JPH0640370B2 - 磁気ヘツドの製造法 - Google Patents
磁気ヘツドの製造法Info
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- JPH0640370B2 JPH0640370B2 JP17285285A JP17285285A JPH0640370B2 JP H0640370 B2 JPH0640370 B2 JP H0640370B2 JP 17285285 A JP17285285 A JP 17285285A JP 17285285 A JP17285285 A JP 17285285A JP H0640370 B2 JPH0640370 B2 JP H0640370B2
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Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は高抗磁力記録媒体を用いた磁気記録再生装置を
用いて効果のある磁気ヘツドに関するものである。
用いて効果のある磁気ヘツドに関するものである。
従来の技術 ＶＴＲに代表される磁気記録再生装置は、近年益々高密
度化が進んでいる。このため使用する磁気ヘツドのトラ
ツク幅は１０ミクロン前後の幅狭のものもある。更にコ
ア材料も飽和磁束密度の高いセンダストやアモルフアス
などの金属材料が多用されている。このようにトラツク
幅が狭く、かつ金属材料コアによるヘツドは磁気テープ
との摺動による摩耗が激しく、いわゆるヘツド寿命が短
かい。このためヘツドトラツク幅の側面を補強し、磁気
テープとの当接幅を大きくした構造が一般的である。
度化が進んでいる。このため使用する磁気ヘツドのトラ
ツク幅は１０ミクロン前後の幅狭のものもある。更にコ
ア材料も飽和磁束密度の高いセンダストやアモルフアス
などの金属材料が多用されている。このようにトラツク
幅が狭く、かつ金属材料コアによるヘツドは磁気テープ
との摺動による摩耗が激しく、いわゆるヘツド寿命が短
かい。このためヘツドトラツク幅の側面を補強し、磁気
テープとの当接幅を大きくした構造が一般的である。
第２図は従来ヘツドの前面からみた一例を示すものであ
る。
る。
すなわち、同Ａ図は、トラツク端の補強の一つとして、
フエライト単体ヘツドの場合には、トラツク(16)の両側
面からガラス(17)を融着させていた。また同Ｂ図のセン
ダスト合金やアモルフアス合金による金属ヘツドでは、
そのヘツドトラツク(18)の側面からガラスやセラミツク
スの薄板をエポキシ樹脂層(20)を介して接着し、補強し
ていた。
フエライト単体ヘツドの場合には、トラツク(16)の両側
面からガラス(17)を融着させていた。また同Ｂ図のセン
ダスト合金やアモルフアス合金による金属ヘツドでは、
そのヘツドトラツク(18)の側面からガラスやセラミツク
スの薄板をエポキシ樹脂層(20)を介して接着し、補強し
ていた。
発明が解決しようとする問題点 前記の従来の磁気ヘツドの構成では、次の如き問題点が
あつた。その問題点の１つは、金属コアトラツク端の補
強をガラス溶着によつて構成する場合である。すなわ
ち、溶着時に重要なことは、コア材とガラス材の熱膨張
係数（α）が一致いしていることであり、コア材がセン
ダストの場合、そのα＝170×10-7程度であり、そのα
差が最も近いガラスを選択してもα＝150×10-7程度で
ある。これらのα差によつて、溶着時にガラス中にスト
レスが内在し、ガラス中にクラツクや欠けあるいは欠落
が生じ、高精度のトラツク端補強ができなかつた。
あつた。その問題点の１つは、金属コアトラツク端の補
強をガラス溶着によつて構成する場合である。すなわ
ち、溶着時に重要なことは、コア材とガラス材の熱膨張
係数（α）が一致いしていることであり、コア材がセン
ダストの場合、そのα＝170×10-7程度であり、そのα
差が最も近いガラスを選択してもα＝150×10-7程度で
