JPH0241083B2 - Kinzokujiseihakumakugatajikihetsudonoseizohoho - Google Patents
KinzokujiseihakumakugatajikihetsudonoseizohohoInfo
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- JPH0241083B2 JPH0241083B2 JP10931081A JP10931081A JPH0241083B2 JP H0241083 B2 JPH0241083 B2 JP H0241083B2 JP 10931081 A JP10931081 A JP 10931081A JP 10931081 A JP10931081 A JP 10931081A JP H0241083 B2 JPH0241083 B2 JP H0241083B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、金属磁性薄膜型磁気ヘツドの製造
方法とくに溝形成方法を改良した製造方法に関す
る。
方法とくに溝形成方法を改良した製造方法に関す
る。
この種の従来の磁気ヘツド製造方法では、対設
してそれぞれ磁性薄膜から成るヘツドコア半体間
に非磁性体から成るギヤツプスペーサを介在さ
せ、この薄膜状ギヤツプスペーサをスパツタリン
グ等によつて形成している。しかし、この方法に
よると得られるギヤツプスペーサの平面度が低下
し易いため、種々の問題が起る。
してそれぞれ磁性薄膜から成るヘツドコア半体間
に非磁性体から成るギヤツプスペーサを介在さ
せ、この薄膜状ギヤツプスペーサをスパツタリン
グ等によつて形成している。しかし、この方法に
よると得られるギヤツプスペーサの平面度が低下
し易いため、種々の問題が起る。
この点を第１図によつてくわしく説明する。同
図ａの如く基板１上にマスクスバツタリング又は
エツチング等によつてヘツドコア半体を成す金属
磁性薄膜２ａ（図では極めて厚く描かれている）
を形成し、その側面に同じくスパツタリング等に
よつて非描性体のギヤツプスペーサ３を形成す
る。次に同図ｂに示す如く同様手段によつて金属
磁性薄膜２ｂを基板１上に形成して、両ヘツドコ
ア半体が対設するようにする。かゝる従来の方法
では、金属磁性薄膜２ａの形成は、マスクスパツ
タリング等によるので、その側面即ちヘツドギヤ
ツプ面はスパツタビームの湾曲等に起因して高い
平面度を与えることが困難となる。そのため、磁
気ヘツドの再生能率は低下し、またアジマス角を
精度よく再現することができないので磁気ヘツド
同志の互換性が悪くなる。さらに、ヘツドコア半
体において電気伝導度や周波数の影響を受ける表
皮効果に起因するうず電流損失を避けるためギヤ
ツプに平行する層からなる多層化構造とすると、
製作が厄介になる上ヘツド本来のギヤツプに平行
する層間絶縁膜が擬似ギヤツプ作用をするので再
生品質が劣化するという問題が起る。
図ａの如く基板１上にマスクスバツタリング又は
エツチング等によつてヘツドコア半体を成す金属
磁性薄膜２ａ（図では極めて厚く描かれている）
を形成し、その側面に同じくスパツタリング等に
よつて非描性体のギヤツプスペーサ３を形成す
る。次に同図ｂに示す如く同様手段によつて金属
磁性薄膜２ｂを基板１上に形成して、両ヘツドコ
ア半体が対設するようにする。かゝる従来の方法
では、金属磁性薄膜２ａの形成は、マスクスパツ
タリング等によるので、その側面即ちヘツドギヤ
ツプ面はスパツタビームの湾曲等に起因して高い
平面度を与えることが困難となる。そのため、磁
気ヘツドの再生能率は低下し、またアジマス角を
精度よく再現することができないので磁気ヘツド
同志の互換性が悪くなる。さらに、ヘツドコア半
体において電気伝導度や周波数の影響を受ける表
皮効果に起因するうず電流損失を避けるためギヤ
ツプに平行する層からなる多層化構造とすると、
製作が厄介になる上ヘツド本来のギヤツプに平行
する層間絶縁膜が擬似ギヤツプ作用をするので再
生品質が劣化するという問題が起る。
この発明は、上述した従来技術の諸欠点を除
き、ヘツドギヤツプ面の平面性が良好で所望のア
ジマス角を精度よく簡単に設定できるうえ、量産
性に優れた金属磁性薄膜型磁気ヘツドの製造方法
を提供することを目的とする。
き、ヘツドギヤツプ面の平面性が良好で所望のア
ジマス角を精度よく簡単に設定できるうえ、量産
性に優れた金属磁性薄膜型磁気ヘツドの製造方法
を提供することを目的とする。
この磁気ヘツド製造方法の要旨は、磁気ヘツド
のトラツク幅と等しいか又はこれよりやゝ大きい
厚さを有する金属磁性薄膜を非磁性体から成る基
板上に形成したのち、先端が少なくとも該基板の
表面に達する断面Ｖ字形または截底Ｖ字形の溝を
該磁性薄膜に設ける。次に、この溝の少なくとも
一方の斜面に該磁気ヘツドのギヤツプの厚さとほ
ぼ同じ厚さを有する非磁性体から成るギヤツプス
