JPH0546608B2 - - Google Patents
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- JPH0546608B2 JPH0546608B2 JP11760684A JP11760684A JPH0546608B2 JP H0546608 B2 JPH0546608 B2 JP H0546608B2 JP 11760684 A JP11760684 A JP 11760684A JP 11760684 A JP11760684 A JP 11760684A JP H0546608 B2 JPH0546608 B2 JP H0546608B2
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- core blocks
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/147—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive with cores being composed of metal sheets, i.e. laminated cores with cores composed of isolated magnetic layers, e.g. sheets
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/10—Structure or manufacture of housings or shields for heads
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は磁気ヘツドの製造方法に関し、特に磁
性合金コアと基板を積層した磁気ヘツドの製造方
法に関する。
性合金コアと基板を積層した磁気ヘツドの製造方
法に関する。
従来例の構成とその問題点
従来から、VTRなどにおいて、抗磁力の大き
い金属磁気テープを用いると共に、それに対応し
て飽和磁束密度の高い金属材料からなる磁気ヘツ
ドコアを用いることによりヘツドトラツク幅を狭
くし、記録密度の向上が図られている。この様な
高飽和狭トラツク幅の磁気ヘツドは、前記金属材
料単体では強度が弱く割れ易く、かつヘツドギヤ
ツプを形成すること自体構造上難しいため、従来
から第３図に示す様に、ヘツドトラツク幅Ｔに対
応した厚さのヘツドコア薄板２又はスパツタリン
グや蒸着などによつて形成したヘツドコア薄膜を
ガラス板やセラミツク板などの基板３でサンドイ
ツチした構造が採用されている。さらに、磁気ヘ
ツドの生産性を高めるため、従来は第３図に示す
様に、１本の磁気ヘツドブロツク１から多数個取
りするものも提案されている。即ち、磁気空隙形
成面４にコア厚み方向に延びる巻線溝５を複数並
列して形成し、これら巻線溝５にガラス棒６を貫
通させてこのガラス棒６を溶着させるものである
が、かかる方法では磁気ヘツドブロツク全体の幅
Ｗが狭いためガラス棒６が巻線溝５中に安定せ
ず、抜け落ちたり、融着位置が不安定であつたり
し、左右のコアブロツクの結合不良を招く等、磁
気ヘツドの製造歩留りが悪く、品質のよくないも
のが生ずる等の欠点があつた。また、前記コア材
料としてアモルフアス合金を使用して製造する場
合は、その結晶化温度が500℃前後と低い温度で
あるため、コア結合用ガラス即ち巻線溝５中に融
着するガラスとして結晶化温度以下で溶ける鉛含
有量の多い低溶点ガラスを使用し、さらにこの低
融点ガラスの流れを高めるべく巻線溝内にクロー
ムや銅などの金属層７を付けており、そのため巻
線溝内でガラスの流れが良好となり過ぎてガラス
残留位置が極めて不安定となるという問題があつ
た。また、第４図の如く、ヘツドコア薄板２と基
板３をコア幅方向に積層したバー状の磁気ヘツド
ブロツク８においても、その長手方向に対してガ
ラスの融着位置が不安定となり、同様の欠点があ
つた。
い金属磁気テープを用いると共に、それに対応し
て飽和磁束密度の高い金属材料からなる磁気ヘツ
ドコアを用いることによりヘツドトラツク幅を狭
くし、記録密度の向上が図られている。この様な
高飽和狭トラツク幅の磁気ヘツドは、前記金属材
料単体では強度が弱く割れ易く、かつヘツドギヤ
ツプを形成すること自体構造上難しいため、従来
から第３図に示す様に、ヘツドトラツク幅Ｔに対
応した厚さのヘツドコア薄板２又はスパツタリン
グや蒸着などによつて形成したヘツドコア薄膜を
ガラス板やセラミツク板などの基板３でサンドイ
ツチした構造が採用されている。さらに、磁気ヘ
ツドの生産性を高めるため、従来は第３図に示す
様に、１本の磁気ヘツドブロツク１から多数個取
りするものも提案されている。即ち、磁気空隙形
成面４にコア厚み方向に延びる巻線溝５を複数並
列して形成し、これら巻線溝５にガラス棒６を貫
通させてこのガラス棒６を溶着させるものである
が、かかる方法では磁気ヘツドブロツク全体の幅
Ｗが狭いためガラス棒６が巻線溝５中に安定せ
ず、抜け落ちたり、融着位置が不安定であつたり
し、左右のコアブロツクの結合不良を招く等、磁
気ヘツドの製造歩留りが悪く、品質のよくないも
のが生ずる等の欠点があつた。また、前記コア材
料としてアモルフアス合金を使用して製造する場
合は、その結晶化温度が500℃前後と低い温度で
あるため、コア結合用ガラス即ち巻線溝５中に融
着するガラスとして結晶化温度以下で溶ける鉛含
有量の多い低溶点ガラスを使用し、さらにこの低
融点ガラスの流れを高めるべく巻線溝内にクロー
ムや銅などの金属層７を付けており、そのため巻
線溝内でガラスの流れが良好となり過ぎてガラス
残留位置が極めて不安定となるという問題があつ
た。また、第４図の如く、ヘツドコア薄板２と基
板３をコア幅方向に積層したバー状の磁気ヘツド
ブロツク８においても、その長手方向に対してガ
ラスの融着位置が不安定となり、同様の欠点があ
つた。
発明の目的
本発明は、従来のかかる問題点に鑑み、コアブ
ロツクを結合するガラスの処理が容易で、生産性
が高くかつ不良が生じ難い磁気ヘツドの製造方法
を提供することを目的とする。
ロツクを結合するガラスの処理が容易で、生産性
が高くかつ不良が生じ難い磁気ヘツドの製造方法
を提供することを目的とする。
発明の構成
本発明は、このため磁性合金コアと基板を積層
した一対のコアブロツクを形成し、これらコアブ
ロツクの一方又は両方の磁気空隙形成面に積層方
向に延びる第１の溝を形成し、この第１の溝中に
少なくともSiO2或いはAl2O3等の酸化物絶縁層を
介しクロームや銅等の金属層を形成した後、該第
１の溝にガラス物質を充填融着し、次に前記第１
の溝に接し又は一部重複させて第２の溝を形成し
た後前記磁気空隙形成面を平滑に研摩し、しかる
後一方又は両方のコアブロツクの磁気空隙形成面
に必要な空隙幅に応じた厚みの非磁性物質層を形
成した後両コアブロツクを前記磁気空隙形成面で
接合し、前記ガラス物質を再溶融せしめて一体結
合する磁気ヘツドの製造方法を提供する。
した一対のコアブロツクを形成し、これらコアブ
ロツクの一方又は両方の磁気空隙形成面に積層方
向に延びる第１の溝を形成し、この第１の溝中に
少なくともSiO2或いはAl2O3等の酸化物絶縁層を
介しクロームや銅等の金属層を形成した後、該第
１の溝にガラス物質を充填融着し、次に前記第１
の溝に接し又は一部重複させて第２の溝を形成し
た後前記磁気空隙形成面を平滑に研摩し、しかる
後一方又は両方のコアブロツクの磁気空隙形成面
に必要な空隙幅に応じた厚みの非磁性物質層を形
成した後両コアブロツクを前記磁気空隙形成面で
接合し、前記ガラス物質を再溶融せしめて一体結
合する磁気ヘツドの製造方法を提供する。
実施例の説明
以下、本発明の一実施例を第１図により説明す
る。まず、第１図ａに示す様に、アモルフアス合
金等の磁性合金をガラスあるいはフエライトなど
の基板１０にスパツタリングによつて付着させ、
あるいは磁性合金薄板に接着剤を介して基板１０
を接着することにより、磁性合金コア９を基板１
０でサンドイツチして強度を増したコアブロツク
１１を形成する。前記磁性合金コア９の厚みＴ
は、ヘツドトラツク幅に相当するものである。次
に、第１図ｂに示す様に、磁性合金コア９の厚さ
方向、すなわち磁性合金コア９と基板１０の積層
方向に延びる第１の溝１２をコアブロツク１１の
長手方向に所定間隔あけて順次形成する。次に、
第１図ｃに示す様に、第１の溝１２の表面に例え
ばSiO2あるいはAl2O3などの電気絶縁性を有する
酸化物層１３をスパツタリング又は真空蒸着など
によつて1000Å〜3000Å前後膜付けし、その上に
例えばクローム又は銅などの金属層１４を1μm前
後の厚さにスパツタリング又は真空蒸着などによ
つて形成する。前記酸化物層１３は、磁性合金コ
ア９と金属層１４の電気絶縁をはかるものであ
る。その後第１図ｄに示す様に、第１の溝１２内
にガラス物質１５を充填溶着させる。そのとき、
ガラス物質１５の流れが金属層１４によつて促さ
れ、第１の溝１２の全域に効果的に充填される。
次いで、第１図ｅに示す様に、前記ガラス物質１
５を充填した第１の溝１２の端部に接し又は一部
重複させて巻線溝となる第２の溝１６を形成し、
その後第１図ｆに示す様に、コアブロツク１１の
巻線溝１６が開口する面を研摩し、磁性合金コア
９を基準面として基板１０及びガラス物質１５を
ほゞ同一平面かつ鏡面に仕上げて磁気空隙形成面
１７を形成する。一方、前記コアブロツク１１と
対となる前記巻線溝１６を形成していない別のコ
アブロツク２１の磁気空隙形成面１７上に、第１
図ｇに示す様に、SiO2やガラスなどの酸化物質
あるいは非磁性の金属などの適当な材料を、スパ
ツタリングあるいは真空蒸着などの方法で必要と
する磁気空隙幅とほゞ等しい厚みｔに膜付けして
非磁性物質層１８を形成する。そして最後に、第
１図ｈに示す様に前記一対のコアブロツク１１，
２１をその磁気空隙形成面１７で接合し、治具に
よつて加圧した状態で前記ガラス物質１５の溶け
る温度で熱処理を行なつてガラス物質１５を再溶
融させ、相手側のコアブロツク２１の一部に融着
させることによつて両コアブロツク１１，２１を
一体に結合する。こうして磁気ヘツドブロツク２
０が形成される。ここで、前記再溶融されたガラ
ス物質１５は前述の如く相手側のコアブロツク２
１の一部に融着して両コアブロツク１１，２１を
強固に結合するが、巻線溝である第２の溝１６の
表面にはガラス物質１５の濡れ性を高める金属層
が形成されていないため、その表面への流れ込み
はなく、また第２の溝１６内にガラス物質１５が
流れ込まないので巻線孔のガラスづまりも生じな
い。
る。まず、第１図ａに示す様に、アモルフアス合
金等の磁性合金をガラスあるいはフエライトなど
の基板１０にスパツタリングによつて付着させ、
あるいは磁性合金薄板に接着剤を介して基板１０
を接着することにより、磁性合金コア９を基板１
０でサンドイツチして強度を増したコアブロツク
１１を形成する。前記磁性合金コア９の厚みＴ
は、ヘツドトラツク幅に相当するものである。次
に、第１図ｂに示す様に、磁性合金コア９の厚さ
方向、すなわち磁性合金コア９と基板１０の積層
方向に延びる第１の溝１２をコアブロツク１１の
長手方向に所定間隔あけて順次形成する。次に、
第１図ｃに示す様に、第１の溝１２の表面に例え
ばSiO2あるいはAl2O3などの電気絶縁性を有する
酸化物層１３をスパツタリング又は真空蒸着など
によつて1000Å〜3000Å前後膜付けし、その上に
例えばクローム又は銅などの金属層１４を1μm前
後の厚さにスパツタリング又は真空蒸着などによ
つて形成する。前記酸化物層１３は、磁性合金コ
ア９と金属層１４の電気絶縁をはかるものであ
る。その後第１図ｄに示す様に、第１の溝１２内
にガラス物質１５を充填溶着させる。そのとき、
ガラス物質１５の流れが金属層１４によつて促さ
れ、第１の溝１２の全域に効果的に充填される。
次いで、第１図ｅに示す様に、前記ガラス物質１
５を充填した第１の溝１２の端部に接し又は一部
重複させて巻線溝となる第２の溝１６を形成し、
その後第１図ｆに示す様に、コアブロツク１１の
巻線溝１６が開口する面を研摩し、磁性合金コア
９を基準面として基板１０及びガラス物質１５を
ほゞ同一平面かつ鏡面に仕上げて磁気空隙形成面
１７を形成する。一方、前記コアブロツク１１と
対となる前記巻線溝１６を形成していない別のコ
アブロツク２１の磁気空隙形成面１７上に、第１
図ｇに示す様に、SiO2やガラスなどの酸化物質
あるいは非磁性の金属などの適当な材料を、スパ
ツタリングあるいは真空蒸着などの方法で必要と
する磁気空隙幅とほゞ等しい厚みｔに膜付けして
非磁性物質層１８を形成する。そして最後に、第
１図ｈに示す様に前記一対のコアブロツク１１，
２１をその磁気空隙形成面１７で接合し、治具に
よつて加圧した状態で前記ガラス物質１５の溶け
る温度で熱処理を行なつてガラス物質１５を再溶
融させ、相手側のコアブロツク２１の一部に融着
させることによつて両コアブロツク１１，２１を
一体に結合する。こうして磁気ヘツドブロツク２
０が形成される。ここで、前記再溶融されたガラ
ス物質１５は前述の如く相手側のコアブロツク２
１の一部に融着して両コアブロツク１１，２１を
強固に結合するが、巻線溝である第２の溝１６の
表面にはガラス物質１５の濡れ性を高める金属層
が形成されていないため、その表面への流れ込み
はなく、また第２の溝１６内にガラス物質１５が
流れ込まないので巻線孔のガラスづまりも生じな
い。
次に磁性合金としてアモルフアス合金を用いた
具体実施例を示す。アモルフアス合金はCo−Nb
−Zr系から成り、その熱膨脹係数がおよそ110×
10-7／℃、結晶化温度が500℃前後の特性を有す
るものを用い、基板１０としては、熱膨脹係数が
100〜130×10-7／℃の結晶化ガラスを用いた。前
記アモルフアス合金は高周波スパツタリングによ
つて基板１０の側面に膜付けし、磁性合金コア９
を形成した。この場合、熱膨脹係数が合致してい
るので、歪も少く、そり量も少ないコアブロツク
１１，２１を形成できた。また、前記ガラス物質
１５としては、熱膨脹係数が前記アモルフアス合
金及び基板１０とほゞ同じかあるいは若干大きい
値を持ち、かつアモルフアス合金の磁気特性を劣
化させることのない500℃以下の温度で融着でき
るガラス、例えば高鉛含有の軟化温度360℃程度
の低融点のものを用い、これを480℃で約30分窒
素雰囲気中で熱処理を行なつた。また前記非磁性
物質層１８にはガラスを用い、両コアブロツクの
結合時に窒素雰囲気中で480℃に加熱することに
よつて前記非磁性物質層１８によつて両コアブロ
ツクを溶着すると共に、前記ガラス物質１５を再
溶融させて両コアブロツクを一体に結合合体し
た。この場合、前記ガラス物質１５は、相手側の
コアブロツクと接した部分とその近傍に融着する
が、第２の巻線溝１６表面には金属層１４の処理
がないため、特に低融点ガラスは濡れが進行しに
くく、従つて前記ガラス物質１５が巻線孔に不均
一に廻り込むことが効果的に防止された。また、
ガラス物質１５の溜り位置が規制されて正確な巻
線孔が確保されるだけでなく、ガラス物質１５の
位置が安定することにより磁気空隙幅も均一とな
る。
具体実施例を示す。アモルフアス合金はCo−Nb
−Zr系から成り、その熱膨脹係数がおよそ110×
10-7／℃、結晶化温度が500℃前後の特性を有す
るものを用い、基板１０としては、熱膨脹係数が
100〜130×10-7／℃の結晶化ガラスを用いた。前
記アモルフアス合金は高周波スパツタリングによ
つて基板１０の側面に膜付けし、磁性合金コア９
を形成した。この場合、熱膨脹係数が合致してい
るので、歪も少く、そり量も少ないコアブロツク
１１，２１を形成できた。また、前記ガラス物質
１５としては、熱膨脹係数が前記アモルフアス合
金及び基板１０とほゞ同じかあるいは若干大きい
値を持ち、かつアモルフアス合金の磁気特性を劣
化させることのない500℃以下の温度で融着でき
るガラス、例えば高鉛含有の軟化温度360℃程度
の低融点のものを用い、これを480℃で約30分窒
素雰囲気中で熱処理を行なつた。また前記非磁性
物質層１８にはガラスを用い、両コアブロツクの
結合時に窒素雰囲気中で480℃に加熱することに
よつて前記非磁性物質層１８によつて両コアブロ
ツクを溶着すると共に、前記ガラス物質１５を再
溶融させて両コアブロツクを一体に結合合体し
た。この場合、前記ガラス物質１５は、相手側の
コアブロツクと接した部分とその近傍に融着する
が、第２の巻線溝１６表面には金属層１４の処理
がないため、特に低融点ガラスは濡れが進行しに
くく、従つて前記ガラス物質１５が巻線孔に不均
一に廻り込むことが効果的に防止された。また、
ガラス物質１５の溜り位置が規制されて正確な巻
線孔が確保されるだけでなく、ガラス物質１５の
位置が安定することにより磁気空隙幅も均一とな
る。
上記実施例では、磁性合金としてアモルフアス
合金を用いたが、他のセンダスト合金の如き材料
を用いるとその結晶化温度が高く、従つて温度処
理の制約が強くなり、広範囲でガラス物資の選択
を行うことができて製造がし易くなる。
合金を用いたが、他のセンダスト合金の如き材料
を用いるとその結晶化温度が高く、従つて温度処
理の制約が強くなり、広範囲でガラス物資の選択
を行うことができて製造がし易くなる。
また、上記実施例では一方のコアブロツクに第
１の溝を設けたものを示したが、当然両コアブロ
ツクに設けてもよい。
１の溝を設けたものを示したが、当然両コアブロ
ツクに設けてもよい。
さらに第２図ａ，ｂに示す様に複数の磁性合金
コア９をその厚み方向に基板１０を介して積層し
たバー状の磁気ヘツドブロツク２２でも同様に効
果的に実施できる。
コア９をその厚み方向に基板１０を介して積層し
たバー状の磁気ヘツドブロツク２２でも同様に効
果的に実施できる。
発明の効果
本発明の磁気ヘツドの製造方法によれば、以上
の説明から明らかな様に、磁気空隙形成面の形成
工程の前に設けた第１の溝中に少なくともSiO2
或いはAl2O3等の酸化物絶縁層を介しクロームや
銅等の金属層を形成した後、ガラス物質を充填
し、磁気空隙形成時に再溶融させてコアブロツク
を固着するため、従来のガラス棒を挿入する方法
の様にガラス棒が抜け落ちたり、不安定であつた
りする欠点がなくなり、品質が良好で安定した磁
気ヘツドを製造できる。また、予めガラス物質を
充填融着した第１の溝に接し又は一部重複させて
第２の溝を形成することにより巻線溝を構成して
なるコアブロツクを他方のコアブロツクに接合さ
せて前記ガラス物質を再溶融させることにより両
コアブロツクを一体結合させるに際して、第２の
溝面にはガラス物質の濡れ性を高める金属層が形
成されていないため、ガラス物質の濡れ性が悪く
なつて該第２の溝による巻線窓へのガラス物質の
入り込みを確実に防止できるものであり、そのた
め、両コアブロツクの接合と同時に正確な巻線孔
を確保でき、ヘツド特性の向上と巻線作業能率を
高めることができる効果がある。
の説明から明らかな様に、磁気空隙形成面の形成
工程の前に設けた第１の溝中に少なくともSiO2
或いはAl2O3等の酸化物絶縁層を介しクロームや
銅等の金属層を形成した後、ガラス物質を充填
し、磁気空隙形成時に再溶融させてコアブロツク
を固着するため、従来のガラス棒を挿入する方法
の様にガラス棒が抜け落ちたり、不安定であつた
りする欠点がなくなり、品質が良好で安定した磁
気ヘツドを製造できる。また、予めガラス物質を
充填融着した第１の溝に接し又は一部重複させて
第２の溝を形成することにより巻線溝を構成して
なるコアブロツクを他方のコアブロツクに接合さ
せて前記ガラス物質を再溶融させることにより両
コアブロツクを一体結合させるに際して、第２の
溝面にはガラス物質の濡れ性を高める金属層が形
成されていないため、ガラス物質の濡れ性が悪く
なつて該第２の溝による巻線窓へのガラス物質の
入り込みを確実に防止できるものであり、そのた
め、両コアブロツクの接合と同時に正確な巻線孔
を確保でき、ヘツド特性の向上と巻線作業能率を
高めることができる効果がある。
第１図ａ乃至ｈは本発明の一実施例の製造過程
を示し、同ａ，ｂはコアブロツクの斜視図、同ｃ
乃至ｆはコアブロツクの正面図、同ｇは相手側の
コアブロツクの正面図、同ｈは磁気ヘツドブロツ
クの斜視図、第２図はバー状の磁気ヘツドブロツ
クにおける実施例を示し、ａはコアブロツクの斜
視図、ｂは磁気ヘツドブロツクの斜視図、第３図
及び第４図は従来例を示し、第３図は磁気ヘツド
ブロツクの斜視図、第４図はバー状の磁気ヘツド
ブロツクの斜視図である。 ９……磁性合金コア、１０……基板、１１，２
１……コアブロツク、１２……第１の溝、１４…
…金属層、１５……ガラス物質、１６……巻線溝
となる第２の溝、１７……磁気空隙形成面、１８
……非磁性物質層、２０，２２……磁気ヘツドブ
ロツク。
を示し、同ａ，ｂはコアブロツクの斜視図、同ｃ
乃至ｆはコアブロツクの正面図、同ｇは相手側の
コアブロツクの正面図、同ｈは磁気ヘツドブロツ
クの斜視図、第２図はバー状の磁気ヘツドブロツ
クにおける実施例を示し、ａはコアブロツクの斜
視図、ｂは磁気ヘツドブロツクの斜視図、第３図
及び第４図は従来例を示し、第３図は磁気ヘツド
ブロツクの斜視図、第４図はバー状の磁気ヘツド
ブロツクの斜視図である。 ９……磁性合金コア、１０……基板、１１，２
１……コアブロツク、１２……第１の溝、１４…
…金属層、１５……ガラス物質、１６……巻線溝
となる第２の溝、１７……磁気空隙形成面、１８
……非磁性物質層、２０，２２……磁気ヘツドブ
ロツク。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 磁性合金コアと基板を積層した一対のコアブ
ロツクを形成し、これらコアブロツクの一方又は
両方の磁気空隙形成面に積層方向に延びる第１の
溝を形成し、この第１の溝中に少なくともSiO2
或いはAl2O3等の酸化物絶縁層を介しクロームや
銅等の金属層を形成した後、該第１の溝にガラス
物質を充填融着し、次に前記第１の溝に接し又は
一部重複させて第２の溝を形成した後前記磁気空
隙形成面を平滑に研摩し、しかる後一方又は両方
のコアブロツクの磁気空隙形成面に必要な空隙幅
に応じた厚みの非磁性物質層を形成した後両コア
ブロツクを前記磁気空隙形成面で接合し、前記ガ
ラス物質を再溶融せしめて一体結合する磁気ヘツ
ドの製造方法。 ２ 磁性合金がアモルフアス合金である特許請求
の範囲第１項に記載の磁気ヘツドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11760684A JPS60261006A (ja) | 1984-06-07 | 1984-06-07 | 磁気ヘツドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11760684A JPS60261006A (ja) | 1984-06-07 | 1984-06-07 | 磁気ヘツドの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60261006A JPS60261006A (ja) | 1985-12-24 |
| JPH0546608B2 true JPH0546608B2 (ja) | 1993-07-14 |
Family
ID=14715932
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11760684A Granted JPS60261006A (ja) | 1984-06-07 | 1984-06-07 | 磁気ヘツドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60261006A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0758527B2 (ja) * | 1986-01-10 | 1995-06-21 | 株式会社日立製作所 | 磁気ヘツド |
-
1984
- 1984-06-07 JP JP11760684A patent/JPS60261006A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60261006A (ja) | 1985-12-24 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |