JP2826660B2

JP2826660B2 - 浮上型磁気ヘッド

Info

Publication number: JP2826660B2
Application number: JP7150689A
Authority: JP
Inventors: 善人小林; 公二郎屋上; 雅行荒川
Original assignee: TDK Corp
Current assignee: TDK Corp
Priority date: 1989-03-23
Filing date: 1989-03-23
Publication date: 1998-11-18
Anticipated expiration: 2013-11-18
Also published as: JPH02249113A

Description

【発明の詳細な説明】＜産業上の利用分野＞本発明は、ハードディスク等の磁気記録媒体用の浮上
型磁気ヘッド、特にメタル・イン・ギャップ（MIG）型
の浮上型磁気ヘッドに関する。

＜従来の技術＞第３図に示されるような、フェライト製の第１および
第２コア１、２を有し、例えば一方のコア１のギャップ
部対向面にコア１よりも飽和磁束密度の高いセンダスト
等の高飽和磁束密度合金薄膜４を有するMIG型磁気ヘッ
ドが知られている。

この磁気ヘッドでは、高飽和磁束密度合金薄膜４から
強力な磁束を磁気記録媒体に印加できるため、高い保磁
力を有する媒体に有効な記録が行える。

しかし、このような磁気ヘッドでは、ガラス溶着のた
めの熱処理を行うと、高飽和磁束密度合金薄膜４とフェ
ライトコア１とが相互に反応する。

このため高飽和磁束密度合金薄膜４と、フェライトコ
ア１との境界に擬似ギャップが生じ、磁気ヘッドの記録
・再生特性が劣化する。特に再生時には、副パルスの発
生やコンター効果による障害が著しい。

そこで、第12回日本応用磁気学会学術講演概要集（19
88）30pC−３ P30では、第３図に示されるように、高
飽和磁束密度合金薄膜４と、フェライトコア１間にSiO₂
膜あるいはSiON膜からなる非磁性下地膜30を形成して、
擬似ギャップの効果を低減する旨が提案されている。

＜発明が解決しようとする課題＞ところで、このようなMIG型のヘッドを、いわゆるコ
ンポジットタイプ、あるいはモノリシックタイプとして
浮上型の磁気ヘッドに適用できると、より高性能な浮上
型磁気ヘッドと、磁気ディスク装置が実現する。

しかし、浮上型磁気ヘッドは、ディスク上でコンタク
ト・ストップ・アンド・スタートを繰り返すためきわめ
て高い機械的強度を要求される。

このため、MIG型のヘッドコアからコンポジットタイ
プやモノリシックタイプの浮上型磁気ヘッドを形成する
ためには、溶着温度の高いガラスを用い、例えば550〜8
00℃程度の高い溶着温度でギャップ部を堅固に溶着する
必要がある。

しかし、SiO₂膜やSiON膜では、高温溶着時の高飽和磁
束密度合金薄膜とフェライトコアとの反応を十分防止す
ることができない。

このため、擬似ギャップ抑制の効果は不十分である。

また、SiO₂膜やSiON膜は密着力が低いため、生産中大
部分のヘッドは壊れてしまい、歩留りがきわめて低い。

本発明の目的は、ガラス溶着のための高温熱処理を行
っても擬似ギャップが発生せず、記録・再生特性が良好
で、歩留りが高く、耐久性にすぐれ、しかも、高密度記
録が可能なのMIG型の浮上型磁気ヘッドを提供すること
にある。

＜課題を解決するための手段＞このような目的は下記の（１）〜（７）の本発明によ
って達成される。

（１）フェライト製の第１コアおよび第２コアを有し、
少なくとも一方のコアのギャップ部対向面に、Feおよび
Siを含有し、コアより高い飽和磁束密度を有する高飽和
磁束密度合金薄膜を形成し、この第１コアと第２コアと
を、ギャップを介して接合し、溶着ガラスにて溶着一体
化した浮上型磁気ヘッドであって、前記高飽和磁束密度合金薄膜とコアとの間に、酸化ケ
イ素含有量80重量％以下の非晶質ガラスの下地膜が形成
されていることを特徴とする浮上型磁気ヘッド。

（２）前記第１コアおよび第２コアのギャップ部対向面
と前記高飽和磁束密度合金薄膜のギャップ側面とが互い
に平行な平滑面である上記（１）に記載の浮上型磁気ヘ
ッド。

