JPS63187407A - 磁気ヘツド - Google Patents
磁気ヘツドInfo
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- JPS63187407A JPS63187407A JP1835587A JP1835587A JPS63187407A JP S63187407 A JPS63187407 A JP S63187407A JP 1835587 A JP1835587 A JP 1835587A JP 1835587 A JP1835587 A JP 1835587A JP S63187407 A JPS63187407 A JP S63187407A
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Links
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Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は磁気ヘッドに係り、特にＶＴＲ等に使用して好
適なフライングイレーズヘッドに関する。
適なフライングイレーズヘッドに関する。
従来のフライングイレーズ（以下ＦＥと略す）ヘッドは
記録媒体と摺動するコア幅Ｔと消去トラック幅１．の関
係はｔｒｈ≦１／３の様になっており略Ｃ形、Ｉ形コア
との接合において、作動空隙側の接合力は摺動コア＠Ｔ
とトラック幅１．間に充填されるガラスにより保持され
ているがｔｙ７ア比が大ぎくなる場合に、ガラス充填量
が少くなり、接合力の保持につい工は配慮されていなか
った。
記録媒体と摺動するコア幅Ｔと消去トラック幅１．の関
係はｔｒｈ≦１／３の様になっており略Ｃ形、Ｉ形コア
との接合において、作動空隙側の接合力は摺動コア＠Ｔ
とトラック幅１．間に充填されるガラスにより保持され
ているがｔｙ７ア比が大ぎくなる場合に、ガラス充填量
が少くなり、接合力の保持につい工は配慮されていなか
った。
なお、この種の装置として関連するものには例えば特開
昭５８−１７５１２２号が挙げられる。
昭５８−１７５１２２号が挙げられる。
、上記従来技術は消去ヘッドのコア厚に対してトラック
幅が大ぎくなるにつれて、作動空隙を形成する！形、略
Ｃ形コアの接合力に対する配慮がされておらず、この種
の磁気ヘッドの製造工程において、略Ｃ形、Ｉ形コアの
接合力が弱く、その接合面ではがれる不良が多く、歩留
りの悪い問題があった。
幅が大ぎくなるにつれて、作動空隙を形成する！形、略
Ｃ形コアの接合力に対する配慮がされておらず、この種
の磁気ヘッドの製造工程において、略Ｃ形、Ｉ形コアの
接合力が弱く、その接合面ではがれる不良が多く、歩留
りの悪い問題があった。
本発明の目的は、トラック１嘔が大きくなり℃もＷ＠Ｃ
形、Ｉ形コア間の接合力が劣化しない方法を提供し、こ
の種の磁気ヘッドの製造歩留りを向上させると共に消去
特性も向上させる事にある。
形、Ｉ形コア間の接合力が劣化しない方法を提供し、こ
の種の磁気ヘッドの製造歩留りを向上させると共に消去
特性も向上させる事にある。
上記目的は、略Ｃ形、Ｉ形コアの接合面間における直接
的な接着力を増加させる為に、少くとも接合面に、Ｐｈ
ＯＨＢ２０Ｂ 、 ＭＩＯＢ Ｉ ５ｉ０１を主成分と
する低融点ガラスを配する事によって達成される。
的な接着力を増加させる為に、少くとも接合面に、Ｐｈ
ＯＨＢ２０Ｂ 、 ＭＩＯＢ Ｉ ５ｉ０１を主成分と
する低融点ガラスを配する事によって達成される。
本接合ガラスの組成はＰｈＯ： ８４〜９０ｗｔ％。
Ｂ、Ｏ，： １０〜１５ｗｔ％ｍＭ＊ｏ、：α５〜１
ｗｔｆｂ ＊ ＳｉＯ２：α５〜１ｗｔ’ｌＡからなり
熱膨張係数１１３±＋ｏｘ１ｏ−７℃。
ｗｔｆｂ ＊ ＳｉＯ２：α５〜１ｗｔ’ｌＡからなり
熱膨張係数１１３±＋ｏｘ１ｏ−７℃。
軟化点３５０±２０℃９作業温度４５０〜４７０℃の特
性を示す。
性を示す。
通常コア材にはフェライト材が使用されている。
このフェライトよりなる略Ｃ形、Ｉ形コアの少くとも一
方の接合面にスパッタリング法等により５００〜３ｏｏ
ｏ、；程度の厚さの低融点ガラスが付着されて、該接合
面同志を加圧した状態で、上記ガラスの融点程度の熱処
理な施す事によって、接合面となり作動空隙を形成する
フェライ材に該ガラスが拡散反応を起す、該ガラスと接
し、作動空隙の一方の端を形成する金属磁性膜の上には
Ｚｒ、Ｃｒ等の保賎膜が設けられている関係上、ガラス
との拡散反応はフェライト材に比べて少く、金属磁性膜
の磁気特性は劣化する事なくフェライト材側が著しくな
だらかに劣化する事になる。
方の接合面にスパッタリング法等により５００〜３ｏｏ
ｏ、；程度の厚さの低融点ガラスが付着されて、該接合
面同志を加圧した状態で、上記ガラスの融点程度の熱処
理な施す事によって、接合面となり作動空隙を形成する
フェライ材に該ガラスが拡散反応を起す、該ガラスと接
し、作動空隙の一方の端を形成する金属磁性膜の上には
Ｚｒ、Ｃｒ等の保賎膜が設けられている関係上、ガラス
との拡散反応はフェライト材に比べて少く、金属磁性膜
の磁気特性は劣化する事なくフェライト材側が著しくな
だらかに劣化する事になる。
一般的に消去特性の改善には作動空隙の磁界分布を媒体
に進入する側を急峻に、媒体より離れる９１Ｉ１９ｅゆ
るやかにする方法が知られており、本発明は上記消去特
性の向上の手法を更に積極的に進める事にもつながり又
ガラスと接する面での拡散反応による作動空隙近傍の接
合強度が増加する。
に進入する側を急峻に、媒体より離れる９１Ｉ１９ｅゆ
るやかにする方法が知られており、本発明は上記消去特
性の向上の手法を更に積極的に進める事にもつながり又
ガラスと接する面での拡散反応による作動空隙近傍の接
合強度が増加する。
以下本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
第１図は本発明の磁気ヘッドを示し、ＦＥヘッド１はＩ
形コア１１とＣ形コア１２をＣｏ−Ｎｂ−Ｚｒ 膜５゜
非磁性保ｉ１１膜６．ガラス７を介し℃接合して構成さ
れている。８はガラス拡散層を示す。
形コア１１とＣ形コア１２をＣｏ−Ｎｂ−Ｚｒ 膜５゜
非磁性保ｉ１１膜６．ガラス７を介し℃接合して構成さ
れている。８はガラス拡散層を示す。
斯るＦＥヘッドは一般的に第２図に示す様にトラック幅
加工溝７１．７２がつけられたフェライト材よりなるＩ
形コアブロック１１０とＣ形コアブロック１２０を互い
に突合せてガラス溶着により接合を行い磁気回路を形成
させる。Ｉ形コアブロック１１０及びＣ形コアブロック
１２０を接合した後、所定の溝３及び円筒研削を行いト
ラック幅１．が中心にぐる様く摺動コア厚ＴＪＩ溝加工
を施し、コア厚Ｔｏに切断される（図示せず）。トラッ
ク幅溝７１が施されたＩ形コアブロック１１０のＣ形コ
アブロック１２０との接合面にはフェライト材よりも高
飽和磁束密度の特性を有する金属磁性ＩＸ５をスパッタ
リング法により数μ鴇の厚さで付着させている。この金
属磁性膜としてｌｌ−５１−Ｍ系合金やＣ（１−Ｎｂ
−Ｚｒ系アモルファス合金があり特性的に７０００ガウ
ス以上の飽和磁束密度の特性を有する。本例は後者を提
示する。
加工溝７１．７２がつけられたフェライト材よりなるＩ
形コアブロック１１０とＣ形コアブロック１２０を互い
に突合せてガラス溶着により接合を行い磁気回路を形成
させる。Ｉ形コアブロック１１０及びＣ形コアブロック
１２０を接合した後、所定の溝３及び円筒研削を行いト
ラック幅１．が中心にぐる様く摺動コア厚ＴＪＩ溝加工
を施し、コア厚Ｔｏに切断される（図示せず）。トラッ
ク幅溝７１が施されたＩ形コアブロック１１０のＣ形コ
アブロック１２０との接合面にはフェライト材よりも高
飽和磁束密度の特性を有する金属磁性ＩＸ５をスパッタ
リング法により数μ鴇の厚さで付着させている。この金
属磁性膜としてｌｌ−５１−Ｍ系合金やＣ（１−Ｎｂ
−Ｚｒ系アモルファス合金があり特性的に７０００ガウ
ス以上の飽和磁束密度の特性を有する。本例は後者を提
示する。
更にこの金属磁性膜の上（は後工程のガラス溶着におい
て反応して磁気特性を劣化させない様に種々の保護膜を
施してあり、本例は５ｉ０１及びＣｒ又はＺｒを各々数
μ鶏の厚さでスパッタリング法により付着せしめである
。この保Ｓ膜は非磁性層６として作用する為、作動空隙
長を規制する事となる。
て反応して磁気特性を劣化させない様に種々の保護膜を
施してあり、本例は５ｉ０１及びＣｒ又はＺｒを各々数
μ鶏の厚さでスパッタリング法により付着せしめである
。この保Ｓ膜は非磁性層６として作用する為、作動空隙
長を規制する事となる。
Ｃ形コアブロック１２０のＩ形コアブロック１１０との
接合面には接合用ガラス８０が５００〜５ｏｏｏ；程度
の厚さでスパッタリング法により付着せしめて”いる。
接合面には接合用ガラス８０が５００〜５ｏｏｏ；程度
の厚さでスパッタリング法により付着せしめて”いる。
本例に示す接合ガラス８０は主成分をｐｈｏ 。
ＥＩＯ＠ 、 Ｓｈｏ＠ ＋ ｊＪ、１０Ｂとして軟化
点３５０±２０℃、熱膨張系数１１３±１０×１０−７
／℃の特性を有した、低融点ガラスであり、熱膨張係数
もフェライト材及びＣｏ−Ｎｂ−Ｚｒアモルファス合金
とも近接した値となり℃両者とも相性の良いものとなり
℃いる。
点３５０±２０℃、熱膨張系数１１３±１０×１０−７
／℃の特性を有した、低融点ガラスであり、熱膨張係数
もフェライト材及びＣｏ−Ｎｂ−Ｚｒアモルファス合金
とも近接した値となり℃両者とも相性の良いものとなり
℃いる。
磁気ヘッドとして作動空隙を正確に制御させる必要のあ
る記録・再生用のものは接合ガラス８０を作動空隙部に
使用出来ない理由はフェライトとの拡散反応でフェライ
トの特性が劣化して作動空隙の端面が明確でなくなるか
らであり、後部空隙にのみ配する構造が一般的であり、
作動空隙部の接合力の保持は充填ガラス７０に依ってい
る。
る記録・再生用のものは接合ガラス８０を作動空隙部に
使用出来ない理由はフェライトとの拡散反応でフェライ
トの特性が劣化して作動空隙の端面が明確でなくなるか
らであり、後部空隙にのみ配する構造が一般的であり、
作動空隙部の接合力の保持は充填ガラス７０に依ってい
る。
Ｃ形コアブロック１２０及びＩ形コアブロック１１０の
接合面に上記の必要な処理が施された後に所定寸法位置
に配されボンディング圧ＦＣ、Ｆ、を加えた状態で、コ
アブロック上面に充填ガラス７０を配し、熱によりこの
ガラスが浴け℃トラック幅加工溝７１．７２を充填し、
接合左ラス８０をも反応させる熱処理を施し、前記所定
の機械加工によって磁気ヘッドとしての完成品、Ｆεヘ
ッド１を得る。
接合面に上記の必要な処理が施された後に所定寸法位置
に配されボンディング圧ＦＣ、Ｆ、を加えた状態で、コ
アブロック上面に充填ガラス７０を配し、熱によりこの
ガラスが浴け℃トラック幅加工溝７１．７２を充填し、
接合左ラス８０をも反応させる熱処理を施し、前記所定
の機械加工によって磁気ヘッドとしての完成品、Ｆεヘ
ッド１を得る。
充填ガラス７０ 、 （７１はＶ＊Ｏｓ ｒ ＰｔＯｓ
＋ Ｓｈ＊Ｏｓを主成分とするガラスも考えられるが
本例は前者と同等な特性を有し、接合ガラス８０との相
性の良いＥ、０．。
＋ Ｓｈ＊Ｏｓを主成分とするガラスも考えられるが
本例は前者と同等な特性を有し、接合ガラス８０との相
性の良いＥ、０．。
ｐｈｏ 、 ｚル０ 、 Ｅ＊＠ＯＨ＋ ５ｉ０１
を主成分とするガラスを提示する。
を主成分とするガラスを提示する。
本例に示す、充填ガラス７０ 、 （７１の組成はＥ、
０．：８−１５ｗｆ％、 ＰｈＯ： ７５〜８５ ｗｔ
％、５ｉ０１：α５〜４＊ｔ％。
０．：８−１５ｗｆ％、 ＰｈＯ： ７５〜８５ ｗｔ
％、５ｉ０１：α５〜４＊ｔ％。
ＺｎＯ： ０．５〜７ｗｔ％Ｉ ＢＬ２０３ ：α５〜
５ｗｔ％ からなり軟化点５６０±３０℃１作業温度４
５０〜４６０℃、熱膨張係数１１０±＋ｏ Ｘ １０−
’／ｌ：の特性を示す。
５ｗｔ％ からなり軟化点５６０±３０℃１作業温度４
５０〜４６０℃、熱膨張係数１１０±＋ｏ Ｘ １０−
’／ｌ：の特性を示す。
本発明によれば、
１、熱ボンディングにおける加熱処理によってＣ。
−Ｎｂ−Ｚｒ系アモルファス合金の磁性膜の特性を劣化
させる事なく、充填ガラスと同一な作業温度が設定出来
る。
させる事なく、充填ガラスと同一な作業温度が設定出来
る。
２、トラック幅１．と摺動コア厚Ｔの比が特に１１５を
起える構造のものにおいて、作動空隙部の接合強度な上
げる事が出来、接合面でのノ・ガレるという不良に対す
る不良率を戚少出来る。
起える構造のものにおいて、作動空隙部の接合強度な上
げる事が出来、接合面でのノ・ガレるという不良に対す
る不良率を戚少出来る。
３、積極的に作動空隙片面のフェライト材の磁気特性を
なだらかに劣化させる事により、片側の作動空隙端面に
配された高飽和磁束密度の金属膜との作用で消去％性を
改善できる。（第４図診照） ４、トラック溝加工溝７１，７２の溝壁面にも接合用ガ
ラス８０が数μｍの厚さで付着している事より、充填ガ
ラス７０との濡れ性が向上し、充填ガラスの核ｇ ７１
，７２への充填性が良くなり、未充填と称する不良率が
減少する。
なだらかに劣化させる事により、片側の作動空隙端面に
配された高飽和磁束密度の金属膜との作用で消去％性を
改善できる。（第４図診照） ４、トラック溝加工溝７１，７２の溝壁面にも接合用ガ
ラス８０が数μｍの厚さで付着している事より、充填ガ
ラス７０との濡れ性が向上し、充填ガラスの核ｇ ７１
，７２への充填性が良くなり、未充填と称する不良率が
減少する。
【図面の簡単な説明】
第１図（ｅＬｔ 、（Ａ） 、（ｃｌは本発明のＦＥヘ
ッドの正面図、平面図、９１１１面図、第２図はＦＥヘ
ッドの製造工程を示すＩ形コアブロック、Ｃ形コアブロ
ックの斜視図、第６図は本ＦＥヘッドの磁気回路を構成
させるボンディング状態を示す正面図、第４図は本発明
によるＦＥヘッドの消去特性の改嵜を示す特性図である
。 １・・・・・・・・−・・・・−・・ＦＥヘッド２・・
・・・・・・・・・・・・・・・巻線用溝（Ｃ溝）３・
・−・・・・・・・・・・・・・・巻線用溝１１・・・
・・・・・・・・・・・・Ｉ形コア１２・・・・・−・
・・・・・・・Ｃ形コア５・・・・・−・・・・・・・
・・・・金属磁性膜６・・・・・・・・・・・・・・・
・・・非磁性保護膜７・・・・・−・・・・・・・・・
・・充填ガラス８・・・・・・・・・・・・・・・・・
・ガラス拡散層１、・・・・・・・・・・・−・・トラ
ック幅Ｔ・・・・・・・・・・・・・・・・・・摺動コ
ア厚Ｔ３．・・・・・・・・・・・・・・・コア厚７１
．７２・・・・・・トラック幅加工溝１１０・・・・・
・・・・・・・Ｉ形コアブロック１２０・・・・・・・
・・・・・Ｃ形コアブロック７０・・・・・・・・・・
・・・・・充填ガラスブロック８０・・・・・・・・・
・・・・・・接合ガラス膜代理人 弁理士 小 川 勝
男″ 嶌 １ 回 （α） 第２ 図 吃病Ｖウッ７↑ａ １３又 実抄作わｑ続長
ッドの正面図、平面図、９１１１面図、第２図はＦＥヘ
ッドの製造工程を示すＩ形コアブロック、Ｃ形コアブロ
ックの斜視図、第６図は本ＦＥヘッドの磁気回路を構成
させるボンディング状態を示す正面図、第４図は本発明
によるＦＥヘッドの消去特性の改嵜を示す特性図である
。 １・・・・・・・・−・・・・−・・ＦＥヘッド２・・
・・・・・・・・・・・・・・・巻線用溝（Ｃ溝）３・
・−・・・・・・・・・・・・・・巻線用溝１１・・・
・・・・・・・・・・・・Ｉ形コア１２・・・・・−・
・・・・・・・Ｃ形コア５・・・・・−・・・・・・・
・・・・金属磁性膜６・・・・・・・・・・・・・・・
・・・非磁性保護膜７・・・・・−・・・・・・・・・
・・充填ガラス８・・・・・・・・・・・・・・・・・
・ガラス拡散層１、・・・・・・・・・・・−・・トラ
ック幅Ｔ・・・・・・・・・・・・・・・・・・摺動コ
ア厚Ｔ３．・・・・・・・・・・・・・・・コア厚７１
．７２・・・・・・トラック幅加工溝１１０・・・・・
・・・・・・・Ｉ形コアブロック１２０・・・・・・・
・・・・・Ｃ形コアブロック７０・・・・・・・・・・
・・・・・充填ガラスブロック８０・・・・・・・・・
・・・・・・接合ガラス膜代理人 弁理士 小 川 勝
男″ 嶌 １ 回 （α） 第２ 図 吃病Ｖウッ７↑ａ １３又 実抄作わｑ続長
Claims (1)
- １、Ｉ形及び略Ｃ形よりなる磁気コアを接合して該接合
部が作動空隙となる磁気ヘッドにおいて作動空隙を形成
する磁気コアの少くとも一方の片面に金属磁性膜を有し
、反対側のコア片面にＰｂＯ、Ｂ＿２Ｏ＿３、Ａｌ＿２
Ｏ＿３、ＳｉＯ＿２を主成分とするガラス膜をつけ、該
ガラスをつけた片面が磁気記録媒体逃げ側に位置する事
を特徴とする磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1835587A JPS63187407A (ja) | 1987-01-30 | 1987-01-30 | 磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1835587A JPS63187407A (ja) | 1987-01-30 | 1987-01-30 | 磁気ヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63187407A true JPS63187407A (ja) | 1988-08-03 |
Family
ID=11969379
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1835587A Pending JPS63187407A (ja) | 1987-01-30 | 1987-01-30 | 磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63187407A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH052711A (ja) * | 1991-06-27 | 1993-01-08 | Nec Corp | 消去ヘツド |
-
1987
- 1987-01-30 JP JP1835587A patent/JPS63187407A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH052711A (ja) * | 1991-06-27 | 1993-01-08 | Nec Corp | 消去ヘツド |
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