでは、テープの保磁力Hcが従来のものに比
して2倍以上(約1000O¨e以上)大きい。それ故、
従来の磁気ヘツドを用いた場合、大入力信号でメ
タルテープが磁気飽和する前にヘツドコアが飽和
して、音が歪んでしまい、メタルテープの長所を
充分に生かせない欠点がある。これを解決するに
は、磁束密度Bおよび透磁率μがともに大きな材
料を磁気ヘツドコアとして用いることが必要であ
る。従来ヘツドコアとして用いられているJISC
級パーマロイ、Fe−Si−Al系合金、フエライト
においては、磁束密度Bは、それぞれ7000〜8000
ガウス、9000〜9500ガウス、4500〜5500ガウスで
あつた。 また磁気ヘツドにおいては、摩耗が問題とされ
る。磁気ヘツドが摩耗すると、記録媒体との密着
性が悪くなり、また磁気ヘツドのギヤツプの深さ
が変化し、記録再生に著しい悪影響を及ぼす。磁
気ヘツドコアの耐摩耗性は、コア材料の硬度にあ
る程度関係し、硬度の高い程良好であると言われ
ている。一方、実際の評価は、100時間テープ走
行時のヘツドの摩耗量によつて行なつている。従
来のパーマロイ、Fe−Si−Al系合金、フエライ
トでは、ビツカース硬度Hvはそれぞれ、150〜
200,500,700であり、ヘツドの摩耗量は、それ
ぞれ20μm、5μm、3μm位が一般的であつた。 また、磁気ヘツドは、磁性材料でコアチツプを
形成後、巻線を施し、ケースに入れて樹脂モール
ドして製作される。この樹脂モールドによる応力
によつて、ヘツド材の磁歪(λs)が大きく変化す
る。 従つて、本発明の特殊な目的は、磁束密度およ
び透磁率ともに高く、耐摩耗性が大きく、磁歪の
小さな、磁気ヘツドコア用の磁性材料を提供する
ことを目的とする。 本発明の一般的な目的は、高透磁率で高磁束密
度、高硬度、かつ低磁歪の磁性材料を提供するこ
とを目的とする。 本発明は、重量比にて、Si4〜14.0%、Cr0.1〜
11%および残部Feからなり、しかも印加磁界
100eにおける磁束密度B10、飽和磁歪λs、ビツカ
ース硬さHvがそれぞれ、B1010000G、|λs|<
2.0×10-6,Hv>300を満足することを特徴とする
耐摩耗性高磁束密度高透磁率合金である。 このFeの一部を置換した形で、副成分として、
Al,Mo,W,Mn,Ge,Co,Niのそれぞれ0.01
〜8.0%、V,Nb,Ta,Cu,Ti,Hf,Ru、ラ
ンタン系希土類元素のそれぞれ0.01〜1.0%、
Mg,Caのそれぞれ0.001〜0.1%から選んだ少な
くとも1つを0.001〜8.0の範囲で含ませても良
い。 本発明の合金によれば、100時間テープ走行時
の摩耗量が5μm程度という好ましい磁気ヘツドコ
アが得られる。 なお、この種Fe−Si合金材料には通常の無方
向性のものと、特殊な熱処理を加えた二方向性磁
性シート(例えば特公昭46−23814)があるが、
本発明の合金は通常の無方向性のものであること
を付言する。 本発明の合金の製造は、まず、上記の成分を上
記範囲の量だけ調合したものを、空気中、好まし
くは非酸化性雰囲気(例えば、水素、窒素、アル
ゴンなど)中、あるいは真空中において溶解炉を
用いて溶解し、溶融合金を得る。この溶融合金を
適当な形および大きさの鋳型に注入し鋳塊を得、
これを種々の加工(例えば、圧延加工、研削加
工、放電加工など)によつて所要のブロツクある
いはチツプ状の製品を得る。このようにして得ら
れた材料を、水素中その他の非酸化性雰囲気中あ
るいは真空中で再結晶温度以上融点以下の温度で
加熱し、適当な速度で冷却することにより本発明
の高透磁率合金が得られる。 次に、本発明の実施例について述べる。 実施例 1 原料として、純度99.9%のSi、純度99.9%のCr
および電解鉄を用い、第1表に示すような割合で
(ただし残部は鉄である)秤量し(各試料とも全
量で3Kgとした)、真空中溶解後、鋳造した。鋳
造した各合金試料を圧延加工、研削加工および放
電加工により、外径10mm、内径6mm、厚さ5mmの
環状に加工し、その後、1200℃の水素中で熱処理
を施した。
【表】
【表】 このようにして得た合金について、初透磁率
μi、最大透磁率μnax、10エルステツド磁場での磁