ペーサを形成したのち、該溝に金属磁性薄膜を埋
設することによつて磁気ヘツドにギヤツプを形成
するようにして、量産性を持たしたことを特徴と
している。そして更に、当該金属性磁性薄膜材よ
り硬度が高い材料から成るバイトの切削によつて
生じた切削面が該磁気ヘツドのギヤツプ面を成す
ように該バイトにより切削することによつて上記
の溝を設けるようにして、ヘツドギヤツプ面の平
面度の向上を図り、アジマス角の設定の精度を高
くすると共にその角度制御を容易かつ確実にし
た。
のトラツク幅と等しいか又はこれよりやゝ大きい
厚さを有する金属磁性薄膜を非磁性体から成る基
板上に形成したのち、先端が少なくとも該基板の
表面に達する断面Ｖ字形または截底Ｖ字形の溝を
該磁性薄膜に設ける。次に、この溝の少なくとも
一方の斜面に該磁気ヘツドのギヤツプの厚さとほ
ぼ同じ厚さを有する非磁性体から成るギヤツプス
ペーサを形成したのち、該溝に金属磁性薄膜を埋
設することによつて磁気ヘツドにギヤツプを形成
するようにして、量産性を持たしたことを特徴と
している。そして更に、当該金属性磁性薄膜材よ
り硬度が高い材料から成るバイトの切削によつて
生じた切削面が該磁気ヘツドのギヤツプ面を成す
ように該バイトにより切削することによつて上記
の溝を設けるようにして、ヘツドギヤツプ面の平
面度の向上を図り、アジマス角の設定の精度を高
くすると共にその角度制御を容易かつ確実にし
た。
以下、この発明を実施例によつて説明する。第
２図は本実施例の各工程の説明図である。図ａの
如く基板１上にセンダスト材から成る２層の金属
磁性薄膜５，５′をスパツタリングによつて厚さ
10μｍに形成し、中間層としての層間絶縁膜９は
0.1μｍ厚さのSiO2膜をスパツタリングによつて設
けた。
２図は本実施例の各工程の説明図である。図ａの
如く基板１上にセンダスト材から成る２層の金属
磁性薄膜５，５′をスパツタリングによつて厚さ
10μｍに形成し、中間層としての層間絶縁膜９は
0.1μｍ厚さのSiO2膜をスパツタリングによつて設
けた。
次にｂ図に示す如く、金属磁性薄膜５に断面が
Ｖ字形であつてその先端が基板１の表面に達する
溝６を、ダイアモンドバイトでブローチ加工的に
形成した。この際、加工用バイト材としてはダイ
アモンドのほか被加工材より硬いサフアイヤ等を
利用して差支えない。本実施例では溝６の両斜面
の基板１の表面に対する角度は、時計回りに図の
左側を84゜即ちアジマス角θを6°にし、右側を164゜
にした。この左側斜面が磁気ヘツドのギヤツプ面
となるもので、右側斜面から成るギヤツプはアジ
マスロスのため左側斜面から成る主ギヤツプの機
能を妨げることがないことが確認された。なお、
この溝形状は、Ｕ字形や截底Ｖ字形などで差支え
ないが、溝容積が大きくなると該溝に磁性材を埋
設したとき（後述する）うず電流損失が大きくな
ることを考慮して設計すべきである。
Ｖ字形であつてその先端が基板１の表面に達する
溝６を、ダイアモンドバイトでブローチ加工的に
形成した。この際、加工用バイト材としてはダイ
アモンドのほか被加工材より硬いサフアイヤ等を
利用して差支えない。本実施例では溝６の両斜面
の基板１の表面に対する角度は、時計回りに図の
左側を84゜即ちアジマス角θを6°にし、右側を164゜
にした。この左側斜面が磁気ヘツドのギヤツプ面
となるもので、右側斜面から成るギヤツプはアジ
マスロスのため左側斜面から成る主ギヤツプの機
能を妨げることがないことが確認された。なお、
この溝形状は、Ｕ字形や截底Ｖ字形などで差支え
ないが、溝容積が大きくなると該溝に磁性材を埋
設したとき（後述する）うず電流損失が大きくな
ることを考慮して設計すべきである。
かかるｂの工程に続きｃに示すように、溝６の
左側斜面にSiO2膜をマスクスパツタリングによ
つて被着し0.5μｍの厚さのギヤツプスペーサ７を
形成し、ついで溝６が完全に埋設されるようにセ
ンダスト材の磁性薄膜８を被着した。次に、ｄの
如くラツピング加工によつて、溝６を埋設した部
分を残して該薄膜８を除去した。
左側斜面にSiO2膜をマスクスパツタリングによ
つて被着し0.5μｍの厚さのギヤツプスペーサ７を
形成し、ついで溝６が完全に埋設されるようにセ
ンダスト材の磁性薄膜８を被着した。次に、ｄの
如くラツピング加工によつて、溝６を埋設した部
分を残して該薄膜８を除去した。
続いて先端の径0.6mmのホーンによる超音波加
工によつて巻線用窓を設けて得られた磁気ヘツド
は、トラツク幅20μｍ、ギヤツプ厚さ0.5μｍであ
り、上機右側斜面に被着したSiO2膜の厚さは0.1
mmにすぎなかつた。
工によつて巻線用窓を設けて得られた磁気ヘツド
は、トラツク幅20μｍ、ギヤツプ厚さ0.5μｍであ
り、上機右側斜面に被着したSiO2膜の厚さは0.1
mmにすぎなかつた。
このようにして得られた磁気ヘツドを、シリン
ダ径62mm、テープヘツド相対速度5.8ｍ／ｓの２
ヘツドヘリカルスキヤンVTR（VHSVTR）に実