ある。これらのα差によつて、溶着時にガラス中にスト
レスが内在し、ガラス中にクラツクや欠けあるいは欠落
が生じ、高精度のトラツク端補強ができなかつた。
又、コア材をアモルフアス合金を使用した場合、アモル
フアスの結晶化温度が550℃前後と低いため、溶着ガラ
スはPb0を多く含有する低融点ガラスを使用することに
なり、ガラス溶着時に前記Pb0とアモルフアス合金が融
着界面で相互拡散層を形成し、ガラスによつてアモルフ
アス合金の一部が浸触されるため、トラツク幅が減少す
る。更に磁気テープ摺動によつて低融点ガラスは段差を
生じ、トラツク部よりも低い位置になり、磁気テープ粉
の付着や磁気テープに損傷を与えるなどの問題があつ
た。
フアスの結晶化温度が550℃前後と低いため、溶着ガラ
スはPb0を多く含有する低融点ガラスを使用することに
なり、ガラス溶着時に前記Pb0とアモルフアス合金が融
着界面で相互拡散層を形成し、ガラスによつてアモルフ
アス合金の一部が浸触されるため、トラツク幅が減少す
る。更に磁気テープ摺動によつて低融点ガラスは段差を
生じ、トラツク部よりも低い位置になり、磁気テープ粉
の付着や磁気テープに損傷を与えるなどの問題があつ
た。
このため、従来、トラツク部分に金属コアを用いたセン
ダストやアモルフアス合金によるヘツドは、トラツク端
にガラスやセラミツクスの薄板をエポキシ樹脂層を介し
て接着した構造が多用されている。しかし、樹脂接着で
は、耐候性の点から信頼性が低く、かつ樹脂層の近傍か
らチツピングが生じ易く、それによつてトラツク幅が減
少し、ヘツド特性の低下をはじめ、磁気テープにも損傷
を与えるなどの問題があつた。
ダストやアモルフアス合金によるヘツドは、トラツク端
にガラスやセラミツクスの薄板をエポキシ樹脂層を介し
て接着した構造が多用されている。しかし、樹脂接着で
は、耐候性の点から信頼性が低く、かつ樹脂層の近傍か
らチツピングが生じ易く、それによつてトラツク幅が減
少し、ヘツド特性の低下をはじめ、磁気テープにも損傷
を与えるなどの問題があつた。
問題点を解決するための手段 本発明は、フェライトコアの先端一部に非磁性材料を上
面部に露出して融着し、前記非磁性体部とフェライトコ
ア上面部にフェライトコアより飽和磁束密度が高い金属
磁性材料を被着して一対の１Ｂ、１Ｂの複合コア半体と
する工程、前記複合コア半体の少なくとも一方に前記非
磁性体部の下部からフェライトコアの一部を通る溝部を
設けて１Ａとし、前記複合コアの、前記金属磁性体部、
非磁性体部及びフェライトコア部をギャップ構成面とし
て同一面に平滑研磨を行う工程、前記複合コア半体対の
ギャップ構成面部にギャップ幅に応じた厚みの非磁性材
ギャップ材をスパッタリングで被着する工程、前記ギャ
ップ材を具備した複合コア半体対１Ａ、１Ｂをギャップ
構成面で接合し、前記金属磁性体の結晶化温度よりも低
い温度で熱処理を施しヘツドブロツク体とする工程、前
記ヘツドブロツク体の金属磁性体が形成する作動ギヤツ
プに垂直にかつ前記上面部に露出する非磁性体部に達す
る深さで所定の間隔をもつて前記金属磁性体に複数の溝
部を設ける工程、および前記溝部に非磁性材料を充填す
る工程からなり、前記溝部に非磁性材料を充填する方法
をスパツタリング法、プラズマ溶射法、電気メツキ法、
または蒸着法としたものである。
面部に露出して融着し、前記非磁性体部とフェライトコ
ア上面部にフェライトコアより飽和磁束密度が高い金属
磁性材料を被着して一対の１Ｂ、１Ｂの複合コア半体と
する工程、前記複合コア半体の少なくとも一方に前記非
磁性体部の下部からフェライトコアの一部を通る溝部を
設けて１Ａとし、前記複合コアの、前記金属磁性体部、
非磁性体部及びフェライトコア部をギャップ構成面とし
て同一面に平滑研磨を行う工程、前記複合コア半体対の
ギャップ構成面部にギャップ幅に応じた厚みの非磁性材
ギャップ材をスパッタリングで被着する工程、前記ギャ
ップ材を具備した複合コア半体対１Ａ、１Ｂをギャップ
