JP2556478B2 - 磁気ヘツド - Google Patents
磁気ヘツドInfo
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Description
【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は磁気ヘツド、特に高透磁率材ブロツク上に高
飽和磁束密度膜を形成した磁気コアを有する磁気ヘツド
に関するものである。
飽和磁束密度膜を形成した磁気コアを有する磁気ヘツド
に関するものである。
〈従来の技術〉 従来、メタル塗布テープ、金属蒸着テープ等の高抗磁
力磁性媒体に適する磁気ヘツドとして、いわゆるMIG（M
etal in Gap）ヘツドと呼ばれるものがあり、既に実
用に供されている。
力磁性媒体に適する磁気ヘツドとして、いわゆるMIG（M
etal in Gap）ヘツドと呼ばれるものがあり、既に実
用に供されている。
MIGヘツドは、コアの大部分にフエライト等の高透磁
率材を用いギヤツプ近傍の磁極先端部を高飽和磁束密度
材、即ち、パーマロイ、センダスト、アモルフアス等の
合金磁性材で形成した構造となっている。MIGヘツドに
は、摺動面上における金属磁性材とフエライトとの境界
が、作動ギヤツプに平行なタイプ（これをＰタイプと呼
ぶことにする。たとえば特開昭51−140708号公報等が開
発されている）と、前記境界が作動ギヤツプと非平行で
アジマスが付いたタイプ（これをＡタイプと呼ぶことに
する。たとえば、特開昭54−96013号公報、特開昭60−3
2107号公報等に開示されている。）とがあり、現在まで
のところＡタイプのMIGヘツドが実用化されている。理
由は、ＰタイプのMIGヘツドでは金属磁性材とフエライ
トとの境界が疑似ギヤツプとして作用し、これによるコ
ンター効果により、周波数−出力特性にpeak−to−peak
値で数dB程度のリツプルが現れるからである。
率材を用いギヤツプ近傍の磁極先端部を高飽和磁束密度
材、即ち、パーマロイ、センダスト、アモルフアス等の
合金磁性材で形成した構造となっている。MIGヘツドに
は、摺動面上における金属磁性材とフエライトとの境界
が、作動ギヤツプに平行なタイプ（これをＰタイプと呼
ぶことにする。たとえば特開昭51−140708号公報等が開
発されている）と、前記境界が作動ギヤツプと非平行で
アジマスが付いたタイプ（これをＡタイプと呼ぶことに
する。たとえば、特開昭54−96013号公報、特開昭60−3
2107号公報等に開示されている。）とがあり、現在まで
のところＡタイプのMIGヘツドが実用化されている。理
由は、ＰタイプのMIGヘツドでは金属磁性材とフエライ
トとの境界が疑似ギヤツプとして作用し、これによるコ
ンター効果により、周波数−出力特性にpeak−to−peak
値で数dB程度のリツプルが現れるからである。
ところで上述の如きMIGヘツドにあっては、作動磁気
ギヤツプは、いわゆるツキ合わせ工程に依り形成されて
いた。このように従来のツキ合わせ工程により作動ギヤ
ツプを形成したヘツドは、ギヤツプ幅のバラツキが多
く、結果としてヘツド間の特性のバラツキも大きかっ
た。このバラツキを無くす目的でツキ合わせ工程を経ず
にギヤツプを形成したMIGヘツドも提案されている。こ
の種のヘツドでは金属磁性膜上に磁気ギヤツプとなるギ
ヤツプ材となる非磁性膜を形成して、更にこの非磁性膜
上に更に金属磁性膜が形成されている。
ギヤツプは、いわゆるツキ合わせ工程に依り形成されて
いた。このように従来のツキ合わせ工程により作動ギヤ
ツプを形成したヘツドは、ギヤツプ幅のバラツキが多
く、結果としてヘツド間の特性のバラツキも大きかっ
た。このバラツキを無くす目的でツキ合わせ工程を経ず
にギヤツプを形成したMIGヘツドも提案されている。こ
の種のヘツドでは金属磁性膜上に磁気ギヤツプとなるギ
ヤツプ材となる非磁性膜を形成して、更にこの非磁性膜
上に更に金属磁性膜が形成されている。
この様なツキ合わせ工程を含まないMIGヘツドとして
はＰタイプのものが特開昭60−177314号公報に開示さ
れ、Ａタイプのものとしては本出願人に係る特願昭60−
187486号に開示している。
はＰタイプのものが特開昭60−177314号公報に開示さ