装し、鉄粉を磁性媒体としたメタルテープ（保磁
力Hc＝1200Oe）を用いて試験した結果、フエラ
イトコアの従来のヘツドに比較して1MHzで＋
5dB、4MHzで＋2dB、6MHzで＋2dBの再生能率
の改善が確められた。また、発生するノイズは約
2dB低減した。
ダ径62mm、テープヘツド相対速度5.8ｍ／ｓの２
ヘツドヘリカルスキヤンVTR（VHSVTR）に実
装し、鉄粉を磁性媒体としたメタルテープ（保磁
力Hc＝1200Oe）を用いて試験した結果、フエラ
イトコアの従来のヘツドに比較して1MHzで＋
5dB、4MHzで＋2dB、6MHzで＋2dBの再生能率
の改善が確められた。また、発生するノイズは約
2dB低減した。
以上の説明から判るように本発明による磁気ヘ
ツドは、要求される諸性能が良好で精度よく製作
できるので互換性にも優れている。しかも、生産
性が高く安価な製品が得られる。
ツドは、要求される諸性能が良好で精度よく製作
できるので互換性にも優れている。しかも、生産
性が高く安価な製品が得られる。
第１図ａ，ｂは従来のこの種磁気ヘツド製造方
法の説明図、第２図ａ〜ｄは本発明の工程を示す
説明図である。 １：基板、２ａ，２ｂ，５，８：金属磁性薄
膜、３，７：ギヤツプスペーサ、６：溝、９：層
間絶縁膜。
法の説明図、第２図ａ〜ｄは本発明の工程を示す
説明図である。 １：基板、２ａ，２ｂ，５，８：金属磁性薄
膜、３，７：ギヤツプスペーサ、６：溝、９：層
間絶縁膜。
Claims (1)
- １ 磁気ヘツドのトラツク幅と少なくとも等しい
厚さを有する金属磁性薄膜を非磁性体から成る基
板上に形成したのち、先端が少なくとも該基板の
表面に達する断面Ｖ字形または截底Ｕ字形の溝を
該磁性薄膜に設け、次にこの溝の少なくとも一方
の斜面に該磁気ヘツドのギヤツプの厚さとほぼ同
じ厚さを有する非磁性体から成るギヤツプスペー
サを形成したのち、該溝に金属磁性薄膜を埋設す
ることによつて磁気ヘツドにギヤツプを形成する
ようにした磁気ヘツド製造方法であつて、該金属
性磁性薄膜材より硬度が高い材料から成るバイト
の切削によつて生じた切削面が該磁気ヘツドのギ
ヤツプ面を成すように該バイトにより切削するこ
とによつて該溝を設けることを特徴とする金属磁
性薄膜型磁気ヘツドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10931081A JPH0241083B2 (ja) | 1981-07-15 | 1981-07-15 | Kinzokujiseihakumakugatajikihetsudonoseizohoho |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10931081A JPH0241083B2 (ja) | 1981-07-15 | 1981-07-15 | Kinzokujiseihakumakugatajikihetsudonoseizohoho |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5812119A JPS5812119A (ja) | 1983-01-24 |
| JPH0241083B2 true JPH0241083B2 (ja) | 1990-09-14 |
Family
ID=14506955
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10931081A Expired - Lifetime JPH0241083B2 (ja) | 1981-07-15 | 1981-07-15 | Kinzokujiseihakumakugatajikihetsudonoseizohoho |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0241083B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60141494A (ja) * | 1983-12-27 | 1985-07-26 | 株式会社小松製作所 | 溶接ロボツトの超音波センサによる位置検出方法 |
| US5301418A (en) * | 1991-04-12 | 1994-04-12 | U.S. Philips Corporation | Method of manufacturing a magnetic head |
-
1981
- 1981-07-15 JP JP10931081A patent/JPH0241083B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5812119A (ja) | 1983-01-24 |
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