KR930002394B1 - 자기헤드 - Google Patents

Abstract

내용 없음.

Description

자기헤드

제1도는 본 발명을 적용한 자기헤드의 일실시예를 도시한 외관사시도.

제2도는 그 자기 테이프 접촉면을 도시한 평면도.

제3도는 제 1도에 도시한 자기헤드의 자기갭면을 분해하여 도시한 요부 외관 사시도.

제4도는 비자성 고경도막의 구성예를 도시한 자기 테이프 접촉면의 평면도.

제5도 내지 제12도는 제1도의 자기헤드를 제작하기 위한 제조 공정을 도시한 개략적 사시도로서, 제5도는 제1절결홈 가공공정, 제6도는 비자성 고경도막 형성공정, 제7도는 강자성 금속박막 형성공정, 제8도는 비자성 고경도막 형성공정, 제10도는 제2절결홈 가공공정, 제11도는 권선홈 가공공정, 제12도는 유리융착공정.

제13도는 본 발명의 다른 실시예를 도시한 외관 사시도.

제14도 내지 제22도는 그 제조공정을 공정순으로 도시한 개략적 사시도로서, 제14도는 홈 가공공정, 제l5도는 산화물 유리 충진공정, 제16도는 홈 가공공정, 제17도는 비자성 고경도막 형성공정, 제18도는 강자성 금속박막 형성공정, 제19도는 비자성 고경도막 형성공정, 제21도는 권선홈 가공공정, 제22도는 유리 융착공정.

제23도 내지 제31도는 본 발명의 다른 실시예를 제조하기 위한 제조공정을 도시한 개략적 사시도로서, 제23도는 홈 가공공정, 제24도는 고융점 유리 충진공정, 제25도는 홈 가공공정, 제25도는 비자성 고경도막 형성공정, 제27도는 강자성 금속 박막 형성공정, 제28도는 비자성 고경도막 형성공정, 제29도는 산화물 유리충전 및 평면 연마공정, 제30도는 권선홈 가공공정, 제31도는 유리 융착공정.

제32도는 상기 제23 내지 제3l도의 공정에 의해 제작된 헤드를 도시한 외관사시도.

제33도 내지 제35도는 각각 본 발명의 또다른 실시예를 도시한 외관사시도.

제36도는 종래의 자기헤드의 구성을 도시한 외관사시도.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명

10,11,40,41,81,82 : 자기 코어 반쪽부재 13,42,84 : 강자성 금속 박막

12,45,83 : 비자성 고경도막 15,46,85 : 비자성 고경도막

16,43,86 : 산화물 유리

본 발명은 자기헤드에 관한 것이며, 특히 자기 갭 근방부가 강자성 금속 박막으로 형성된 복합형 자기헤드에 관한 것이다.

예를들면 VTR(비데오 테이프 레코더)등의 자기기록 재생장치에 있어서는, 기록신호의 고밀도화가 진행되고 있으며, 이 고밀도 기록에 대응하여 자기기록매체로서 자성분으로 Fe, Co, Ni 등의 강자성 금속분말을 사용한, 소위 메탈 테이프나, 강자성 금속재료를 증착에 의해 베이스 필름상에 피착한, 소위 증착테이프등이 사용되고 있다. 그리고, 이런 종류의 자기기록매체는 높은 항자력 Hc을 갖기 때문에 기록재생에 사용되는 자기헤드의 헤드재료에도 높은 포화자속밀도 Bs를 갖게 하는 것이 요구된다. 예를들면, 종래 자기헤드 재료로서 사용되고 있는 페라이트 재료는 포화 자속밀도 Bs가 낮고 또 퍼말로이는 내마모성에 문제가 있다.

한편, 상술한 고밀도 기록화에 따라서, 자기기록매체에 기록되는 기록트랙의 협소화도 진행되고 있으며, 이에 대응하여 자기헤드의 트랙폭도 극히 좁은 것이 요구되고 있다. 거기서, 종래 예를들면 세라믹스등의 비자성 기판상에 포화 자속밀도가 높은 강자성 금속박막을 피착 형성하고, 이를 트랙부분으로 한 복합형 자기헤드가 제안되어 있으나 이런 종류의 자기헤드에서는 자로가 막두께 두꺼운 강자성 금속 박막만에 의해 구성되므로 자기저항이 크고 효율상 바람직하지 않으머, 또 상기 강자성 금속박막의 막형성을 막성장속도 극히 늦은 진공박막 형성기술로 행하기 때문에 자기헤드 제작에 시간을 요하는 등의 문제가 있었다.

혹은, 자기코어부가 페라이트 등의 강자성 산화물로 되며, 이들 각 자기코어부의 자기갭 형성면에 강자성 금속박막을 피착한 복합형 자기헤드도 제안되어 있으나, 이 경우에는 자로와 상기 금속박막이 직교하는 방향으로 위치하기 때문에 와전류손실이 발생하고 재생 출력의 저하를 초래할 우려가 있으며, 또 상기 자기코어부와 상기 금속박막 사이에 의사 갭이 형성되어 충분한 신뢰성을 얻을 수 없는 등의 문제가 있다.

따라서 본 출원인은 먼저 일본국 특허출원 소58-250988호 명세서에서, 예를들어 메탈테이프등의 높은 항자력을 갖는 자기테이프에 고밀도 기록하는데 복합형 자기헤드를 제안하였다. 이 자기헤드는, 제36도에 도시한 바와같이, Mn-Zn 페라이트 등의 강자성 산화물에 의해 형성되는 한쌍의 자기코어 반쪽부재(101,102)의 맞대기면을 각각 경사 절결하여 강자성 금속박막 형성면(103,104)을 형성하고, 이 강자성 금속박막형성면(103,104)상에 진공 박막 형성기술에 의해 Fe-Al-Si계 합금(소위 센더스트)등의 강자성 금속박막(105,106)을 피착 형성하고 이들 강자성 금속박막(105,106)을 맞댐으로써 자기갭(107)을 구성하고, 또 트랙폭 규제홈내에 테이프 접촉면을 확보하고 강자성 금속박막(105,106)의 마모를 방지하기 위해 저융점 유리(108,109) 혹은 고융점유리(108,l09) 혹은 고융점유리(110,111)를 충전하여 구성된 것이며, 신뢰성이나 자기특성, 내마모성 등의 점에서 우수한 특성을 갖는 것이다.

그러나, 이와같은 복합형 자기헤드에 있어서는 강자성 산화물과 강자성 금속박막, 혹은 강자성 금속박막과 산화물 유리등의 종류가 다른 재료가 접하기 때문에 경계면 등에 있어서 여러가지 문제가 발생하고 있다.