構成面で接合し、前記金属磁性体の結晶化温度よりも低
い温度で熱処理を施しヘツドブロツク体とする工程、前
記ヘツドブロツク体の金属磁性体が形成する作動ギヤツ
プに垂直にかつ前記上面部に露出する非磁性体部に達す
る深さで所定の間隔をもつて前記金属磁性体に複数の溝
部を設ける工程、および前記溝部に非磁性材料を充填す
る工程からなり、前記溝部に非磁性材料を充填する方法
をスパツタリング法、プラズマ溶射法、電気メツキ法、
または蒸着法としたものである。
作用 本発明の製造法によれば、トラツク巾の側面からそのギ
ヤツプ深さの全域にわたり基本的に高融点から成る非磁
性材料を比較的低温で被着せしめることができ、コア材
磁気特性の劣化を防ぎ、かつ機械的寸法精度の高いもの
が得られる。
ヤツプ深さの全域にわたり基本的に高融点から成る非磁
性材料を比較的低温で被着せしめることができ、コア材
磁気特性の劣化を防ぎ、かつ機械的寸法精度の高いもの
が得られる。
実施例 第１図（Ａ図からＨ図）は本発明による磁気ヘツドの製
造工程の一例を示すものである。
造工程の一例を示すものである。
本発明は、作動ギヤツプ深さの全域が高飽和磁束密度を
もつたセンダスト合金やアモルフアス合金、すなわち金
属材料で構成し、かつ他の主磁路をフエライトで構成し
た複合コアから成立するヘツドである。そして高密度記
録のために幅狭に加工したヘツドトラツク幅の端面を補
強して、磁気テープとの当接による耐摩耗性の向上をは
じめ機械強度の向上、さらにはトラツク端の欠けや割れ
を防止させる効果を発揮させるためのヘツド製造法であ
る。
もつたセンダスト合金やアモルフアス合金、すなわち金
属材料で構成し、かつ他の主磁路をフエライトで構成し
た複合コアから成立するヘツドである。そして高密度記
録のために幅狭に加工したヘツドトラツク幅の端面を補
強して、磁気テープとの当接による耐摩耗性の向上をは
じめ機械強度の向上、さらにはトラツク端の欠けや割れ
を防止させる効果を発揮させるためのヘツド製造法であ
る。
すなわち、一対のコア半体の少なくとも片方の主磁路で
あるフエライトの先端面に非磁性部分、例えばガラス部
分あるいはセラミツクスなどを持たせた構造とし、それ
らフエライトとガラス上に金属磁性材をスパツタなどに
よつて設けた複合コアとする。更に、この複合コアの一
端面から、金属コアとガラス部分とフエライトを同一面
に平滑研磨を行い、ギヤツプ構成面とし、SiO2その他の
非磁性の物質をスパツタリングなどで付着せしめて、一
対の複合コア半体をギヤツプ面接合を行い、ギヤツプ材
あるいは近傍に設けたガラスを溶着させヘツドブロツク
体を構成する。
あるフエライトの先端面に非磁性部分、例えばガラス部
分あるいはセラミツクスなどを持たせた構造とし、それ
らフエライトとガラス上に金属磁性材をスパツタなどに
よつて設けた複合コアとする。更に、この複合コアの一
端面から、金属コアとガラス部分とフエライトを同一面
に平滑研磨を行い、ギヤツプ構成面とし、SiO2その他の
非磁性の物質をスパツタリングなどで付着せしめて、一
対の複合コア半体をギヤツプ面接合を行い、ギヤツプ材
あるいは近傍に設けたガラスを溶着させヘツドブロツク
体を構成する。
更に、そのヘツドブロツク体上の金属磁性体部を必要な
トラツク幅に応じた寸法で作動ギヤツプを横断する垂直
切り溝を設ける。この場合、切り溝の深さは金属磁性体
部よりも深くガラス部に到達するように設ける。このよ
うに切溝により、複数個のトラツク幅に分割した後、そ
れらのトラツク端から切り溝中にSiCやα−Fe2O3あるい
はガラスなどの適当なる非磁性物質をスパツタリングや
蒸着あるいは電気メツキなどによつて被着せしめる磁気
ヘツドの製造法である。
トラツク幅に応じた寸法で作動ギヤツプを横断する垂直
切り溝を設ける。この場合、切り溝の深さは金属磁性体
部よりも深くガラス部に到達するように設ける。このよ
うに切溝により、複数個のトラツク幅に分割した後、そ