（３）前記非晶質ガラスの作業温度が650℃以上である
上記（１）または（２）に記載の浮上型磁気ヘッド。

（４）前記非晶質ガラスの下地膜の膜厚が500Å以下で
ある上記（１）ないし（３）のいずれかに記載の浮上型
磁気ヘッド。

（５）前記溶着ガラスの溶着温度が550〜800℃である上
記（１）ないし（４）のいずれかに記載の浮上型磁気ヘ
ッド。

（６）前記ギャップの少なくとも一部が酸化ケイ素含有
量80重量％以下の非晶質ガラスで形成されている上記
（１）ないし（５）のいずれかに記載の浮上型磁気ヘッ
ド。

（７）前記高飽和磁束密度合金薄膜の飽和磁束密度が90
00〜14000Gである上記（１）ないし（６）のいずれかに
記載の浮上型磁気ヘッド。

＜作用＞本発明では、高飽和磁束密度合金薄膜とコアとの間に
非晶質ガラスの下地膜を介在させる。

このため熱処理による高飽和磁束密度合金薄膜とフェ
ライトコアとの反応が防止され、擬似ギャップ発生を防
止できる。

従って、擬似ギャップによって生じる副パルスやコン
ター効果等を大幅に低減でき、良好な記録・再生特性が
得られる。

この場合、擬似ギャップ抑制効果はきわめて高いの
で、高飽和磁束密度合金薄膜を粗面化したり、方位角を
つけたり、いわゆるアジマスを付与しなくても、良好な
記録・再生特性を得ることができる。

さらに、非晶質ガラスの下地膜を介在させることによ
り、界面の密着力も向上し、このため歩留りが高く、耐
久性の高いMIG型の浮上型磁気ヘッドが得られる。

＜具体的構成＞本発明のMIG型の浮上型磁気ヘッドの好適実施例を、
第１図および第２図に示す。

第１図に示される磁気ヘッドは、ギャップ部対向面
に、コアより高い飽和磁束密度を有する高飽和磁束密度
合金薄膜４が形成されている第１コア１と、第２コア２
とを有し、両コアがギャップ５を介して接合され、溶着
ガラス６により溶着一体化されている。そして、第１コ
ア１と高飽和磁束密度合金薄膜４との間に非晶質ガラス
の下地膜３を介在させたものである。

また、第２図に示される磁気ヘッドは高飽和磁束密度
合金薄膜４を第１コア１と、第２コア２の双方のギャッ
プ部対向面に形成したタイプのものである。

この場合も第１コア１と高飽和磁束密度合金薄膜４と
の間、第２コア２と高飽和磁束密度合金薄膜４との間の
双方に非晶質ガラスの下地膜３を介在させる。

本発明において、コア１、２はフェライトから構成さ
れる。

用いるフェライトに特に制限はないが、Mn−Znフェラ
イトまたはNi−Znフェライトを、目的に応じて用いるこ
とが好ましい。

Mn−Znフェライトとしては、Fe₂O₃50〜60モル％程
度、ZnO ８〜25モル％程度、残部が実質的にMnOのもの
が好適である。

また、Ni−Znフェライトは特に高周波領域において優
れた特性を示すものであり、好ましい組成としては、Fe
₂O₃が30〜60モル％、NiOが15〜50モル％、ZnOが５〜40
モル％程度のものである。

コア１、２の直流での飽和磁束密度は、好ましくは3,
000〜6,000Gとする。飽和磁束密度が上記範囲未満であ
ると、インピーダンスが低くなるため再生感度が低下す
る他、このような飽和磁束密度の組成では、キュリー温
度が低くなるため熱的安定性が低下してしまう。上記範
囲を超えると、磁歪が増加して磁気ヘッドとしての特性
が悪化したり、着磁し易くなる。

コア１、２の周波数500kHzでの初透磁率は1,000〜2,0
00あるいは3,000〜6,000程度、保持力は0.3 Oe以下であ
ることが好ましい。

また、コア１、２のギャップ部対向面には、いわゆる
アジマスを付けないことが好ましい。

アジマスは擬似ギャップによる障害防止のために付け
られるものであるが、本発明では擬似ギャップの発生そ
のものを防止できるからである。そして、アジマスを付
与するための困難な工程をなくすことにより、生産性を
向上することができる。

