JPS6226089B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6226089B2 JPS6226089B2 JP13081279A JP13081279A JPS6226089B2 JP S6226089 B2 JPS6226089 B2 JP S6226089B2 JP 13081279 A JP13081279 A JP 13081279A JP 13081279 A JP13081279 A JP 13081279A JP S6226089 B2 JPS6226089 B2 JP S6226089B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- sio
- magnetic head
- ferrite
- core
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- Expired
Links
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 claims description 23
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 14
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 7
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 6
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/187—Structure or manufacture of the surface of the head in physical contact with, or immediately adjacent to the recording medium; Pole pieces; Gap features
- G11B5/23—Gap features
- G11B5/232—Manufacture of gap
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は磁気ヘツドに関する。
従来の磁気ヘツド製造においては第1図に示す
如く2つのフエライトコア、すなわちIコア1と
Cコア2との突き合せ面に鉛系ガラス等の低融点
膜3をそれぞれ形成し、これを突き合せて加熱す
ることによつて接着およびギヤツプ形成を行つて
いる。この方法は加熱条件を制御することによつ
て良好な接着状態が得られるが、磁気ヘツドの特
性を左右するギヤツプ形成の点では、低融点膜と
フエライトとが互に拡散するという現象が生じる
結果、光学的なギヤツプ長さと実効的なギヤツプ
長さとが著しく異ることになり、所望のギヤツプ
を形成することが困難である。
如く2つのフエライトコア、すなわちIコア1と
Cコア2との突き合せ面に鉛系ガラス等の低融点
膜3をそれぞれ形成し、これを突き合せて加熱す
ることによつて接着およびギヤツプ形成を行つて
いる。この方法は加熱条件を制御することによつ
て良好な接着状態が得られるが、磁気ヘツドの特
性を左右するギヤツプ形成の点では、低融点膜と
フエライトとが互に拡散するという現象が生じる
結果、光学的なギヤツプ長さと実効的なギヤツプ
長さとが著しく異ることになり、所望のギヤツプ
を形成することが困難である。
本発明の目的は上記した従来技術の欠点を除去
した磁気ヘツド製造技術を提供するにある。
した磁気ヘツド製造技術を提供するにある。
本発明によれば、少くとも2つのフエライトコ
アを突き合せ、その少くとも一方のフエライトコ
アには巻線用窓となる溝およびトラツク幅を規制
するための狭トラツク加工による切り欠き部が設
けられた磁気ヘツドにおいて、これら2つのフエ
ライトコアの突き合せ面上に少くとも0.03μm以
上のSi2O膜を形成し、そのSi2O膜上に鉛系ガラ
ス膜をさらに形成し、この2つのフエライトコア
を突き合せて800℃以下にて接着ボンデイング
し、更に、狭トラツク加工による切り欠き部にガ
ラスを充填する各工程を含む磁気ヘツドの製造方
法が提供される。
アを突き合せ、その少くとも一方のフエライトコ
アには巻線用窓となる溝およびトラツク幅を規制
するための狭トラツク加工による切り欠き部が設
けられた磁気ヘツドにおいて、これら2つのフエ
ライトコアの突き合せ面上に少くとも0.03μm以
上のSi2O膜を形成し、そのSi2O膜上に鉛系ガラ
ス膜をさらに形成し、この2つのフエライトコア
を突き合せて800℃以下にて接着ボンデイング
し、更に、狭トラツク加工による切り欠き部にガ
ラスを充填する各工程を含む磁気ヘツドの製造方
法が提供される。
この方法によれば、両フエライトコアは充分な
接着強度をもつて互に接着され、加熱時の拡散に
よる影響を小とすることができるので良好なギヤ
ツプが形成され、磁気ヘツドの性能、信頼性、歩
留りを著しく向上させることができる。
接着強度をもつて互に接着され、加熱時の拡散に
よる影響を小とすることができるので良好なギヤ
ツプが形成され、磁気ヘツドの性能、信頼性、歩
留りを著しく向上させることができる。
第2図aは第2図bに示すようにフエライト基
板11上に鉛ガラス膜13(PbO70%、ZnO8
%、B2O312%、Al2O35%、SiO25%の母材ターゲ
ツトを約1W/cm2のパワーでスパツタした膜)を
形成し、通常の接着時のボンデイング温度で熱処
理(770℃ 3分保持)したときのフエライト表
面近傍のIMA(イオンマイクロアナライザ)分
析結果を示すグラフであり、従来のヘツド製造法
に対応するものである。図に示す如くPb、Alの
フエライトへの拡散は500Å(0.05μm)以上あ
り、Feの鉛ガラス中へ拡散も600Å以上に達して
いる。
板11上に鉛ガラス膜13(PbO70%、ZnO8
%、B2O312%、Al2O35%、SiO25%の母材ターゲ
ツトを約1W/cm2のパワーでスパツタした膜)を
形成し、通常の接着時のボンデイング温度で熱処
理(770℃ 3分保持)したときのフエライト表
面近傍のIMA(イオンマイクロアナライザ)分
析結果を示すグラフであり、従来のヘツド製造法
に対応するものである。図に示す如くPb、Alの
フエライトへの拡散は500Å(0.05μm)以上あ
り、Feの鉛ガラス中へ拡散も600Å以上に達して
いる。
第3図a,bは本発明の磁気ヘツド製造方法に
対応するもので、第3図bに示すようにフエライ
ト11と鉛ガラス13との間にSiO2膜14が存
在する場合の拡散状態を第2図の場合と同様に第
3図aに示している。鉛ガラス膜の成分元素であ
るAl、PbはSiO2膜内へ500〜600Å拡散している
がフエライト内へはほとんど拡散していない。フ
エライト中のFeのSiO2膜内への拡散は300Å以下
であり、SiO2膜の効果は顕著である。すなわ
ち、フエライトと鉛ガラスとの間にSiO2膜を300
Å以上、望ましくは600Å以上形成すれば、接着
用鉛ガラス膜とフエライトとの加熱ボンデイング
による相互拡散は除去することができ、Iコア、
Cコアの双方を強固に接着し、良好なギヤツプを
形成することができる。すなわちSiO2膜は約800
℃以下で加熱ボンデイングすれば、フエライトと
鉛ガラス膜との相互の拡散を制御するストツパ材
として作用する。また、加熱ボンデイング後に鉛
ガラス膜とSiO2膜とが互に全く均一組成となる
ことは生じない。
対応するもので、第3図bに示すようにフエライ
ト11と鉛ガラス13との間にSiO2膜14が存
在する場合の拡散状態を第2図の場合と同様に第
3図aに示している。鉛ガラス膜の成分元素であ
るAl、PbはSiO2膜内へ500〜600Å拡散している
がフエライト内へはほとんど拡散していない。フ
エライト中のFeのSiO2膜内への拡散は300Å以下
であり、SiO2膜の効果は顕著である。すなわ
ち、フエライトと鉛ガラスとの間にSiO2膜を300
Å以上、望ましくは600Å以上形成すれば、接着
用鉛ガラス膜とフエライトとの加熱ボンデイング
による相互拡散は除去することができ、Iコア、
Cコアの双方を強固に接着し、良好なギヤツプを
形成することができる。すなわちSiO2膜は約800
℃以下で加熱ボンデイングすれば、フエライトと
鉛ガラス膜との相互の拡散を制御するストツパ材
として作用する。また、加熱ボンデイング後に鉛
ガラス膜とSiO2膜とが互に全く均一組成となる
ことは生じない。
本発明を実施例について詳細に説明する。
第4図示す如くIコア1とCコア2とにSiO2
膜をスパツタする。このとき後部には約1500Å前
部には約2100Åの厚さにスパツタする。次に接着
用の鉛系ガラス、例えばPbO70%、B2O312%、
ZnO8%、Al2O35%、SiO25%のガラスを母材と
して約1W/cm2のパワーで後部SiO2膜上には約
1200Å、前部SiO2膜上には約200Åの厚さにスパ
ツタする。この場合、後部鉛ガラスのスパツタ膜
を前部のそれより厚くすることはIコア、Cコア
の接着強度を増すためと突き合せ接着の信頼性を
向上させるために有効である。Iコア、Cコアを
突き合せ、300〜400℃/時間の割合で加熱し、
770℃で3分間保持した後、200℃前後/時間の割
合で降温し、同時に、狭トラツク加工切り欠き部
5にガラスを充填してヘツドが形成される。
膜をスパツタする。このとき後部には約1500Å前
部には約2100Åの厚さにスパツタする。次に接着
用の鉛系ガラス、例えばPbO70%、B2O312%、
ZnO8%、Al2O35%、SiO25%のガラスを母材と
して約1W/cm2のパワーで後部SiO2膜上には約
1200Å、前部SiO2膜上には約200Åの厚さにスパ
ツタする。この場合、後部鉛ガラスのスパツタ膜
を前部のそれより厚くすることはIコア、Cコア
の接着強度を増すためと突き合せ接着の信頼性を
向上させるために有効である。Iコア、Cコアを
突き合せ、300〜400℃/時間の割合で加熱し、
770℃で3分間保持した後、200℃前後/時間の割
合で降温し、同時に、狭トラツク加工切り欠き部
5にガラスを充填してヘツドが形成される。
第5図に示す実施例において、後部突き合せ面
にはIコア1およびCコア2にそれぞれSiO2膜
4を約1500Å形成し、さらに鉛系ガラス膜3を約
1200Å形成する。前部突き合せ面には、SiO2膜
4′のみを約2200Åスパツタして形成する。この
ようにして形成されたIコア及びCコアを前述実
施例と同様にしてボンデイングし、切り欠き部5
には同時にガラスを充填してヘツドを作る。この
場合、前部ギヤツプ部突き合せ面には接着用鉛ガ
ラスのスパツタ膜はないが、切り欠き部5に充填
されたガラスはIコアとCコアとの接着作用をも
行うので、前部ギヤツプ部の接着について何等問
題はない。
にはIコア1およびCコア2にそれぞれSiO2膜
4を約1500Å形成し、さらに鉛系ガラス膜3を約
1200Å形成する。前部突き合せ面には、SiO2膜
4′のみを約2200Åスパツタして形成する。この
ようにして形成されたIコア及びCコアを前述実
施例と同様にしてボンデイングし、切り欠き部5
には同時にガラスを充填してヘツドを作る。この
場合、前部ギヤツプ部突き合せ面には接着用鉛ガ
ラスのスパツタ膜はないが、切り欠き部5に充填
されたガラスはIコアとCコアとの接着作用をも
行うので、前部ギヤツプ部の接着について何等問
題はない。
上述のように本発明によれば従来の磁気ヘツド
製造方法と対比して、コアの接着強度を低下せし
めることなく、接着用鉛ガラススパツタ膜との相
互拡散を著しく減少でき、従つてフエライトとギ
ヤツプ規制膜との境界面を尖鋭にし且つ前後部の
ギヤツプ突き合せ面近傍のフエライトの磁性特性
も劣化させることなく磁気ヘツドを作成すること
ができる。更に、狭トラツク加工切り欠き部に接
着ボンデイングと同時にガラスを充填するため、
作業性もよく、信頼性、歩留りも向上する。
製造方法と対比して、コアの接着強度を低下せし
めることなく、接着用鉛ガラススパツタ膜との相
互拡散を著しく減少でき、従つてフエライトとギ
ヤツプ規制膜との境界面を尖鋭にし且つ前後部の
ギヤツプ突き合せ面近傍のフエライトの磁性特性
も劣化させることなく磁気ヘツドを作成すること
ができる。更に、狭トラツク加工切り欠き部に接
着ボンデイングと同時にガラスを充填するため、
作業性もよく、信頼性、歩留りも向上する。
第1図は従来の磁気ヘツドの接着前の状態を示
す概略側面図、第2図a,bは従来の方法による
接着後の拡散状態を示すグラフおよび拡大断面
図、第3図a,bは本発明によりSiO2膜を介在
させた場合の拡散状態を示すグラフおよび拡大断
面図、第4図は本発明の実施例として示す磁気ヘ
ツドの接着前の状態を示す側面図、第5図は第4
図の変形例を示す側面図である。 1:Iコア、2:Cコア、3:鉛系ガラス膜、
4,4′:SiO2膜、5:狭トラツク加工による切
り欠き部。
す概略側面図、第2図a,bは従来の方法による
接着後の拡散状態を示すグラフおよび拡大断面
図、第3図a,bは本発明によりSiO2膜を介在
させた場合の拡散状態を示すグラフおよび拡大断
面図、第4図は本発明の実施例として示す磁気ヘ
ツドの接着前の状態を示す側面図、第5図は第4
図の変形例を示す側面図である。 1:Iコア、2:Cコア、3:鉛系ガラス膜、
4,4′:SiO2膜、5:狭トラツク加工による切
り欠き部。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 少くとも2つのフエライトコアを突き合せ、
その少くとも一方のコアには巻線用窓となる溝お
よびトラツク幅を規制するための狭トラツク加工
による切り欠き部が設けられた磁気ヘツドにおい
て、上記2つのフエライトコアの突き合せ面上に
少くとも0.03μm以上のSiO2膜を形成し、その
SiO2膜上に鉛系ガラス膜をさらに形成し、この
2つのフエライトコアを突き合せて800℃以下に
て接着ボンデイングし、更に、前記狭トラツク加
工による切り欠き部にガラスを充填することを特
徴とする磁気ヘツドの製造方法。 2 互に突き合せ接合された2つのフエライトコ
アを含み、少くともその一方のコアには巻線窓と
なる溝および狭トラツク加工による切り欠き部が
設けられている磁気ヘツドにおいて、両フエライ
トコアの突き合せ面がそれぞれ少くとも0.03μm
以上のSiO2膜を介して鉛系ガラスによつて接着
されていることを特徴とする磁気ヘツド。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13081279A JPS5654622A (en) | 1979-10-12 | 1979-10-12 | Magnetic head and its manufacture |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13081279A JPS5654622A (en) | 1979-10-12 | 1979-10-12 | Magnetic head and its manufacture |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5654622A JPS5654622A (en) | 1981-05-14 |
JPS6226089B2 true JPS6226089B2 (ja) | 1987-06-06 |
Family
ID=15043279
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP13081279A Granted JPS5654622A (en) | 1979-10-12 | 1979-10-12 | Magnetic head and its manufacture |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5654622A (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59146431A (ja) * | 1983-02-10 | 1984-08-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気ヘツド |
JPS6083205A (ja) * | 1983-10-12 | 1985-05-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気ヘツド |
JPS61104309A (ja) * | 1984-10-24 | 1986-05-22 | Canon Electronics Inc | 磁気ヘツドの製造方法 |
JPS6228909A (ja) * | 1985-07-31 | 1987-02-06 | Hitachi Metals Ltd | 磁気ヘツド及びその製造方法 |
JPH0775053B2 (ja) * | 1988-08-03 | 1995-08-09 | 松下電器産業株式会社 | 磁気ヘッド及びその製造方法 |
-
1979
- 1979-10-12 JP JP13081279A patent/JPS5654622A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5654622A (en) | 1981-05-14 |
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