れらのトラツク端から切り溝中にSiCやα−Fe2O3あるい
はガラスなどの適当なる非磁性物質をスパツタリングや
蒸着あるいは電気メツキなどによつて被着せしめる磁気
ヘツドの製造法である。
本発明の製造法の一実施例を第１図Ａ図からＨ図を用い
て説明する。
て説明する。
Ａ図はフエライトコア(1)の先端の一部である垂直側面
部にＬ字形欠除部を設けてガラスを融着させ、ガラス部
(2)を構成し、それらの上面部(3)を同一面に研摩する。
ガラス部(2)は他のセラミツクス材料などをスパツタリ
ングなどで形成することもできる。又、上面部(3)は任
意の曲率Ｒに研磨してもよい。次に、Ｂ図は前記フエラ
イトコア(1)とガラス(2)の上図部(3)に、フエライトコ
ア(1)よりも未飽和磁束密度が高い金属磁性材料(4)例え
ばセンダスト合金やアモルフアス合金をスパツタリング
によつて被着させたものである。次にＣ図は金属コア
(4)の下端にガラス部(2)の一部を残存させてガラス部
(2)のある側面部の上辺部、下辺部が斜辺部となる台形
の溝部(5)を形成する。しかる後、ガラス部(2)、溝部
(5)を設けたフエライトコア(1)の端面部を同一平面にな
るように平滑研磨を行い、金属コア端面部(6)とガラス
端面部(6)′及びフエライト端面部(7)から成るギヤツプ
構成面を得る。
部にＬ字形欠除部を設けてガラスを融着させ、ガラス部
(2)を構成し、それらの上面部(3)を同一面に研摩する。
ガラス部(2)は他のセラミツクス材料などをスパツタリ
ングなどで形成することもできる。又、上面部(3)は任
意の曲率Ｒに研磨してもよい。次に、Ｂ図は前記フエラ
イトコア(1)とガラス(2)の上図部(3)に、フエライトコ
ア(1)よりも未飽和磁束密度が高い金属磁性材料(4)例え
ばセンダスト合金やアモルフアス合金をスパツタリング
によつて被着させたものである。次にＣ図は金属コア
(4)の下端にガラス部(2)の一部を残存させてガラス部
(2)のある側面部の上辺部、下辺部が斜辺部となる台形
の溝部(5)を形成する。しかる後、ガラス部(2)、溝部
(5)を設けたフエライトコア(1)の端面部を同一平面にな
るように平滑研磨を行い、金属コア端面部(6)とガラス
端面部(6)′及びフエライト端面部(7)から成るギヤツプ
構成面を得る。
Ｄ図は前記ギヤツプ構成面部上の少なくとも金属コア端
面部(6)上に所望のギヤツプ幅に応じた厚みのギヤツプ
材(8)例えばSiO2単層あるいは他の非磁性材料を重ねた
スパツタリングなどによつて高精度に被着させた一対の
コア半体１Ａと１Ｂを製造する。
面部(6)上に所望のギヤツプ幅に応じた厚みのギヤツプ
材(8)例えばSiO2単層あるいは他の非磁性材料を重ねた
スパツタリングなどによつて高精度に被着させた一対の
コア半体１Ａと１Ｂを製造する。
Ｅ図は前記コア半体１Ａと１Ｂをギヤツプ構成面部で接
合させ、ギヤツプ材ガラス(8)又はガラス(2)あるいは溝
部(5)からガラスを介在して、金属磁性体(4)の結晶化温
度よりも低い温度で熱処理を施し、ヘツドブロツク体１
を製造する。
合させ、ギヤツプ材ガラス(8)又はガラス(2)あるいは溝
部(5)からガラスを介在して、金属磁性体(4)の結晶化温
度よりも低い温度で熱処理を施し、ヘツドブロツク体１
を製造する。
更にＦ図は、前記ヘツドブロツク体１の先端金属磁性体
(4)を必要なヘツドトラツク幅に応じた幅(10)を残し複
数の切溝部(11)を順次加工する。この場合、切溝(11)の
深さ(12)は作動ギヤツプ深さ(13)を越え、しかもガラス
部(2)に到達するように加工する。
(4)を必要なヘツドトラツク幅に応じた幅(10)を残し複
数の切溝部(11)を順次加工する。この場合、切溝(11)の
深さ(12)は作動ギヤツプ深さ(13)を越え、しかもガラス
部(2)に到達するように加工する。
次にＧ図は、切溝部(11)からヘツドトラツク幅(10)の側
面に非磁性物質例えばSiCやα−Fe2O3又はガラスあるい
