JPH0334124B2 - - Google Patents
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- JPH0334124B2 JPH0334124B2 JP23288083A JP23288083A JPH0334124B2 JP H0334124 B2 JPH0334124 B2 JP H0334124B2 JP 23288083 A JP23288083 A JP 23288083A JP 23288083 A JP23288083 A JP 23288083A JP H0334124 B2 JPH0334124 B2 JP H0334124B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/187—Structure or manufacture of the surface of the head in physical contact with, or immediately adjacent to the recording medium; Pole pieces; Gap features
- G11B5/21—Structure or manufacture of the surface of the head in physical contact with, or immediately adjacent to the recording medium; Pole pieces; Gap features the pole pieces being of ferrous sheet metal or other magnetic layers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/147—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive with cores being composed of metal sheets, i.e. laminated cores with cores composed of isolated magnetic layers, e.g. sheets
- G11B5/1475—Assembling or shaping of elements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は磁気ヘツドに係り、特に磁気ヘツドコ
アの素材として、例えばセンダスト合金といつた
高飽和磁束密度を有する金属合金磁性材が用いら
れ、かつ磁気ヘツドのトラツク巾規制用溝部にガ
ラスが充填されるタイプの高密度記録再生に適し
た磁気ヘツドに関するものである。
アの素材として、例えばセンダスト合金といつた
高飽和磁束密度を有する金属合金磁性材が用いら
れ、かつ磁気ヘツドのトラツク巾規制用溝部にガ
ラスが充填されるタイプの高密度記録再生に適し
た磁気ヘツドに関するものである。
従来、例えば高密度記録ビデオテープレコーダ
等に用いられている磁気ヘツドは、その磁性材と
して単結晶フエライト又は多結晶フエライト等を
用い、かつギヤツプスペーサとしてギヤツプ巾を
規定する高軟化点の石英ガラスを用いると共に、
後部ギヤツプ部に低軟化点ガラスの薄膜を形成
し、全体を加熱圧着してコア半体同士を接合した
ものである。
等に用いられている磁気ヘツドは、その磁性材と
して単結晶フエライト又は多結晶フエライト等を
用い、かつギヤツプスペーサとしてギヤツプ巾を
規定する高軟化点の石英ガラスを用いると共に、
後部ギヤツプ部に低軟化点ガラスの薄膜を形成
し、全体を加熱圧着してコア半体同士を接合した
ものである。
そして、狭トラツク化の為に、トラツク巾を規
定する凹部が設けられ、この凹部にガラスの熔融
充填がなされている。
定する凹部が設けられ、この凹部にガラスの熔融
充填がなされている。
このような、従来の磁気ヘツドは、磁性材とし
てフエライト材が用いられたものである為、例え
ば高抗磁力磁気テープを使用する場合には充分な
記録ができない。
てフエライト材が用いられたものである為、例え
ば高抗磁力磁気テープを使用する場合には充分な
記録ができない。
そこで、例えばセンダスト合金のような高い飽
和磁束密度を有する磁性材を用い、上記フエライ
ト磁気ヘツドと同一構造の磁気ヘツドの製作の試
みがなされているが、コア素材としてセンダスト
合金のような金属合金磁性材を用いた場合には、
金属合金磁性材とトラツク巾規制用溝部に充填す
るガラスとの親和性が乏しいため、トラツク巾規
制用溝部にガラスを熔融充填固化しても、このガ
ラスの密着性は弱く、機械的強度に乏しい問題が
あり、コア半体同士の接合強度にも問題がある。
和磁束密度を有する磁性材を用い、上記フエライ
ト磁気ヘツドと同一構造の磁気ヘツドの製作の試
みがなされているが、コア素材としてセンダスト
合金のような金属合金磁性材を用いた場合には、
金属合金磁性材とトラツク巾規制用溝部に充填す
るガラスとの親和性が乏しいため、トラツク巾規
制用溝部にガラスを熔融充填固化しても、このガ
ラスの密着性は弱く、機械的強度に乏しい問題が
あり、コア半体同士の接合強度にも問題がある。
本発明は前記の問題点に鑑みてなされたもので
あり、金属合金磁性材を用いて互いに対向する両
コア半体に形成されたトラツク巾規制用溝部の表
面に、金属膜を介して前記金属膜と同一の金属原
子を含む金属酸化物膜を形成し、前記金属酸化物
膜面上にガラスを充填したことを特徴とする磁気
ヘツドを提案するものである。
あり、金属合金磁性材を用いて互いに対向する両
コア半体に形成されたトラツク巾規制用溝部の表
面に、金属膜を介して前記金属膜と同一の金属原
子を含む金属酸化物膜を形成し、前記金属酸化物
膜面上にガラスを充填したことを特徴とする磁気
ヘツドを提案するものである。
第１図は、本発明に係る磁気ヘツドの一実施例
の斜視図である。
の斜視図である。
同図中、１，２はコア半体である。これら両コ
ア半体１，２は、例えば高飽和磁束密度のFe−
Si−Al系合金であるセンダスト合金等の金属合
金磁性材から構成されている。
ア半体１，２は、例えば高飽和磁束密度のFe−
Si−Al系合金であるセンダスト合金等の金属合
金磁性材から構成されている。
３は、トラツク巾規制用溝部である。
４は前記トラツク巾規制用溝部３の表面に、例
えばスパツタリング等のPVD手段によつて約0.1
〜0.2μmの厚みに形成した、例えばAl，Cr，Ti，
Pb等の非磁性金属膜（金属膜）、５はさらに前記
非磁性金属膜４の表面に、前記非磁性金属膜４形
成手段と同様なスパツタリング等のPVD手段に
よつて約0.1μmの厚みに形成した、例えばAl2O3，
CrO2，TiO2，PbO2等の酸化物膜（金属酸化物
膜）である。
えばスパツタリング等のPVD手段によつて約0.1
〜0.2μmの厚みに形成した、例えばAl，Cr，Ti，
Pb等の非磁性金属膜（金属膜）、５はさらに前記
非磁性金属膜４の表面に、前記非磁性金属膜４形
成手段と同様なスパツタリング等のPVD手段に
よつて約0.1μmの厚みに形成した、例えばAl2O3，
CrO2，TiO2，PbO2等の酸化物膜（金属酸化物
膜）である。
尚、前記非磁性金属膜としてAlが用いられて
いる場合には、前記酸化物膜としてAl2O3といつ
たように、同系列のもの（同じ金属の酸化物）を
用いることが望ましい。
いる場合には、前記酸化物膜としてAl2O3といつ
たように、同系列のもの（同じ金属の酸化物）を
用いることが望ましい。
６は、前記トラツク巾規制用溝部３の非磁性金
属膜４上の酸化物膜５面上に充填されたガラスで
ある。
属膜４上の酸化物膜５面上に充填されたガラスで
ある。
７は巻線用窓、８はギヤツプ、９は磁気ヘツド
全体を示したものである。そして、磁気ヘツド９
をこのような構成にすると、両コア半体１，２と
非磁性金属膜４とは互いに金属同士であるから、
これらの付着力が大となり、また、非磁性金属膜
４と酸化物膜５とは金属単体とその酸化物との関
係であるから、これらの付着力が大となり、酸化
物膜５を両コア半体１，２側に強固に付着させる
ことができ、酸化物膜５面上に充填されたガラス
６による両コア半体１，２の接合が非常に強固に
なる。
全体を示したものである。そして、磁気ヘツド９
をこのような構成にすると、両コア半体１，２と
非磁性金属膜４とは互いに金属同士であるから、
これらの付着力が大となり、また、非磁性金属膜
４と酸化物膜５とは金属単体とその酸化物との関
係であるから、これらの付着力が大となり、酸化
物膜５を両コア半体１，２側に強固に付着させる
ことができ、酸化物膜５面上に充填されたガラス
６による両コア半体１，２の接合が非常に強固に
なる。
第２図乃至第５図は、本発明に係る磁気ヘツド
の製造工程説明図である。
の製造工程説明図である。
まず、第２図に示すように、前記磁気ヘツド９
の一方のコア半体１を構成するものとなるセンダ
スト合金等の金属磁性材よりなる直方体ブロツク
１１の鏡面研磨面に、長手方向に沿つて前前記磁
気ヘツド巾９の巻線用窓７を構成するための溝１
２を形成する。又、前記直方体ブロツク１１に
は、前記溝１２に対して直交方向に一定間隔で、
前記磁気ヘツド９におけるコア半体１側に位置す
るトラツク巾規制用溝部３を構成するものとなる
複数個の凹部１３を形成する。
の一方のコア半体１を構成するものとなるセンダ
スト合金等の金属磁性材よりなる直方体ブロツク
１１の鏡面研磨面に、長手方向に沿つて前前記磁
気ヘツド巾９の巻線用窓７を構成するための溝１
２を形成する。又、前記直方体ブロツク１１に
は、前記溝１２に対して直交方向に一定間隔で、
前記磁気ヘツド９におけるコア半体１側に位置す
るトラツク巾規制用溝部３を構成するものとなる
複数個の凹部１３を形成する。
尚、前記各凹部１３は前記溝１２につながるよ
うに薄肉のダイヤモンドブレードを使用したダイ
シングソーで形成され、かつ各凹部１３の形状
は、その深さが直方体ブロツク１１の端部側が深
く、前記溝１２につながる部分が浅くなる様ほぼ
テーパー状に、しかもその巾はほぼ一定となるよ
うに形成される。
うに薄肉のダイヤモンドブレードを使用したダイ
シングソーで形成され、かつ各凹部１３の形状
は、その深さが直方体ブロツク１１の端部側が深
く、前記溝１２につながる部分が浅くなる様ほぼ
テーパー状に、しかもその巾はほぼ一定となるよ
うに形成される。
次に、第３図に示す如く、上記第２図の直方体
ブロツク１１の各凹部１３の表面に、前記磁気ヘ
ツド９における一方のコア半体１側の非磁性金属
膜４を構成するものとなる、例えばAl，Cr，Ti，
Pb等の非磁性金属材の膜１４を不活性ガス雰囲
気下におけるスパツタリング等のPVD手段によ
つて非磁性金属材を厚み約0.1〜0.2μmとなるよう
に形成し、さらに続いて前記非磁性金属材の膜１
４の表面に、前記磁気ヘツド９における一方のコ
ア半体１側の金属の酸化物膜５を構成するものと
なる、例えばAl2O3，CrO2，TiO2，PbO2等の酸
化物材の膜１５を前記非磁性金属材の膜１４形成
と同様な不活性ガス雰囲気下におけるスパツタリ
ング等のPVD手段によつて酸化物材を厚み約
0.1μmとなるように形成する。
ブロツク１１の各凹部１３の表面に、前記磁気ヘ
ツド９における一方のコア半体１側の非磁性金属
膜４を構成するものとなる、例えばAl，Cr，Ti，
Pb等の非磁性金属材の膜１４を不活性ガス雰囲
気下におけるスパツタリング等のPVD手段によ
つて非磁性金属材を厚み約0.1〜0.2μmとなるよう
に形成し、さらに続いて前記非磁性金属材の膜１
４の表面に、前記磁気ヘツド９における一方のコ
ア半体１側の金属の酸化物膜５を構成するものと
なる、例えばAl2O3，CrO2，TiO2，PbO2等の酸
化物材の膜１５を前記非磁性金属材の膜１４形成
と同様な不活性ガス雰囲気下におけるスパツタリ
ング等のPVD手段によつて酸化物材を厚み約
0.1μmとなるように形成する。
又、前記直方体ブロツク１１の各凹部１３間の
平坦な面に、ギヤツプスペーサとなる例えば
SiO2，Al2O3，SiO−Cr等のサーメツトといつた
高硬度軟化点の非磁性材を、前記非磁性金属材の
膜１４形成及び酸化物材の膜１５形成と同様のス
パツタリング等のPVD手段によつて設け、磁気
ヘツド９のギヤツプ８の巾となる厚さの薄膜層１
６を形成する。
平坦な面に、ギヤツプスペーサとなる例えば
SiO2，Al2O3，SiO−Cr等のサーメツトといつた
高硬度軟化点の非磁性材を、前記非磁性金属材の
膜１４形成及び酸化物材の膜１５形成と同様のス
パツタリング等のPVD手段によつて設け、磁気
ヘツド９のギヤツプ８の巾となる厚さの薄膜層１
６を形成する。
又、第４図示す如く、前記工程と同時又は前後
に、磁気ヘツド９の他方のコア半体２を構成する
ものとなるセンダスト合金等の金属磁性材よりな
る直方体ブロツク１７の鏡面研磨面に、前記凹部
１３と同様な凹部１８と、溝１９とを形成し、そ
して前記各凹部１８に対しては、前記直方体ブロ
ツク１１の各凹部１３に対して施したのと同様に
して非磁性金属材の膜２０と金属の酸化物材の膜
２１をスパツタリング等のPVD手段によつて形
成する。
に、磁気ヘツド９の他方のコア半体２を構成する
ものとなるセンダスト合金等の金属磁性材よりな
る直方体ブロツク１７の鏡面研磨面に、前記凹部
１３と同様な凹部１８と、溝１９とを形成し、そ
して前記各凹部１８に対しては、前記直方体ブロ
ツク１１の各凹部１３に対して施したのと同様に
して非磁性金属材の膜２０と金属の酸化物材の膜
２１をスパツタリング等のPVD手段によつて形
成する。
そして、前記第３図及び第４図で示すように構
成された両直方体ブロツク１１と１７は、第５図
に示す如く、突き合わされて接合される。
成された両直方体ブロツク１１と１７は、第５図
に示す如く、突き合わされて接合される。
この第５図に示す接合に当たつて、両直方体ブ
ロツク１１と１７は、両直方体ブロツク１１と１
７の鏡面研磨面に形成した各凹部１３と１８とが
対向する状態で正確に一致させて行なわれる。
ロツク１１と１７は、両直方体ブロツク１１と１
７の鏡面研磨面に形成した各凹部１３と１８とが
対向する状態で正確に一致させて行なわれる。
また、前記で突き合わされた直方体ブロツク１
１と１７の溝１２，１９によつて構成される溝部
のうち下段の溝１２には、作業温度700〜750℃で
熱膨張係数がセンダスト合金の熱膨張係数に略等
しい、例えば（130〜140）×10-7／℃の棒状ガラ
ス２２が挿入される。
１と１７の溝１２，１９によつて構成される溝部
のうち下段の溝１２には、作業温度700〜750℃で
熱膨張係数がセンダスト合金の熱膨張係数に略等
しい、例えば（130〜140）×10-7／℃の棒状ガラ
ス２２が挿入される。
また、上段の溝１９には0.3mmφ程の太さの銀
ろう２３、例えば作業温度が700〜750℃のBAg
−７が挿入される。
ろう２３、例えば作業温度が700〜750℃のBAg
−７が挿入される。
以上の各部材の挿入が終了すると、両直方体ブ
ロツク１１と１７は矢印方向に加圧しながら、不
活性ガス中で棒状ガラス２２の作業点付近の温度
に加熱する。
ロツク１１と１７は矢印方向に加圧しながら、不
活性ガス中で棒状ガラス２２の作業点付近の温度
に加熱する。
前記の加熱により、棒状ガラス２２が熔融して
両直方体ブロツク１１と１７に設けた各凹部１３
と１８とによつて構成される孔に流入して充填さ
れることになる。そのため、前記両直方体ブロツ
ク１１と１７は接着されると共に、銀ろう２３も
同時に熔融して両直方体ブロツク１１と１７の隙
間に流入ないし溝１９に充填されて、前記直方体
ブロツク１１と１７を一そう強固に接着させる。
両直方体ブロツク１１と１７に設けた各凹部１３
と１８とによつて構成される孔に流入して充填さ
れることになる。そのため、前記両直方体ブロツ
ク１１と１７は接着されると共に、銀ろう２３も
同時に熔融して両直方体ブロツク１１と１７の隙
間に流入ないし溝１９に充填されて、前記直方体
ブロツク１１と１７を一そう強固に接着させる。
ところで、両直方体ブロツク１１と１７との加
熱圧着時には、棒状ガラス２２が軟化して凹部１
３と１８とにより構成される孔に流れ込むのであ
るが、この軟化充填されたガラスは両直方体ブロ
ツク１１と１７を構成するセンダスト合金に直接
接するのではなく各凹部１３と１８の表面に形成
した非磁性金属材の膜及び酸化物材の膜を介して
充填されることになるので、センダスト合金と金
属膜の付着力、金属膜と金属酸化物膜の付着力、
金属酸化物膜とガラスの付着力は同じ系列どうし
のため大きく、間に何も介在させない場合のセン
ダスト合金とガラスの付着力に比べ非常に強固な
接合となる。
熱圧着時には、棒状ガラス２２が軟化して凹部１
３と１８とにより構成される孔に流れ込むのであ
るが、この軟化充填されたガラスは両直方体ブロ
ツク１１と１７を構成するセンダスト合金に直接
接するのではなく各凹部１３と１８の表面に形成
した非磁性金属材の膜及び酸化物材の膜を介して
充填されることになるので、センダスト合金と金
属膜の付着力、金属膜と金属酸化物膜の付着力、
金属酸化物膜とガラスの付着力は同じ系列どうし
のため大きく、間に何も介在させない場合のセン
ダスト合金とガラスの付着力に比べ非常に強固な
接合となる。
そして、このようにして直方体ブロツク同士が
接合された磁気ヘツド複合ブロツクをスライス、
研摩加工することによつて本発明の磁気ヘツド９
が得られる。
接合された磁気ヘツド複合ブロツクをスライス、
研摩加工することによつて本発明の磁気ヘツド９
が得られる。
以上の如く、本発明の磁気ヘツドは、金属合金
磁性材を用いて互いに対向する両コア半体に形成
されたトラツク巾規制用溝部の表面に、金属膜を
介して前記金属膜と同一の金属原子を含む金属酸
化物膜を形成し、前記金属酸化物膜面上にガラス
を充填した為、両コア半体と金属膜とは互いに金
属同士であるから、これらの付着力が大となり、
また、金属膜と金属酸化物膜とは金属単体とその
酸化物との関係であるから、これらの付着力が大
となり、金属酸化物膜を両コア半体側に強固に付
着させることができ、両コア半体に直接金属酸化
物膜を付着させた従来のもののように両コア半体
と金属酸化物膜との境目で剥離が発生する虞れが
なく、金属酸化物膜面上に充填されたガラスよる
両コア半体の接合が非常に強固になるという優れ
た特長を有する。
磁性材を用いて互いに対向する両コア半体に形成
されたトラツク巾規制用溝部の表面に、金属膜を
介して前記金属膜と同一の金属原子を含む金属酸
化物膜を形成し、前記金属酸化物膜面上にガラス
を充填した為、両コア半体と金属膜とは互いに金
属同士であるから、これらの付着力が大となり、
また、金属膜と金属酸化物膜とは金属単体とその
酸化物との関係であるから、これらの付着力が大
となり、金属酸化物膜を両コア半体側に強固に付
着させることができ、両コア半体に直接金属酸化
物膜を付着させた従来のもののように両コア半体
と金属酸化物膜との境目で剥離が発生する虞れが
なく、金属酸化物膜面上に充填されたガラスよる
両コア半体の接合が非常に強固になるという優れ
た特長を有する。
第１図は本発明に係る磁気ヘツドの構成を説明
するための斜視図、第２図から第５図は本発明に
係る磁気ヘツドの製造工程説明図である。 １，２……コア半体、３……トラツク巾規制用
溝部、４……非磁性金属膜（金属膜）、５……酸
化物膜、６……ガラス。
するための斜視図、第２図から第５図は本発明に
係る磁気ヘツドの製造工程説明図である。 １，２……コア半体、３……トラツク巾規制用
溝部、４……非磁性金属膜（金属膜）、５……酸
化物膜、６……ガラス。
Claims (1)
- １ 金属合金磁性材を用いて互いに対向する両コ
ア半体に形成されたトラツク巾規制用溝部の表面
に、金属膜を介して前記金属膜と同一の金属原子
を含む金属酸化物膜を形成し、前記金属酸化物膜
面上にガラスを充填したことを特徴とする磁気ヘ
ツド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23288083A JPS60125909A (ja) | 1983-12-12 | 1983-12-12 | 磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23288083A JPS60125909A (ja) | 1983-12-12 | 1983-12-12 | 磁気ヘツド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60125909A JPS60125909A (ja) | 1985-07-05 |
| JPH0334124B2 true JPH0334124B2 (ja) | 1991-05-21 |
Family
ID=16946280
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23288083A Granted JPS60125909A (ja) | 1983-12-12 | 1983-12-12 | 磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60125909A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0758527B2 (ja) * | 1986-01-10 | 1995-06-21 | 株式会社日立製作所 | 磁気ヘツド |
| JPH0656645B2 (ja) * | 1986-06-13 | 1994-07-27 | アルプス電気株式会社 | 磁気ヘツド |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59193516A (ja) * | 1983-04-19 | 1984-11-02 | Pioneer Electronic Corp | 磁気ヘツド |
-
1983
- 1983-12-12 JP JP23288083A patent/JPS60125909A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60125909A (ja) | 1985-07-05 |
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