この場合、アジマスは、周知のように、フロント面側
から見た場合、記録・再生ギャップのトラック幅方向
と、擬似ギャップの発生する部分との角度を傾斜させ
て、方位角を意図的に付けた構造である。

例えば、記録・再生ギャップのトラック幅方向と、擬
似ギャップ発生部分とを非平行にしたり、擬似ギャップ
発生部分をジグザグ状や波状の形状にして粗面化したり
したアジマス構造がある。

従って、コア１、２のギャップ部対向面、高飽和磁束
密度合金薄膜４およびギャップトラック幅方向は、平行
であって、互いに±0.2゜以内の交叉角しかもたないこ
とが好ましい。従って、製造上はきわめて有利となる。

なお、このような角度は、光学顕微鏡にて観察して測
定できる。

また、コア１、２のギャップ部対向面は、鏡面研磨等
により平滑化し、通常、表面粗さは凹凸の差が0.05μｍ
以下となっていることが好ましい。このような平滑化に
より非晶質ガラス下地膜３が形成され易くなるという効
果も生じる。

第１コアおよび／または第２コア２のギャップ部対向
面には、溶着を行う際の高飽和磁束密度合金薄膜とフェ
ライトコア相互の反応を防止し、さらに界面に密着力を
向上するため、非晶質ガラスの下地膜３を形成する。

本発明の下地膜３には、酸化ケイ素、特にSiO₂含有量
80重量％以下の非晶質ガラスを用いる。

この場合、SiO₂含有量が80重量％をこえる非晶質ガラ
スでは、本発明の効果は実現しない。なお、結晶質ガラ
スは、密着力が低いため、本発明には適さない。

用いる非晶質ガラスの作業温度Twは650℃以上である
ことが好ましい。このようなときには、薄膜化しても、
溶融せず600℃以上の温度で熱圧着しながらガラス溶着
できるので、きわめて強固な接合溶着一体化を行うこと
ができる。

特に、作業温度Twは650〜1000℃、より好ましくは700
〜1000℃のガラスが好ましい。

この場合、作業温度Twが高いときには、コアを溶着し
たのち、スライダに２次溶着することもでき、コンポジ
ットタイプの場合に有用である。

なお、作業温度Twとは、周知のように、ガラスの粘度
が10⁴ポアズとなる温度をいう。

このようなTwを有するガラスとしては、Twの値により
次の２つの系に分けられる。

すなわち、Twが650〜800℃未満の場合は、鉛−シリカ
系のガラス、Twが800℃以上、好ましくは800〜1300℃、
より好ましくは800〜1100℃の場合は、シリカ−アルカ
リ系のガラスを用いる。

各々の系のガラス組成は、以下の値のものが好まし
い。

鉛−シリカ系のガラスでは、SiO₂を20〜45重量％、Pb
Oを40〜65重量％、アルカリ金属酸化物（例えばNa₂Oお
よび／またはK₂O）を５〜10重量％含有するものが好ま
しい。

特に前記組成に加え、Al₂O₃および／またはB₂O₃を５
重量％以下、より好ましくは0.5〜５重量％含有するも
のが好適である。

また、ZnOを５重量％以下、As₂O₃を0.3重量％以下、
特に0.1〜0.3重量％、Bi₂O₃、Tl₂OおよびTeO₂から選ば
れる１種以上を20重量％以下含有していてもよい。

シリカ−アルカリ系では、SiO₂を50〜80重量％、アル
カリ金属酸化物（例えばNa₂Oおよび／またはK₂O）を15
〜25重量％含有するものが好ましい。

特に前記組成に加え、As₂Oを0.5重量％以下、より好
ましくは0.1〜0.5重量％、PbO、BaO、ZnO、CaO、Tl₂O、
TeO₂、Bi₂O₃、Al₂O₃およびB₂O₃から選ばれる１種以上を
15重量％以下、より好ましくは0.5〜15重量％含有する
ものが好適である。

非晶質ガラスの下地膜３の膜厚は、500Å以下、好ま
しくは50〜500Å、特に好ましくは50〜200Åであること
が好ましい。

膜厚が500Å以下であれば、記録・再生にはほとんど
影響がない。

高飽和磁束密度合金薄膜４は、記録時に密度の高い磁
束を発生させ、高い保磁力を有する磁気記録媒体に有効
な記録を行なうために設けられる。

本発明においては、高飽和磁束密度合金薄膜４は、Fe
およびSiを含有する磁性合金から構成される。

この合金は、ガラス溶着時の熱に対して安定である。

高飽和磁束密度合金薄膜４の直流での飽和磁束密度
は、好ましくは9,000〜14,000G、より好ましくは9,000
〜11,000Gとする。飽和磁束密度が上記範囲未満である
と密度の高い磁束を発生することができず、高保磁力の
磁気記録記録媒体への記録が困難となり、また、高密度
記録にも不適当となる。上記範囲を超えると、磁歪が大
幅に増加して透磁率が著しく低下し、また、保磁力が数
エルステッド以上に達するため残留磁化が存在するよう
になり、記録減磁、S/N劣化、記録電流の増大が生じて
しまう。

また、周波数500kHzでの初透磁率は500〜3,000、特に
1,000〜3,000程度、保磁力は1.0 Oe以下、より好ましく
は0.5 Oe以下、特に好ましくは0.2 Oe以下であることが
好ましい。

このような高飽和磁束密度合金としては、Fe−Al−Si
系合金（センダスト）、Fe−Ga−Si系合金（SOFMAX）あ
るいはFe−Si合金が好ましい。

Fe−Al−Si系合金としては、センダストの他、Al2〜
６重量％、Si6〜12重量％で残部Feであるものが好まし
い。

Fa−Ga−Si系合金としては、SOFMAXの他Ga5〜15重量
％、Si7〜20重量％、残部Feであるものが好ましい。

Fa−Si合金としては、SiO.5〜10重量％で残部Feであ
るものが好ましく、特にSi1〜６重量％で残部Feである
ものが好ましい。

これらには、Cr等の添加元素が３重量％程度以下含有
されていてもよい。

高飽和磁束密度合金薄膜４の膜厚は、好ましくは0.2
〜５μｍ、さらに好ましくは0.5〜３μｍである。

膜厚が上記範囲未満であると、高飽和磁束密度合金薄
膜全体の体積が不足して飽和し易くなり、上記のような
作用を十分に果たすことが困難となる。また、上記範囲
を超えると、高飽和磁束密度合金薄膜の摩耗が大きくな
る他、渦電流損失が増大してしまう。

このような高飽和磁束密度合金薄膜を有することによ
り、本発明の磁気ヘッドは保磁力900 Oe以上、特に900
〜1,500 Oeの磁気記録媒体に対し有効な記録を行なうこ
とができる。

前記のような非晶質ガラスの下地膜３および高飽和磁
束密度合金薄膜４は、スパッタ法、蒸着法、CVD法等の
公知の各種気相成膜法により形成されることが好まし
く、特にスパッタ法により形成されることが好ましい。

コア１、コア２および高飽和磁束密度合金薄膜４の飽
和磁束密度が上記範囲内であれば、磁気ヘッドとして高
い分解能が得られる。また、オーバーライト特性も−30
dB以下の良好な値が得られる。

ギャップ５は、非磁性材質から形成される。

特に、ギャップ５には、接着強度を高めるためガラス
を用いることが好ましい。この場合、ギャップ５には前
記の非晶質ガラス下地膜３と同一あるいは同系のガラス
を用いる。

また、ギャップ５は、前記のガラスのみで形成されて
いてもよいが、ギャップ形成速度を高めるため、図示の
ようにギャップ51とギャップ53との２層で形成されるこ
とが好ましい。

この場合、ギャップ51には酸化ケイ素、特にSiO₂を用
い、ギャップ53には前記の非晶質ガラス下地膜３と同一
あるいは同系のガラスを用いる。

なお、後述する溶着ガラス６が、ギャップ両サイドに
流れ込むタイプの磁気ヘッドの場合は、ギャップ５を酸
化ケイ素のみで形成してもよい。

ギャップ５の形成には制限はないが、特にスパッタ法
を用いることが好ましい。

ギャップ長は、好ましくは0.3〜2.0μｍ、より好まし
くは0.3〜1.0μｍ、さらに好ましくは0.3〜0.6μｍ程度
が好ましい。

この範囲であれば、高密度記録が良好に行なえる。

本発明の浮上型磁気ヘッドは、第１コア１と、第２コ
ア２とがギャップ５を介して接合一体化されているもの
である。

コアの接合は、ギャップ53のガラスにより熱圧着する
と同時に溶着ガラス６を流し込むことにより行う。

溶着ガラス６には、鉛ケイ酸ガラスを用いることが好
ましく、より好ましくはPbOを40〜70重量％、SiO₂を20
〜40重量％含有するものを用いる。

特に、PbOを50〜60重量％、SiO₂を20〜30重量％含有
するものが好ましい。

前記範囲以外では、ガラスの作業温度Twが高くなり、
溶着の際高飽和合金薄膜の磁気特性を劣化させてしま
う。

また、鉛ケイ酸ガラスは、前記組成に加えて、B₂O₃、
Al₂O₃、ZnO、Bi₂O₃、Tl₂OおよびTeO₂のうち少なくとも
１種以上を含有するものが好ましい。

この場合、各物質の含有比は、B₂O₃は、５重量％以
下、好ましくは１〜３重量％、Al₂O₃は、５重量％以
下、好ましくは３重量％以下、特に好ましくは0.5〜３
重量％、ZnOは、５重量％以下、Bi₂O₃、Tl₂OおよびTeO₂
は合計で30重量％以下、とすることが好ましい。ただ
し、Bi₂O₃とZnOとは併用しない方が好ましい。

前記の組成を有する鉛ケイ酸ガラスの作業温度Twは60
0〜750℃となり、溶着温度550〜800℃にて溶着を行うこ
とができる。従って、このような鉛ケイ酸ガラスを用い
ることにより、高飽和合金薄膜の磁気特性や非晶質ガラ
ス下地膜３の密着性を害することなく堅固に溶着を行う
ことができる。

さらに、前記鉛ケイ酸ガラスには、Na₂Oが３重量％以
下、K₂Oが５重量％以下、NiOが２重量％以下、MnOが２
重量％以下、Fe₂O₃が２重量％以下含有されていてもよ
い。

前記の鉛ケイ酸ガラスを用いた溶着に際しては、溶着
温度を作業温度Tw近辺とし、通常の方法により行う。

第４図に示される磁気ヘッドは、本発明のコンポジッ
トタイプの磁気ヘッドの１例である。

コアブロック10は、第１図に示される前述の磁気ヘッ
ドと同様に構成され、非晶質ガラス下地膜３を有するも
のである。そして、このコアブロック10をスライダー８
のコアブロック挿入用切り欠き部に挿入し、磁気ヘッド
用封着ガラス７にて両者を接合・封着し、巻線９を巻回
して磁気ヘッドとされる。

封着ガラス７には、通常、鉛ケイ酸ガラスを用いる
が、本発明では作業温度Twが400〜600℃程度のガラスに
より、溶着温度400〜600℃程度で２次溶着を行うことが
できる。このため信頼性の高い磁気ヘッドを得ることが
できる。

本発明の浮上型磁気ヘッドは、必要に応じスライダー
と一体化され、組立てられヘッドアセンブリーとされ
る。

そして、モノリシック型やコンポジット型の浮上型の
計算機用ヘッドなどの各種浮上型磁気ヘッドとして用い
られる。

また前記の本発明の浮上型磁気ヘッドを用いて、公知
の種々の方式のオーバーライト記録を行なうことができ
る。

なお、本発明においては、第１コア１、第２コア２の
一方のコアに高飽和磁束密度合金薄膜４を形成し、他方
のコアにはコアより飽和磁束密度の低い磁性合金薄膜を
形成したいわゆるEDG型の浮上型磁気ヘッドとすること
ができる。この場合も、コアと磁性合金薄膜との間に非
晶質ガラスの下地膜３を介在させることにより擬似ギャ
ップ発生防止等の効果が得られる。

＜実施例＞以下、本発明の具体的実施例を挙げ、本発明をさらに
詳細に説明する。

実施例１第１図に示されるように、ギャップ部対向面に高飽和
磁束密度合金薄膜４が形成されている第１コア１と、第
２コア２とをギャップ５を介して接合一体化し、磁気ヘ
ッドサンプルを製造した。

