JPS6095713A - 磁気ヘツドの製造方法 - Google Patents
磁気ヘツドの製造方法Info
- Publication number
- JPS6095713A JPS6095713A JP20106183A JP20106183A JPS6095713A JP S6095713 A JPS6095713 A JP S6095713A JP 20106183 A JP20106183 A JP 20106183A JP 20106183 A JP20106183 A JP 20106183A JP S6095713 A JPS6095713 A JP S6095713A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thermal expansion
- glass
- substrate
- coefft
- magnetic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は磁気記録再生装置に用いる磁気ヘッドの製造方
法に関するものである。
法に関するものである。
(従来例の構成とその問題点)
現在の磁気ヘッドは、磁気ギャップの信頼性のグCめ、
フェライトへ、ドが主として用いら11ている。しかし
、最近高密度記録用媒体として、保磁力i1.000エ
ルステッド以上に向」ニさせた記録用媒体の出現により
、これに適したイ怪気ヘッドの必要性が生じた。すなわ
ち、従来のフェライトヘッドではその材料の特性から、
最大飽和磁束密度が5000ガウスが上限であり、媒体
の保(怪力が1000エルステ、ド以上ではコアの飽和
により、媒体の能力最大限の記録をすることができない
。したがって最大飽和磁束密度のさらに大きな金属磁性
体が検討され、その磁気特性およ0・加工性の良い点か
らアモルファス磁性体か注目されている。しかし、アモ
ルファス磁性体の欠点はその結晶化温度が低いことであ
り、現状では400℃ないし550℃が上限である。こ
の結晶化r!+、11度以上に加熱すると、非晶質が結
晶質に変化し、茗しい特性劣化をおこす。現在のフェラ
イトへ、1゛の接着強度に関しての高信頼性はガ゛ラス
による接着技術による。
フェライトへ、ドが主として用いら11ている。しかし
、最近高密度記録用媒体として、保磁力i1.000エ
ルステッド以上に向」ニさせた記録用媒体の出現により
、これに適したイ怪気ヘッドの必要性が生じた。すなわ
ち、従来のフェライトヘッドではその材料の特性から、
最大飽和磁束密度が5000ガウスが上限であり、媒体
の保(怪力が1000エルステ、ド以上ではコアの飽和
により、媒体の能力最大限の記録をすることができない
。したがって最大飽和磁束密度のさらに大きな金属磁性
体が検討され、その磁気特性およ0・加工性の良い点か
らアモルファス磁性体か注目されている。しかし、アモ
ルファス磁性体の欠点はその結晶化温度が低いことであ
り、現状では400℃ないし550℃が上限である。こ
の結晶化r!+、11度以上に加熱すると、非晶質が結
晶質に変化し、茗しい特性劣化をおこす。現在のフェラ
イトへ、1゛の接着強度に関しての高信頼性はガ゛ラス
による接着技術による。
フェライトヘッドと同様に、高信頼性を得るために、ア
モルファスヘッドの製造エイ♀て、力゛ラス接着分行な
う場合、この結晶化温度が、その力゛ラス接着温度の一
4二限となり、任意なガラスの選択ができず、その鍾類
が限定される。
モルファスヘッドの製造エイ♀て、力゛ラス接着分行な
う場合、この結晶化温度が、その力゛ラス接着温度の一
4二限となり、任意なガラスの選択ができず、その鍾類
が限定される。
/ことえば、第1図に示すように、リボン状の超急冷法
で作成したアモルファス磁性体」と保持基板4,5とを
ガラス2,3で接着した構造の一対のコアブロック全作
り、そのギャップ形成面6を平面にし、ギャッゾス技−
サを介して、左右のコアブロックをガラス接着すること
により、ギャップ形成する製造法で、良好なガラス接着
を得るた↓ めには、磁性体であるコアと保持基板4,5と全接着し
ているガラス2,3が変形しないことが必要である。な
お左右のコアプロ、りの接着には、磁心窓7の中に別置
きのガラス棒8全設置し、加熱融着する。もし、左右コ
アブロック全接着するときの温度で、前記積層がラス2
,3が変形したら、コアブロックの構造部品すべてが別
個に変形することになり、第2図に示すように、左右コ
アブロックの仮台は非常に不安定なものとなる。
で作成したアモルファス磁性体」と保持基板4,5とを
ガラス2,3で接着した構造の一対のコアブロック全作
り、そのギャップ形成面6を平面にし、ギャッゾス技−
サを介して、左右のコアブロックをガラス接着すること
により、ギャップ形成する製造法で、良好なガラス接着
を得るた↓ めには、磁性体であるコアと保持基板4,5と全接着し
ているガラス2,3が変形しないことが必要である。な
お左右のコアプロ、りの接着には、磁心窓7の中に別置
きのガラス棒8全設置し、加熱融着する。もし、左右コ
アブロック全接着するときの温度で、前記積層がラス2
,3が変形したら、コアブロックの構造部品すべてが別
個に変形することになり、第2図に示すように、左右コ
アブロックの仮台は非常に不安定なものとなる。
(発明の目的)
本発明の目的は、比軸的低温(500℃程度)の結晶化
温度のアモルファス磁性体をコア材とし、接着剤にガラ
スを用いて、安定かつ信頼性の高い磁気へ、ドの製造方
法を得ることである。
温度のアモルファス磁性体をコア材とし、接着剤にガラ
スを用いて、安定かつ信頼性の高い磁気へ、ドの製造方
法を得ることである。
(発明の(iI11□成)
本発明の磁気ヘッド製造方法は、基板の両面にアモルフ
ァス磁性体を蒸N寸たはスパッタリングにより形成した
基板Aと、磁性体を形成した前記基板より熱膨張係数が
10%ないし20%小さい基板Bを用い、前記基板Ai
2枚の基板13でサンドイッチ構造とし、その間全ガラ
ス接着したコアブロックを作り、これを用いて、従来の
磁気へ。
ァス磁性体を蒸N寸たはスパッタリングにより形成した
基板Aと、磁性体を形成した前記基板より熱膨張係数が
10%ないし20%小さい基板Bを用い、前記基板Ai
2枚の基板13でサンドイッチ構造とし、その間全ガラ
ス接着したコアブロックを作り、これを用いて、従来の
磁気へ。
ド製造法により、磁気ヘッドを製造するものである。
(実施例の説明)
本発明による一実施例全第3図ないし第8図に基づいて
説明する。
説明する。
まず第3図に示す両面を平面に研摩された基板110対
向面にアモルファス磁性体12.13をスパッタリング
する。アモルファス磁性体はCOao−Nb 12 Z
r Bの割合で構成され、その厚さは30μmで両面
とも同じ厚さである。つぎに、基板11より熱膨張係数
が10%小さい基板14の上に、はぼ基板11と同じ熱
膨張係数のガラス15全塗布する。このときの基板は珪
酸リシュウムおよび二酸化珪素を主成分とする感光性結
晶化ガラスである。この材料は熱処理温度により、結晶
の生成を制御し、熱膨張係数を種々に選べる特長を持つ
。また積層ガラス]5には高鉛ガラスを用い、その膜厚
は2μmである。
向面にアモルファス磁性体12.13をスパッタリング
する。アモルファス磁性体はCOao−Nb 12 Z
r Bの割合で構成され、その厚さは30μmで両面
とも同じ厚さである。つぎに、基板11より熱膨張係数
が10%小さい基板14の上に、はぼ基板11と同じ熱
膨張係数のガラス15全塗布する。このときの基板は珪
酸リシュウムおよび二酸化珪素を主成分とする感光性結
晶化ガラスである。この材料は熱処理温度により、結晶
の生成を制御し、熱膨張係数を種々に選べる特長を持つ
。また積層ガラス]5には高鉛ガラスを用い、その膜厚
は2μmである。
つぎに第5図で示すように基板11を基板14で、サン
ドイッチ構造とし、積層ガラス15で加熱融着する。加
熱温度は480℃である。積層接着後、巻線を施す磁心
窓16を機械加工し、ギャップ形成面17を平面に研摩
する。つぎは、従来の磁気ヘッド製造方法と同じに、ギ
ャップ形成面17に、厚さ025μmのギャングス4−
サ19を介し、磁心窓16にギャップ接着用ガラス棒1
8を配置し、再度加熱して、左右コアブロックを接着す
る。このギャップ接着用ガラス棒18は積層ガラス15
と同質のガラスであり、加熱温度は同じく480℃であ
る。ギヤツノ接着時のコアブロックの状態は第7図に示
すように、基板の熱膨張の差によシ、クリアランス20
を生じ、左右のコアブロックの突き合わせ状態は、アモ
ルファス磁性体を形成している基板11だけが突き出て
いる。
ドイッチ構造とし、積層ガラス15で加熱融着する。加
熱温度は480℃である。積層接着後、巻線を施す磁心
窓16を機械加工し、ギャップ形成面17を平面に研摩
する。つぎは、従来の磁気ヘッド製造方法と同じに、ギ
ャップ形成面17に、厚さ025μmのギャングス4−
サ19を介し、磁心窓16にギャップ接着用ガラス棒1
8を配置し、再度加熱して、左右コアブロックを接着す
る。このギャップ接着用ガラス棒18は積層ガラス15
と同質のガラスであり、加熱温度は同じく480℃であ
る。ギヤツノ接着時のコアブロックの状態は第7図に示
すように、基板の熱膨張の差によシ、クリアランス20
を生じ、左右のコアブロックの突き合わせ状態は、アモ
ルファス磁性体を形成している基板11だけが突き出て
いる。
このクリアランス20は基板11と基板14の熱膨張の
差で生じ、約0.5μm程度である。基板11の熱膨張
係数は、約120’X I F7/℃である。
差で生じ、約0.5μm程度である。基板11の熱膨張
係数は、約120’X I F7/℃である。
従来より、ギャップ形成時に左右コアブロックの押えつ
けは5US304などの耐熱鋼を用いており、この熱膨
張係数は約180X10 /℃であり、ギヤツノ接着時
に、試料と治具の熱膨張差で約5μmの隙間を生じ、そ
れに対し伺らかの手段で押す必要があった。この押すと
きに力の不平衡を生じやすく、試料を斜に押し第2図で
示すような状態になるのであった。しかし、本発明では
クリアランス20が設けであるので、正確に基板1Jを
押すことができ、磁性体部の磁気ギャップは良好なもの
となる。
けは5US304などの耐熱鋼を用いており、この熱膨
張係数は約180X10 /℃であり、ギヤツノ接着時
に、試料と治具の熱膨張差で約5μmの隙間を生じ、そ
れに対し伺らかの手段で押す必要があった。この押すと
きに力の不平衡を生じやすく、試料を斜に押し第2図で
示すような状態になるのであった。しかし、本発明では
クリアランス20が設けであるので、正確に基板1Jを
押すことができ、磁性体部の磁気ギャップは良好なもの
となる。
磁気へ、ド製造工程としてはギャップ形成後、従来の製
造法と同じく、チ、70幅21にスライスしてテーン°
1ift動面全研摩することにより、第8図て示ずよう
にへノドチノゾを完成させる。
造法と同じく、チ、70幅21にスライスしてテーン°
1ift動面全研摩することにより、第8図て示ずよう
にへノドチノゾを完成させる。
なお、基板11と基板14の熱膨張差は20%k Mえ
ると、熱膨張収縮率の差により、基板にクラックを発生
ずる結果となり好寸しくない。
ると、熱膨張収縮率の差により、基板にクラックを発生
ずる結果となり好寸しくない。
基板11の両面に磁性体を形成したのは、熱膨張差によ
る基板のそり、変形を防ぐためバランスをとったもので
、片側だけに磁性体を形成したものでは、良好な結果が
得られない。
る基板のそり、変形を防ぐためバランスをとったもので
、片側だけに磁性体を形成したものでは、良好な結果が
得られない。
(発明の効果)
本発明によれば、二種類の熱膨張係数の累々る基板を組
み合わぜて使用することにより、比較的低温でガラス接
着全手段とする、安定した、高信頼度の磁気ヘッドを製
造することができる効果がある。
み合わぜて使用することにより、比較的低温でガラス接
着全手段とする、安定した、高信頼度の磁気ヘッドを製
造することができる効果がある。
第1図は従来例の磁気ヘッドのコアブロックの斜視図、
第2図は同コアブロックの加熱による変形を示す斜視図
、第3図は本発明の一実施例に用いるコアブロックの斜
視図、第4図は同積層用フ゛ロックの斜視図、第5図は
同コアブロックの半休の斜視図、第6図は同コアブロッ
クのギャメゾ形成時の斜視図、第7図は同コアブロック
の加熱Vこよる変形を示す斜視図、第8図は本発明によ
り製造した磁気ヘソドチνノの斜視図である。 1、 、 ] 2 、1.3・・磁性体、3.J5・・
ガラス、4.5・・保持基板、6,17−・ギ^・ノブ
形成面、7、]6 磁心窓、8,18 ガラス棒、11
゜14 基板、19−ギヤノノスに一す、20・・クリ
アランス、21 チップ幅。 特許出願人 松下電器産業株式会社 代 理 人 星 野 恒 用 筆1図 第2図 第3図 14゛ 第6図
第2図は同コアブロックの加熱による変形を示す斜視図
、第3図は本発明の一実施例に用いるコアブロックの斜
視図、第4図は同積層用フ゛ロックの斜視図、第5図は
同コアブロックの半休の斜視図、第6図は同コアブロッ
クのギャメゾ形成時の斜視図、第7図は同コアブロック
の加熱Vこよる変形を示す斜視図、第8図は本発明によ
り製造した磁気ヘソドチνノの斜視図である。 1、 、 ] 2 、1.3・・磁性体、3.J5・・
ガラス、4.5・・保持基板、6,17−・ギ^・ノブ
形成面、7、]6 磁心窓、8,18 ガラス棒、11
゜14 基板、19−ギヤノノスに一す、20・・クリ
アランス、21 チップ幅。 特許出願人 松下電器産業株式会社 代 理 人 星 野 恒 用 筆1図 第2図 第3図 14゛ 第6図
Claims (1)
- 基板の表裏両面にアモルファス磁性体を蒸着、またはス
パッタリングにより形成した基板ブロックを作成する工
程と、前記基板より熱膨張係数が10係ないし20%小
さい別の基板を前記基板の磁性体面にガラス接着し積層
構造としたコアブロックを作成する工程と、積層コアブ
ロックの磁性体層端面をギャップ面として、スR−サを
介して突き合わぜ、ガラス接着によりギャップ形成を行
なう工程を有することを特徴とする磁気ヘッドの製造方
法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20106183A JPS6095713A (ja) | 1983-10-28 | 1983-10-28 | 磁気ヘツドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20106183A JPS6095713A (ja) | 1983-10-28 | 1983-10-28 | 磁気ヘツドの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6095713A true JPS6095713A (ja) | 1985-05-29 |
Family
ID=16434730
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP20106183A Pending JPS6095713A (ja) | 1983-10-28 | 1983-10-28 | 磁気ヘツドの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6095713A (ja) |
-
1983
- 1983-10-28 JP JP20106183A patent/JPS6095713A/ja active Pending
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