れ、Ａタイプのものとしては本出願人に係る特願昭60−
187486号に開示している。
ツキ合せ工程を含まないＰタイプMIGヘツドのコア半
体を用いたヘツドはコンター効果が出るという、従来の
ＰタイプMIGヘツドと同様の問題を有する。従って現状
ではツキ合せ工程を含まないＡタイプMIGヘツドのコア
半体を用いたヘツドが上述の諸問題に対し最も有利な構
造を持っているものである。
体を用いたヘツドはコンター効果が出るという、従来の
ＰタイプMIGヘツドと同様の問題を有する。従って現状
ではツキ合せ工程を含まないＡタイプMIGヘツドのコア
半体を用いたヘツドが上述の諸問題に対し最も有利な構
造を持っているものである。
第15図はツキ合せ工程を含まないＡタイプMIGヘツド
の一例を示す図である。図中１はフエライト等の高透磁
率材ブロツク、2,8はセンダスト等の高飽和磁束密度材
よりなる磁性膜、４は巻線窓用溝、７は磁気ギヤツプ、
10,11はガラス等の非磁性材である。尚、このヘツドの
製造工程の詳細については特願昭60−187486号に開示し
ているのでここでは省略する。
の一例を示す図である。図中１はフエライト等の高透磁
率材ブロツク、2,8はセンダスト等の高飽和磁束密度材
よりなる磁性膜、４は巻線窓用溝、７は磁気ギヤツプ、
10,11はガラス等の非磁性材である。尚、このヘツドの
製造工程の詳細については特願昭60−187486号に開示し
ているのでここでは省略する。
〈発明が解決しようとする問題〉 しかしながら、上述の如きツキ合わせ工程を含まない
ＡタイプMIGヘツドに於いても以下の如き問題がある。
ＡタイプMIGヘツドに於いても以下の如き問題がある。
第16図は第15図に示すヘツドの問題点について説明す
るためのコア先端部を示す図である。第16図に於いてＤ
はギヤツプデプス、σ０媒体摺動面、Sgは磁気ギヤツプ
形成面、Σはフエライト１とセンダスト膜２との境界面
であり、面Sgと面Σとは非平行である。
るためのコア先端部を示す図である。第16図に於いてＤ
はギヤツプデプス、σ０媒体摺動面、Sgは磁気ギヤツプ
形成面、Σはフエライト１とセンダスト膜２との境界面
であり、面Sgと面Σとは非平行である。
今、この磁気ヘツドを使用していくと、媒体摺動面は
σ０からσ1,σ2,そしてσ３へと変化していく。この時
媒体摺動面に於いて露呈する磁性膜２を斜線にて示す。
図より明らかな如くヘツドが使用されていき、ギヤツプ
デプスが変化していくと、面σ１までは摺動面上に現わ
れる金属磁性材の形状は変化しないが、面σ２上では、
フエライトとの境界の一部がギヤツプと平行になり、面
σ３上では完全に平行となりコンター効果が現われ磁気
特性が劣化してしまう。
σ０からσ1,σ2,そしてσ３へと変化していく。この時
媒体摺動面に於いて露呈する磁性膜２を斜線にて示す。
図より明らかな如くヘツドが使用されていき、ギヤツプ
デプスが変化していくと、面σ１までは摺動面上に現わ
れる金属磁性材の形状は変化しないが、面σ２上では、
フエライトとの境界の一部がギヤツプと平行になり、面
σ３上では完全に平行となりコンター効果が現われ磁気
特性が劣化してしまう。
第17図（ａ），（ｂ）は第15図に示した磁気ヘツドの
他の問題点について説明するための図であり、第17図
（ａ）は第15図に示したヘツドを磁気記録媒体摺動面側
から見た図である。
他の問題点について説明するための図であり、第17図
（ａ）は第15図に示したヘツドを磁気記録媒体摺動面側
から見た図である。
図中twはこのヘツドのトラツク幅を示す。この種のヘ
ツドに於いてこのトラツク幅twを高精度でかつ高効率に
て決定しようとすれば、磁性膜８の成膜後、例えば高精
度のダイサを所望のトラツク幅twに対応するピツチで送
り、該ダイサにて第17図に矢印Ａで示す方向に、第17図
の点線Ｂの深さまで加工を行う必要がある。ところが、
この様な加工を行う場合、加工深さの誤差が発生するこ
とが多く、例えば第17図中点線Ｂ′で示す深さまで加工
してしまうことがある。第17図（ｂ）はこの様な加工誤
差が発生した場合に得られる磁気ヘツドを媒体摺動面側
から見た図である。
ツドに於いてこのトラツク幅twを高精度でかつ高効率に
て決定しようとすれば、磁性膜８の成膜後、例えば高精
度のダイサを所望のトラツク幅twに対応するピツチで送
り、該ダイサにて第17図に矢印Ａで示す方向に、第17図
の点線Ｂの深さまで加工を行う必要がある。ところが、
この様な加工を行う場合、加工深さの誤差が発生するこ
とが多く、例えば第17図中点線Ｂ′で示す深さまで加工
してしまうことがある。第17図（ｂ）はこの様な加工誤
差が発生した場合に得られる磁気ヘツドを媒体摺動面側
から見た図である。
第17図（ｂ）に示す様に上記加工誤差に伴い磁性膜８
に不連続部分が生じ、該不連続部分の存在に因ってコア
の磁気抵抗が増大し、磁気記録再生特性が劣化してしま
う。
に不連続部分が生じ、該不連続部分の存在に因ってコア
の磁気抵抗が増大し、磁気記録再生特性が劣化してしま
う。
また、この様なトラツク幅の決定の為の磁性膜８の加
工を、メタルマスク法またはフオトリソグラフイ法等に
より行うことも考えられるが、これらの加工法を用いた
場合、工程の増大と複雑化等によりダイサ等の機械加工
に比し、大幅なコストアツプにつながるという問題点が
ある。
工を、メタルマスク法またはフオトリソグラフイ法等に
より行うことも考えられるが、これらの加工法を用いた
場合、工程の増大と複雑化等によりダイサ等の機械加工
に比し、大幅なコストアツプにつながるという問題点が
ある。
本発明は上述の如き問題に鑑み、経時変化や加工誤差
に対しても安定な磁気特性を有する磁気ヘツドを提供す
ることを目的とする。
に対しても安定な磁気特性を有する磁気ヘツドを提供す
ることを目的とする。
〈問題点を解決するための手段〉 上記目的を達成するため、本発明の磁気ヘッドは、巻
線用溝が形成されている高透磁率材ブロックと、このブ
ロックの前記巻線用溝の形成されている側に対し少なく
とも媒体摺動面側に形成された高飽和磁束密度材よりな
る第１の磁性膜と、この第１の磁性膜上に形成され磁気
ギャップとなる非磁性膜と、この非磁性膜上に形成され
た高飽和磁束密度材よりなる第２の磁性膜と、それぞれ
前記非磁性膜の両端に接する一対の非磁性部とを備え、
前記ブロックの前記非磁性膜に対向する面が前記非磁性
膜と非平行で、かつ前記第１の磁性膜が前記一対の非磁
性部の一方と前記ブロックとの境界に沿って延在すると
ともに、延在しない側の前記第１の磁性膜の端部は、前
記第２の磁性膜の一方の端部と同一直線上に配されるよ
うに形成されている。
線用溝が形成されている高透磁率材ブロックと、このブ
ロックの前記巻線用溝の形成されている側に対し少なく
とも媒体摺動面側に形成された高飽和磁束密度材よりな
る第１の磁性膜と、この第１の磁性膜上に形成され磁気
ギャップとなる非磁性膜と、この非磁性膜上に形成され
た高飽和磁束密度材よりなる第２の磁性膜と、それぞれ
前記非磁性膜の両端に接する一対の非磁性部とを備え、
前記ブロックの前記非磁性膜に対向する面が前記非磁性
膜と非平行で、かつ前記第１の磁性膜が前記一対の非磁
性部の一方と前記ブロックとの境界に沿って延在すると
ともに、延在しない側の前記第１の磁性膜の端部は、前
記第２の磁性膜の一方の端部と同一直線上に配されるよ
うに形成されている。
〈実施例〉 第１図は、本発明の最も典型的な構成を有するヘツド
の実施例につき、その概略を示す斜視図、第２図〜第９
図は、第１図のヘツドの製造工程の概略を説明する図、
第10図（ａ）〜（ｅ）は、摺動面上の構造が第１図のヘ
ツドと異なる種々の実施例を示す図である。
の実施例につき、その概略を示す斜視図、第２図〜第９
図は、第１図のヘツドの製造工程の概略を説明する図、
第10図（ａ）〜（ｅ）は、摺動面上の構造が第１図のヘ
ツドと異なる種々の実施例を示す図である。
第１図において、１は単結晶フエライト等の高透磁率
材ブロツク、２は高透磁率材１上に、たとえばスパツタ
等の物理蒸着によって成膜されたパーマロイ，センダス
ト，アモルファス等の高飽和磁束密度を有する第１の磁
性膜としての合金磁性材膜、７はSiO2などのギヤツプ材
で、高飽和磁束密度材２上に同じくスパツタ等により成
膜され、８は、第２の磁性膜としての合金磁性材膜で、
ギヤツプ材７上に同じくスパツタ等により成膜される。
材ブロツク、２は高透磁率材１上に、たとえばスパツタ
等の物理蒸着によって成膜されたパーマロイ，センダス
ト，アモルファス等の高飽和磁束密度を有する第１の磁
性膜としての合金磁性材膜、７はSiO2などのギヤツプ材
で、高飽和磁束密度材２上に同じくスパツタ等により成
膜され、８は、第２の磁性膜としての合金磁性材膜で、
ギヤツプ材７上に同じくスパツタ等により成膜される。
４（41〜43）は、巻線窓用溝またはその壁面、６は低
融点ガラス、10は低融点ガラス６と同程度か低い融点を
有する低融点ガラス、11〜13は保護板で、11は非磁性フ
エライトあるいは結晶化ガラスなど耐摩耗性の高い非磁
性材、12はたとえばフエライト単結晶の如き高透磁率材
で、13は、低融点ガラス10と同程度かより高い融点を有
する接着材であり、14は巻線窓である。
融点ガラス、10は低融点ガラス６と同程度か低い融点を
有する低融点ガラス、11〜13は保護板で、11は非磁性フ
エライトあるいは結晶化ガラスなど耐摩耗性の高い非磁
性材、12はたとえばフエライト単結晶の如き高透磁率材
で、13は、低融点ガラス10と同程度かより高い融点を有
する接着材であり、14は巻線窓である。
本ヘツドの製造上、構造上の特徴をいくつか示す。先
ずヘツドとしての基本構造である磁極−ギヤツプ−磁極
の要素機能は、高透磁率材ブロツク１上に次々に成膜さ
れる第１の磁極としての高飽和磁束密度材２と、ギヤツ
プ材７、第２の磁極としての高飽和磁束密度材８とによ
って満たされる。ヘツド摺動面上において、高透磁率材
ブロツク１のギヤツプ材７との対向面と高飽和磁束密度
材２との境界は、ギヤツプ７とは非平行になっており、
コンター効果の出現を抑制する。保護板は摺動面側が非
磁性材11となっており、従って第２の磁極８との間のス
キ間あるいは接着剤層は疑似ギヤツプとならない。ま
た、保護板のギヤツプに面する側の非磁性材11あるいは
13の最下点P1は、巻線窓用溝壁面41の上端点P2と同程度
の高さか、やや下（摺動面を上として）に位置するが、
可能な限り摺動面に近い方が特性上好ましい。これは、
保護板の高透磁率材12が摺動面に近い程、磁気回路の磁
気抵抗が小さくなるからである。このようなヘツド構造
の場合、実効的なギヤツプデプスは、点P1,P2の内、摺
動面に近い側によって決められる。
ずヘツドとしての基本構造である磁極−ギヤツプ−磁極
の要素機能は、高透磁率材ブロツク１上に次々に成膜さ
れる第１の磁極としての高飽和磁束密度材２と、ギヤツ
プ材７、第２の磁極としての高飽和磁束密度材８とによ
って満たされる。ヘツド摺動面上において、高透磁率材
ブロツク１のギヤツプ材７との対向面と高飽和磁束密度
材２との境界は、ギヤツプ７とは非平行になっており、
コンター効果の出現を抑制する。保護板は摺動面側が非
磁性材11となっており、従って第２の磁極８との間のス
キ間あるいは接着剤層は疑似ギヤツプとならない。ま
た、保護板のギヤツプに面する側の非磁性材11あるいは
13の最下点P1は、巻線窓用溝壁面41の上端点P2と同程度
の高さか、やや下（摺動面を上として）に位置するが、
可能な限り摺動面に近い方が特性上好ましい。これは、
保護板の高透磁率材12が摺動面に近い程、磁気回路の磁
気抵抗が小さくなるからである。このようなヘツド構造
の場合、実効的なギヤツプデプスは、点P1,P2の内、摺
動面に近い側によって決められる。
従来提案されているつぎ合せ工程を経ずに作られるヘ
ツドと本実施例との構造上最も異なる点は第１図におい
てフエライトコア１に刻まれた巻線窓14を形成する為の
溝４を形作る溝の壁面41,42,43から可能な限り金属磁性
膜が取除かれている事にある。さらに、摺動面上、ギヤ
ツプ７近傍のコア先端部はトラツク幅出しの為、ほぼ平
行な側面となるように溝９が刻まれているが、この溝加
工によって現われるフエライトコア１の両側面のいずれ
か一方金属磁性材が形成されている。
ツドと本実施例との構造上最も異なる点は第１図におい
てフエライトコア１に刻まれた巻線窓14を形成する為の
溝４を形作る溝の壁面41,42,43から可能な限り金属磁性
膜が取除かれている事にある。さらに、摺動面上、ギヤ
ツプ７近傍のコア先端部はトラツク幅出しの為、ほぼ平
行な側面となるように溝９が刻まれているが、この溝加
工によって現われるフエライトコア１の両側面のいずれ
か一方金属磁性材が形成されている。
以上のような構造上の特徴を有するヘツドの製造法を
第２図〜第９図を用いて説明する。
第２図〜第９図を用いて説明する。
第２図において、１は、フエライト単結晶の直方体ブ
ロツクの一部で、その一面には、多数の平行な三角溝31
〜34が刻まれている。夫々の三角溝31〜34の斜面と、元
のフエライトブロツク面とのなす角度θは、10゜以上30
゜〜50゜が望ましい。
ロツクの一部で、その一面には、多数の平行な三角溝31
〜34が刻まれている。夫々の三角溝31〜34の斜面と、元
のフエライトブロツク面とのなす角度θは、10゜以上30
゜〜50゜が望ましい。
次に、第３図に示す様に上記三角溝31〜33の斜面が残
る様、該三角溝31〜33内に方形溝31′〜33′を形成す
る。そして第４図では、フエライトブロツク１の溝を刻
んだ面に、物理蒸着、メツキ、CVD等の方法により、磁
性金属膜２を厚さ10μｍ〜50μｍ程度成膜する。一般に
第２図における角度θが大きくなる程、またトラツク幅
が広くなる程厚く成膜する必要がある。成膜後、第５図
に示すように、巻線窓用溝４を切削加工等により形成
し、アルミ、銅、ニツケル、亜鉛、鉄等の細線５を溝４
に落し込み、金属磁性膜２が成膜された溝31〜33及び
31′〜33′諸共、融点が550℃〜600℃程の第１の低融点
ガラスで埋め込む。この時ガラスの流れ性の改善及び金
属磁性膜２のガラスによる浸食を防ぐ為に、ガラスを受
け込む前処理として全面にCr,Ta,Ti,またはこれらの酸
化物等を保護膜として0.1〜0.3μｍ程度の厚さに蒸着ス
パツタ法等により成膜すると良い。
る様、該三角溝31〜33内に方形溝31′〜33′を形成す
る。そして第４図では、フエライトブロツク１の溝を刻
んだ面に、物理蒸着、メツキ、CVD等の方法により、磁
性金属膜２を厚さ10μｍ〜50μｍ程度成膜する。一般に
第２図における角度θが大きくなる程、またトラツク幅
が広くなる程厚く成膜する必要がある。成膜後、第５図
に示すように、巻線窓用溝４を切削加工等により形成
し、アルミ、銅、ニツケル、亜鉛、鉄等の細線５を溝４
に落し込み、金属磁性膜２が成膜された溝31〜33及び
31′〜33′諸共、融点が550℃〜600℃程の第１の低融点
ガラスで埋め込む。この時ガラスの流れ性の改善及び金
属磁性膜２のガラスによる浸食を防ぐ為に、ガラスを受
け込む前処理として全面にCr,Ta,Ti,またはこれらの酸
化物等を保護膜として0.1〜0.3μｍ程度の厚さに蒸着ス
パツタ法等により成膜すると良い。
第６図では、溝31〜33,31′〜33′を第１の低融点ガ
ラス６で埋め込んだ後、ギヤツプ面を形成するため平面
ラツプした状態を示す。平面ラツプ後、第７図のように
先ずSiO2などのキヤツプ材７を設計に応じ、たとえば0.
2〜0.3μｍ成膜し、続いてもう一方の磁極を形成するた
めの第２の金属磁性膜８をたとえば厚さ10〜50μｍ程成
膜する。第８図は、ギヤツプ近傍のトラツク幅を規制す
るための溝91〜93を加工した状態を示す。溝と溝とには
さまれたトラツク幅規制部の両側面はほぼ平行であり、
該溝91〜93の片方の側面には磁性金属膜２が露呈する様
該溝91〜93が加工される。３層の膜2,7,8相互及びフエ
ライト１との密着性その他に難があり、溝91〜95を一度
で加工できない場合等には、トラツクの右側を規制する
溝と、左側を規制する溝とを２度に分けて加工する。ま
た、溝を低融点ガラスで埋める際には、金属磁性膜が低
融点ガラスに浸食されるのを防ぐ為、溝面に現われた金
属磁性膜上にCr,Ta,Tiもしくはこれらの酸化物を0.1〜
0.3μｍ成膜しておくと良い。第９図はトラツク幅加工
用の溝91〜93を利用し、第８図に示したブロツクと予め
用意した保護ブロツク11〜13を融点が500℃〜550℃程の
第２の低融点ガラス10で溶着した様子を示す。保護ブロ
ツクの上部、摺動面側は、非磁性材11,下部はフエライ
ト単結晶等の高透磁率材12であり、２つの部材は、融点
が550℃〜600℃程の第３の低融点ガラス等の接着材13で
接着されている。このコアブロツクから点線L1,L2で示
したように切出したチツプをカセイソーダ水溶液に浸漬
するなどして巻線窓用溝に埋められた金属棒５を溶解除
去し、巻線窓を形成する。摺動面等の外形加工を終えた
ヘツドチツプの概略斜視図が第１図である。
ラス６で埋め込んだ後、ギヤツプ面を形成するため平面
ラツプした状態を示す。平面ラツプ後、第７図のように
先ずSiO2などのキヤツプ材７を設計に応じ、たとえば0.
2〜0.3μｍ成膜し、続いてもう一方の磁極を形成するた
めの第２の金属磁性膜８をたとえば厚さ10〜50μｍ程成
膜する。第８図は、ギヤツプ近傍のトラツク幅を規制す
るための溝91〜93を加工した状態を示す。溝と溝とには
さまれたトラツク幅規制部の両側面はほぼ平行であり、
該溝91〜93の片方の側面には磁性金属膜２が露呈する様
該溝91〜93が加工される。３層の膜2,7,8相互及びフエ
ライト１との密着性その他に難があり、溝91〜95を一度
で加工できない場合等には、トラツクの右側を規制する
溝と、左側を規制する溝とを２度に分けて加工する。ま
た、溝を低融点ガラスで埋める際には、金属磁性膜が低
融点ガラスに浸食されるのを防ぐ為、溝面に現われた金
属磁性膜上にCr,Ta,Tiもしくはこれらの酸化物を0.1〜
0.3μｍ成膜しておくと良い。第９図はトラツク幅加工
用の溝91〜93を利用し、第８図に示したブロツクと予め
用意した保護ブロツク11〜13を融点が500℃〜550℃程の
第２の低融点ガラス10で溶着した様子を示す。保護ブロ
ツクの上部、摺動面側は、非磁性材11,下部はフエライ
ト単結晶等の高透磁率材12であり、２つの部材は、融点
が550℃〜600℃程の第３の低融点ガラス等の接着材13で
接着されている。このコアブロツクから点線L1,L2で示
したように切出したチツプをカセイソーダ水溶液に浸漬
するなどして巻線窓用溝に埋められた金属棒５を溶解除
去し、巻線窓を形成する。摺動面等の外形加工を終えた
ヘツドチツプの概略斜視図が第１図である。
アジマス記録用ヘツドの場合、第９図のように、ギヤ
ツプ長さ方向に対し垂直に切出すのではなく必要な角度
をつけて切ればよい。また、巻線窓用溝部壁面４に数μ
ｍ程度の金属磁性膜が残存しても良い。即ち、従来のつ
き合わせ工程を無くしたヘツドの製造工程におけるよう
に巻線窓用溝を形成した後、溝部を遮蔽する工程を新規
に導入し、その後金属磁性膜を成膜しても良いが、遮蔽
が不充分で、巻線窓用溝部壁面に若干の金属磁性膜が付
着するのは許容されるべきである。また、従来の工程の
ように、巻線窓用溝部にも成膜した後、それを必要な厚
さ除去しても良い。要はギヤツプ部を構成する部分の膜
厚より、巻線窓用溝部の膜厚が実質的、作為的に薄くな
っていれば良い。
ツプ長さ方向に対し垂直に切出すのではなく必要な角度
をつけて切ればよい。また、巻線窓用溝部壁面４に数μ
ｍ程度の金属磁性膜が残存しても良い。即ち、従来のつ
き合わせ工程を無くしたヘツドの製造工程におけるよう
に巻線窓用溝を形成した後、溝部を遮蔽する工程を新規
に導入し、その後金属磁性膜を成膜しても良いが、遮蔽
が不充分で、巻線窓用溝部壁面に若干の金属磁性膜が付
着するのは許容されるべきである。また、従来の工程の
ように、巻線窓用溝部にも成膜した後、それを必要な厚
さ除去しても良い。要はギヤツプ部を構成する部分の膜
厚より、巻線窓用溝部の膜厚が実質的、作為的に薄くな
っていれば良い。
また酸化物磁性材１として単結晶フエライトを用いる
場合、媒体摺動面が（110）面とすれば、他の面を摺動
面とする場合に比べて耐摩耗性の優れたヘツドとなる。
場合、媒体摺動面が（110）面とすれば、他の面を摺動
面とする場合に比べて耐摩耗性の優れたヘツドとなる。
本発明の第１図と類似の他の実施例につき、その媒体
摺動面上の構成を第10図（ａ）〜（ｅ）に示す。いずれ
も、（１）磁性金属膜２と、高透磁率材ブロツク１の境
界は、ギヤツプ７と非平行で、（２）ギヤツプ長さ、従
ってトラツク幅を規制するコア先端部境界線はほぼ平行
で、（３）第３の溝91〜93の加工によって現われる溝の
両側面に対応するブロツク１とガラス10との境界の一方
には磁性金属膜が延在している。
摺動面上の構成を第10図（ａ）〜（ｅ）に示す。いずれ
も、（１）磁性金属膜２と、高透磁率材ブロツク１の境
界は、ギヤツプ７と非平行で、（２）ギヤツプ長さ、従
ってトラツク幅を規制するコア先端部境界線はほぼ平行
で、（３）第３の溝91〜93の加工によって現われる溝の
両側面に対応するブロツク１とガラス10との境界の一方
には磁性金属膜が延在している。
構成の一部が異なる他の実施例をヘツドの斜視図とし
て第11図〜第13図に示す。
て第11図〜第13図に示す。
第11図のヘツドチツプを第１図のヘツドチツプと比較
すると明らかなように、ギヤツプ材７を下部コア側にま
で形成せず、従って下部コア側で第１の金属磁性膜２の
少なくとも一部と、第２の金属磁性膜８とが直接密着す
ることとなり、下部コアの磁気抵抗を下げる効果があ
る。
すると明らかなように、ギヤツプ材７を下部コア側にま
で形成せず、従って下部コア側で第１の金属磁性膜２の
少なくとも一部と、第２の金属磁性膜８とが直接密着す
ることとなり、下部コアの磁気抵抗を下げる効果があ
る。
第12図のヘツドチツプと第１図のヘツドチツプの違い
は、第13図のヘツドチツプでは巻線窓14のあるコア半体
の巻線窓用溝４の壁面はもとより、溝４より下側にも金
属磁性膜が形成されていない。下部コアにおいて、磁束
はギヤツプ７に対し垂直方向を向くが、その磁束が変化
すると、金属磁性膜中に渦電流が流れ、記録再生効率の
低下を招くからである。
は、第13図のヘツドチツプでは巻線窓14のあるコア半体
の巻線窓用溝４の壁面はもとより、溝４より下側にも金
属磁性膜が形成されていない。下部コアにおいて、磁束
はギヤツプ７に対し垂直方向を向くが、その磁束が変化
すると、金属磁性膜中に渦電流が流れ、記録再生効率の
低下を招くからである。
第13図の実施例では、コストダウンを目的として、保
護板全体を非磁性体15で形成してある。
護板全体を非磁性体15で形成してある。
以上第11〜13図に示した実施例は第１図の実施例にお
ける構成の一部分を変更したものであるが、これらを組
合わせて実施することもできる。また、たとえば第12図
のヘツドにおいて、キヤツプ材７を第11図のヘツドの如
く下部コア側には設けず、さらに第12図の第２の磁極８
を下部コア側にまで形成せず下部コア側では高透磁率材
１と12が直接密接するか、一体となるような構造をとる
ことも可能である。
ける構成の一部分を変更したものであるが、これらを組
合わせて実施することもできる。また、たとえば第12図
のヘツドにおいて、キヤツプ材７を第11図のヘツドの如
く下部コア側には設けず、さらに第12図の第２の磁極８
を下部コア側にまで形成せず下部コア側では高透磁率材
１と12が直接密接するか、一体となるような構造をとる
ことも可能である。
第14図は上述した様な各実施例のヘツドに於けるコア
の先端部を示す図である。第14図に示すように、デプス
エンドに対応する面σｅまで媒体摺動面に於ける第１の
磁性膜の形状は変化しない。即ち、使用することによっ
て摩耗しデプスが変化しても本実施例のヘツドは特性が
安定しているものである。また、巻線窓用溝を有するコ
ア半体のフエライト等、高透磁率材上に形成する単一の
金属磁性膜の面積をできるだけ少なくし、ヘツド製造過
程で生ずる内部応力の蓄積を少なくした結果、金属磁性
膜の膜ハガレや、フエライト、溶着ガラスに発生するク
ラツクが最少限におさえられ、ヘツド製造上の歩留りが
飛躍的に向上するものである。
の先端部を示す図である。第14図に示すように、デプス
エンドに対応する面σｅまで媒体摺動面に於ける第１の
磁性膜の形状は変化しない。即ち、使用することによっ
て摩耗しデプスが変化しても本実施例のヘツドは特性が
安定しているものである。また、巻線窓用溝を有するコ
ア半体のフエライト等、高透磁率材上に形成する単一の
金属磁性膜の面積をできるだけ少なくし、ヘツド製造過
程で生ずる内部応力の蓄積を少なくした結果、金属磁性
膜の膜ハガレや、フエライト、溶着ガラスに発生するク
ラツクが最少限におさえられ、ヘツド製造上の歩留りが
飛躍的に向上するものである。
更に、媒体摺動面に於ける金属磁性膜と高透磁率材と
の境界の長さが大きくとれるため、この境界が磁気記録
再生特性に与える影響を軽減でき良好な記録再生特性を
得ることができ、かつ加工誤差がこの電磁変換特性に与
える影響も小さいものである。
の境界の長さが大きくとれるため、この境界が磁気記録
再生特性に与える影響を軽減でき良好な記録再生特性を
得ることができ、かつ加工誤差がこの電磁変換特性に与
える影響も小さいものである。
〈発明の効果〉 本願発明の構成によれば、媒体摺動面における金属磁
性膜と高透磁率材ブロックとの境界の長さが大きくとれ
るため、この境界が磁気記録再生特性に与える影響を軽
減でき良好な記録再生特性を得ることができる。
性膜と高透磁率材ブロックとの境界の長さが大きくとれ
るため、この境界が磁気記録再生特性に与える影響を軽
減でき良好な記録再生特性を得ることができる。
さらに、第１の磁性膜を前記一対の非磁性部の一方と
前記ブロックとの境界に沿って延在させるように形成し
た上で、延在しない側の前記第１の磁性膜の端部を前記
第２の磁性膜の一方の端部と同一直線上に配されるよう
に形成しているので、上述したように、良好な記録再生
特性が得られた上で、狭トラック化を図ることが可能に
なる。
前記ブロックとの境界に沿って延在させるように形成し
た上で、延在しない側の前記第１の磁性膜の端部を前記
第２の磁性膜の一方の端部と同一直線上に配されるよう
に形成しているので、上述したように、良好な記録再生
特性が得られた上で、狭トラック化を図ることが可能に
なる。
第１図は本発明の一実施例としての磁気ヘツドの構成の
概略を示す斜視図、 第２図〜第９図は第１図のヘツドの製造工程の概略を示
す図、 第10図（ａ）〜（ｅ）は夫々第１図の磁気ヘツドとは異
なる媒体摺動面を有する他の実施例を示す図、 第11図〜第13図は夫々第１図の磁気ヘツドとは異なる構
造を有する更に他の実施例としての磁気ヘツドを示す斜
視図、 第14図は本発明の各実施例のヘツドに於けるコアの先端
部を示す図、 第15図は従来の磁気ヘツドの構造の一例を示す斜視図、 第16図は、第15図に示すヘツドの問題点について説明す
るため、コアの先端部を示す図、 第17図は第15図に示すヘツドの他の問題点について説明
するための図である。 １はフエライト単結晶などの高透磁率材ブロツク、 ２は、第１の磁性膜としての合金磁性材などの高飽和磁
束密度材、 ３は高透磁率材ブロツクに刻まれた溝、 ４は巻線窓用の溝、 ５は金属棒、 ６は低融点ガラス、 ７はギヤツプとなる非磁性膜、 ８は第２の磁性膜としての合金磁性材などの高飽和磁束
密度材、 ９は、トラツク幅を規定する溝、 10は、低融点ガラス、14は巻線窓である。
概略を示す斜視図、 第２図〜第９図は第１図のヘツドの製造工程の概略を示
す図、 第10図（ａ）〜（ｅ）は夫々第１図の磁気ヘツドとは異
なる媒体摺動面を有する他の実施例を示す図、 第11図〜第13図は夫々第１図の磁気ヘツドとは異なる構
造を有する更に他の実施例としての磁気ヘツドを示す斜
視図、 第14図は本発明の各実施例のヘツドに於けるコアの先端
部を示す図、 第15図は従来の磁気ヘツドの構造の一例を示す斜視図、 第16図は、第15図に示すヘツドの問題点について説明す
るため、コアの先端部を示す図、 第17図は第15図に示すヘツドの他の問題点について説明
するための図である。 １はフエライト単結晶などの高透磁率材ブロツク、 ２は、第１の磁性膜としての合金磁性材などの高飽和磁
束密度材、 ３は高透磁率材ブロツクに刻まれた溝、 ４は巻線窓用の溝、 ５は金属棒、 ６は低融点ガラス、 ７はギヤツプとなる非磁性膜、 ８は第２の磁性膜としての合金磁性材などの高飽和磁束
密度材、 ９は、トラツク幅を規定する溝、 10は、低融点ガラス、14は巻線窓である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 鈴木 博幸 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キ ヤノン株式会社内 (72)発明者 新妻 清純 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キ ヤノン株式会社内 (72)発明者 山中 俊雄 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キ ヤノン株式会社内 (56)参考文献 特開 昭60−179906（ＪＰ，Ａ) 特開 昭56−41517（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−34707（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】巻線用溝が形成されている高透磁率材ブロ
ックと、 このブロックの前記巻線用溝の形成されている側に対し
少なくとも媒体摺動面側に形成された高飽和磁束密度材
よりなる第１の磁性膜と、 この第１の磁性膜上に形成され磁気ギャップとなる非磁
性膜と、 この非磁性膜上に形成された高飽和磁束密度材よりなる
第２の磁性膜と、 それぞれ前記非磁性膜の両端に接する一対の非磁性部と
を備え、 前記ブロックの前記非磁性膜に対向する面が前記非磁性
膜と非平行で、かつ前記第１の磁性膜が前記一対の非磁
性部の一方と前記ブロックとの境界に沿って延在すると
ともに、延在しない側の前記第１の磁性膜の端部は、前
記第２の磁性膜の一方の端部と同一直線上に配されるよ
うに形成されていることを特徴とする磁気ヘツド。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61174976A JP2556478B2 (ja) | 1986-07-25 | 1986-07-25 | 磁気ヘツド |
| US07/235,824 US4890378A (en) | 1985-08-28 | 1988-08-19 | Method for manufacturing a magnetic head core having a magnetic film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61174976A JP2556478B2 (ja) | 1986-07-25 | 1986-07-25 | 磁気ヘツド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6331007A JPS6331007A (ja) | 1988-02-09 |
| JP2556478B2 true JP2556478B2 (ja) | 1996-11-20 |
Family
ID=15988035
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61174976A Expired - Fee Related JP2556478B2 (ja) | 1985-08-28 | 1986-07-25 | 磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2556478B2 (ja) |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5641517A (en) * | 1979-09-13 | 1981-04-18 | Hitachi Ltd | Preparation of magnetic head |
| JPS60179906A (ja) * | 1984-02-24 | 1985-09-13 | Tdk Corp | 磁気ヘツドの製造方法 |
| JPH0766495B2 (ja) * | 1984-07-27 | 1995-07-19 | 株式会社日立製作所 | 磁気ヘツド |
-
1986
- 1986-07-25 JP JP61174976A patent/JP2556478B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6331007A (ja) | 1988-02-09 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |