JP2632814B2 - 磁気ヘツド - Google Patents
磁気ヘツドInfo
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- JP2632814B2 JP2632814B2 JP61246044A JP24604486A JP2632814B2 JP 2632814 B2 JP2632814 B2 JP 2632814B2 JP 61246044 A JP61246044 A JP 61246044A JP 24604486 A JP24604486 A JP 24604486A JP 2632814 B2 JP2632814 B2 JP 2632814B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は磁気ヘッドに関し、特に高透磁率磁性材上
に、高飽和磁束密度磁性膜を被着してなる磁気ヘッドに
関するものである。
に、高飽和磁束密度磁性膜を被着してなる磁気ヘッドに
関するものである。
近年抗磁力の高い磁気記録媒体、例えばメタル塗布、
金属蒸着テープ等に対して記録再生の可能なMIG（Metal
In Gap）ヘツドと呼ばれるが利用される様になって来
た。
金属蒸着テープ等に対して記録再生の可能なMIG（Metal
In Gap）ヘツドと呼ばれるが利用される様になって来
た。
MIGヘツドは、コアの大部分にフエライト等の高透磁
率材を用いギヤツプ近傍の磁極先端部を高飽和磁束密度
材、即ち、パーマロイ、センダスト、アモルフアス等の
合金磁性材で形成した構造となっている。
率材を用いギヤツプ近傍の磁極先端部を高飽和磁束密度
材、即ち、パーマロイ、センダスト、アモルフアス等の
合金磁性材で形成した構造となっている。
MIGヘッドの最も単純な高磁変換部近傍の形態を第４
図（Ａ），（Ｂ）に示す。図中１は単結晶フエライト等
の高速磁率材チツプ、２はセンダスト等の高飽和磁束密
度合金よりなる磁性合金膜、３は非磁性材よりなる磁気
ギヤツプ部である。尚第４図（Ａ）は巻線溝内に磁性合
金膜を被着しないタイプ、（Ｂ）は巻線溝内にも磁性合
金膜を被着するタイプのそれを示している。
図（Ａ），（Ｂ）に示す。図中１は単結晶フエライト等
の高速磁率材チツプ、２はセンダスト等の高飽和磁束密
度合金よりなる磁性合金膜、３は非磁性材よりなる磁気
ギヤツプ部である。尚第４図（Ａ）は巻線溝内に磁性合
金膜を被着しないタイプ、（Ｂ）は巻線溝内にも磁性合
金膜を被着するタイプのそれを示している。
MIGヘツドにはその基本構造を第４図（Ａ），（Ｂ）
に示している様に磁気記録媒体摺動面に於ける磁性合金
膜２と高透磁率材１との境界が磁気ギヤツプ３に平行な
タイプ（以下Ｐタイプと称する）と磁気ギヤツプに非平
行でアジマス角を有するタイプ（以下Ａタイプと称す
る）とが考えられている。例えばＰタイプのMIGヘツド
としては特開昭51−140708号公報に開示されているも
の、ＡタイプのMIGヘツドとしては例えば特開昭60−321
07号公報に開示されているものがある。
に示している様に磁気記録媒体摺動面に於ける磁性合金
膜２と高透磁率材１との境界が磁気ギヤツプ３に平行な
タイプ（以下Ｐタイプと称する）と磁気ギヤツプに非平
行でアジマス角を有するタイプ（以下Ａタイプと称す
る）とが考えられている。例えばＰタイプのMIGヘツド
としては特開昭51−140708号公報に開示されているも
の、ＡタイプのMIGヘツドとしては例えば特開昭60−321
07号公報に開示されているものがある。
しかしながらＰタイプのMIGヘツドは、磁気ギヤツプ
と平行である処の高透磁率材と合金磁性材との境界部分
の磁気的性質の不連続性のために、コンター効果と呼ば
れる現象が発生し、第５図に示すように、周波数対出力
特性曲線に、少ない場合で３〜4dB程度のリツプルが現
われるため、記録再生用ヘツドとして未だ実用化されて
いない。
と平行である処の高透磁率材と合金磁性材との境界部分
の磁気的性質の不連続性のために、コンター効果と呼ば
れる現象が発生し、第５図に示すように、周波数対出力
特性曲線に、少ない場合で３〜4dB程度のリツプルが現
われるため、記録再生用ヘツドとして未だ実用化されて
いない。
その様な現象を避ける為に考案されたものがＡタイプ
のMIGヘツドであり、上記特開昭60−32107号公報に開示
のものがVTR用として実用化されている。
のMIGヘツドであり、上記特開昭60−32107号公報に開示
のものがVTR用として実用化されている。
ところが、一般的にＡタイプのMIGヘツドはＰタイプ
のMIGヘツドに比べて、複雑な構造となるので、製造工
程数が多くなると同時に製品歩留りも低くなっていた。
そのため製造コスト面に於いてかなり割高であった。
のMIGヘツドに比べて、複雑な構造となるので、製造工
程数が多くなると同時に製品歩留りも低くなっていた。
そのため製造コスト面に於いてかなり割高であった。
また、ＡタイプのMIGヘツドで例えば60μｍもの広い
トラツク幅を有するヘツドを製造しようとすると、その
構造と構造法によっては、40μｍ前後の厚さの磁性合金
膜をスパツタリング等の物理蒸着法で成膜する工程が必
要となる。このような厚さの膜をスパツタリングで成膜
するには、成膜時間のみで数時間を要し、また仮に成膜
したとしても、内部応力の蓄積の為、膜そのものや、基
板であるフエライトにクラツクが入ったりはなはだしい
場合、割れてしまうこともある。そのため機械加工や、
500℃〜600℃前後のガラス溶着工程などの過酷な工程を
経て完成に至るヘツド少なく、歩留りの低下を増長する
結果となる。
トラツク幅を有するヘツドを製造しようとすると、その
構造と構造法によっては、40μｍ前後の厚さの磁性合金
膜をスパツタリング等の物理蒸着法で成膜する工程が必
要となる。このような厚さの膜をスパツタリングで成膜
するには、成膜時間のみで数時間を要し、また仮に成膜
したとしても、内部応力の蓄積の為、膜そのものや、基
板であるフエライトにクラツクが入ったりはなはだしい
場合、割れてしまうこともある。そのため機械加工や、
500℃〜600℃前後のガラス溶着工程などの過酷な工程を
経て完成に至るヘツド少なく、歩留りの低下を増長する
結果となる。
本発明は上述の如き問題に鑑みてなされ、簡易な製造
工程により製造が可能でかつ製造コストが高くなること
がなく、良好な電磁変換特性を有する磁気ヘツドを提供
することを目的としている。
工程により製造が可能でかつ製造コストが高くなること
がなく、良好な電磁変換特性を有する磁気ヘツドを提供
することを目的としている。
上記目的を達成するため、本発明による磁気ヘッド
は、高透磁率磁性材上に高飽和磁束密度性の磁性膜を被
着してなるコアハーフ同士を磁気ギャップ材を介して突
き合わせてなる磁気ヘッドであって、少なくとも一方の
コアハーフにおける前記磁性膜の膜厚が、作動ギャップ
の深さの範囲内にて、前記磁気ヘッドの媒体摺接面から
の深さに応じて略一の割合で連続的に変化するよう、前
記磁性膜は、前記磁気ギャップ材に対して30度ないし45
度の範囲で傾斜して形成され、かつ、前記媒体摺接面に
おける前記磁気ギャップ材の厚さ方向の、前記膜厚が変
化する側の磁性膜の幅が10μｍ以下であるように構成さ
れている。
は、高透磁率磁性材上に高飽和磁束密度性の磁性膜を被
着してなるコアハーフ同士を磁気ギャップ材を介して突
き合わせてなる磁気ヘッドであって、少なくとも一方の
コアハーフにおける前記磁性膜の膜厚が、作動ギャップ
の深さの範囲内にて、前記磁気ヘッドの媒体摺接面から
の深さに応じて略一の割合で連続的に変化するよう、前
記磁性膜は、前記磁気ギャップ材に対して30度ないし45
度の範囲で傾斜して形成され、かつ、前記媒体摺接面に
おける前記磁気ギャップ材の厚さ方向の、前記膜厚が変
化する側の磁性膜の幅が10μｍ以下であるように構成さ
れている。
以下本発明の最も典型的な実施例についてその構造を
第１図（Ａ），（Ｂ），（Ｃ）、その製造工程を第２図
（Ａ），（Ｂ），（Ｃ），（Ｄ）を用いて説明する。
第１図（Ａ），（Ｂ），（Ｃ）、その製造工程を第２図
（Ａ），（Ｂ），（Ｃ），（Ｄ）を用いて説明する。
第１図（Ａ）は本実施例の磁気ヘツドの外観斜視図で
あり、図中１はフエライトブロツク、２は磁性合金膜、
３は磁気ギヤツプ部、6,8は低融点ガラス、９は巻線窓
である。第１図（Ａ）の磁気ヘツドの電磁変換部近傍の
詳細を第１図（Ｃ）に示す。第１図（Ｃ）は第１図
（Ａ）の磁気ヘツドを媒体の摺動方向に切断した場合の
断面図である。
あり、図中１はフエライトブロツク、２は磁性合金膜、
３は磁気ギヤツプ部、6,8は低融点ガラス、９は巻線窓