예를들면 강자성 금속박막이 스퍼터링등의 수단에 의해 강자성 산화물인 페라이트상에 피착 형성되면, 이페라이트 계면은 금속과 접촉한 상태로 300 내지 700℃의 고온이 된다. 이에 의해 강자성 금속박막과 강자성 산화물의 계면에서 반응이 발생하고, 페라이트를 구성하는 산소원자가 300 내지 500℃의 평형상태를 향하여 확산하기 시작하게 되며, 페라이트중의 산소원자는AlㆍSiㆍFe와 결부하게 된다. 이 때문에 페라이트표면부가 환원 경향으로 되어 저산소 상태로 되므로, 페라이트와 강자성 금속박막의 계면에 변질층이 형성되게 된다. 이와같은 변질층이 계면에 형성되면, 계면부의 자기저항이 증대하여 페라이트의 연자성 특성이 약화하게 되며, 자기헤드의 기록 재생 출력의 저하를 초래하게 된다. 또, Fe-Al-Si계 합금의 열팽창 계수는 130 내지 160×10^-7/℃이며, 페라이트의 열팽창 계수는 90 내지 110×10^-7/℃이므로, 강자성 금속박막과 강자성 산화물 같이, 열팽창률이 다른 재료와 복합되기 때문에, 스퍼터링에 의한 강자성 금속박막 형성후, 예를들면 유리 융착등의 공정에 있어서 재료내에 응력이 발생하고, 강자성 금속박막의 파괴나 박리, 특성약화가 발생할 우려가 있다.

한편, Fe-Al-Si계 합금등의 강자성 금속박막을 피착 형성한 후, 직접 유리를 용융 충전하면 유리에 의해서는 강자성 금속재료를 크게 침식할 수가 있으며, 이 금속과 유리가 반응하여 강자성 금속박막의 엣지, 표면을 변형하는 등 재료 특성이나 치수 정밀도에 악영향을 끼칠 우려가 있다. 또, 유리와 접촉하는 면을 구성하는 재료에 의해서는 유리 흐름 악화나 기포 발생등의 문제도 발생한다.

따라서 본 발명은 이와같은 실정에 비추어 제안된 것으로, 강자성 산화물과 강자성 금속박막으로된 복합형 자기헤드에 있어서, 이들 강자성 금속박막이나 강자성 산화물의 변질을 방지하거나 내부응력의 완화, 유리흐름의 개선, 밀착성의 향상을 목적으로 하고 잔금이나 박기, 침식, 유리 기포발생등이 없는 신뢰성 높은자기헤드를 제공하는 것을 목적으로 한다.

본 발명은 상기 목적을 달성하기 위해 강자성 산화물로 된 자기코어 반쪽부재의 접합면을 절결하여 강자성 박막 형성면을 형성하고 이 강자성 박막 형성면상에 진공 박막 형성기술에 의한 강자성 금속박막을 형성함과 동시에 상기 강자성 금속박막끼리 맞대어 자기갭을 구성한 자기헤드에 있어서, 상기 강자성 박막 형성면과 자기갭 형성면이 소요각도로 경사져 있으며, 강자성 산화물과 강자성 금속박막 사이에 비자성 고경도막이 배치되고 또 테이프 접촉면에 있어서 비자성 고경도막을 거쳐서 상기 강자성 금속박막과 산화물 유리가 배치되어 있음을 특징으로 하는 것이다.

이와같이, 강자성 산화물과 강자성 금속박막 사이에 비자성 고경도막을 설치함으로써 이들 강자성 산화물과 강자성 금속박막의 계면에 있어서의 반응이 억제되고 변질층의 형성이 방지된다.

또, 강자성 금속박막과 산화물 유리 사이에 비자성 고경도막을 설치함으로써 이 유리에 의한 강자성 금속박막 침식이 방지되고 유리흐름도 양호하게 된다. 이하, 본 발명의 실시예를 도면을 참조하면서 설명한다.

우선, 헤드의 테이프 접촉면인 전단부에서 백갭을 구성하는 후단부까지 연속하여 강자성 금속박막을 형성한 본 발명의 일실시예에 대하여 설명한다.

제1도는 본 발명을 적용한 복합형 자기헤드의 일예를 도시한 외관사시도이며, 제2도는 그 자기테이프접촉면을 도시한 요부 평면도, 제3도는 상기 자기헤드를 갭 형성면에서 분리하여 도시한 사시도이다.

이 자기헤드에 있어서는 자기코어 반쪽부재(10,11)가 강자성 산화물, 예를들어 Mn-Zn계 페라이트로 구성되며 이들 자기코어 반쪽부재(10,11)의 접합면을 경사로 절결한 강자성 박막형성면(10a,1la)에는 전방갭 형성면으로부터 백갭 형성면에 이르기까지 연속하여 고투자율 합금, 예를들면 Fe-Al-Si계 합금막인 강자성 금속박막(13)이 각각 비자성 고경도막(12)을 거쳐서 진공박막 형성기술에 의해 피착 형성되어 있다. 그리고 이들 한쌍의 자기코어 반쪽부재(10,11)를 SiO₂등의 갭 재료를 거쳐서 맞대고 상기 강자성 금속박막(13)의 접합면이 트랙폭 Tw인 자기갭 g로 되도록 구성되어 있다. 여기서, 상기 각 자기 코어 반쪽부재(10,11)에 피착 형성되는 강자성 금속박막(13)은 자기 테이프 접촉면에서 볼때 일직선형으로 늘어 놓여져있으며, 자기코어 반쪽부재(10,11)의 맞대기면인 접합면, 즉 자기갭 형성면(14)에 대하여 θ인 각도로 경사져 있다.

또, 상기 강자성 금속박막(13)상에도 비자성 고경도막(15)이 형성되어 있으며, 자기갭 g의 형성면 근방,즉 자기 테이프 접촉면에 있어서의 자기갭 g의 측면부에는 트랙폭을 규제하고 융착하는 비자성 재료인 산화물 유리(16,17)가 용융 충전되어 있다.

상기 강자성 박막 형성면(10a,1la)과 자기갭 형성면(14)이 이루는 각 θ는 20°내지 80°의 범위내로 설정하는 것이 바람직하다. 여기서 20°이하의 각도이면 인접트랙으로부터의 크로스트크가 커지며 바람직하게는 30°이상의 각도를 갖게 하는 것이 좋다. 또, 상기 경사각도를 90°로 한 경우는 내마모성이 약해지기 때문에 80°정도 이하로 하는 것이 좋다. 또, 경사각도를 90°fh 하면, 자기갭 g의 근방부에 형성되는 상술한 강자성 금속박막(13)의 두께를 트랙폭 Tw와 같게 형성할 필요가 있으며, 진공박막 형성기술을 사용하여 박막을 형성하는데 있어서 많은 시간을 요하게 되거나 막구조가 불균일화 해버리는 점에서 바람직하지 않다.

즉, 상기 자기코어 반쪽부재(10,11)에 형성되는 강자성 금속박막(13)의 두께 t는

t=Tw sinθ

이면 되므로, 트랙폭 Tw에 상당하는 막두께를 부착할 필요가 없으며, 헤드 제작이 요하는 시간을 단축할수 있다. 여기서, Tw는 트랙폭이며, θ는 상기 강자성 박막 형성면(10a,11a)과 자기갭 형성면이 이루는각도이다.

또, 상기 강자성 금속박막(13)의 재질로서는 강자성 비정질 금속합금, 소위 아몰파스합금(예를들면 Fe, Ni, Co중 하나 이상의 원소와 P, C, B, Si중 하나 이상의 원소로 된 합금, 또는 이를 주성분으로 하고Al, Ge, Be, Sn, In, Mo, W, Ti, Mn, Cr, Zr, Hf, Nb등을 포함한 합금등의 메탈 메탈로이드계 아몰파스 합금, 혹은 Co, Hf, Zr등의 천이원소나 희토류 원소를 수성분으로 한 메탈-메탈계 아몰파스 합금). Fe-Al-Si계 합금인 센더스트 합금, Fe-Al계 합금, Fe-Si계 합금, Fe-Si-Co계 합금, 퍼말로이 등이사용 가능하며, 그 막부착 방법으로서도, 플러시증착, 진공증착, 이온도금, 스퍼터링, 집단이온 비임법등으로 대표되는 진공박막 형성 기술이 채용된다.

상기 Fe-A1-Si계 합금을 사용하는 경우에, 그 주성분인 Fe, Al, Si의 조성범위로서는 Al의 함유량이 2 내지 10중량%, Si의 함유량이 4 내지 15%, 나머지가 Fe인 것이 바람직하다. 즉, 상기 Fe-Al-Si계 합금을 Fe_aAl_bSi_c(a,b,c는 각 성분의 중량비를 표시한다)로 나타낸 때, 그 조성범위가

70

a

95

2

b

10

4

c

15

인 것이 바람직하다. 상기 Al이나 Si가 너무 작아도, 또 거꾸로 너무 많아도 Fe-Al-Si계 합금의 자기 특성이 약화해 버린다.

또, 상기 Fe의 일부를 Co 또는 Ni중 적어도 1종류와 치환할 수 있다. 상기 Fe의 일부를 Co와 치환함으로써 포화 자속밀도를 높일 수 있다. 특히, Fe의 40중량%를 Co로 치환한 것으로 최대 포화 자속밀도가 얻어진다. 이 Co의 치환량으로는 Fe에 대해 0 내지 60중량%의 범위내인 것이 바람직하다.

한편, 상기 Fe의 일부를 Ni와 치환함으로써, 포화 자속밀도를 감소하지 않고 투자율을 높은 상태로 유지할 수 있다. 이 Ni의 치환량으로는 Fe에 대해 0 내지 40중량%의 범위내인 것이 바람직하다. 또, 상술한 Fe-A1-Si계 합금으로는, 내식성이나 내마모성을 개선하기 위해 각종 원소를 첨가제로 가하여도 좋다. 상기 첨가제로서 사용되는 원소로서는 Sc, Y, La, Ce, Nd, Gd등의 란탄계열을 포함하는 Ⅲa족 원소, Ti, Zr, Hf등의 IVa족 원소, V, Nb, Ta등의 Ⅴa족 원소, Cr, Mo, W등의 Ⅵa족 원소, Mn, Tc, Re등의Ⅶa족 원소, Cu, Ag, Au등의 Ib족 원소, Ga,In, Ge, Sn, Sb등을 들수 있다.

그런데, 상술한 Fe-Al-Si계 합금을 사용하는 경우에, 강자성 금속박막(13)은, 그 기둥형 구조의 성장방향이 자기코어 반쪽부재(10,11)의 강자성 박막 형성면(10a,1la)의 법선방향에 대하여 예정각도 λ, 즉 5°내지 45°각도로 경사하도록 피착하는 것이 바람직하다.

이와같이, 강자성 금속박막(13)을 강자성 박막형성면(10a,11a)의 법선방향에 대하여 예정각도를 가지고 경사져서 성장시킴으로써 얻어지는 강자성 금속박막(13)의 자기특성은 안정되고 우수하게 되며 따라서 얻어지는 자기헤드의 품질이나 성능도 향상되는 것이다. 그런데, 상기 강자성 금속박막(13)은 이 예에서는 진공박막 형성기술에 의해 단일층으로 형성되어 있으나 예를들면 SiO₂, Ta₂O₅, A1₂O₃, ZrO₂, Si₃O₄등의 고내마모성 절연을 거쳐서 복수층 적층해도 좋다. 이 경우, 강자성 금속박막의 적층수는 임의로 설정할 수 있다.

한편, 상기 자기코어 반쪽부재(10,11)와 강자성 금속박막(13) 사이에 개재되는 비자성 고경도막(12)으로서는,

A군 : SiO₂, TiO₂, Ta₂O₅, Al₂O₃, Cr₂O₃, 고융점유리등의 산화물 단체 혹은 혼합물을 50 내지 2000Å의 막두께로 형성한 것.

B군 : Cr, Ti, Si등의 비자성 금속단체 혹은 그 합금을 50 내지 2000Å의 막두께로 형성한 것.

이 유효하며, 이들 A군 및 B군의 것을 단독으로 혹은 동시에 사용한다. 이 비자성 고경도막(12)의 막두께로서는, 의사갭 지점부터 얇은 것이 유리하며, 또 너무 두꺼우면 자기저항을 무시할 수 없게 되므로 상한이 설정된다.

또, 상기 강자성 금속박막(13)상에 비자성 고경도막(15)을 형성함으로써, 강자성 금속박막(13)의 유리침식, 박리, 치수정밀도 불량이 감소하고, 유리흐름이나 원료 소비대 제품 비율이 향상함과 동시에, 융착 비틀림이 분산되어 고출력 자기헤드가 얻어지지만, 이 비자성 고경도막(15)으로서는 먼저 비자성 고경도막(12)과 마찬가지로 A군 및 B군의 것 이외에, W, Mo, Ta등의 고융점 금속 및 그 산하물을 수 μ두께 이하로 피착한 것이 적합하다. 이들은 단독으로 또는 조합시켜서 형성하는데, 예를들면 Cr+Ta₂O₅+CrㆍCr+SiO₂+CrㆍTi+TiO₂+TiㆍCr만, 등을 생각할 수 있다.

따라서, 예를들면 제4도에 도시한 바와같이, 자기코어 반쪽부재(10,11)와 강자성 금속박막(13)사이에 SiO₂층(12a)과 Cr층(12b) 등으로 된 2층 구조의 비자성 고경도막(12)을 설치하고, 강자성 금속박막(13)과 산화물 유리(16) 사이에 Cr층(15a), Ta₂O₅층(15b), Cr층(15c) 등으로 된 3층 구조의 비자성 고경도막(15)을 설치하면 좋다.

이와 같이 구성되는 자기헤드에서는, 페라이트 등으로 된 자기코어 반쪽부재(10,11)의 강자성 박막 형성면(10a,11a)상에 비자성 고경도막(12)을 거쳐서 강자성 금속박막(13)이 피막 형성된다. 이 때문에, 스퍼터링시의 고온에 노출되어도 상기 비자성 고경도막(12)에 의해 페라이트중의 산소원자가 강자성 금속박막(13)중으로 확산하는 것이 방지되게 되며, 변질층이 형성되지 않게 된다. 따라서, 강자성 금속박막(13)과 자기회로적으로 결합하는 상기 강자성 박막 형성면(10a,11a) 근방의 연자성 특성이 약화되지 않고, 자기헤드의 기록재생 출력의 저하가 방지되게 된다. 또, 상기 강자성 금속박막(13)이 형성되는 강자성 박막형성면(1a,11a)이 자기갭 형성면(14)에 대하여 예정각도로 경사져 있으므로 상기 비자성 고경도막(12)이 어느 정도 두께이더라도 의사갭이 형성되지 않는다. 다만, 이 막두께가 너무 두꺼우면 자기회로상 바람직하지 못하다.

상기 자기헤드의 재생출력을 종래의 자기헤드와 비교하면, 예를 들어 1 내지 7MHz 신호에서 1 내지 3dB출력레벨이 상승하는 것이 실험 결과 판명되었다.

또, 스퍼터링시에 상기 변질층이 형성되지 않으므로 스퍼터링 온도나 스퍼터링 속도 등에 대한 제약을 완화할 수 있고, 제조하기 쉬운 자기헤드로 되어 있다.

또, 페라이트로 된 자기코어 반쪽부재(10,11)와 강자성 금속박막(134)과의 열팽창 계수차에 의한 열응력은 상기 비자성 고경도막(12)에 의해 분산되기 때문에 스퍼터링후의 냉각시나 후공정에서의 유리융착에 의한 가열시에 있어서도 상기 강자성 금속박막(13)에 잔금, 갈라짐이 발생하는 일은 없게 된다. 따라서 자기특성 향상을 도모할 수 있다.

또, 상기 강자성 금속박막(13)과 산화물 유리(16) 사이에 비자성 고경도막(15)을 형성해 놓음으로써 자기코어 반쪽부재(10,11)와 산화물 유리(16) 사이의 찌그러짐을 분산하여 소위 단범위 상태의 찌그러짐으로 하거나 강자성 금속박막(13)의 늘어짐을 방지할 수 있게 되며, 강자성 금속박막(13)의 잔금이나 갈라짐의 발생을 방지할 수 있어서 자기헤드의 신뢰성을 향상할 수 있음과 동시에 자기헤드 제조의 원료소비율을 양호하게 할 수 있다.

다음에, 상기 실시예의 자기헤드의 구성을 보다 명확히 하기 위해, 그 제조방법에 대하여 설명한다.

상기 실시예의 자기헤드를 제작하는데는 우선, 제5도에 도시한 바와 같이 예를 들어 Mn-Zn계 페라이트 등의 강자성 산화물 기판(20)의 상면(20a), 즉 이 강자성 산화물 기판(20)에 있어서의 자기코어 반쪽부재를 맞댈때의 접합면에 회전 숫돌 등에 의해 단면 V자형 제1절결홈(21)을 전체폭에 걸쳐 복수개 평행으로 형성하고, 강자성 박막형성면(21a)을 형성한다. 한편, 상기 강자성 박막 형성면(21a)은 상기 강자성 산화물 기판(20)의 자기갭 형성면에 대응하는 상면(20a)과 예정각도 θ로 경사하도록 경사면으로 형성되고 그각도 θ는 여기서는 대략 45°로 설정되어 있다.

다음에, 제6도에 도시한 바와 같이, 상기 강자성 산화물 기판(20)의 상면(20a)에 스퍼터링 등의 수단에 의해 비자성 고경도막(22)을 형성한다. 이 비자성 고경도막(22)은, 예를 들면 SiO₂를 300Å 두께로 피착하여 제1층의 비자성 고경도막을 형성함과 동시에, 이 제1층의 비자성 고경도막상에 Cr을 300Å 두께로 피착하여 제2층의 비자성 고경도막을 형성함으로써 제작된다.

이어서, 제7도에 도시한 바와 같이, 상기 비자성 고경도막(22)상에 Fe-Al-Si계 합금이나 비정질 합금등을 스퍼터링, 이온도금, 증착 등의 진공박막 형성기술을 이용하여 피착하고 강자성 금속박막(23)을 형성한다.

그리고 또, 제8도에 도시한 바와 같이, 상기 강자성 금속박막(23)상에도 비자성 고경도막(24)을 피착 형성한다. 이 비자성 고경도막(24)은, 예를 들면 Cr막을 0.1㎛ 정도 두께로 피착하고, 이어서 Ta₂O₅막을 1㎛정도를 두께로 피착하고, 또 Cr막을 1㎛ 정도 두께로 피착하여 형성된다. 이 비자성 고경도막(24)의 재질로서는 특히 W,Mo,

Si,Ta 등의 고융점 금속 및 그 산화물이나 합금의 수 ㎛ 두께 이하인 것이 적합하며, 또 이 비자성 고경도막(24)의 강자성 금속박막(23)에 대한 피착에 있어서 Cr막을 개재함으로써 접착이 양호하게 행해질 수 있다.

다음에, 제9도에 도시한 바와 같이, 강자성 금속박막(23)이나 비자성 고경도막(22,24)이 피착 형성된 제1절결홈(21)내에, 예를들면 저융점 유리 등의 산화물 유리(25)를 충전한 후, 상기 기판(20)의 상면(20a)을 평면 연삭하고, 평활도 좋은 면내기를 행하고 상기 기판(20)의 상면(20a)에 상기 강자성 박막 형성된(21a) 상에 피착되는 강자성 금속박막(23)을 노출시킨다.

다음에, 제10도 도시한 바와 같이, 상기 강자성 금속박막(23)이 피착 형성된 강자성 박막형성면(21a)에 인접하여 상기 제1절결홈(21)의 한쪽 측단부(21a)와 약간 겹치도록 제1절결홈(21)과 평행으로 제2절결홈(26)을 절삭 가공하고 상기 기판(20)의 상면(20a)에 대해 경면가공을 행한다. 이 결과, 상기 강자성 금속박막(23)안에 의해 자기갭이 형성되도록 트랙폭이 규제된다.

그런데, 상기 제2절결홈(26)의 단형상으로서는 단순한 V자형이 아닌, 예를 들어 단면 다각형으로 하고, 이 절결홈(26)의 내면 벽을 2단계 혹은 그 이상으로 굴곡된 형상으로 하고 자기헤드의 테이프 접촉면에서보다 강자성 산화물과 강자성 금속박막과의 거리를 확보하게 해도 좋다. 이와 같은 홈형상으로 하면 강자성 산화물과 강자성 금속박막의 접합면적을 크게 한 상태에서 장파장성분 신호를 재생하는데 따른 크로스토크성분을 저감시킬 수 있다. 또, 상기와 같은 형상으로 하면, 상기 강자성 산화물의 단면이 자기갭의 방위각과 다른 방향으로 경사져서 방위손실에 의해 인접 또는 격인접 트랙으로부터의 신호 픽업량, 즉 크로스토크를 감소시킬 수 있다.

또, 상기 강자성 박막 형성면(21a)상에 강자성 금속박막(23)을 피착 형성한 후, 트랙폭을 규제하기 위한 제2절결홈(26)을 형성하는 과정으로 되어 있기 때문에, 이 제2절결홈(26)의 절삭위치를 조절함으로써 트랙폭을 정밀도 좋게 게조할 수 있게 되며, 강자성 금속박막만으로 구성된, 자기갭부로부터 최단거리를 거쳐서 강자성 산화물로 자속을 통과시키는 형상의 자기헤드를 원료소비율도 양호하게 제조할 수 있을 뿐아니라 출력도 크게되며, 생산성이나 신뢰성, 제조비용의 점에서 유리하다.

상술한 바와 같은 공정에 의해 제작되는 한쌍의 강자성 산화물 기판(20)중 한쪽 기판(20)에 대해 제11도에 도시한 바와 같이, 상기 제1절결홈(21) 및 제2절결홈(26)과 직교하는 방향으로 홈가공을 실시하고 권선홈(27)을 형성하여 강자성 산화물 기판(30)을 얻는다.

이어서, 상기 기판(20)의 상면(20a)이나 상기 기판(30)의 상면(30a)중 적어도 어느 한쪽에 갭 스페이서를 피착하고, 제12도에 도시한 바와 같이 이들 기판(20,30)을 상기 강자성 금속박막(23)끼리 맞대지도록 접합 배치한다. 그리고, 이들 기판(20 및 30)을 유리에 의해 융착함과 동시에, 상기 제2절결홈(26)내에 상기 유리(28)를 충진한다. 한편, 상기 갭 스페이서로서는 SiO₂, ZrO₂, Ta₂O₅, Cr 등이 사용된다. 또, 이 제조공정에 있어서, 상기 제2절결홈(26)으로 유리(28)를 충전하는 것은, 기판(20,30)의 융착과 동시가 아닌, 예를 들어 제11도에 도시한 공정에서 미리 제2절결홈(26)내에 유리(28)를 충전하고, 제12도에 도시한 공정에서는 유리 융착만 해도 좋다.

그리고 제12도중 A-A선 및 A'-A'선의 위치에서 슬라이싱 가공하고 복수개의 헤드칩을 잘라낸 후 자기테이프 접촉면을 원통연마하여 제1도에 도시한 자기헤드를 완성한다. 한편, 이때 기판(20 및 30)에 대한 슬라이싱 방향을 맞대기면에 대해 경사시키면 방위기록용 자기헤드를 제작할 수 있다.

여기서, 이 자기헤드의 한쪽 자기코어 반쪽부재(10)는 강자성 산화물 기판(20)을 모재로 하고 있으며, 다른쪽 자기코어 반쪽부재(11)는 강자성 산화물 기판(30)을 모재로 하고 있다. 또, 강자성 금속박막(13)은 강자성 금속박막(23)에, 비자성 고경도막(12)은 비자성 고경도막(22)에, 비자성 고경도막(15)은 비자성 고경도막(24)에 각각 대응하고 있다. 또, 산화물 유리(16)는 산화물 유리(25)에 대응하고 있다.

이와 같은 제조공정에 의해 제조되는 자기헤드에 있어서는, 강자성 금속박막(23)의 막구조가 불균일한 부분이 제9도에서 설명한 연마공정, 즉, 갭면 연마 가공시에 깎여 나가 버리기 때문에, 제1절결홈(21)의 강자성 박막 형성면(21a)에는 균일한 막구조를 갖는 강자성 금속박막(23)이 비자성 고경도막(22) 및 비자성 고경도막(24)에 끼여있는 상태로 남으며, 유리 융착시의 승온시에도 변형하거나 잔금, 갈라짐이 발생하지않고, 안정된 상태로 유지된다. 이 때문에, 상기 자기헤드는 일평면상에 형성된 강자성 금속박막(23)이 자로에 따라서 각부가 고투자율로 되어 안정된 고출력이 얻어지게 된다.

다음에, 강자성 금속박막을 자기갭 근방부에만 형성한 실시예에 대하여 설명한다.

제13도는, 자기갭 근방부에만 강자성 금속박막을 형성한 자기헤드의 일례를 도시한 것이다. 이 자기헤드에에 있어서는, 한쌍의 자기코어 반쪽부재(40,41)가 Mn-Zn계 페라이트 등의 강자성 산화물로 형성되고, 자기갭 g근방의 전방깊이 측에만 강자성 금속박막(42)이, 예를 들면 Fe-Al-Si계 합금 등의 고투자율 합금을 스퍼터링 등의 진공박막 형성기술로 피착에 의해 설치되어 있다. 또, 산화물 유리(43,44)가 자기갭 g의 형성면 근방에 용융충전되어 있다. 여기서 상기 강자성 금속박막(42)과 강자성 산화물로 된 자기코어 반쪽부재(40,41)사이에는 먼저 실시예와 마찬가지로, SiO₂, TiO₂, Ta₂O₅등의 산화물이나 Cr,Ti,Si등의 비자성 금속으로 된 비자성 고경도막(45)이 설치되어 있다. 또, 상기 강자성 금속박막(42)과 산화물 유리(43)사이에도 Ta₂O₅나 Cr, TiO₂, SiO₂등의 고융점 금속 및 그 산화물 등으로 된 비자성 고경도막(46)이 설치되어 있다. 한편, 상기 강자성 금속박막(42)이 자기 테이프 형성면에서 볼때 자기갭 형성면에 대해 예정각도 θ로 경사져 있는 것은 먼저 실시예와 같다.

이와 같은 자기헤드는 예를 들면 제14도 내지 제22도에 도시한 공정을 거쳐 제조된다.

즉, 우선, 제14도에 도시한 바와 같이, 예를 들어 Mn-Zn 페라이트 등의 강자성 산화물 기판(50)의 길이방향 한쪽 모서리부에 단면다각형인 복수개의 절결홈(51)을, 회전숫돌 또는 전해 에칭 등에 의해 형성한다. 여기서, 상기 기판(50)의 상면(50a)은 자기갭 형성면에 대응하고, 상기 절결홈(51)은 기판(50)의 자기갭 형성위치 근방에 상당하는 부분에 형성된다.

다음에, 제15도에 도시한 바와 같이, 상기 절결홈(51)에 산화물 유리(52)를 용융충전한 후, 상면(50a)과 전면(50b)을 평면연마한다.

다음에, 제16도에 도시한 바와 같이, 상기 산화물 유리(52)를 용융충전한 상기 절결홈의 일측단부가 약간겹치도록 상기 한쪽 모서리부에 절결홈(51)과 인접하는 복수개의 절결홈(53)을 형성한다. 이때, 형성되는 절결홈(53)의 내벽면(53a)에는, 상기 유리(52)의 일부가 노출되어 있다. 또, 이 내벽면(53a)과 상기 상면(50a)의 교선(54)은, 상기 기판(50)의 전면(50b)과 직각을 이루고 있다.또, 이 내벽면(53a)과 상면(50a)이 이루는 각도는 소요각도, 예를 들어 45°로 되어 있다.

이어서, 제17도에 도시한 바와 같이, 스퍼터팅 등의 진공박막 형성기술을 사용하여 상기 기판(50)의 적어도 상기 절결홈(53)을 덮도록 예를 들면 SiO₂를 300Å 두께로 피착하고 또 Cr를 300Å두께로 피착하여 비자성 고경도막(55)을 형성한다.

다음에, 제18도에 도시한 바와 같이, 상기 비자성 고경도막(55)상의 상기 절결홈(53) 근방에, 스퍼터링등의 진공박막 형성기술을 이용하여 고투자율 합금의 예를 들어 Fe-A1-Si계 합금을 피착하고, 강자성 금속박막(56)을 형성한다. 이 강자성 금속박막(56)을 형성하는데 있어서, 절결홈(53)의 한쪽 내벽면(53a)상에 강자성 금속이 효율좋게 피착하도록 상기 기판(50)을 경사시켜 스퍼터링 장치내에 배치하도록 해도 좋다.

그리고, 이와 같이 피착형성된 강자성 금속박막(56)상에 제19도에 도시한 바와 같이 Ta₂O₅나 TiO₂,SiO₂등의 비자성 고경도막(57)을 스퍼터링 등에 의해 피착형성한다. 본 실시예에 있어서는 이 비자성 고경도막(57)은 강자성 금속박막(56)상에 Cr막을 0.1㎛ 정도 두께로 형성하고, 이어서 그위에 Ta₂O₅막을 1㎛ 정도 두께로 스퍼터링 등에 의해 형성되어 있다. 이와 같이 Cr막을 강자성 금속박막(56)상에 형성함으로써,이 강자성 금속박막(56)에 대한 Ta₂O₅막이 피착이 양호하게 된다. 한편, 본 예에서는 비자성 고경도막(57)을 Cr 막-Ta₂O₅막에 의해 형성하였으나 그외에 Cr 막-SiO₂막-Ta₂O₅막의 순서로 형성한 것이어도좋으며, 또 Ti막을 0.l㎛ 정도로, 이어서 TiO₂막을 1㎛ 정도로 적층피착한 것 등도 적합하다.

그리고 제20도에 도시한 바와 같이 비자성 고경도막(55), 강자성 금속박막(56), 비자성 고경도막(57)이 적층이 피착된 절결홈(53)에 상기 산화물 유리(52)보다 저융점의 산화물 유리(58)를 용융충전한 후, 기판(50)의 상면(50a)과 전면(50b)을 평면연마하고 경면마무리를 행한다. 이때, 상기 기판(50)의 전면(50b)에있어서는 전공정에서 피착한 비자성 고경도막(55) 및 비자성 고경도막(57)이 상기 절결홈(53)의 내벽면(53a)에 피착된 상태의 강자성 금속박막(56)을 끼우고 있는 상태로 되어 있다.

또 권선홈측 자기코어 반쪽부재를 형성하기 위해 제20도에 도시한 바와 같은 가공을 실시한 강자성 산화물 기판(50)에, 권선홈(59)을 형성하는 홈가공을 행하고 제21도에 도시한 강자성 산화물 기판(70)을 얻는다.

또, 상기 기판(50)의 자기갭 형성면인 상면(50a)과 상기 기판(60)의 자기갭 형성면인 상면(60a)을, 이들 상면(50a,60a)의 적어도 어느 한쪽에 막부착된 갭스페이서를 거쳐서 제22도에 도시한 바와 같이 맞대고 유리융착을 행한다. 그후, 기판(50)과 기판(60)을 합체시킨 블록을, 제22도중 B-B선 및 B'-B'선의 위치에서 슬라이싱 가공하고, 복수개의 헤드칩을 얻는다. 이 슬라이싱 가공은 경우에 따라서는 방위각만 경사시켜 행한다.

마지막으로, 절취한 각 헤드칩에 대하여, 자기 테이프 접촉면의 원통연마를 시행하고, 제13도에 도시한 자기헤드를 얻는다.

여기서, 제3도에 도시한 자기헤드의 한쪽 자기코어 반쪽부재(41)는 상기 한쪽 강자성 산화물 기판(51)을 모재로 하고 있으며, 다른쪽 자기코어 반쪽부재(40)는 다른쪽 강자성 산화물기판(60)을 모재로 하고 있다.

또, 비자성 고경도막(45)은 비자성 고경도막(55)에, 강자성 금속박막(42)은 강자성 금속박막(56)에, 비자성 고경도막(46)은 비자성 고경도막(57)에 각각 대응하고 있다. 또, 산화물 유리(43)는 산화물 유리(58)에 대응하고 있다.

이와 같이 구성되는 자기헤드에 있어서는, 먼저 실시예와 마찬가지로, 강자성 금속박막(42)의 각부가 헤드의 자로방향에 따라 높은 투자율을 나타내게 되며, 안정하게 고출력을 얻을 수 있고, 또 강자성 금속박막(42)이 비자성 고경도막(45,46)으로 보호되어 변형이나 잔금, 갈라짐, 변질 등이 발생하지 않고 안정되게된다.

게다가 또, 이 실시예의 자기헤드에 있어서는, 헤드의 후부측 접합면, 즉 백갭면에 있어서 강자성 산화물끼리 직접 유리융착되어 있으므로, 헤드칩 내파괴 강도가 크고 제조하기 쉬운 헤드로 되어 있으여, 강자성 금속박막의 안정과 아울러 원료소비율 향상을 도모할 수 있다. 또, 상기 자기헤드에서는, 강자성 금속박막(42)은 자기갭 g의 근방부에만 형성되어 있기 때문에, 이 강자성 금속박막(42)의 형성면적이 작아지며, 예를 들어 스퍼터링 장치로 일괄처리 가능한 갯수를 대폭 증가시키므로 양산성의 향상을 도모할 수 있다.

다음에, 제23도 내지 제32도를 기초로 하여 다른 제조공정에 의해 제작되는 자기헤드의 예를 설명한다.

이 자기헤드를 제작하는 데는, 우선 제23도에 도시한 바와 같이, 예를 들어 Mn-Zn 페라이트 등의 강자성 산화물 기판(70)의 자기 테이프 접촉면에 대응하는 상면(70a)에, 이 상면(70a)을 경사 횡단하는 단면ㄷ자형 홈(71)을 복수개 형성한다. 여기서, 이 홈(71)의 깊이는 헤드의 권선구멍에 달할 정도의 깊이이다.

다음에, 제24도에 도시한 바와 같이, 상기 홈(71)에 고융점 유리(72)를 용융충전한 후, 상면(70a)과 전면(70b)을 평면연마한다.

그리고, 제25도에 도시한 바와 같이 고융점 유리(72)를 충전한 상기 홈(71)의 일부와 겹치고, 이홈(71)과는 역방향으로 경사로 상면(70a)을 형단하는 단면 ㄷ자형 홈(73)을 상기 상면(70a)에 복수개 형성한다. 이홈(73)의 깊이는 상기 깊이(71)와 같은 정도이다. 이때, 이 홈(73)의 내측면(73a)은, 상기 기판(70)의 상면(70a)과는 직교하여 형성되고, 또, 전면(70a)과는 직교하여 형성되고, 또 전면(70b)과 소요 각도, 예를들어 45°를 이루고 있다. 또, 이홈(73)의 내측면(73a)은, 상기 홈(71)과 기판(70)의 전면(70b) 근방에 있어서 교차하고, 상기 고융점 유리(72)을 약간 절결하게 되어있다.

이와 같이, 강자성 산화물 기판(70)의 상면(70a)에 홈(71)이나 홈(73)을 형성한 후, 제26도에 도시한 바와 같이 상기 기판(70O)의 홈 근방부에 스퍼터링 등의 진공박막 형성기술을 이용하여 SiO₂나 Cr등의 비자성고경도막(74)을 피착형성한다. 이 비자성 고경도막(74)의 재질로서는, 먼저 각 실시예와 마찬가지의 것이 사용 가능함은 물론이다.

다음에, 제27도에 도시한 바와 같이, 상기 비자성 고경도막(74)상에 마찬가지로 스퍼터링 등의 진공박막형성기술을 이용하여 고투자율 합금의 예를 들어 Fe-Al-Si계 합금 등을 피착 적층하고, 강자성 금속박막(75)을 형성한다. 이때 상기 홈(73)의 내측면(73a)상에 상기 고투자율 합금이 효율좋게 상기 기판(70)을 경사시켜 스퍼터링 장치내에 배치되도록 해도좋다.

또, 제28도에 도시한 바와 같이, 이 강자성 금속박막(75)상에 고경도 및 그 산화물이나 합금 등을 스퍼터링 등의 수단에 의해 피착하고, 비자성 고경도막(76)을 형성한다. 이 비자성 고경도막(76)도 먼저 실시예와 마찬가지 재질의 막을 단층 혹은 2층 이상 적층하여 형성된다.

이어서, 이와 같이 하여 비자성 고경도막(74)이나 강자성 금속박막(75), 비자성 고경도막(76)이 적층하여 피착 형성된 홈(73)내에, 상기 홈(71)내에 용융충전되는 고융점 유리(72)보다 융점이 낮은 산화물 유리(77)를 용융충전한 후, 상기 기판(70) 상면(70a)과 전면(70b)을 평면 연마하여 경면연마 마무리를 행한다. 이결과, 상기 홈(73)의 내측면(73a)에는 강자성 금속박막(75)이 비자성 고경도막(74) 및 비자성 고경도막(76)에 끼워져 보호된 상태로 피착된 상태가 된다. 또한, 이 경우 강자성 금속박막(75)이나 비자성 고경도막(74,76)은 홈(73)의 다른쪽 내측면이나 저면에도 남지만, 이는 미소하므로 그부분의 도시는 생략한다.

다음에, 제30도에 도시한 바와 같이, 한쪽 강자성 산화물 기판에 권선홈(78)을 형성하는 훔 가공을 행하고 강자성 산화물 기판(80)을 얻는다.

그리고, 제31도에 도시한 바와 같이, 이 홈가공을 실시한 강자성 산화물 기판(80)과 홈이 없는 강자성 산화물 기판(70)을 각각 자기갭 형상면인 전면(70b,80b)의 적어도 어느 한쪽에 막부착된 갭 스페이서를 거쳐서 강자성 금속박막(75)끼리 맞대어지도록 배치하고 유리 융착에 의해 접합한다.

마지막으로, 이들 기판(70,80)이 합체된 블록을 제31도중 C-C선 및 C'-C'선의 위치에서 슬라이싱 가공하고 복수개의 헤드 칩을 얻고 이를 헤드 칩의 자기테이프 접촉면을 원통연마하여 제32도에 도시한 바와 같은 자기헤드를 완성한다.

이 제32도에 도시한 자기헤드에 있어서, 한쪽 자기코어 반쪽부재(81)는 강자성 산화물 기판(70)에, 다른쪽 자기코어 반쪽부재(82)는 강자성 산화물 기판(80)에 각각 대응하고 있다. 또, 강자성 금속박막(84)은 강자성 금속박막(75)에, 비자성 고경도막(83)은 비자성 고경도막(74)에, 비자성 고경도막(85)은 비자성 고경도막(76)에, 산화물 유리(86)는 산화물 유리(77)에 각각 대응하고 있다.

이 제32도에 도시한 자기헤드에 있어서도 먼저번 각 실시예와 마찬가지로 강자성 금속박막(84)이 비자성 고경도막(83)과 비자성 고경도막(85)에 끼어져 보호되고 있으므로, 변형이나 갈라짐, 강자성 산화물과의 경계면의 변질등이 발생하지 않고 제1도나 제13도에 도시한 자기헤드와 마찬가지로 양호한 효과를 얻을 수있다. 또, 상기 강자성 금속박막(84)은 자기갭 g의 형성면과 소요각도로 경사져 있으며, 일평면상에 일직선상으로 연속적으로 형성되어 있으므로 자로에 따라서 그 각부가 고투자율로 되므로 안정된 고출력이 얻어지게 되는 것도 마찬가지이다.

또, 본 발명은 이런 실시예 뿐만 아니라, 예를 들어 자기 테이프 접촉면 근방부를 세라믹스 등의 비자성 고경도 재료로 보호한 자기헤드 등에도 적용가능하다.

제33도 내지 제35도는 각각 본 발명을 자기 테이프 접촉면 근방부를 세라믹스 등의 비자성 고경도 재료로 보호한 자기헤드에 적용한 실시예를 도시한 것이다.

여기서 제33도의 자기헤드는 제1도에 도시한 자기헤드에 대응하고, 제1도에 도시한 자기헤드와 동일한 부재에는 동일한 부호를 부여하였다. 즉, 이 제33도에 도시한 자기헤드는 제1도에 도시한 자기헤드의 자기테이프 접촉면 근방부에 예를 들어 티탄산칼륨(Ti-Ca계 세라믹스), 산화물 유리, 티타니아(TiO₂), 알루미나(A1₂O₃) 등의 고내마모성 비자성 재료로된 보호재(91,92)를 설치한 것이다.

이 제33도에 도시한 자기헤드는 예를 들어 Mn-Zn 페라이트 등의 강자성 산화물 기판의 일단면에 예를들어 티탄산, 산화물 유리, 티타니아, 알루미나 등의 고내마모성 비자성 기판을 수십 ㎛용융유리판을 끼워 열압착한 복합기판을 사용하고 제5도 내지 제12도에 도시한 제조공정과 마찬가지 공정에 의해 제작되지만, 자기 테이프 접촉면에 페라이트 등의 자성재료가 노출되지 않으므로, 제10도에 도시한 제2절결홈(26)의 절삭가공공정은 생략되어 있다. 또 제34도에 도시한 자기헤드는 제13도에 도시한 자기헤드와 대응하고 있으며, 제13도에 도시한 자기헤드와 동일 부재에는 동일부호를 붙였다. 이 제34도에 도시한 자기헤드는 제13도에 도시한 자기헤드의 자기 테이프 접촉면 근방부에 고내마모성 비자성 재료로 된 보호재(93,94)를 설치한 것이다. 그리고, 이 제34도에 도시한 자기헤드는 마찬가지 복합기판을 사용하여 제14도 내지 제22도에 도시한 제조공정과 마찬가지 공정에 의해 제작되지만, 이 경우에도 제14도에 도시한 절결홈(51)의 절삭가공공정과 제15도에 도시한 산화물 유리(52)의 용융충전공정은 생략된다. 또, 제35도에 도시한 자기헤드는 제32도에 도시한 자기헤드와 대응하고 있으며, 제32도에 도시한 자기헤드와 동일한 부재에는 동일부호를 부여하였다. 이 제35도에 도시한 자기헤드는 제32도에 도시한 자기헤드의 자기테이프 접촉면 근방부에 고내마모성 비자성 재료로 된 보호재(95,96)를 설치한 것이다. 그리고 이 제35도에 도시한 자기헤드는 먼저의 각 예와 같은 복합기판을 이용하여 제23도 내지 제31도에 도시한 제조공정과 마찬가지 공정에 의해 제작되지만, 이 경우에도 제23도에 도시한 홈(71)의 절삭가공 공정과 제24도에 도시한 고융점 유리(72)의 용융충전공정은 생략된다.

상술한 바와 같은 제33도 내지 제35도에 도시한 각 자기헤드에 있어서는 그 제작에 있어서 미리 강자성 산화물 블럭에 내마모성 비자성 재료를 점착하여 이 내마모성 비자성재를 연마하여 테이프 접촉면을 형성하기 때문에, 갭면을 포함하는 테이프 접촉면은 강자성 금속박막 이외의 부분이 비자성 재료, 즉 내마모성 비자성재와 비자성 고경도막에 의해 구성되어 강자성 산화물 재료가 노출하지 않는 자기헤드로 되어 있다. 따라서, 강자성 금속박막 형성후의 갭면 연마시의 종점위치에 관계없이 트랙폭을 강자성 금속박막의 경사단면치수단으로 결정되기 때문에, 블록 가공에 있어서도 치수공차가 광범위하게 행 할 수 있음과 동시에 강자성 금속박막은 비자성 고경도막에 의해 보호되므로, 유리 융착시에 변형하거나 잔금 갈라짐, 계면 변질등을 초래하지 않고 안정된 상태로 유지되고 원료소비율도 좋은 안정한 고출력 자기헤드가 얻어진다. 또, 비데오헤드에 있어서는 데이트 접촉면과의 상대속도가 크기 때문에 테이프 접촉면에 돌출하는 페라이트는 단결정이 필요하여 재료가격이 비싸지지만 이들 각 예에서는 백갭측의 페라이트는 테이프와의 접촉에 대한 편마모성의 우려가 없기 때문에 Hi-μ다결정, 즉 소결형 다결정 페라이트를 사용할 수 있기 때문에 가격이 낮아진다.

이상 설명에서 명백히 알수 있는 바와 같이, 본 발명의 자기헤드에 있어서는, 강자성 금속박막과 강자성 산화물 사이에 비자성 고경도막이 설치되어 있으므로, 강자성 금속박막을 피착하기 위한 스퍼터링시에 고온에 노출되어도 상기 비자성 고경도막에 의해 강자성 산화물중의 산소원자의 확산이 방지되기 때문에 강자성 산화물 계면부에 저산소 상태에 변질층이 형성되지 않는다. 따라서 강자성 산화물의 연자성 특성이 약화하지 않고 자기헤드의 기록재생 출력이 저하하지 않게된다.

또, 이와 같이 스퍼터링시에 상기 변질층이 형성되지 않으므로 강자성 금속박막을 피착하는 스퍼터링 온도나 스퍼터링 속도에 대한 제약을 완화할 수 있고, 생산성 면에서도 장점이 많다.

한편, 강자성 금속박막과 산화물 유리사이에 비자성 고경도막을 설치함으로써, 이 강자성 금속박막이 산화물 유리에 대해 보호되어 유리흐름이 좋아짐과 동시에, 상기 산화물 유리에 의한 침식이나 강자성 금속박막의 변형등이 방지된다.

또, 상술한 각 비자성 고경도막을 설치함으로써 감자성 금속박막의 밀착성이 향상함과 동시에, 유리융착이나 유리충전시 스퍼터링후의 냉각시 등의 후공정에 있어서, 각 개질간의 열펭창 계수차에 의한 열응력 등의 국부적인 응력이 완화되고, 잔금, 갈라짐 등의 발생이 방지된다.

따라서, 강자성 금속박막의 안정화를 꾀할 수 있고, 트랙폭 정밀도를 얻을 수 있게 되며, 강도적으로도 신뢰성이 높은, 고항자력의 자기 기록매체에 적용하기에 적합한 자기헤드가 얻어진다.

Claims (1)

1. 강자성 산화물로 된 자기코어 반쪽부재의 접합면을 절결하여 강자성 박막 형성면을 형성하고, 이 강자성 박막 형성면상에 진공박막 형성기술에 의한 강자성 금속박막을 형성함과 동시에, 상기 강자성 금속박막끼리 맞대어 자기갭을 구성한 자기헤드에 있어서, 상기 강자성 박막형성면과 자기갭 형성면이 소요 각도로 경사져 있으며, 강자성 산화물과 강자성 금속박막 사이에 비자성 고경도막이 배치되고, 또 테이프 접촉면에 있어서 비자성 고경도막을 거쳐 상기 강자성 금속박막과 산화물 유리가 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 자기헤드.

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