JPS60261006A - 磁気ヘツドの製造方法 - Google Patents
磁気ヘツドの製造方法Info
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- JPS60261006A JPS60261006A JP11760684A JP11760684A JPS60261006A JP S60261006 A JPS60261006 A JP S60261006A JP 11760684 A JP11760684 A JP 11760684A JP 11760684 A JP11760684 A JP 11760684A JP S60261006 A JPS60261006 A JP S60261006A
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- JP
- Japan
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- magnetic
- core
- glass
- groove
- grooves
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/147—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive with cores being composed of metal sheets, i.e. laminated cores with cores composed of isolated magnetic layers, e.g. sheets
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/10—Structure or manufacture of housings or shields for heads
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は磁気ヘッドの製造方法に関し、特に磁性合金コ
アと基板を積層した磁気ヘッドの製造方法に関する。
アと基板を積層した磁気ヘッドの製造方法に関する。
従来例の構成とその問題点
従来から、ＶＴＲなどにおいて、抗磁力の大きい金属磁
気テープを用いると共に、それに対応して飽和磁束密度
の高い金属材料からなる磁気へラドコアを用いることに
よシヘッドトラック幅を狭くし、記録密度の向上が図ら
れている。この様な高飽和狭トラツク幅の磁気ヘッドは
、前記金属材料単体では強度が弱く割れ易く、かつヘッ
ドギャップを形成すること自体構造土酸しいため、従来
がら）第３図に示す様に、ヘッドトラック幅（Ｔ）に対
応した厚さのへラドコア薄板（２）又はスパッタリング
や蒸着などによって形成したヘッドコア薄膜をガラス板
やセラミック板などの基板（３）でサンドイッチした構
造が採用されている。さらに、磁気ヘッドの生産性を高
めるため、従来は第６図（ａ）に示す様に、１本の磁気
ヘッドプｑツク（１）から多数個取りするものも提案さ
れている。即ち、磁気空隙形成面（４）Ｋコア厚み方向
に延びる巻線溝（５）を複数並列して形成し、これら巻
線溝（５）にガラス棒（６）を貫通させてこのガラス棒
（６）を溶着させるものであるが、かかる方法では磁気
ヘラドブ四ツク全体の幅（ト）が狭いためガラス棒（６
）が巻線溝（５）中に安定せず、抜は落ちた如、融着位
置が不安定であったシし、左右のコアブロックの結合不
良を招く等、磁気ヘッドの製造夛留シが悪く、品質のよ
くないものが生ずる等の欠点があった。また、前記コア
材料としてアモルファス合金を使用して製造する場合は
、その結晶化温度が５００℃前後と低い温度であるため
、コア結合用ガラス即ち巻線溝（６）中に融着するガラ
スとして結晶化温度以下で溶ける鉛含有量の多い低溶点
ガラスを使用し、さらＫこの低融点ガラスの流れを高め
るべく巻線溝内にクロームや銅などの金属層（７）を付
けており、そのため巻線溝内でガラスの流れが良好とな
夛過ぎてガラス残留位置が極めて不安定となるという問
題があった。また、第４図の如く、ヘッドコア薄板（２
）と基板（３）をコア幅方向に積層したバー状の磁気ヘ
ッドブロック（８）においても、その長手方向に対して
ガラスの融着位置が不安定とカシ、同様の欠点があった
。
気テープを用いると共に、それに対応して飽和磁束密度
の高い金属材料からなる磁気へラドコアを用いることに
よシヘッドトラック幅を狭くし、記録密度の向上が図ら
れている。この様な高飽和狭トラツク幅の磁気ヘッドは
、前記金属材料単体では強度が弱く割れ易く、かつヘッ
ドギャップを形成すること自体構造土酸しいため、従来
がら）第３図に示す様に、ヘッドトラック幅（Ｔ）に対
応した厚さのへラドコア薄板（２）又はスパッタリング
や蒸着などによって形成したヘッドコア薄膜をガラス板
やセラミック板などの基板（３）でサンドイッチした構
造が採用されている。さらに、磁気ヘッドの生産性を高
めるため、従来は第６図（ａ）に示す様に、１本の磁気
ヘッドプｑツク（１）から多数個取りするものも提案さ
れている。即ち、磁気空隙形成面（４）Ｋコア厚み方向
に延びる巻線溝（５）を複数並列して形成し、これら巻
線溝（５）にガラス棒（６）を貫通させてこのガラス棒
（６）を溶着させるものであるが、かかる方法では磁気
ヘラドブ四ツク全体の幅（ト）が狭いためガラス棒（６
）が巻線溝（５）中に安定せず、抜は落ちた如、融着位
置が不安定であったシし、左右のコアブロックの結合不
良を招く等、磁気ヘッドの製造夛留シが悪く、品質のよ
くないものが生ずる等の欠点があった。また、前記コア
材料としてアモルファス合金を使用して製造する場合は
、その結晶化温度が５００℃前後と低い温度であるため
、コア結合用ガラス即ち巻線溝（６）中に融着するガラ
スとして結晶化温度以下で溶ける鉛含有量の多い低溶点
ガラスを使用し、さらＫこの低融点ガラスの流れを高め
るべく巻線溝内にクロームや銅などの金属層（７）を付
けており、そのため巻線溝内でガラスの流れが良好とな
夛過ぎてガラス残留位置が極めて不安定となるという問
題があった。また、第４図の如く、ヘッドコア薄板（２
）と基板（３）をコア幅方向に積層したバー状の磁気ヘ
ッドブロック（８）においても、その長手方向に対して
ガラスの融着位置が不安定とカシ、同様の欠点があった
。
発明の目的
本発明は、従来のかかる問題点ＫｆＡみ、コアブロック
を結合するガラスの処理が容易で、生産性が高くかつ不
良が生じ難い磁気ヘッドの製造方法を提供することを目
的とする。
を結合するガラスの処理が容易で、生産性が高くかつ不
良が生じ難い磁気ヘッドの製造方法を提供することを目
的とする。
発明の構成
本発明は、このため磁性合金コアと基板を積層した一対
のコアブロックを形成し、これらコアブロックの一方又
は両方の磁気空隙形成面に積層方向に延びる第１の溝を
形成し、この第１の溝にガラス物質を充填融着し、次に
前記第１の溝に接し又は一部重複させて第２の溝を形成
した後前記磁気空隙形成面を平滑に研摩し、しかる後一
方又は両方のコアブロックの磁気空隙形成面に必要な空
隙幅に応じた厚みの非磁性物質層を形成した後側コ′ア
ブロックを前記磁気空隙形成面で接合し、前記ガラス物
質を再溶融せしめて一体結合する磁気ヘッドの製造方法
を提供する。
のコアブロックを形成し、これらコアブロックの一方又
は両方の磁気空隙形成面に積層方向に延びる第１の溝を
形成し、この第１の溝にガラス物質を充填融着し、次に
前記第１の溝に接し又は一部重複させて第２の溝を形成
した後前記磁気空隙形成面を平滑に研摩し、しかる後一
方又は両方のコアブロックの磁気空隙形成面に必要な空
隙幅に応じた厚みの非磁性物質層を形成した後側コ′ア
ブロックを前記磁気空隙形成面で接合し、前記ガラス物
質を再溶融せしめて一体結合する磁気ヘッドの製造方法
を提供する。
実施例の説明
以下、本発明の一実施例を第１図忙より説明する。まず
、第１図（ａ）に示す様に１アモルファス合金等の磁性
合金をガラスあるいはフェライトなどの基板αＱにスパ
ッタリングによって付着させ、あるいは磁性合金薄板に
接着剤を介して基板αＯを接着することＫより、磁性合
金コア（９）を基板αＱでサンドイッチして強度を増し
たコアブロック（ロ）を形成する。前記磁性合金コア（
９）の厚みケ）は、ヘッドトラック＠に相当するもので
ある。次に、第１図（１））に示す様に、磁性合金コア
（９）の厚さ方向、すなわち磁性合金コア（９）と基板
Ｑ１３の積層方向に延びる第１の溝（２）をコアブロッ
ク（ロ）の長手方向に所定間隔あけて順次形成する。次
に、第１図（０）に示す様に、第１の溝（２）の表面に
例えば８１０２あるいはムｌｏｏｍなどの雪飢絶縁性を
有する酸化物層（２）をスパッタリング又は真空蒸着外
どによって１０００ム〜３０００ム前後膜付けし、その
上に例えばクローム又は銅などの金属層ａ◆を１μｍ前
後の厚さにスパッタリング又り真空蒸着などによって形
成する。前記酸化物層（２）は、磁性合金コア（９）と
金属層Ｑ４の電気絶縁をはかるものである。その後第１
図（＋１）に示す様に、第１の溝（ロ）内にガラス物質
（２）を充填溶着させる◇そのとき、ガラス物質（至）
の流れが金属層α４によって促され、第１の溝（２）の
全域に効果的に充填される。次いで、第１図（ｅ）に示
す様に、前記ガラス物質（ト）を充填した第１の溝（２
）の端部に接し又は一部重複させて巻線溝となる第２の
溝（至）を形成し、その後第１図（ｆ）に示す様に１コ
アブロツクＱ１）の巻線溝（ト）が開口する面を研摩し
、磁性合金コア（９）を基準面として基板αＱ及びガラ
ス物質（至）をはソ同一平面かつ鏡面に仕上げ工磁気空
隙形成面αカを形成する。一方、前記コアブレツク（ロ
）と対となる前記巻線溝（至）を形成していない別のコ
アブロック（ハ）の磁気空隙形成面（ロ）上に、第１図
［株］）に示す様に、５１０２やガラスなどの酸化物質
あるいは非磁性の金属なとの適当な材料を、スパッタリ
ングあるいは＾空蒸着などの方法で必要とする磁気空隙
幅とはｙ等しい厚み（１）に膜付けして非磁性物質層（
至）を形成する。そして最後に、第１図（ｈ）Ｋ示す様
に前記一対のコアブロック（ロ）（２）をその磁気空隙
形成面α力で接合し、治具によって加圧した状態で前記
ガラス物質（ト）の溶ける温度で熱処理を行なってガラ
ス物質（至）を再溶融させ、相手側のコアブロック（２
）の一部に融着させることＫよって両コアブロックＱｊ
）＠を一体に結合する。こうして磁気ヘッドブロック翰
が形成される。ここで、前記再溶融されたガラス物質（
至）は前述の如く相手側のコアブロック６！■の一部に
融着して両コアブロック（ロ）（２）を強固に結合する
が、巻線溝である第２の溝（ト）の表面にはガラ゛ス物
質（ト）の辱れ性を高める金属層が形成されていないた
め、その表面への流れ込みはなく、また第２の溝輪内に
ガラス物質（至）が流れ込まないので巻線孔のガラスづ
まシも生じない。
、第１図（ａ）に示す様に１アモルファス合金等の磁性
合金をガラスあるいはフェライトなどの基板αＱにスパ
ッタリングによって付着させ、あるいは磁性合金薄板に
接着剤を介して基板αＯを接着することＫより、磁性合
金コア（９）を基板αＱでサンドイッチして強度を増し
たコアブロック（ロ）を形成する。前記磁性合金コア（
９）の厚みケ）は、ヘッドトラック＠に相当するもので
ある。次に、第１図（１））に示す様に、磁性合金コア
（９）の厚さ方向、すなわち磁性合金コア（９）と基板
Ｑ１３の積層方向に延びる第１の溝（２）をコアブロッ
ク（ロ）の長手方向に所定間隔あけて順次形成する。次
に、第１図（０）に示す様に、第１の溝（２）の表面に
例えば８１０２あるいはムｌｏｏｍなどの雪飢絶縁性を
有する酸化物層（２）をスパッタリング又は真空蒸着外
どによって１０００ム〜３０００ム前後膜付けし、その
上に例えばクローム又は銅などの金属層ａ◆を１μｍ前
後の厚さにスパッタリング又り真空蒸着などによって形
成する。前記酸化物層（２）は、磁性合金コア（９）と
金属層Ｑ４の電気絶縁をはかるものである。その後第１
図（＋１）に示す様に、第１の溝（ロ）内にガラス物質
（２）を充填溶着させる◇そのとき、ガラス物質（至）
の流れが金属層α４によって促され、第１の溝（２）の
全域に効果的に充填される。次いで、第１図（ｅ）に示
す様に、前記ガラス物質（ト）を充填した第１の溝（２
）の端部に接し又は一部重複させて巻線溝となる第２の
溝（至）を形成し、その後第１図（ｆ）に示す様に１コ
アブロツクＱ１）の巻線溝（ト）が開口する面を研摩し
、磁性合金コア（９）を基準面として基板αＱ及びガラ
ス物質（至）をはソ同一平面かつ鏡面に仕上げ工磁気空
隙形成面αカを形成する。一方、前記コアブレツク（ロ
）と対となる前記巻線溝（至）を形成していない別のコ
アブロック（ハ）の磁気空隙形成面（ロ）上に、第１図
［株］）に示す様に、５１０２やガラスなどの酸化物質
あるいは非磁性の金属なとの適当な材料を、スパッタリ
ングあるいは＾空蒸着などの方法で必要とする磁気空隙
幅とはｙ等しい厚み（１）に膜付けして非磁性物質層（
至）を形成する。そして最後に、第１図（ｈ）Ｋ示す様
に前記一対のコアブロック（ロ）（２）をその磁気空隙
形成面α力で接合し、治具によって加圧した状態で前記
ガラス物質（ト）の溶ける温度で熱処理を行なってガラ
ス物質（至）を再溶融させ、相手側のコアブロック（２
）の一部に融着させることＫよって両コアブロックＱｊ
）＠を一体に結合する。こうして磁気ヘッドブロック翰
が形成される。ここで、前記再溶融されたガラス物質（
至）は前述の如く相手側のコアブロック６！■の一部に
融着して両コアブロック（ロ）（２）を強固に結合する
が、巻線溝である第２の溝（ト）の表面にはガラ゛ス物
質（ト）の辱れ性を高める金属層が形成されていないた
め、その表面への流れ込みはなく、また第２の溝輪内に
ガラス物質（至）が流れ込まないので巻線孔のガラスづ
まシも生じない。
次に磁性合金としてアそルファス合金を用いた具体実施
例を示す。アモルファス合金はＧｏ−Ｎｂ−Ｚｒ系から
成り、その熱膨張係数がおよ−ｔ１１［ｌＸ１０ ／Ｃ
。
例を示す。アモルファス合金はＧｏ−Ｎｂ−Ｚｒ系から
成り、その熱膨張係数がおよ−ｔ１１［ｌＸ１０ ／Ｃ
。
結晶化温度が５００℃前後の特性を有するものを用い、
基板αＱとしては、熱膨張係数が１００−１３０ｘ１０
−’／℃の結晶化ガラスを用いた。前記アモルファス合
金は高周波スパッタリングによって基板αＱの側面に膜
付けし、磁性合金コア（９）を形成した。この場合、熱
膨張係数が合致しているので、歪も少く、そり量も少な
いコアブロック（ロ）（ハ）を形成できた。
基板αＱとしては、熱膨張係数が１００−１３０ｘ１０
−’／℃の結晶化ガラスを用いた。前記アモルファス合
金は高周波スパッタリングによって基板αＱの側面に膜
付けし、磁性合金コア（９）を形成した。この場合、熱
膨張係数が合致しているので、歪も少く、そり量も少な
いコアブロック（ロ）（ハ）を形成できた。
また、前記ガラス物質（ト）としては、熱膨張係数が前
記アモルファス合金及び基板（１０とはｙ同じかあるい
は若干大きい値を持ち、かつアモルファス合金の磁気特
性を劣化させることのない５００℃以下の温度で融着で
きるガラス、例えば高鉛含有の軟化温度３６０℃程度の
低融点のものを用い、これを４８０℃で約３０分窒素雰
囲気中で熱処理を行なった。
記アモルファス合金及び基板（１０とはｙ同じかあるい
は若干大きい値を持ち、かつアモルファス合金の磁気特
性を劣化させることのない５００℃以下の温度で融着で
きるガラス、例えば高鉛含有の軟化温度３６０℃程度の
低融点のものを用い、これを４８０℃で約３０分窒素雰
囲気中で熱処理を行なった。
また前記非磁性物質層（至）にはガラスを用い、両コア
ブロックの結合時に窒素雰囲気中で４８０℃に加熱する
ことＫよって前記非磁性物質層（ハ）によって両＝アブ
ロックを溶着すると共に１前記ガラス物質（至）を再溶
融させて両コアブロックを一体に結合合体した。この場
合、前記ガラス物質（至）は、相手側のコアブロックと
接した部分とその近傍に融着するが、第２の巻線溝（２
）表面には金属層（１４１の処理がないため、特に低融
点ガラスは濡れカニ進行しＫ＜く、従って前記ガラス物
質（至）が巻線孔に不均一に廻シ込むことが効果的に防
止された。また、ガラス物質ａＦ５の溜り位置が規制さ
れて正確な巻線孔が確保されるだけでなく、ガラス物質
（至）の位置ｄ！安定することにより磁気空隙幅も均一
と寿る。
ブロックの結合時に窒素雰囲気中で４８０℃に加熱する
ことＫよって前記非磁性物質層（ハ）によって両＝アブ
ロックを溶着すると共に１前記ガラス物質（至）を再溶
融させて両コアブロックを一体に結合合体した。この場
合、前記ガラス物質（至）は、相手側のコアブロックと
接した部分とその近傍に融着するが、第２の巻線溝（２
）表面には金属層（１４１の処理がないため、特に低融
点ガラスは濡れカニ進行しＫ＜く、従って前記ガラス物
質（至）が巻線孔に不均一に廻シ込むことが効果的に防
止された。また、ガラス物質ａＦ５の溜り位置が規制さ
れて正確な巻線孔が確保されるだけでなく、ガラス物質
（至）の位置ｄ！安定することにより磁気空隙幅も均一
と寿る。
上記実施例では、磁性合金としてアモルファス合金を用
いたが、他のセンダスト合金の如き材料を用いるとその
結晶化温度が高く、従って温度処理の制約が強くな）、
広範囲でガラス物質の選択を行うことができて製造がし
易くなる。
いたが、他のセンダスト合金の如き材料を用いるとその
結晶化温度が高く、従って温度処理の制約が強くな）、
広範囲でガラス物質の選択を行うことができて製造がし
易くなる。
また、上記実施例では一方の；アブロックに第１の溝を
設けたものを示したが、当然筒コアブロックに設けても
よい。
設けたものを示したが、当然筒コアブロックに設けても
よい。
さらに第２図←〉Φ）に示す様に複数の磁性合金コア（
９）をその厚み方向に基板Ｑ１を介して積層したノ（−
状の磁気ヘッドブロック（２）でも同様に効果的に実施
できる。
９）をその厚み方向に基板Ｑ１を介して積層したノ（−
状の磁気ヘッドブロック（２）でも同様に効果的に実施
できる。
発明の効果
本発明の磁気ヘッドの製造方法によれば、以上の説明か
ら明らかな様に、磁気空隙形成面の形成工程の前に設け
た第１の溝にガラス物質を充填し、磁気空隙形成時に再
溶融させてコアブロックを固着するため、従来のガラス
棒を挿入する方法の様にガラス棒が抜は落ちたシ、不安
定であったシする欠点がなくなり、品質が良好で安定し
た磁気ヘッドを製造できる。またガラス物質を充填融着
した第１の溝に接し又は一部重複させて形成した巻線溝
を構成する第２の溝には金属層を設けないため、巻線溝
中にガラスが廻シ込まず、ガラス物質の位置が安定し、
磁気へラドコアの構造が安定すると共に巻線処理もし易
い等、多大の効果を発揮する。
ら明らかな様に、磁気空隙形成面の形成工程の前に設け
た第１の溝にガラス物質を充填し、磁気空隙形成時に再
溶融させてコアブロックを固着するため、従来のガラス
棒を挿入する方法の様にガラス棒が抜は落ちたシ、不安
定であったシする欠点がなくなり、品質が良好で安定し
た磁気ヘッドを製造できる。またガラス物質を充填融着
した第１の溝に接し又は一部重複させて形成した巻線溝
を構成する第２の溝には金属層を設けないため、巻線溝
中にガラスが廻シ込まず、ガラス物質の位置が安定し、
磁気へラドコアの構造が安定すると共に巻線処理もし易
い等、多大の効果を発揮する。
第１図←）乃至（ｈ）は本発明の一実施例の製造過程を
示し、同（ａ）φ）はコアブロックの斜視図、同（Ｃ）
乃至ケ）はコアブロックの正面図、同１ｇ）は相手側の
コアブロックの正面図、同（ｈ）は磁気ヘッドブロック
の斜視図、第２図はバー状の磁気ヘラドブロックにおけ
る実施例を示し、（ａ）はコアブロックの斜視図、（ｂ
）は磁気ヘッドブロックの斜視図、第６図及び第４図は
従来例を示し、第３図は磁気ヘッドブロックの斜視図、
第４図はバー状の磁気ヘッドブロックの斜視図である。 （９）・・・磁性合金コア、ＱＯ・・・基板、α１）ａ
ｌ）−・・コアプルツク、（２）・・・第１の溝、α◆
・・・金属層、αＱ・・・ガラス物質、（転）・・・巻
線溝となる第２の溝、αη・・・磁気空隙形成面、（至
）・・・非磁性物質層、翰に）・・・磁気ヘッドブロッ
ク。 第３図 第４図
示し、同（ａ）φ）はコアブロックの斜視図、同（Ｃ）
乃至ケ）はコアブロックの正面図、同１ｇ）は相手側の
コアブロックの正面図、同（ｈ）は磁気ヘッドブロック
の斜視図、第２図はバー状の磁気ヘラドブロックにおけ
る実施例を示し、（ａ）はコアブロックの斜視図、（ｂ
）は磁気ヘッドブロックの斜視図、第６図及び第４図は
従来例を示し、第３図は磁気ヘッドブロックの斜視図、
第４図はバー状の磁気ヘッドブロックの斜視図である。 （９）・・・磁性合金コア、ＱＯ・・・基板、α１）ａ
ｌ）−・・コアプルツク、（２）・・・第１の溝、α◆
・・・金属層、αＱ・・・ガラス物質、（転）・・・巻
線溝となる第２の溝、αη・・・磁気空隙形成面、（至
）・・・非磁性物質層、翰に）・・・磁気ヘッドブロッ
ク。 第３図 第４図
Claims (3)
- （１） 磁性合金コアと基板を積層した一対のコアブロ
ックを形成し、これらコアブロックの一方又は両方の磁
気空隙形成面圧積層方向に延びる第１の溝を形成し、こ
の第１の溝にガラス物質を充填融着し、次に前記第１の
溝に接し又は一部重複させて第２の溝を形成した後前記
磁気空隙形成面を平滑に研摩し、しかる後一方又は両方
のコアブロックの磁気空隙形成面に必要な空隙幅に応じ
た厚みの非磁性物質層を形成した後側コアブロックを前
記磁気空隙形成面で接合し、前記ガラス物質を再溶融せ
しめて一体結合する磁気ヘッドの製造方法。 - （２） 前記第１の溝中に金属層を設けた上に前記ガラ
ス物質を特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の磁気
ヘッドの製造方法。 - （３）磁性合金がアモルファス合金である特許請求の範
囲第１項に記載の磁気ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11760684A JPS60261006A (ja) | 1984-06-07 | 1984-06-07 | 磁気ヘツドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11760684A JPS60261006A (ja) | 1984-06-07 | 1984-06-07 | 磁気ヘツドの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60261006A true JPS60261006A (ja) | 1985-12-24 |
| JPH0546608B2 JPH0546608B2 (ja) | 1993-07-14 |
Family
ID=14715932
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11760684A Granted JPS60261006A (ja) | 1984-06-07 | 1984-06-07 | 磁気ヘツドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60261006A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62162206A (ja) * | 1986-01-10 | 1987-07-18 | Hitachi Ltd | 磁気ヘツド |
-
1984
- 1984-06-07 JP JP11760684A patent/JPS60261006A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62162206A (ja) * | 1986-01-10 | 1987-07-18 | Hitachi Ltd | 磁気ヘツド |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0546608B2 (ja) | 1993-07-14 |
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Legal Events
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| EXPY | Cancellation because of completion of term |