JPH0263245B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0263245B2 JPH0263245B2 JP9859381A JP9859381A JPH0263245B2 JP H0263245 B2 JPH0263245 B2 JP H0263245B2 JP 9859381 A JP9859381 A JP 9859381A JP 9859381 A JP9859381 A JP 9859381A JP H0263245 B2 JPH0263245 B2 JP H0263245B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- glass
- substrate
- substrates
- patterns
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 49
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 claims description 27
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 15
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 11
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 8
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 43
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 18
- 239000000463 material Substances 0.000 description 16
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 9
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 9
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 8
- 229910002796 Si–Al Inorganic materials 0.000 description 7
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 7
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910000808 amorphous metal alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 235000019589 hardness Nutrition 0.000 description 3
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 229910008423 Si—B Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 235000019353 potassium silicate Nutrition 0.000 description 1
- NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N sodium silicate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-][Si]([O-])=O NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 1
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/147—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive with cores being composed of metal sheets, i.e. laminated cores with cores composed of isolated magnetic layers, e.g. sheets
- G11B5/1475—Assembling or shaping of elements
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/10—Structure or manufacture of housings or shields for heads
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、軟質磁性材料層を非磁性ガード材間
に挾着してなる挾トラツク巾の磁気ヘツドの製法
に係わる。
に挾着してなる挾トラツク巾の磁気ヘツドの製法
に係わる。
従来、この種の磁気ヘツドの製造は、例えば第
１図Ａ〜Ｆに示すようにガード材となる非磁性基
板１上にスパツタリング等にて軟磁性材料層２を
被着して後（同図Ａ）、この基板１を複数枚、有
機接着剤を介して積層し（同図Ｂ）、この積層ブ
ロツク３を鎖線４で示す所定寸法に短冊状に切断
して対のコア半体ブロツク５及び６を形成し（同
図Ｃ）、次に一方のコア半体ブロツク５の内面に
巻線溝７を形成し（同図Ｄ）、かつ互の突き合せ
面を鏡面仕上げして両コア半体ブロツク５及び６
を有機接着剤により作動ギヤツプｇの接合を含め
て接合合体し（同図Ｅ）、しかる後非磁性基板１
の中間位置より所定の厚みのチツプに切断して磁
気ヘツド８を得ていた。
１図Ａ〜Ｆに示すようにガード材となる非磁性基
板１上にスパツタリング等にて軟磁性材料層２を
被着して後（同図Ａ）、この基板１を複数枚、有
機接着剤を介して積層し（同図Ｂ）、この積層ブ
ロツク３を鎖線４で示す所定寸法に短冊状に切断
して対のコア半体ブロツク５及び６を形成し（同
図Ｃ）、次に一方のコア半体ブロツク５の内面に
巻線溝７を形成し（同図Ｄ）、かつ互の突き合せ
面を鏡面仕上げして両コア半体ブロツク５及び６
を有機接着剤により作動ギヤツプｇの接合を含め
て接合合体し（同図Ｅ）、しかる後非磁性基板１
の中間位置より所定の厚みのチツプに切断して磁
気ヘツド８を得ていた。
しかし乍ら、このようにして製造した磁気ヘツ
ドは、作動ギヤツプｇにおける接合が有機接着剤
のためチツプ切断等の加工において、ギヤツプ開
きが生じ、また磁気テープ摺動面９に有機接着剤
があらわれテープ摺動時にクロツギング等の問題
が生じ信頼性に欠けるものであつた。
ドは、作動ギヤツプｇにおける接合が有機接着剤
のためチツプ切断等の加工において、ギヤツプ開
きが生じ、また磁気テープ摺動面９に有機接着剤
があらわれテープ摺動時にクロツギング等の問題
が生じ信頼性に欠けるものであつた。
本発明は、上述の点に鑑み信頼性の高いしかも
摩耗特性が良好で、量産性に適した軟磁性材料に
よる磁気ヘツドの製造方法を提供するものであ
る。
摩耗特性が良好で、量産性に適した軟磁性材料に
よる磁気ヘツドの製造方法を提供するものであ
る。
本発明においては、ガード材となる非磁性基板
の一主面に合金磁性材あるいは非晶質合金磁性材
等の軟質磁性材料層を形成して後この磁性材料層
を複数のパターンに分離してなる基板を複数用意
し、かかる複数の基板をその各基板上のパターン
が一方向にそろう様に、即ちパターンが所要の配
列（例えば、基板主面に対し垂直方向の配列又は
所謂アジマス角だけ傾斜した配列）になる様に積
層し、非磁性基板間の隙間をガラス等の耐熱性の
無機接着剤で充填して複数の基板を一体化し、次
で一体化基板を基板主面と交鎖する方向にパター
ンの中間及びパターン間の中間で切断してコア半
体ブロツク対を得、このブロツク対の対向面に巻
線溝、バツク溝の所要の溝加工を施し、所要の空
隙片を介してブロツク対を突き合せてガラス等の
無機接着剤にて合体し、しかる後基板主面に平行
な方向に基板部分で切断してヘツドチツプ即ち目
的の磁気ヘツドを得ることを特徴とするものであ
る。
の一主面に合金磁性材あるいは非晶質合金磁性材
等の軟質磁性材料層を形成して後この磁性材料層
を複数のパターンに分離してなる基板を複数用意
し、かかる複数の基板をその各基板上のパターン
が一方向にそろう様に、即ちパターンが所要の配
列（例えば、基板主面に対し垂直方向の配列又は
所謂アジマス角だけ傾斜した配列）になる様に積
層し、非磁性基板間の隙間をガラス等の耐熱性の
無機接着剤で充填して複数の基板を一体化し、次
で一体化基板を基板主面と交鎖する方向にパター
ンの中間及びパターン間の中間で切断してコア半
体ブロツク対を得、このブロツク対の対向面に巻
線溝、バツク溝の所要の溝加工を施し、所要の空
隙片を介してブロツク対を突き合せてガラス等の
無機接着剤にて合体し、しかる後基板主面に平行
な方向に基板部分で切断してヘツドチツプ即ち目
的の磁気ヘツドを得ることを特徴とするものであ
る。
このような製法によれば、磁性材料層と之を挾
む両非磁性基板即ちガード材間の接合がガラス等
の耐熱性無機接着剤にて接合され、しかもその際
に、磁性材料層と非磁性ガード材間の接合のみな
らず、ヘツドチツプの一部に磁性材料層のない部
分を設けてその部分で両ガード材同士が無機接着
剤で接合されることにより接合状態が強固とな
り、従つて磁気ヘツド製造法の信頼性が上がり且
つテープ摺動時のクロツギング等の問題が解消さ
れる。又、接合状態が強固なので、非晶質合金材
のような接着力の弱い軟質磁性材料層においても
十分に信頼性の高い挾トラツク巾の磁気ヘツドを
製造できる。又、無機接着剤による接合温度が低
温（500℃以下）に抑えられるので、磁性材料層
の被着された基板を複数積層する時に反りが発生
せず、このため接着剤層が薄く強固に接合され
る。さらに、従来技術では磁性材料層と非磁性ガ
ード材の接合を有機接着剤によつて接合していた
為、ギヤツプ接合とその温度制限により有機接着
剤などに限定されたギヤツプ接合強度も弱かつた
が、本発明では磁性材料層と非磁性ガード材の接
合温度以下の無機接着材による接合によつて接合
強度の大きいギヤツプ接合ができる。さらに又、
非磁性ガード材の硬度を選択することにより、偏
摩耗のない且つ摩耗量の小ない磁気ヘツドが得ら
れる。
む両非磁性基板即ちガード材間の接合がガラス等
の耐熱性無機接着剤にて接合され、しかもその際
に、磁性材料層と非磁性ガード材間の接合のみな
らず、ヘツドチツプの一部に磁性材料層のない部
分を設けてその部分で両ガード材同士が無機接着
剤で接合されることにより接合状態が強固とな
り、従つて磁気ヘツド製造法の信頼性が上がり且
つテープ摺動時のクロツギング等の問題が解消さ
れる。又、接合状態が強固なので、非晶質合金材
のような接着力の弱い軟質磁性材料層においても
十分に信頼性の高い挾トラツク巾の磁気ヘツドを
製造できる。又、無機接着剤による接合温度が低
温（500℃以下）に抑えられるので、磁性材料層
の被着された基板を複数積層する時に反りが発生
せず、このため接着剤層が薄く強固に接合され
る。さらに、従来技術では磁性材料層と非磁性ガ
ード材の接合を有機接着剤によつて接合していた
為、ギヤツプ接合とその温度制限により有機接着
剤などに限定されたギヤツプ接合強度も弱かつた
が、本発明では磁性材料層と非磁性ガード材の接
合温度以下の無機接着材による接合によつて接合
強度の大きいギヤツプ接合ができる。さらに又、
非磁性ガード材の硬度を選択することにより、偏
摩耗のない且つ摩耗量の小ない磁気ヘツドが得ら
れる。
以下、図面を用いて本発明による磁気ヘツドの
製法の実施例について説明しよう。
製法の実施例について説明しよう。
第２図乃至第１０図は本発明の一実施例であ
る。
る。
本発明においては、先ず第２図に示すように非
磁性基板、例えばビツカース硬度Hvが500Kg/mm2
の結晶化ガラス基板１１を用意し、その一主面に
軟質磁性材料層、例えば厚さ20μｍのFe−Si−Al
合金による磁性膜１２をスパツタリングにて被着
形成する。この結晶化ガラス基板１１は最終的に
ヘツドガード材として用いられる。
磁性基板、例えばビツカース硬度Hvが500Kg/mm2
の結晶化ガラス基板１１を用意し、その一主面に
軟質磁性材料層、例えば厚さ20μｍのFe−Si−Al
合金による磁性膜１２をスパツタリングにて被着
形成する。この結晶化ガラス基板１１は最終的に
ヘツドガード材として用いられる。
次に、第３図に示すようにフオトリゾグラフイ
及びイオンエツチング技術を用いて磁性膜１２を
複数の例えば長方形パターン１２′に分離する。
なお、この長方形パターン１２′の形成は、例え
ば第２図の磁性膜１２のスパツタリングのときに
マスクを介して行い一工程で形成することも可能
である。
及びイオンエツチング技術を用いて磁性膜１２を
複数の例えば長方形パターン１２′に分離する。
なお、この長方形パターン１２′の形成は、例え
ば第２図の磁性膜１２のスパツタリングのときに
マスクを介して行い一工程で形成することも可能
である。
次に、第４図に示すようにパターン１２′の付
着された基板１１を短冊状に切断し、複数のパタ
ーン１２′が一列に並んだ状態のブロツク片１３
を設ける。この切断工程においては、切断面の一
方が第１０図Ａの階段状１４、あるいは第１０図
Ｂの傾斜状１５となるように切断する。
着された基板１１を短冊状に切断し、複数のパタ
ーン１２′が一列に並んだ状態のブロツク片１３
を設ける。この切断工程においては、切断面の一
方が第１０図Ａの階段状１４、あるいは第１０図
Ｂの傾斜状１５となるように切断する。
次に、このようにして得られた複数のブロツク
片１３を第５図に示すように、各基板１１上の磁
性膜のパターン１２′が所要の配列となるように、
本例では各基板上の互に対応するパターン１２′
が基板主面と垂直の方向に配列されるようにして
積層する。そして治具で固定して後、各積層され
たブロツク片１３の一方の面の例えば階段状１４
によつて形成された溝１６内に基板１１と同じ成
分のガラス棒１７を挿入し、500℃でガラス融着
して積層ブロツク１８を形成する。積層ブロツク
１８は、このガラス融着によつて結晶化ガラス基
板１１と磁性膜のパターン１２′間のみならず、
磁性膜１２のない部分即ちパターン１２′間にお
いても磁性膜のパターン１２′を挾んで両ガラス
基板１１同士が直接接合されるもので（第６図参
照）、之によつて磁性膜のパターン１２′は強固に
保持され、後工程で磁性膜のパターン１２′が剥
離する等の不都合が生じない。なお、この500℃
のガラス融着によつてFe−Si−Al合金による磁
性膜１２の磁性特性は良好なものとなり、磁気ヘ
ツド材として充分使用できる。
片１３を第５図に示すように、各基板１１上の磁
性膜のパターン１２′が所要の配列となるように、
本例では各基板上の互に対応するパターン１２′
が基板主面と垂直の方向に配列されるようにして
積層する。そして治具で固定して後、各積層され
たブロツク片１３の一方の面の例えば階段状１４
によつて形成された溝１６内に基板１１と同じ成
分のガラス棒１７を挿入し、500℃でガラス融着
して積層ブロツク１８を形成する。積層ブロツク
１８は、このガラス融着によつて結晶化ガラス基
板１１と磁性膜のパターン１２′間のみならず、
磁性膜１２のない部分即ちパターン１２′間にお
いても磁性膜のパターン１２′を挾んで両ガラス
基板１１同士が直接接合されるもので（第６図参
照）、之によつて磁性膜のパターン１２′は強固に
保持され、後工程で磁性膜のパターン１２′が剥
離する等の不都合が生じない。なお、この500℃
のガラス融着によつてFe−Si−Al合金による磁
性膜１２の磁性特性は良好なものとなり、磁気ヘ
ツド材として充分使用できる。
次に、第６図に示すようにガラス融着された積
層ブロツク１８を、基板１１の主面と交鎖する方
向、本例では垂直方向に磁性膜のパターン１２′
の中間及びパターン１２′間の中間で切断してコ
アブロツク対１９及び２０を形成する。そして、
第７図に示すようにコアブロツク対１９及び２０
のうち例えば一方のコアブロツク対２０の内面に
巻線溝２１及びガラス挿入用のバツク溝２２を形
成する。次でコアブロツク対１９，２０の夫々作
動ギヤツプ形成面を含む突き合せ面を鏡面仕上げ
して後、その作動ギヤツプ形成面に突隙片、本例
では所定膜厚のSiO2膜をスパツタリングで付着
する。
層ブロツク１８を、基板１１の主面と交鎖する方
向、本例では垂直方向に磁性膜のパターン１２′
の中間及びパターン１２′間の中間で切断してコ
アブロツク対１９及び２０を形成する。そして、
第７図に示すようにコアブロツク対１９及び２０
のうち例えば一方のコアブロツク対２０の内面に
巻線溝２１及びガラス挿入用のバツク溝２２を形
成する。次でコアブロツク対１９，２０の夫々作
動ギヤツプ形成面を含む突き合せ面を鏡面仕上げ
して後、その作動ギヤツプ形成面に突隙片、本例
では所定膜厚のSiO2膜をスパツタリングで付着
する。
しかる後、第８図に示すように、両コアブロツ
ク１９及び２０を突き合せ、巻線溝２１及びバツ
ク溝２２内にガラス棒２３を挿入し、ガラス融着
にて合体する。このガラス融着は、軟化点が380
℃のPbO−ZnO−B2O3系ガラスを使用する。
ク１９及び２０を突き合せ、巻線溝２１及びバツ
ク溝２２内にガラス棒２３を挿入し、ガラス融着
にて合体する。このガラス融着は、軟化点が380
℃のPbO−ZnO−B2O3系ガラスを使用する。
次に、このガラス融着された融着ブロツク２４
を第９図に示すようにガラス基板１１の中央より
磁性膜のパターン１２′の面に平行に切断し、ま
たバツク溝２２の部分を切除すると共にテープ摺
動面２５を研摩して各ヘツドチツプ２６を得る。
を第９図に示すようにガラス基板１１の中央より
磁性膜のパターン１２′の面に平行に切断し、ま
たバツク溝２２の部分を切除すると共にテープ摺
動面２５を研摩して各ヘツドチツプ２６を得る。
このヘツドチツプ即ち目的の磁気ヘツド２６
は、対の結晶化ガラスによる非磁性ガード材１１
Ａ及び１１Ｂ間に作動ギヤツプｇを構成したFe
−Si−Al合金よりなる対のコア半体１２Ａ及び
１２Ｂが挾持的に配され、作動ギヤツプｇの臨む
テープ摺動面２５以外の両側において充填された
ガラス１７により両非磁性ガード材１１Ａ及び１
１Ｂが強固に接合され、この接合力と相俟つてコ
ア半体１２Ａ及び１２Ｂが一体的に固着される。
は、対の結晶化ガラスによる非磁性ガード材１１
Ａ及び１１Ｂ間に作動ギヤツプｇを構成したFe
−Si−Al合金よりなる対のコア半体１２Ａ及び
１２Ｂが挾持的に配され、作動ギヤツプｇの臨む
テープ摺動面２５以外の両側において充填された
ガラス１７により両非磁性ガード材１１Ａ及び１
１Ｂが強固に接合され、この接合力と相俟つてコ
ア半体１２Ａ及び１２Ｂが一体的に固着される。
この実施例によれば、磁性膜１２とガード材で
あるガラス基板１１とをガラス１７で接合すると
共に、所謂ギヤツプ接合を上記接合温度以下のガ
ラス接合（即ちガラス２３による接合）で行うよ
うにしたので、接合強度の大きいギヤツプ接合が
得られ、従つて第８図のチツプ接断加工において
ギヤツプ開きが生ずることもなく、又テープ摺動
面にガラス２３があらわれてテープ摺動時にクロ
ツギングを生じる等の問題は全くなく信頼性の高
い磁気ヘツドが得られる。又、磁性膜１２のない
両側において両非磁性ガード材１１Ａ及び１１Ｂ
が直接接合され、この接合力によつてヘツドの機
械的強度が向上されるので、軟質磁性材の種類に
よらず信頼性の高い挾トラツク巾の磁気ヘツドが
製造できる。
あるガラス基板１１とをガラス１７で接合すると
共に、所謂ギヤツプ接合を上記接合温度以下のガ
ラス接合（即ちガラス２３による接合）で行うよ
うにしたので、接合強度の大きいギヤツプ接合が
得られ、従つて第８図のチツプ接断加工において
ギヤツプ開きが生ずることもなく、又テープ摺動
面にガラス２３があらわれてテープ摺動時にクロ
ツギングを生じる等の問題は全くなく信頼性の高
い磁気ヘツドが得られる。又、磁性膜１２のない
両側において両非磁性ガード材１１Ａ及び１１Ｂ
が直接接合され、この接合力によつてヘツドの機
械的強度が向上されるので、軟質磁性材の種類に
よらず信頼性の高い挾トラツク巾の磁気ヘツドが
製造できる。
第１１図乃至第１９図は本発明の他の実施例で
ある。
ある。
本例においては、第１１図に示すように例えば
ビツカース硬度Hvが800Kg/mm2の結晶化ガラス基
板２７の一主面に軟質磁性材料層例えば厚さ20μ
のFe−Si−Al合金による磁性膜１２をスパツタ
リングにて被着形成する。
ビツカース硬度Hvが800Kg/mm2の結晶化ガラス基
板２７の一主面に軟質磁性材料層例えば厚さ20μ
のFe−Si−Al合金による磁性膜１２をスパツタ
リングにて被着形成する。
次に、第１２図に示すように磁性膜１２を含む
基板２７をヘツド寸法より大きめの寸法で短冊状
に切断し、しかる後第１３図に示すように各短冊
状の基板２７の上の磁性膜１２の一部をフオトリ
ゾグラフイとイオンエツチングにより、もしくは
機械的加工で除去し、複数の例えば長方形パター
ン１２′に分離する。
基板２７をヘツド寸法より大きめの寸法で短冊状
に切断し、しかる後第１３図に示すように各短冊
状の基板２７の上の磁性膜１２の一部をフオトリ
ゾグラフイとイオンエツチングにより、もしくは
機械的加工で除去し、複数の例えば長方形パター
ン１２′に分離する。
次に、第１４図に示すように磁性膜の各パター
ン１２′間にマスクスパツタリング又はシルクス
クリーンによりガラス例えばPbO−ZnO−B2O3
−SiO2系ガラス１６を埋める。
ン１２′間にマスクスパツタリング又はシルクス
クリーンによりガラス例えばPbO−ZnO−B2O3
−SiO2系ガラス１６を埋める。
以後、前述の実施例と同様に、即ち第１５図に
示すようにパターン１２′間にガラス１６を埋め
た各ブロツク片１３を複数積層し、治具で圧着固
定し、500℃にてガラス融着する。このガラス融
着では磁性層のパターン１２′のない部分でガラ
ス１６が融けて結晶化ガラス基板２７同士が接合
され、また一部の溶融ガラスが磁性膜のパターン
１２′と結晶化ガラス基板２７間に浸透して強固
に接合される。この場合も500℃の融着によつて
Fe−Si−Al合金による磁性膜１２の磁気特性は
良好となり磁気ヘツド材として充分なものとな
る。
示すようにパターン１２′間にガラス１６を埋め
た各ブロツク片１３を複数積層し、治具で圧着固
定し、500℃にてガラス融着する。このガラス融
着では磁性層のパターン１２′のない部分でガラ
ス１６が融けて結晶化ガラス基板２７同士が接合
され、また一部の溶融ガラスが磁性膜のパターン
１２′と結晶化ガラス基板２７間に浸透して強固
に接合される。この場合も500℃の融着によつて
Fe−Si−Al合金による磁性膜１２の磁気特性は
良好となり磁気ヘツド材として充分なものとな
る。
次で第１６図に示すようにガラス融着された積
層ブロツク１８を基板２７の主面に垂直方向に磁
性膜のパターン１２′の中間及びパターン１２′間
の中間より切断してコアブロツク対１９及び２０
を設ける。そして第１７図に示すように一方のコ
アブロツク２０の内面に巻線溝２１及びバツク溝
２２を形成し、且つコアブロツクの突き合せ面を
鏡面仕上し、空隙片となるSiO2膜をスパツタリ
ングにて付着する。
層ブロツク１８を基板２７の主面に垂直方向に磁
性膜のパターン１２′の中間及びパターン１２′間
の中間より切断してコアブロツク対１９及び２０
を設ける。そして第１７図に示すように一方のコ
アブロツク２０の内面に巻線溝２１及びバツク溝
２２を形成し、且つコアブロツクの突き合せ面を
鏡面仕上し、空隙片となるSiO2膜をスパツタリ
ングにて付着する。
しかる後、第１８図に示すように両コアブロツ
ク１９及び２０を突き合せガラス２３によるガラ
ス融着にて接合合体する。この接合は上例と同様
にPbO−ZnO−B2O3系の軟化点380℃のガラス２
３を用いて行う。
ク１９及び２０を突き合せガラス２３によるガラ
ス融着にて接合合体する。この接合は上例と同様
にPbO−ZnO−B2O3系の軟化点380℃のガラス２
３を用いて行う。
次でこの融着ブロツク２４を基板２７の中間よ
り磁性膜のパターン１２′の面に平行に切断し、
第１９図に示す目的のヘツドチツプ２６を得る。
この実施例に於ても上例と同様の結果を奏して信
頼性の高い磁気ヘツドが得られる。
り磁性膜のパターン１２′の面に平行に切断し、
第１９図に示す目的のヘツドチツプ２６を得る。
この実施例に於ても上例と同様の結果を奏して信
頼性の高い磁気ヘツドが得られる。
以上の両実施例にしたがつて非磁性ガード材と
なる結晶化ガラスの各種硬度の違つたものを夫々
試作し、夫々についてテープ走行テスト（摩耗テ
スト）を行なつた。その結果を第２０図に示す。
同図はテープ走行時間（hr）と摩耗量（μｍ）の
関係を示すもので、曲線はフエライト、曲線
，，，，は夫々ビツカース硬度Hvが
200，400，500，850，1000の結晶化ガラスを用い
た場合である。この結果によれば、Hv＝200の結
晶化ガラスはフエライトヘツドの３倍以上の摩耗
があり実用的でない。一方Hv＝1000の結晶化ガ
ラスは摩耗が少ないものの、テープ摺動させると
偏摩耗が100時間走行で〜5000Å程度ありスペー
シングの原因となる。従つて、上記の摩耗量及び
偏摩耗の双方を考慮するとHv＝400〜850の結晶
化ガラスが好ましい。
なる結晶化ガラスの各種硬度の違つたものを夫々
試作し、夫々についてテープ走行テスト（摩耗テ
スト）を行なつた。その結果を第２０図に示す。
同図はテープ走行時間（hr）と摩耗量（μｍ）の
関係を示すもので、曲線はフエライト、曲線
，，，，は夫々ビツカース硬度Hvが
200，400，500，850，1000の結晶化ガラスを用い
た場合である。この結果によれば、Hv＝200の結
晶化ガラスはフエライトヘツドの３倍以上の摩耗
があり実用的でない。一方Hv＝1000の結晶化ガ
ラスは摩耗が少ないものの、テープ摺動させると
偏摩耗が100時間走行で〜5000Å程度ありスペー
シングの原因となる。従つて、上記の摩耗量及び
偏摩耗の双方を考慮するとHv＝400〜850の結晶
化ガラスが好ましい。
尚、上例においては軟質磁性材料層としてFe
−Si−Al系合金磁性材をスパツタリングで形成
したが、その他例えばFe−Co−Si−Ｂ系等の非
晶質の軟質磁性材料を同様にスパツタリングで形
成してもよい。Fe−Si−Al系合金磁性材の場合、
無機接着剤としては低融点ガラス（軟化点500℃
以下）の様なものでよいが、非晶質合金磁性材料
の場合はその熱処理による結晶化をさけるため
200℃以下の処理をさけて水ガラスを用いるを可
とする。
−Si−Al系合金磁性材をスパツタリングで形成
したが、その他例えばFe−Co−Si−Ｂ系等の非
晶質の軟質磁性材料を同様にスパツタリングで形
成してもよい。Fe−Si−Al系合金磁性材の場合、
無機接着剤としては低融点ガラス（軟化点500℃
以下）の様なものでよいが、非晶質合金磁性材料
の場合はその熱処理による結晶化をさけるため
200℃以下の処理をさけて水ガラスを用いるを可
とする。
又、上例の第４図及び第１３図では磁性膜のパ
ターン１２′を長方形に形成したが、その他第２
１図に示すように後部に切除部４０を設けた形状
としてもよく、この時はさらに接合強度が向上す
る。
ターン１２′を長方形に形成したが、その他第２
１図に示すように後部に切除部４０を設けた形状
としてもよく、この時はさらに接合強度が向上す
る。
なお、アジマス磁気ヘツドを製造する場合には
上記各実施例、例えば第１実施例では第５図の工
程で各基板１３をその対応するパターン１２′が
基板面に対してアジマス角の方向に配列されるよ
うに積層し、次に第６図の工程でアジマス角の方
向に沿つて切断し、以後は同様の工程を経ること
によつて容易に得られる。
上記各実施例、例えば第１実施例では第５図の工
程で各基板１３をその対応するパターン１２′が
基板面に対してアジマス角の方向に配列されるよ
うに積層し、次に第６図の工程でアジマス角の方
向に沿つて切断し、以後は同様の工程を経ること
によつて容易に得られる。
上述せる如く本発明は、軟質磁性材料による挾
トラツク巾の磁気ヘツドを高信頼性をもつて且つ
摩耗特性が良好で量産的に得られるもので、特性
の優れた磁気ヘツドを提供できる。
トラツク巾の磁気ヘツドを高信頼性をもつて且つ
摩耗特性が良好で量産的に得られるもので、特性
の優れた磁気ヘツドを提供できる。
第１図Ａ〜Ｆは従来の磁気ヘツドの製法例を示
す工程図、第２図乃至第９図は本発明による磁気
ヘツドの製法の一実施例を示す工程図、第１０図
Ａ及びＢは夫々ブロツク片の例を示す断面図、第
１１図乃至第１９図は本発明の他の実施例を示す
工程図、第２０図は本発明の説明に供する摩耗量
−走行時間の特性図、第２１図は磁性膜のパター
ン形状の他の例を示す斜視図である。 １，１１，２７は非磁性基板、２，１２は軟質
磁性材料層、１２′は磁性材料のパターン、１９，
２０はコアブロツク対である。
す工程図、第２図乃至第９図は本発明による磁気
ヘツドの製法の一実施例を示す工程図、第１０図
Ａ及びＢは夫々ブロツク片の例を示す断面図、第
１１図乃至第１９図は本発明の他の実施例を示す
工程図、第２０図は本発明の説明に供する摩耗量
−走行時間の特性図、第２１図は磁性膜のパター
ン形状の他の例を示す斜視図である。 １，１１，２７は非磁性基板、２，１２は軟質
磁性材料層、１２′は磁性材料のパターン、１９，
２０はコアブロツク対である。
Claims (1)
- １ 非磁性基板の一主面に軟質磁性材料層を形成
した後、該磁性材料層を複数のパターンに分離し
た基板を複数用意する工程と、上記複数の基板を
各基板上のパターンが一方向にそろう様に積層す
る工程と、非磁性基板間の〓間を無機質接着剤で
充填して上記複数の基板を一体化する工程と、基
板主面と交鎖する方向に上記一体化基板を上記パ
ターンの中間およびパターン間の中間で切断して
ブロツク対を得る工程と、該ブロツク対の対向面
に所要の溝加工を施す工程と、所要の空〓片を介
して上記ブロツク対を突き合せ合体する工程と、
基板主面に平行な方向に基板部分で切断し磁気ヘ
ツドを得る工程とより成る磁気ヘツドの製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9859381A JPS581825A (ja) | 1981-06-25 | 1981-06-25 | 磁気ヘツドの製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9859381A JPS581825A (ja) | 1981-06-25 | 1981-06-25 | 磁気ヘツドの製法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS581825A JPS581825A (ja) | 1983-01-07 |
| JPH0263245B2 true JPH0263245B2 (ja) | 1990-12-27 |
Family
ID=14223931
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9859381A Granted JPS581825A (ja) | 1981-06-25 | 1981-06-25 | 磁気ヘツドの製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS581825A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6435707A (en) * | 1987-07-31 | 1989-02-06 | Sony Corp | Magnetic head |
| JPH0778853B2 (ja) * | 1988-05-06 | 1995-08-23 | 三洋電機株式会社 | 浮動型磁気ヘツド及びその製造方法 |
| JPH02162503A (ja) * | 1988-12-16 | 1990-06-22 | Sanyo Electric Co Ltd | 磁気ヘッド及びその製造方法 |
-
1981
- 1981-06-25 JP JP9859381A patent/JPS581825A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS581825A (ja) | 1983-01-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS5930227A (ja) | 磁気ヘツドの製造方法 | |
| KR920006124B1 (ko) | 자기헤드 및 그 제조방법 | |
| JPS61129716A (ja) | 磁気ヘツド | |
| JPS6341126B2 (ja) | ||
| JPH0263245B2 (ja) | ||
| JPH0475563B2 (ja) | ||
| JPH0247002B2 (ja) | ||
| JPS60231903A (ja) | 複合型磁気ヘツドおよびその製造方法 | |
| JPH0475564B2 (ja) | ||
| JP2502299B2 (ja) | 磁気ヘツドの製造方法 | |
| JP2908507B2 (ja) | 磁気ヘッドの製造方法 | |
| JPS63102007A (ja) | 磁気ヘツド | |
| JPS60202506A (ja) | Ｖｔｒ用磁気ヘツドの製造方法 | |
| JPH0227369Y2 (ja) | ||
| JPH0334124B2 (ja) | ||
| JP2579624B2 (ja) | 複合型磁気ヘツド | |
| JP2627322B2 (ja) | 浮動型磁気ヘッドの製造方法 | |
| JPS61250810A (ja) | 磁気ヘツドおよびその製造方法 | |
| JPH03168907A (ja) | 磁気ヘッドの製造方法 | |
| JPS59140622A (ja) | 磁気ヘツドコアの製造方法 | |
| JPS5862820A (ja) | 磁気ヘツドの製造方法 | |
| JPH0319108A (ja) | 磁気ヘッド | |
| JPH0461610A (ja) | 磁気ヘッド | |
| JPS62146413A (ja) | 磁気ヘツドの製造方法 | |
| JPS61115205A (ja) | 磁気ヘツド |