である。第１図（Ａ）の磁気ヘツドの電磁変換部近傍の
詳細を第１図（Ｃ）に示す。第１図（Ｃ）は第１図
（Ａ）の磁気ヘツドを媒体の摺動方向に切断した場合の
断面図である。
第１図（Ｃ）に示す如く本実施例の磁気ヘツドにおい
ては、摺動面側から見た基本構成はＰタイプであって
も、高透磁率材と、高飽和磁束密度材の境界面が、少な
くとも必要なギヤツプの深さの範囲内で、ギヤツプ面に
対し、一定方向の傾き、好ましくは30゜〜60゜の鋭角を
有し、連続的に膜厚が変化する構造にした。
ては、摺動面側から見た基本構成はＰタイプであって
も、高透磁率材と、高飽和磁束密度材の境界面が、少な
くとも必要なギヤツプの深さの範囲内で、ギヤツプ面に
対し、一定方向の傾き、好ましくは30゜〜60゜の鋭角を
有し、連続的に膜厚が変化する構造にした。
このような簡単な構成をとることにより、コンター効
果によるリツプルも、1dB以下に抑制され、ビデオヘツ
ドとして十分な電磁変換特性を有し、コストダウンも可
能となることがわかった。
果によるリツプルも、1dB以下に抑制され、ビデオヘツ
ドとして十分な電磁変換特性を有し、コストダウンも可
能となることがわかった。
以下、本実施例の磁気ヘツドの製造方法について第２
図（Ａ）〜（Ｅ）を用いて説明する。
図（Ａ）〜（Ｅ）を用いて説明する。
第２図（Ａ）において、１はフエライト単結晶の直接
方体ブロツクの一部を示し、その一面には、三つの壁面
S1,S2,S3により形成される巻線窓用の溝４が切られてお
り、その溝４が刻まれた面には、溝の壁面も含め、セン
ダスト，アモルフアス，パーマロイ等の高飽和磁束密度
を有する合金磁性膜２が被着されている。これらの合金
磁性膜は、スパツタ、蒸着、プラズマCVDなどの物理蒸
着化学蒸着などの蒸着プロセスや、メツキなどの化学的
プロセスにより形成される。たとえばスパツタリングで
これらの膜を形成する場合は、フエライト１に刻まれた
巻線窓用溝の三つの壁面S1,S2,S3の内、摺動面に近い斜
面S1により厚い膜が付着する様、矢印で示した如く、図
の斜め下方向から蒸着することが望ましい。8mmVTRのよ
うにギヤツプデプスが25μｍ程必要な場合、この斜面S1
には、合金磁性膜をおよそ20μｍ〜25μｍ程成膜すれば
良い。
方体ブロツクの一部を示し、その一面には、三つの壁面
S1,S2,S3により形成される巻線窓用の溝４が切られてお
り、その溝４が刻まれた面には、溝の壁面も含め、セン
ダスト，アモルフアス，パーマロイ等の高飽和磁束密度
を有する合金磁性膜２が被着されている。これらの合金
磁性膜は、スパツタ、蒸着、プラズマCVDなどの物理蒸
着化学蒸着などの蒸着プロセスや、メツキなどの化学的
プロセスにより形成される。たとえばスパツタリングで
これらの膜を形成する場合は、フエライト１に刻まれた
巻線窓用溝の三つの壁面S1,S2,S3の内、摺動面に近い斜
面S1により厚い膜が付着する様、矢印で示した如く、図
の斜め下方向から蒸着することが望ましい。8mmVTRのよ
うにギヤツプデプスが25μｍ程必要な場合、この斜面S1
には、合金磁性膜をおよそ20μｍ〜25μｍ程成膜すれば
良い。
成膜後は、第２図（Ｂ）に示すように、巻線窓用溝中
に、アルミ等の金属棒５を落とし込み、アルミ棒諸共55
0℃前後の融点を有する第１の低融点ガラス６で溝を埋
めた後、突き合わせ面を形成するため、研磨、ラツピン
グをする。
に、アルミ等の金属棒５を落とし込み、アルミ棒諸共55
0℃前後の融点を有する第１の低融点ガラス６で溝を埋
めた後、突き合わせ面を形成するため、研磨、ラツピン
グをする。
次に、第２図（Ｃ）に示すように、多数の平行な溝
71,72,…を刻みトラツク幅加工をする。第２図（Ｃ）で
は、溝加工の途中の状態を示す。溝71,72,…をすべて刻
んだ後、必要ならば、溝加工により生じたバリ等を取る
ため、突き合わせ面を軽くラツピングした後、SiO2,CrO
2等の非磁性ギヤツプ材を設計に応じたとえば0.2μｍ程
スパツタリングし突き合わせ前のブロツク加工を終え
る。もう一方のコア半体に対応する、巻線窓用溝の無い
ブロツクについても、突き合わせ面に対応する面に、合
金磁性材を10μｍ以上、好ましくは20μｍ程成膜し、ト
ラツク幅加工の溝を切っておく。
71,72,…を刻みトラツク幅加工をする。第２図（Ｃ）で
は、溝加工の途中の状態を示す。溝71,72,…をすべて刻
んだ後、必要ならば、溝加工により生じたバリ等を取る
ため、突き合わせ面を軽くラツピングした後、SiO2,CrO
2等の非磁性ギヤツプ材を設計に応じたとえば0.2μｍ程
スパツタリングし突き合わせ前のブロツク加工を終え
る。もう一方のコア半体に対応する、巻線窓用溝の無い
ブロツクについても、突き合わせ面に対応する面に、合
金磁性材を10μｍ以上、好ましくは20μｍ程成膜し、ト
ラツク幅加工の溝を切っておく。
これら２つのブロツクを突き合わせ、トラツク幅出し
の溝等を利用して第１の低融点ガラス６と同じか、やや
低い500℃〜550℃の融点を有する第２の低融点ガラス
81,82,…で溶着して得られるブロツクを第２図（Ｄ）に
示す。
の溝等を利用して第１の低融点ガラス６と同じか、やや
低い500℃〜550℃の融点を有する第２の低融点ガラス
81,82,…で溶着して得られるブロツクを第２図（Ｄ）に
示す。
第２図（Ｄ）において、３は磁気ギヤツプ、81,82,…
は第２の低融点ガラスである。このブロツクから、鎖線
で示した位置で切出し、ヘツドチツプが得られるが、こ
のヘツドチツプに関し、ギヤツプ３の中心を通り、ギヤ
ツプ面に垂直に交わる断面、即ち、第２図（Ｄ）の中心
線（一点鎖線）で示した断面の構成を第２図（Ｅ）に示
す。第２図（Ｅ）において、フエライトコア１の巻線窓
用の溝の面S1と、つき合わせ面に対向する面S0との交線
を点Ｐで示す。本実施例のヘツドでは、初期状態に於け
る摺動面Σ１の位置が、鎖線で示す如く、点Ｐと同じか
より下方に位置する様に加工する。第２図（Ｅ）点Ｐと
ギヤツプ近傍の拡大図は第１図（Ｃ）に示している。
は第２の低融点ガラスである。このブロツクから、鎖線
で示した位置で切出し、ヘツドチツプが得られるが、こ
のヘツドチツプに関し、ギヤツプ３の中心を通り、ギヤ
ツプ面に垂直に交わる断面、即ち、第２図（Ｄ）の中心
線（一点鎖線）で示した断面の構成を第２図（Ｅ）に示
す。第２図（Ｅ）において、フエライトコア１の巻線窓
用の溝の面S1と、つき合わせ面に対向する面S0との交線
を点Ｐで示す。本実施例のヘツドでは、初期状態に於け
る摺動面Σ１の位置が、鎖線で示す如く、点Ｐと同じか
より下方に位置する様に加工する。第２図（Ｅ）点Ｐと
ギヤツプ近傍の拡大図は第１図（Ｃ）に示している。
既に簡単に触れたように、第１図（Ｃ）において、巻
線窓のあるコア半体の摺動面が、巻線窓様溝の斜面S1と
ギヤツプ面に平行な面S0の交点Ｐより上方にあり、ギヤ
ツプ深さ範囲内に、ギヤツプ面に平行な面が残存する
と、コンター効果が現われ、点Ｐを通る面Σ１と同じ
か、下方に位置すればコンター効果は抑制される。面S0
が残存すると、フエライト中の磁束が、面S0に垂直に近
く交わるので、二つの磁気的性質の異なる材料のギヤツ
プと平行な境界面S0が擬似ギヤツプ的なはたらきをする
ものと推測される。
線窓のあるコア半体の摺動面が、巻線窓様溝の斜面S1と
ギヤツプ面に平行な面S0の交点Ｐより上方にあり、ギヤ
ツプ深さ範囲内に、ギヤツプ面に平行な面が残存する
と、コンター効果が現われ、点Ｐを通る面Σ１と同じ
か、下方に位置すればコンター効果は抑制される。面S0
が残存すると、フエライト中の磁束が、面S0に垂直に近
く交わるので、二つの磁気的性質の異なる材料のギヤツ
プと平行な境界面S0が擬似ギヤツプ的なはたらきをする
ものと推測される。
第１図（Ｃ）において、面S1上に付着した合金磁性膜
２の厚さをＴ、膜２をギヤツプ面とのなす角をθ、摺動
面Σ１が頂度点Ｐを通るとして、面Σ１からギヤツプ深
さ方向の端点Ｏまでの距離、即ち、ギヤツプ深さをＤ、
ギヤツプから点Ｐまでの距離、即ち、摺動面上に現われ
た合金磁性膜の幅▲▼をＷとしたとき、W,D,θとＴ
との間には、 Ｔ＝Wcosθ＋Dsinθ ……（１） という関係が成立する。今ビデオ信号の記録再生用ヘツ
ドを対象とした時、ギヤツプ深さＤ＝25μｍとし、斜面
S1とギヤツプ面のなす角度をθ＝45゜、θ＝65゜の夫々
の場合について、さらに摺動面上における膜面の幅をＷ
＝0,5,10μｍと変化させてみて、斜面S1上に必要膜厚Ｔ
を（１）式から求めると、第１図（Ｂ）のようになる。
２の厚さをＴ、膜２をギヤツプ面とのなす角をθ、摺動
面Σ１が頂度点Ｐを通るとして、面Σ１からギヤツプ深
さ方向の端点Ｏまでの距離、即ち、ギヤツプ深さをＤ、
ギヤツプから点Ｐまでの距離、即ち、摺動面上に現われ
た合金磁性膜の幅▲▼をＷとしたとき、W,D,θとＴ
との間には、 Ｔ＝Wcosθ＋Dsinθ ……（１） という関係が成立する。今ビデオ信号の記録再生用ヘツ
ドを対象とした時、ギヤツプ深さＤ＝25μｍとし、斜面
S1とギヤツプ面のなす角度をθ＝45゜、θ＝65゜の夫々
の場合について、さらに摺動面上における膜面の幅をＷ
＝0,5,10μｍと変化させてみて、斜面S1上に必要膜厚Ｔ
を（１）式から求めると、第１図（Ｂ）のようになる。
各種形状のヘツドを試作した結果、出刀は、膜厚Ｔが
厚い程高くなり、コンター効果は、膜幅Ｗが広い程少な
くなる事がわかったがＷ＝10μｍ程度で、コンター効果
によるリツプルは、殆んど1dB以下となった。尚、膜厚
Ｔが厚いと、内部応力がそれだけ増大し、加工時にヘツ
ドの各部に、クラツクや膜ハガレが生じ、歩留りを低下
させる為、膜厚は薄い方が望ましい。従って、第１図
（Ｂ）よりＷ＝10μｍ以下の時は、θ＝45゜の方が好ま
しい。尚、ヘツド幅が大きいヘツドの場合、デプスＤは
10μｍで十分なので、Ｗ＝10μｍとしても膜厚は15μｍ
程度で良い。
厚い程高くなり、コンター効果は、膜幅Ｗが広い程少な
くなる事がわかったがＷ＝10μｍ程度で、コンター効果
によるリツプルは、殆んど1dB以下となった。尚、膜厚
Ｔが厚いと、内部応力がそれだけ増大し、加工時にヘツ
ドの各部に、クラツクや膜ハガレが生じ、歩留りを低下
させる為、膜厚は薄い方が望ましい。従って、第１図
（Ｂ）よりＷ＝10μｍ以下の時は、θ＝45゜の方が好ま
しい。尚、ヘツド幅が大きいヘツドの場合、デプスＤは
10μｍで十分なので、Ｗ＝10μｍとしても膜厚は15μｍ
程度で良い。
実際には摺動面が面S0と面S1の交線（点Ｐ）を頂度通
るように加工するの困難で、ギヤツプ深さ方向に数μｍ
の誤差が出る。この時、初期摺動面がΣ１より下方、ギ
ヤツプ深さＤが小さくなる方向へずれる場合は問題無
い。一方、摺動面が、上方にδだけずれΣ２に位置した
場合、ずれ量δが２〜３μｍ以下であれば、即ち面S0の
残存量が深さにして、２〜３μｍ以下ならば、コンター
効果によりリツプルは2dB以下となりビデオ信号の記録
再生に対しては悪影響を及ぼさないことがわかった。従
って、実用上は、面S0がギヤツプ深さ方向に数μｍ残存
する程度の加工誤差は許容されるべきである。
るように加工するの困難で、ギヤツプ深さ方向に数μｍ
の誤差が出る。この時、初期摺動面がΣ１より下方、ギ
ヤツプ深さＤが小さくなる方向へずれる場合は問題無
い。一方、摺動面が、上方にδだけずれΣ２に位置した
場合、ずれ量δが２〜３μｍ以下であれば、即ち面S0の
残存量が深さにして、２〜３μｍ以下ならば、コンター
効果によりリツプルは2dB以下となりビデオ信号の記録
再生に対しては悪影響を及ぼさないことがわかった。従
って、実用上は、面S0がギヤツプ深さ方向に数μｍ残存
する程度の加工誤差は許容されるべきである。
以上詳しく説明した工程に従って得られたヘツドチツ
プの外観の斜視図が、第１図（Ａ）に示したものであ
る。摺動面加工を施した後ヘツドチツプをアルカリ液に
浸漬すると、アルミ棒が溶け、巻線窓９が形成される。
プの外観の斜視図が、第１図（Ａ）に示したものであ
る。摺動面加工を施した後ヘツドチツプをアルカリ液に
浸漬すると、アルミ棒が溶け、巻線窓９が形成される。
次に本発明の他の実施例としての磁気ヘツドの電磁変
換部近傍を第３図（Ａ）〜第３図（Ｆ）に示す。
換部近傍を第３図（Ａ）〜第３図（Ｆ）に示す。
第３図（Ａ）のヘツドは、たとえば第２図（Ｂ）のフ
エライトブロツクにおいて、突き合わせ面に残存する厚
さｔの合金膜をさらに研磨・ラツピングして下地のフエ
ライト面が現われるようにし、そのブロツクに第２図
（Ｄ）の巻線窓用溝の無い方のブロツクを突き合わせ溶
着し、以下先の実施例と同様の工程を経て得られる。こ
の場合、第１図（Ｃ）において、合金磁性膜とフエライ
トとの境界面S1は単一面で斜め上方に伸び、ギヤツプ面
と点Ｒで交わっており、摺動面Σ１上に現われる合金磁
性膜の幅▲▼＝Ｗと、θ,D,Tとの間には前出（１）
式と同様の関係式が成立する。
エライトブロツクにおいて、突き合わせ面に残存する厚
さｔの合金膜をさらに研磨・ラツピングして下地のフエ
ライト面が現われるようにし、そのブロツクに第２図
（Ｄ）の巻線窓用溝の無い方のブロツクを突き合わせ溶
着し、以下先の実施例と同様の工程を経て得られる。こ
の場合、第１図（Ｃ）において、合金磁性膜とフエライ
トとの境界面S1は単一面で斜め上方に伸び、ギヤツプ面
と点Ｒで交わっており、摺動面Σ１上に現われる合金磁
性膜の幅▲▼＝Ｗと、θ,D,Tとの間には前出（１）
式と同様の関係式が成立する。
第３図（Ｂ）のヘツドは、巻線窓のあるコア半体に、
第３図（Ａ）と同じものを用い、突き合わせる相手のコ
ア半体については、下部コア側に合金磁性膜の無いもの
を用いている。またコア下部にはギヤツプ材は被着しな
い構造としてある。このような構造を有する磁気ヘツド
にあっては、合金磁性膜が、つき合わせ面で頂度対向
し、巻線窓を連続してとりまく構造にし、磁気抵抗が最
も少なくなるよう配慮されている。
第３図（Ａ）と同じものを用い、突き合わせる相手のコ
ア半体については、下部コア側に合金磁性膜の無いもの
を用いている。またコア下部にはギヤツプ材は被着しな
い構造としてある。このような構造を有する磁気ヘツド
にあっては、合金磁性膜が、つき合わせ面で頂度対向
し、巻線窓を連続してとりまく構造にし、磁気抵抗が最
も少なくなるよう配慮されている。
第３図（Ｃ）のヘツドは、巻線窓用溝の三つの壁面
S1,S2,S3の内、ギヤツプ面と鋭角で交わる斜面S1にのみ
合金磁性膜を成膜したものである。また、他の実施例も
そうであるが、斜面S1上の膜厚は、ギヤツプ近傍で必要
な膜厚が確保できれば、溝の深さ方向に薄くなっていっ
てもよい。フエライトに被着する合金磁性膜の面積や厚
さが少ない程、内部応力が小さくなり、加工歩留りが向
上する。
S1,S2,S3の内、ギヤツプ面と鋭角で交わる斜面S1にのみ
合金磁性膜を成膜したものである。また、他の実施例も
そうであるが、斜面S1上の膜厚は、ギヤツプ近傍で必要
な膜厚が確保できれば、溝の深さ方向に薄くなっていっ
てもよい。フエライトに被着する合金磁性膜の面積や厚
さが少ない程、内部応力が小さくなり、加工歩留りが向
上する。
第３図（Ｄ）のヘツドは、フエライトブロツクに、巻
線窓用溝を刻む前に、前記溝と平行に斜面S1′を有する
溝を刻み、その表面に合金磁性膜を成膜した後、巻線窓
用溝を刻んで得られる。このヘツドに於いては２種類の
磁性材の境界面積が更に少なくなり、加工歩留りが向上
する。
線窓用溝を刻む前に、前記溝と平行に斜面S1′を有する
溝を刻み、その表面に合金磁性膜を成膜した後、巻線窓
用溝を刻んで得られる。このヘツドに於いては２種類の
磁性材の境界面積が更に少なくなり、加工歩留りが向上
する。
第３図（Ｅ）のヘツドは、巻線溝の単一斜面を途中で
折れ曲げその表面に合金磁性膜を成膜して得られる。尚
この場合にもギヤツプ深さ内に於いては図示の如く合金
磁性膜の被着面は単一平面としている。
折れ曲げその表面に合金磁性膜を成膜して得られる。尚
この場合にもギヤツプ深さ内に於いては図示の如く合金
磁性膜の被着面は単一平面としている。
第３図（Ｆ）のヘツドは、突き合わせする２つのコア
半体の両方に巻線窓用溝を形成し、その変形斜面S1″に
合金磁性膜を形成して得られる。
半体の両方に巻線窓用溝を形成し、その変形斜面S1″に
合金磁性膜を形成して得られる。
このヘツドによれば、全体の磁路長を短縮し、ヘツド
の電磁変換効率を向上させてある。合金磁性膜２とフエ
ライト１との境界面S1″が曲面となっているが、ギヤツ
プ深さ範囲内の曲面上、各位置における接平面とギヤツ
プ面とのなす角はすべて鋭角となっている。また曲面の
曲率は、図と反対符号のものでもよい。
の電磁変換効率を向上させてある。合金磁性膜２とフエ
ライト１との境界面S1″が曲面となっているが、ギヤツ
プ深さ範囲内の曲面上、各位置における接平面とギヤツ
プ面とのなす角はすべて鋭角となっている。また曲面の
曲率は、図と反対符号のものでもよい。
以上は、ヘツドのギヤツプ中心を通り、トラツク方向
に平行な断面内での構造に関する種々の変形例を示した
が、そのほか例えば第２図（Ｃ）におけるトラツク幅出
しの溝形状や、そのようにして得られるコア先端部側面
に合金膜を成膜するなど、数多くの組合わせや変形例が
得られる。
に平行な断面内での構造に関する種々の変形例を示した
が、そのほか例えば第２図（Ｃ）におけるトラツク幅出
しの溝形状や、そのようにして得られるコア先端部側面
に合金膜を成膜するなど、数多くの組合わせや変形例が
得られる。
また、いわゆる突き合わせ工程を経ずにヘツドが作ら
れるような磁気ヘツドにおいても、巻線窓を有する側の
コア半体に於いて同様に作動ギヤツプの深さの範囲内に
て、合金磁性膜の膜厚を大略一定の割合で変化せしめる
構成とすることにより同様の効果が得られる。
れるような磁気ヘツドにおいても、巻線窓を有する側の
コア半体に於いて同様に作動ギヤツプの深さの範囲内に
て、合金磁性膜の膜厚を大略一定の割合で変化せしめる
構成とすることにより同様の効果が得られる。
上述の如き本発明の各実施例の磁気ヘツドに於いて
は、少なくとも一方のコアハーフに於ける磁性合金膜の
膜厚が作動ギヤツプの深さの範囲内にて磁気ヘツドの媒
体摺動面からの深たに応じて大略一定の割合で変化する
→構造としているので、磁気合金膜の被着面は作動ギヤ
ツプ深さの範囲内で殆んど単一の平面であるため加工が
簡単で、かつコンター効果に伴う電磁変換特性の劣化を
抑えることができる。
は、少なくとも一方のコアハーフに於ける磁性合金膜の
膜厚が作動ギヤツプの深さの範囲内にて磁気ヘツドの媒
体摺動面からの深たに応じて大略一定の割合で変化する
→構造としているので、磁気合金膜の被着面は作動ギヤ
ツプ深さの範囲内で殆んど単一の平面であるため加工が
簡単で、かつコンター効果に伴う電磁変換特性の劣化を
抑えることができる。
また、本発明の好適なる実施態様として、各実施例に
ある様に磁性合金膜の被着面と磁気ギヤツプとの間隔が
媒体摺動面に近づくに従い小さくなる様、即ち媒体摺動
面に近づくに従い磁性合金膜の膜厚が小さくなる様構成
することにより、磁束の流れは更にスムーズとなりより
効率良くコンター効果に伴う電磁変換特性への悪影響を
抑制できるものである。
ある様に磁性合金膜の被着面と磁気ギヤツプとの間隔が
媒体摺動面に近づくに従い小さくなる様、即ち媒体摺動
面に近づくに従い磁性合金膜の膜厚が小さくなる様構成
することにより、磁束の流れは更にスムーズとなりより
効率良くコンター効果に伴う電磁変換特性への悪影響を
抑制できるものである。
更に、第１図（Ａ）、第３図（Ａ），（Ｂ），（Ｃ）
に示した溝に巻線用溝の斜面をそのまま利用して磁性合
金膜の被着面とすることにより更に製造工程の簡略化が
実現できる。
に示した溝に巻線用溝の斜面をそのまま利用して磁性合
金膜の被着面とすることにより更に製造工程の簡略化が
実現できる。
磁気ギヤツプと平行な方向については磁性合金膜の膜
厚が変化しない構造とすることによりトラツク幅が合金
膜の膜厚とは無関係に選べるので、トラツク幅の広いヘ
ツドも安価に供給できるという効果がある。
厚が変化しない構造とすることによりトラツク幅が合金
膜の膜厚とは無関係に選べるので、トラツク幅の広いヘ
ツドも安価に供給できるという効果がある。
以上説明した様に本発明によれば、製造工程上有利な
構造を備えつつ電磁変換特性の劣化の少ない磁気ヘツド
が得られるものである。
構造を備えつつ電磁変換特性の劣化の少ない磁気ヘツド
が得られるものである。
第１図（Ａ），（Ｂ），（Ｃ）は本発明の一実施例とし
ての磁気ヘツドの構造について説明するための図、 第２図（Ａ），（Ｂ），（Ｃ），（Ｄ），（Ｅ）は第１
図に示す磁気ヘツドの製造工程を説明するための図、 第３図（Ａ）〜（Ｆ）は夫々本発明の他の実施例の磁気
ヘツドの電磁変換部に於ける断面図、 第４図（Ａ），（Ｂ）は従来のMIGヘツドの要部構造を
示す図、 第５図は第４図に示すヘツドの電磁変換特性を示す図で
ある。 図中、１は高透磁率磁性材ブロツク、２は高飽和磁束密
度磁性合金膜、３は磁気ギヤツプ、９は巻線窓である。
ての磁気ヘツドの構造について説明するための図、 第２図（Ａ），（Ｂ），（Ｃ），（Ｄ），（Ｅ）は第１
図に示す磁気ヘツドの製造工程を説明するための図、 第３図（Ａ）〜（Ｆ）は夫々本発明の他の実施例の磁気
ヘツドの電磁変換部に於ける断面図、 第４図（Ａ），（Ｂ）は従来のMIGヘツドの要部構造を
示す図、 第５図は第４図に示すヘツドの電磁変換特性を示す図で
ある。 図中、１は高透磁率磁性材ブロツク、２は高飽和磁束密
度磁性合金膜、３は磁気ギヤツプ、９は巻線窓である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山中 俊雄 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キ ヤノン株式会社内 (72)発明者 折笠 剛 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キ ヤノン株式会社内 (72)発明者 鈴木 博幸 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キ ヤノン株式会社内 (72)発明者 亀山 誠 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キ ヤノン株式会社内 (72)発明者 新妻 清純 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キ ヤノン株式会社内 (56)参考文献 特開 昭61−74112（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−127213（ＪＰ，Ａ) 特開 昭55−157121（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−103511（ＪＰ，Ａ) 実開 昭60−85711（ＪＰ，Ｕ)
Claims (1)
- 【請求項１】高透磁率磁性材上に高飽和磁束密度性の磁
性膜を被着してなるコアハーフ同士を磁気ギャップ材を
介して突き合わせてなる磁気ヘッドであって、 少なくとも一方のコアハーフにおける前記磁性膜の膜厚
が、作動ギャップの深さの範囲内にて、前記磁気ヘッド
の媒体摺接面からの深さに応じて略一定の割合で連続的
に変化するよう、前記磁性膜は、前記磁気ギャップ材に
対して30度ないし45度の範囲で傾斜して形成され、 かつ、前記媒体摺接面における前記磁気ギャップ材の厚
さ方向の、前記膜厚が変化する側の磁性膜の幅が10μｍ
以下であることを特徴とする磁気ヘッド。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61246044A JP2632814B2 (ja) | 1986-10-15 | 1986-10-15 | 磁気ヘツド |
| US07/108,809 US5173825A (en) | 1986-10-15 | 1987-10-14 | Magnetic head using magnetic oxide part and magnetic metal film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61246044A JP2632814B2 (ja) | 1986-10-15 | 1986-10-15 | 磁気ヘツド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6398805A JPS6398805A (ja) | 1988-04-30 |
| JP2632814B2 true JP2632814B2 (ja) | 1997-07-23 |
Family
ID=17142627
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61246044A Expired - Fee Related JP2632814B2 (ja) | 1986-10-15 | 1986-10-15 | 磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2632814B2 (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6174112A (ja) * | 1984-09-19 | 1986-04-16 | Hitachi Maxell Ltd | 磁気ヘツド |
-
1986
- 1986-10-15 JP JP61246044A patent/JP2632814B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6398805A (ja) | 1988-04-30 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |