JPS6341126B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、磁気ヘツドの製造方法に関し、すぐ
れた性能を有する超狭トラツク幅の磁気ヘツドが
容易に得られるようにすることを目的とする。

従来、ビデオヘツドの様な狭トラツク幅の磁気
ヘツドは第１図イに示す様に、フエライト或はセ
ンダスト等の強磁性体ブロツク１に所定のトラツ
ク幅に等しい平坦部２を残す様に複数の切溝３を
形成し、切溝３へのガラス等の非磁性体の充填、
巻線窓の形成あるいはギヤツプ材料の被着等所要
の工程を経た後、第１図ロの様に、前記１対のブ
ロツクを互のトラツク幅形成部が突合さる様に対
向させ、ガラス等で合体した後、第１図ハの様に
所定のトラツク幅部および両側部の非磁性体部を
残す様に切断して、複数のヘツドチツプを製造し
ていた。この方法は、１本のブロツクから一度に
多数のヘツドが得られ製造の能率が良いこと、広
い対向面積で突合せるのでギヤツプの形成精度が
高く、かつ１本のバーで多数のヘツドチツプが得
られるのでバラツキの少ない事等の多くの特長を
持つので広く一般的に用いられている。しかしこ
の方法により10μｍ程度以下の超狭トラツク幅ヘ
ツドの製造を行なう場合にはダイシングソウ或は
ワイヤソウ等の微細精密加工機を用いても、第１
図イにおけるトラツク幅加工において、フエライ
ト材の場合トラツク部の折損、チツピング等が、
またセンダスト等の金属材料の場合には曲り、変
形等を生じやすく精度不足や加工歩留まりの低下
を招いていた。一方この方法で得られたヘツドの
テープ摺動面は第１図ニの様にギヤツプ部１′付
近のコアが薄片状となるので、この部分の磁気抵
抗が相当高くなり、この結果相対的にトラツク側
面からの漏洩磁束の割合が増加する事になるの
で、フエライト材料等の様に飽和磁束密度の低い
コアの場合には記録時に飽和を起しやすくなる。
そこでこの様にトラツク幅10μｍ程度以下の場合
には、ギヤツプ近傍のトラツク幅形成部を高飽和
磁束密度を有する金属磁性体膜で構成する事が考
えられ、第２図イの様にヘツドチツプ半体の形状
を有するガラス等の非磁性体基板４上に、パーマ
ロイ蒸着膜、センダストあるいはアモルフアス合
金スパツタリング膜等の高飽和磁束密度の金属磁
性体膜５を所定のトラツク幅に等しい厚さで被着
形成し、得られた１対のコア半体を、同図ロの様
に、ガラス等の非磁性体の支持基板６上に、ギヤ
ツプを形成するようにして、接合一体化し、その
後同図ハ，ニの様に所定の最終形状に加工する。
このようにして得られた磁気ヘツドはトラツク幅
が基本的には被着した磁性体膜の厚さに等しいの
で数μｍ程度の狭トラツク化も極めて容易に実現
できる。しかしこの場合、ギヤツプ形成を、第１
図のブロツク体突合せの場合とは異なり、突合せ
幅の極めて狭いコア１枚幅で行なうので、ギヤツ
プ精度が得難く、また多数のヘツドを量産するの
に、平面的な繰返しパタンを設定する必要があ
り、このため第１図の方法に比べて能率が低くま
たバラツキが生じやすい原因にもなる。さらに完
成ヘツドは第２図ハ，ニに示した様にコア全体が
薄片であるので、ヘツド全体として見た磁気抵抗
が高くなり、したがつて狭トラツク化にともなつ
てコア能率が低下するという大きな欠点がみられ
る。

本発明は従来における上述のような欠点を除こ
うとするもので以下に図面を用いその一実施例を
説明する。

まず本発明による製造方法の一実施例により得
られる磁気ヘツドを第３図ａに示す。図において
２０および２０′はトラツク突合せ部を形成する
高飽和磁束密度の金属磁性体膜でありセンダスト
或はアモルフアス磁性合金のスパツタ膜、高硬度
パーマロイの蒸着膜等により形成されている。２
５はこれら１対の磁性膜の突合せ部に形成された
作動ギヤツプである。２３および２３′はフエラ
イトあるいはセンダスト等の高透磁率を有するバ
ルク磁性体よりなるコア主体部である。２４およ
び２４′は前記薄膜のトラツク幅部を支持あるい
は保護しまたヘツド前面の耐摩耗性を確保するた
めに設けられたガラス材、ロウ材あるいは樹脂等
の非磁性体部である。ここで上記の金属磁性体膜
およびコア主体部との配置接合状況を明瞭にする
ために前記の非磁性体充填物を除去した図を第３
図ｂに示す。図に示すように金属磁性体膜２０，
２０′は、コア主体部２３，２３′をなすバルク磁
性体部および非磁性体部２４の両者にかかつて巻
線用窓部２６に到る切欠きの内壁面に密着するよ
う被着形成されている。以上の様に本ヘツドはギ
ヤツプ近傍のトラツク幅形成部にのみ高飽和磁束
密度の金属磁性体を使用し他の部分には高透磁率
でかつコア幅の広いバルク磁性体を使用したこと
により記録および再生特性の極めて優れた超狭ト
ラツク幅の磁気ヘツドである。

さて本発明による磁気ヘツドの製造方法の一実
施例を第４図を用い説明する。第４図イに示すよ
うに、コア主体部を形成するために、フエライト
或はセンダスト等の高透磁率の磁性体ブロツク１
１の長手方向の一陵部に複数の第１の切溝１２を
設ける。次にこの切溝１２に同図ロの様に第１の
非磁性体１３を充填する。なおここでブロツク１
１に用いる材料がフエライトの場合には、後述す
る第２の非磁性体物質の充填時の処理温度の関係
により比較的高融点の例えば作業温度750℃程度
の硼硅酸ガラス等が適している。一方センダスト
を用いる場合には、ガラスの他に金属ロウの使用
ができる。次にハの様に余分の非磁性体物質を研
削除去し非磁性体充填部２７を形成する。次にニ
の様に非磁性体充填部１７をも一部除去する様に
近接して第２の切溝１４を設ける。なおここで図
ニの一部を拡大しホに示す。ホに示すように第２
の切溝１４はギヤツプ形成面１５に垂直な側壁面
１６とこれに続き、ギヤツプ形成面１５と非並行
な側壁面１８を有する一方、側壁面１６に前記の
非磁性体充填部１７の一部２９を露呈させてい
る。次にこの切溝１４内壁面上にトラツク幅部を
構成するために、飽和磁束密度が高くかつ所要の
トラツク幅に等しい長さの金属磁性体膜を被着形
成する。例えばヘの様に、非磁性体充填側の切溝
内壁面上に能率良く被着する様に、スパツタ方向
に対して傾斜させたコアブロツク１２を配置し、
高周波スパツタリングによりセンダストよりなる
金属磁性体膜２０を被着する。スパツタリング法
は付着強度が高く、かつ廻り込み現象により切溝
底部付近にも比較的能率良く被着し望ましい。な
おここで、コアブロツクの加熱（300〜500℃）に
より、センダストスパツタ膜の磁気特性を向上さ
せる事ができるので、前記第１の非磁性体２３
は、スパツタリング作用および加熱により温度上
昇により軟化変形しない様な耐熱性を有するもの
を使用する必要がある。スパツタリング法によら
ず蒸着、イオンプレーテイングあるいはメツキ等
の手段により磁性薄膜を被着する事も可能であ
る。次にトの様に第２の非磁性体２１を切溝１４
に充填する。トラツク幅が比較的広く単一の磁性
体膜では渦電流損により実効透磁率の低下が大き
くなる場合には、SiO又はSiO₂あるいは他のガラ
ス質物質等の非磁性体絶縁物層とを交互に積層し
て所要のトラツク幅を形成する事が有効である。
上記のように第２の非磁性体２１を充填するにあ
たつては、その時の処理温度で第１の非磁性体１
４が軟化変形しないような条件で作業する事が必
要である。例えば前記の様に第１の非磁性体とし
て作業温度750℃のガラスを使用した場合には、
作業温度450℃程度の低融点フリツトガラスを第
２の非磁性体として使用するのがよい。また金属
磁性体膜とガラスとの間の相互拡散による磁性体
膜の特性劣下を防止するために、ヘに示した工程
の後、すなわち磁性体膜被着後に、数千Å〜数μ
ｍの、SiO、SiO₂或は高融点ガラス等の高融点物
質の膜を保護膜として被着しておく事が有効であ
る。次にチの様に、ギヤツプ形成面側に被着して
いる不要な磁性体膜を研削除去し、さらにリの様
に巻線窓用の溝２２を設け、またギヤツプ形成面
を研摩し、さらにはギヤツプ部物質を被着するな
ど磁気ヘツド作成に一般的に行なわれる加工処理
を行なう。次に上記の工程で得た１対のコアブロ
ツクをヌの様に、それぞれの金属磁性体膜２０，
２０の端面が突合され所定のトラツク対応部が形
成される様に接合し一体化する。次に磁性体膜の
トラツク対応部の両側に所要の非磁性体充填部を
残す様に、ヌにおける破線に沿つて切断すること
により、ルに上面図を示すようなトラツク幅が
T.Wのヘツドチツプが複数個得られる。

上記第１の切溝および第２の切溝の形状は必ず
しも第４図のような形状に限定されるものではな
く、例えば第５図イの様に第１および第２の切溝
２７，２８形状を上面、正面からみて５角形の同
一形状としその切込み深さに若干の差異を与えて
もよい。また同図ロの様に第１、第２の切溝２
９，３０それぞれの底面を曲面にしてもよい。こ
の場合完成ヘツドの前面形状は同図ハの様にな
る。

以上のように、本発明による製造方法は、例え
ば第３図ニの様に、非磁性体で内壁の一部が構成
された切溝をコアブロツクの長手方向に多数形成
し、その切溝内壁に同図ヘの様に、スパツタリン
グ等の薄膜形成技術により所要のトラツク幅に等
しい厚さの金属磁性体膜を被着し、次いで、この
ように金属磁性体膜が被着された１対のコアブロ
ツクを対向合体させ、これから所定の寸法に切り
出すことにより、性能のすぐれた超狭トラツク幅
の磁気ヘツドを能率良く製造するものである。

そして本発明による製造方法は第１図に示した
従来ヘツドの製造方法に見られるギヤツプ精度、
製造能率時における長所と第２図に示した従来方
法に見られる超狭トラツク幅形成の容易さの両者
を同時に実現し、また前者に見られる加工上の問
題点および後者に見られるヘツド能率の問題点の
欠点をも解消するものである。

【図面の簡単な説明】

第１図、第２図は従来の磁気ヘツドの製造方法
を説明するための図、第３図ａは本発明の実施例
において製造された磁気ヘツドの斜視図、第３図
ｂは同磁気ヘツドの要部の斜視図、第４図は本発
明の一実施例を説明するための図、第５図は上記
一実施例における一部変形の例を説明するための
図である。 １１……磁性体ブロツク、１２，１４，２７，
２８，２９，３０……切溝、２０……金属磁性体
膜。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 磁性体よりなるブロツクの一つの陵部に複数
   の第１切溝を形成しかつ上記第１切溝に非磁性体
   を充填する第１工程と、上記第１切溝に充填され
   た第１非磁性体が壁面の少なくとも上部にまた上
   記磁性体が同じく壁面の底部側にそれぞれ露呈す
   るようにして上記第１非磁性体充填部に隣接する
   第２切溝を形成する第２工程と、上記第２切溝の
   壁面の上記磁性体部および非磁性体部のそれぞれ
   の少なくとも一部にわたり金属磁性体膜を被着す
   る第３工程と、上記金属磁性体膜が被着された第
   ２切溝に第２非磁性体を充填する第４工程と、上
   記一連の工程により上記第１および第２の非磁性
   体に挾まれた上記金属磁性体膜の端面を上記ブロ
   ツクの端面に露呈させる第５工程と、上記一連の
   工程により得られた１対のブロツクのそれぞれの
   上記金属磁性体膜の端面がギヤツプ長に対応した
   厚さを有する非磁性体層を介し対向するように上
   記両ブロツクを一体化する第６工程と、上記第１
   および第２の非磁性体充填部の間に上記金属磁性
   体膜のギヤツプ形成部を有するように、上記第６
   工程において得られたブロツク接合体を切断し複
   数のヘツドチツプを得る第７工程を有することを
   特徴とする磁気ヘツドの製造方法。 ２ 第３工程において、蒸着法またはスパツタリ
   ング法により金属磁性体膜を被着するとともに第
   ２切溝の非磁性体充填部側の側壁面に厚く被着す
   るようにブロツクを蒸着源またはスパツタターゲ
   ツトに対し傾斜させて金属磁性体膜を被着するこ
   とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の磁気
   ヘツドの製造方法。 ３ 第３工程において金属磁性体膜を被着した
   後、第４工程における第２非磁性体充填時の処理
   温度よりも高融点の非磁性体膜を金属磁性体膜上
   に被着することを特徴とする特許請求の範囲第１
   項記載の磁気ヘツドの製造方法。 ４ 第１工程において磁性体としてフエライトを
   用いるとともに第１非磁性体として第１ガラスを
   用い、第３工程において高周波スパツタリングに
   よりセンダストよりなる金属磁性体膜を被着し、
   第４工程において第２非磁性体として第１ガラス
   よりも高軟化温度の第２ガラスを用いるとともに
   第１ガラスが軟化変形しないような温度で第２非
   磁性体を充填することを特徴とする特許請求の範
   囲第１項記載の磁気ヘツドの製造方法。