束密度B10(ガウス)、磁歪定数λs、ビツカース硬
度Hvをそれぞれ測定し、その結果を第1表に示
す。また、同試料1〜17をもとに、CrおよびSi
含有量とλsおよびHvとの関係をグラフにして第
1図および第2図に示した。同図中、プロツト点
の1〜17は、試料番号を示す。 μiとμnaxに関しては、Siが多くなるにつれ大き
くなる傾向にある。しかしCrが多くなると小さ
くなる傾向にある。μi,μnaxの大きいところは
Si7.3%、Cr2.2%、残Feの付近に存在している。 B10については、Si,Crがそれぞれ多くなると
低下する傾向にあるが、しかし、従来のヘツド材
に用いられているパーマロイ、Fe−Si−Al系合
金、フエライトに比して、いずれの試料合金も大
きく10000ガウス以上を可能とし、最大では14000
ガウスが得られている。 λsについては、Siの量により変化しSiが7.3%
のところではほぼ零になり、これよりSi量が少な
くなれば+に、これによりSi量が多くなれば−を
示している。ヘツド材としては樹脂モールド加工
による特性変化を避けるために、λsの絶対値は2
×10-6より小さいことが好ましく、第1図から明
らかなように、Siの量は4〜14%の範囲とされ
る。 Hvについても、Si量に大きく影響され、Siの
量が多くなるにつれ大きくなり、第2図から明ら
かなように、Siが4%より多い本発明の実施例の
場合、Hv>300以上で、従来のパーマロイ材に比
し格段に向上されていることが分る。 試料No.11についてテープ走行テスト(100時間)
を行なつたところ、摩耗は5μmと、従来のセンダ
スト合金とほとんど同じであつた。 以上で明らかなように、本発明による合金で
は、μi,μnaxが極めて大きく、またB10が12000
(ガウス)以上を可能とし、Hvが大きくて耐摩耗
に勝れ、またλsが小さいという、従来のパーマロ
イ材、Fe−Si−Al系合金、フエライト材に比し
全ての項目について格段の向上が図られている。
なお、このような諸特性を満足するために、Siは
3.0〜14.0%、Cr0.1〜11.0%、残りFeであること
が必要で、Si量が14%を越えるとμi,μnaxが劣化
し、またぜい性が高くなり加工性が悪くなる。
Cr量が11%を越えるとμi,μnaxが劣化してくるた
め実用に適さなくなるためである。 本発明において、さらに好ましくはSiは5〜9
%、Crは1〜5%、残りFeが良い。 実施例 2 原料は実施例−1と同じ純度の電解鉄、Si,
Crおよび99.9%純度のMnを用い、Si−Cr−Feの
主成分にMnを副成分とした4元素合金とした。
試料の製造法、熱処理および測定法は実施例−1
と同じである。 次に得られた磁気特性を第2表に示す。
【表】 この表より、Mn添加によりμi,μnaxの向上が
図られていることが分る。但し、Mnが8.0%以上
となると逆に劣化してくる。 実施例 3 原料は実施例−1と同じ純度の電解鉄、Si,
Crおよび99%純度のTiを用い、Si−Cr−Feの主
成分にTiを添加した場合の特性を第3表に示す。
試料の製造法、熱処理法および測定法は実施例−
1と同じである。
【表】 Tiを添加することによりμi,μnaxが向上するこ
とが明らかであろう。最適なTiの量は0.2〜0.5%
であるが、これを越えるとμi,μnax,B10は劣化
してくる。このような挙動は学問的には不明であ
るが、磁気ヘツドとしての実用的見地から5.0%
以下が望ましい。 実施例 4 原料は実施例−1と同じ純度の電解鉄、Si,
Crおよび希土類元素Ceを用い、Si−Cr−FeにCe
を添加した4元系合金を製造した。試料の製造
法、熱処理法および測定法は実施例−1と同じで
ある。 次に得られた磁気特性を第4表に示す。
【表】 Si−Cr−Feの主成分にCeを添加した場合、μi
μnaxの改善が図れる。Ceの量は0.2〜0.5%好適
で、さらに多くなるとμi,μnax,B10が劣化して
くるが、実用的な見地から5.0%まで許される。 実施例 5 Si,Cr,Feの主成分に、さらに第5表に示す
ように各種元素を1種又は2種含有させた、その
時の磁気特性を同表に示す。
【表】
【表】 副成分を添加すると、μi,μnaxが改善されてい
ることが分る。 以上、本発明について実施例を用いて説明した
が、本発明の高磁束密度高透磁率合金は、Siと
CrとFeの主成分を所定量とすることにより、μi
μnax,B10,Hvを向上させ、またλsを小さくする
ことを可能とし、従来のヘツド材に比し、総合的
な見地から格段の向上を図り、B10は10000ガウ
スで特に12000(ガウス)以上とし、メタルテープ
対応の磁気ヘツド材として好適なものを可能とし
たものである。但し、SiとCrとが本発明の規定
量より越えると、μi,μnaxが劣化し、またSi量が
多くなると脆性の点で悪くなり、加工難となるた
めである。 さらに、Si,Cr,Feの主成分に、添加物とし
て、Al,Mo,W,Mn,Ge,Co,Ni,V,Nb,
Ta,Cu,Ti,Hf,Ru、ランタン希土類、Zr,
Sn,Sb,Be,Ag,Auの一種又は二種以上を所
定量をもつて添加することにより透磁率を高める
効果を持ち、それぞれの所定量より少ない場合
は、添加効果がなく、また多い場合には損われ
る。またMg,Caの添加は脱酸脱硫の効果を与
え、加工性を向上させる。そして、上記元素のう
ち、Mnは脱硫効果を、Coは磁束密度の改善、Ni
は磁歪定数の調整を、Geは主成分のSiとほぼ同
じ挙動をさせるというそれぞれの効果が更に加わ
る。 本発明における副成分の添加量のさらに好まし
い量は、Al,Mo,W,Mn,Ge,Co,Niではそ
れぞれ0.01〜3%、V,Nb,Ta,Cu,Ti,Hf,
Ruランタン希土類元素ではそれぞれ0.01〜1.5%、
Zr,Sn,Sb,Be,Ag,Auではそれぞれ0.01〜
0.5%、Mg,Caでは0.001〜0.1%とし、これらの
一種又は二種以上の合計が0.001〜3%と言える。 以上、本発明について説明したが、パーマロ
イ、Fe−Si−Al系合金、フエライトの従来の磁
気ヘツド材に対し、全ての面で本発明による合金
が勝れていることが明らかである。
【図面の簡単な説明】
第1図は、第1表の試料1〜17プロツトして、
CrおよびSi含有量とλsとの関係を示したグラフ、
第2図は同じくHvとの関係を示したグラフであ
る。図中、プロツトした各点の参照符号は第1表
の試料番号に対応する。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 重量比にて、Si4.0〜14.0%(但し4.0は含ま
    ず)、Cr0.1〜11%および残部Feからなり、しか
    も印加磁界10Oeにおける磁束密度B10、飽和磁歪
    λs、ビツカース硬さHvが、それぞれ B1010000G |λs|<2.0×10-6 Hv>300 を満足することを特徴とする耐摩耗性高磁束密度
    高透磁率合金。 2 重量比にて、Si4.0〜14.0%(但し、4.0は含
    まず)、Cr0.1〜11%およびFeを主成分とし、副
    成分として、Al,Mo,W,Mn,Ge,Co,Niの
    それぞれ0.01〜8.0%、V,Nb,Ta,Cu,Ti,
    Hf,Ru、ランタン系希土類元素のそれぞれ0.01
    〜5.0%、Zr,Sn,Sb,Be,Ag,Auのそれぞれ
    0.01〜1.0%、Mg,Caのそれぞれ0.001〜0.1%か
    ら選んだ少なくとも1種を0.001〜8.0%含み、上
    記Feが残部を占めており、しかも印加磁界100e
    における磁束密度B10、飽和磁歪λs、ビツカース
    硬さHvが、それぞれ B1010000G |λs|<2.0×10-6 Hv>300 を満足することを特徴とする耐摩耗性高磁束密度
    高透磁率合金。
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JPS61253385A (ja) * 1985-04-30 1986-11-11 Kawasaki Steel Corp 熱処理炉用ロ−ルの製造方法
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