は硬質クロームなどの金属物質などの適当な物質を被着
せしめた補強部分(14)を構成する。被着せしめる手段
は、スパツタリングやプラズマ溶射あるいは電気メツキ
などによつて行う。
面に非磁性物質例えばSiCやα−Fe2O3又はガラスあるい
は硬質クロームなどの金属物質などの適当な物質を被着
せしめた補強部分(14)を構成する。被着せしめる手段
は、スパツタリングやプラズマ溶射あるいは電気メツキ
などによつて行う。
次にＨ図は、前記ヘツドブロツク体１から、その非磁性
の補強部(14)を通り、トラツク幅(10)の両端に非磁性か
らなる補強部分(14)′、(14)″が残る位置でC-C1切断分
離(15)する。ヘツド単体１Ａを多数個に分離しヘツドを
製造するものである。
の補強部(14)を通り、トラツク幅(10)の両端に非磁性か
らなる補強部分(14)′、(14)″が残る位置でC-C1切断分
離(15)する。ヘツド単体１Ａを多数個に分離しヘツドを
製造するものである。
前記実施例において、Ｂ図のようにフエライトとガラス
上にアモルフアス合金およそ３０ミクロンの厚さにスパ
ツタリングによつて被着せしめた。前記アモルフアスは
Co-Nb Zr-Ta系であつて、その結晶化温度は約５５０℃
である。
上にアモルフアス合金およそ３０ミクロンの厚さにスパ
ツタリングによつて被着せしめた。前記アモルフアスは
Co-Nb Zr-Ta系であつて、その結晶化温度は約５５０℃
である。
又Ｄ図にはギヤツプ材(8)として、一対のコア半体１Ａ
と１ＢのそれぞれにSiO2を１０００Åと、その上から軟
化温度４００℃前後の低融点ガラスを２５０Åとをスパ
ツタリングによつて被着させた。更にＥ図のように、コ
ア半体１Ａと１Ｂをギヤツプ面で接合させて治具にて前
記アモルフアス合金の結晶化温度よりも低く、かつギヤ
ツプ材ガラス部(8)中の低融点ガラスの軟化温度よりも
およそ１００℃高い温度で約３０分窒素雰囲気中にて熱
処理を加えて一体に溶着合体した。
と１ＢのそれぞれにSiO2を１０００Åと、その上から軟
化温度４００℃前後の低融点ガラスを２５０Åとをスパ
ツタリングによつて被着させた。更にＥ図のように、コ
ア半体１Ａと１Ｂをギヤツプ面で接合させて治具にて前
記アモルフアス合金の結晶化温度よりも低く、かつギヤ
ツプ材ガラス部(8)中の低融点ガラスの軟化温度よりも
およそ１００℃高い温度で約３０分窒素雰囲気中にて熱
処理を加えて一体に溶着合体した。
更にＦ図のように、ダイヤモンド砥石などを用いた精密
切断機によつて金属磁性体のアモルフアスコア部(4)
を、１５ミクロンと３０ミクロンのトラツク幅に応じて
２種類のトラツク加工を実施し、その深さを前記アモル
フアスコア部の厚さ３０ミクロンよりもおよそ１０ミク
ロン深い溝で順次加工した。
切断機によつて金属磁性体のアモルフアスコア部(4)
を、１５ミクロンと３０ミクロンのトラツク幅に応じて
２種類のトラツク加工を実施し、その深さを前記アモル
フアスコア部の厚さ３０ミクロンよりもおよそ１０ミク
ロン深い溝で順次加工した。
Ｇ図は、前記トラツク端から切溝にSiCをスパツタリン
グによつて約５０ミクロンのSiCの層をスパツタリング
によつて形成した。
グによつて約５０ミクロンのSiCの層をスパツタリング
によつて形成した。
更にＨ図のように前記SiCによる補強部を含めコア幅を
１００ミクロンに切断した。すなわちアモルフアス合金
によるトラツク幅が３０ミクロンの場合はその両側にお
よそ３５ミクロン幅（SiCの厚みは５０ミクロンであ
る）のSiC補強部がある。
１００ミクロンに切断した。すなわちアモルフアス合金
によるトラツク幅が３０ミクロンの場合はその両側にお
よそ３５ミクロン幅（SiCの厚みは５０ミクロンであ
る）のSiC補強部がある。
前記ヘツドトラツク端の補強は、補強材としてαーFe2O
3をはじめZn-Fe2O3やＡ２Ｏ３などのセラミツクス材
料あるいはSiO2やガラス材料、更には硬質クロームなど
の金属材料からなる非磁性材料が適用できる。
3をはじめZn-Fe2O3やＡ２Ｏ３などのセラミツクス材
料あるいはSiO2やガラス材料、更には硬質クロームなど
の金属材料からなる非磁性材料が適用できる。
一方、これらの材料を被着させる手段として、スパツタ
リングや蒸着あるいは電気メツキなどの種々の方法が適
用できるものである。
リングや蒸着あるいは電気メツキなどの種々の方法が適
用できるものである。
以上のように製造した本発明のヘツドを試験た結果、次
の通り種々の特長と効果を生ずる。
の通り種々の特長と効果を生ずる。
発明の効果 1.高融点材料をその材料の軟化点や融点よりも十分低い
温度でヘツドに被着させることができるため、熱膨張に
よるヘツドコア及び補強材双方にクラツクなどの影響が
ない。
温度でヘツドに被着させることができるため、熱膨張に
よるヘツドコア及び補強材双方にクラツクなどの影響が
ない。
2.比較的低温で被着できるため、加熱温度によるコア歪
などによるコアの磁気特性の劣化あるいは機械的寸法精
度への悪影響を受けない。
などによるコアの磁気特性の劣化あるいは機械的寸法精
度への悪影響を受けない。
3.オングストロームオーダで補強材を被着するため、コ
アとの被着性が良好であり、トラツク端のチツピングな
どの局所にも被着でき、磁気テープ摺動に対してトラツ
ク幅崩れが生じない高寸法精度が得られる。
アとの被着性が良好であり、トラツク端のチツピングな
どの局所にも被着でき、磁気テープ摺動に対してトラツ
ク幅崩れが生じない高寸法精度が得られる。
4.ヘツドトラツク端の形状精度を高め、磁気テープ摺動
が正確となり、磁化状態が高精度になるため、ヘツドの
電磁特性の向上があつた。
が正確となり、磁化状態が高精度になるため、ヘツドの
電磁特性の向上があつた。
5.ギヤツプ深さを越える領域まで補強材を被着させてい
るため、全ギヤツプ深さの区間トラツク端が補強され強
固である。
るため、全ギヤツプ深さの区間トラツク端が補強され強
固である。
第１図は本発明の磁気ヘツド製造法の工程図、Ａ図はフ
エライトコアの上部先端にガラスを融着させた出発点、
Ｂ図はコア半体の上面部を研磨し金属磁性体をスパツタ
リングで被着したコア材の複合断面図、Ｃ図は複合コア
半体のガラス部下部に連接して溝部を構成した状態の断
面図、Ｄ図は複合コアの端面部にギヤツプ材を被着した
複合コア半体断面図、Ｅ図は２個の複合コア半体を端面
部で接合しギヤツプ構成したヘツドブロツク体の斜視
図、Ｆ図はヘツドブロツク体の上部の金属磁性体を含め
ヘツドトラツク加工を施したヘツドブロツク体の傾視
図、Ｇ図はＦ図のヘツドトラツク部に補強部材をスパツ
タリングなどで被着してヘツドブロツク体からヘツド単
体分割をする傾視図、Ｈ図は本発明の製造法で製造した
ヘツド単体傾視図、第２図Ａ図，Ｂ図は従来のトラツク
側面補強したヘツドの前面図、を示す。 １：フエライトコア、２：ガラス部、４：金属磁性体、
５：溝部、６：金属コア端面部、６′：ガラス端面部、
７：フエライト端面部、８：ギヤツプ材、Ｈ：ヘツドブ
ロツク体、１Ａ，１Ｂ：複合コア半体、10：トラツク
幅、11：切溝部、12：切溝深さ、13：ギヤツプ深さ、1
4：補強部分、Ｃ，Ｃ１：切断線
エライトコアの上部先端にガラスを融着させた出発点、
Ｂ図はコア半体の上面部を研磨し金属磁性体をスパツタ
リングで被着したコア材の複合断面図、Ｃ図は複合コア
半体のガラス部下部に連接して溝部を構成した状態の断
面図、Ｄ図は複合コアの端面部にギヤツプ材を被着した
複合コア半体断面図、Ｅ図は２個の複合コア半体を端面
部で接合しギヤツプ構成したヘツドブロツク体の斜視
図、Ｆ図はヘツドブロツク体の上部の金属磁性体を含め
ヘツドトラツク加工を施したヘツドブロツク体の傾視
図、Ｇ図はＦ図のヘツドトラツク部に補強部材をスパツ
タリングなどで被着してヘツドブロツク体からヘツド単
体分割をする傾視図、Ｈ図は本発明の製造法で製造した
ヘツド単体傾視図、第２図Ａ図，Ｂ図は従来のトラツク
側面補強したヘツドの前面図、を示す。 １：フエライトコア、２：ガラス部、４：金属磁性体、
５：溝部、６：金属コア端面部、６′：ガラス端面部、
７：フエライト端面部、８：ギヤツプ材、Ｈ：ヘツドブ
ロツク体、１Ａ，１Ｂ：複合コア半体、10：トラツク
幅、11：切溝部、12：切溝深さ、13：ギヤツプ深さ、1
4：補強部分、Ｃ，Ｃ１：切断線
Claims (2)
- 【請求項１】フェライトコアの先端一部に非磁性材料を
上面部に露出して融着し、前記非磁性体部とフェライト
コア上面部にフェライトコアより飽和磁束密度が高い金
属磁性材料を被着して一対の１Ｂ、１Ｂの複合コア半体
とする工程、前記複合コア半体の少なくとも一方に前記
非磁性体部の下部からフェライトコアの一部を通る溝部
を設けて１Ａとし、前記複合コアの前記金属磁性体部、
非磁性体部及びフェライトコア部をギャップ構成面とし
て同一面に平滑研磨を行う工程、前記複合コア半体対の
ギャップ構成面部にギャップ幅に応じた厚みの非磁性材
ギャップ材をスパッタリングで被着するスパッタリング
する工程、前記ギャップ材を具備した複合コア半体対１
Ａ、１Ｂをギャップ構成面で接合し、前記金属磁性体の
結晶化温度よりも低い温度で熱処理を施しヘッドブロッ
ク体とする工程、前記ヘッドブロック体の金属磁性体が
形成する作動ギャップに垂直にかつ、前記上面部に露出
する非磁性体部に達する深さで所定の間隔をもって前記
金属磁性体に複数の溝部を設ける工程、前記溝部に非磁
性材料を充填する工程からなる磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項２】前記溝部に非磁性材料を充填する方法をス
パッタリング法、プラズマ溶射法、電気メッキ法、また
は蒸着法とする特許請求の範囲第１項記載の磁気ヘッド
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17285285A JPH0640370B2 (ja) | 1985-08-06 | 1985-08-06 | 磁気ヘツドの製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17285285A JPH0640370B2 (ja) | 1985-08-06 | 1985-08-06 | 磁気ヘツドの製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6233308A JPS6233308A (ja) | 1987-02-13 |
| JPH0640370B2 true JPH0640370B2 (ja) | 1994-05-25 |
Family
ID=15949493
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17285285A Expired - Lifetime JPH0640370B2 (ja) | 1985-08-06 | 1985-08-06 | 磁気ヘツドの製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0640370B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0235609A (ja) * | 1988-07-26 | 1990-02-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気ヘッドおよびその製造方法 |
-
1985
- 1985-08-06 JP JP17285285A patent/JPH0640370B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6233308A (ja) | 1987-02-13 |
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