この場合、第１コア１と高飽和磁束密度合金薄膜４と
の間に、非晶質ガラス下地膜３を形成した本発明の磁気
ヘッドサンプルの他、比較用に、SiO₂やSi₂O₂Nの下地膜
３を形成したものや、何も形成せず直接高飽和磁束密度
合金薄膜４を形成した磁気ヘッドサンプルも製造した。

本発明に用いた非晶質ガラスの下地膜３の組成および
バルク状態における作業温度Twは、表１に示されるとお
りである。

また、下地膜３の膜厚は、100Åとし、成膜はスパッ
タ法により行った。

溶着ガラス６の組成は、重量百分率で、50PbO−2.5B₂
O₃−25SiO₂−2Al₂O₃−15Bi₂O₃−5.5（Na₂O＋K₂O）と
し、このガラスの作業温度Twは、680℃であった。

高飽和磁束密度合成薄膜４には、Fe₈₅Si₁₀Al₅（重量
％）を用い、直流での飽和磁束密度は11000G、周波数50
0kHzでの初透磁率は2800、保磁力は0.15であった。な
お、成膜はスパッタ法により行ない、膜厚は2.0μｍと
した。

コア１、２の材質はMn−Znフェライトとし、直流での
飽和磁束密度は5000G、周波数500kHzでの初透磁率は300
0、保磁力は0.1 Oeであった。

ギャップ51にはSiO₂を用い、スパッタにより形成し、
その膜厚は0.4μｍとした。

ギャップ53には、本発明の磁気ヘッドの場合は、非晶
質ガラス下地膜３と同一のものを用い、比較用の磁気ヘ
ッドの場合は、ヘッドサンプルNo.1と同一のものを用い
た。

なお、ギャップ53はスパッタにより形成し、その膜厚
は0.2μｍとした。

また、コイルターン数は20×２ターンとした。

この磁気ヘッドと、保磁力が1100 Oeのハードディス
クとを用いて、トラック幅14μｍにて下記の特性を測定
した。

なお、測定に際しては、第２コア２を、ハードディス
クリーディング側とした。

（擬似ギャップ測定） 250kHzの信号を記録し、その孤立波形を再生して主パ
ルスに対する擬似パルスの比率を測定し、百分率で表わ
した。

（オーバーライト特性） 1.25MHzの1f信号を記録し、次いでこの上から2.50MHz
の2f信号を重ね書きした。

2f信号の出力に対する1f信号の出力をdBで算出し、オ
ーバーライト特性を評価した。

なお、この値の絶対値が30未満の場合および絶対値が
30以上で正の値の場合は、オーバーライト特性としては
不十分である。

（分解能） 1.25MHzの1f信号を記録し、この信号の出力をV_1fとし
た。また、別に、2.5MHzの2f信号を記録し、この出力を
V_2fとした。これらから、下記の式により分解能を算出
した。

式（V_2f/V_1f）×100［％］なお、分解能が70％未満では、実用に耐えない。

また、磁気ヘッドの接着強度試験も行った。判定基準
は以下のとおりである。

◎:100個加工して完成品80個以上 △:100個加工して完成品10個以上80個未満 ×:100個加工して完成品10個未満これらの結果を表１に示す。

＜発明の効果＞本発明では、高飽和磁束密度合金薄膜と、コアとの間
に非晶質ガラスの薄膜を介在させる。

このため熱処理による高飽和磁束密度合金薄膜とフェ
ライトコアとの反応を防止でき、相互反応による擬似ギ
ャップの発生を防止できる。

さらに、非晶質ガラスの下地膜を介在させることによ
り、界面の密着力も向上し、耐久性も高くなる。このた
め、品質の安定した磁気ヘッドを高い歩留で生産でき
る。

【図面の簡単な説明】

第１図および第２図は、本発明のMIG型の浮上型磁気ヘ
ッドの１例を示す部分側面図である。第３図は、従来のMIG型の浮上型磁気ヘッドを示す部分
断面図である。第４図は、本発明のMIG型のコンポジットタイプの磁気
ヘッドの１例を示す斜視図である。符号の説明１……第１コア２……第２コア３、30……下地膜４……高飽和磁束密度合金薄膜５、51、53……ギャップ６……溶着ガラス７……磁気ヘッド封着用ガラス８……スライダー９……巻線 10……コアブロック

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】フェライト製の第１コアおよび第２コアを
有し、少なくとも一方のコアのギャップ部対向面に、Fe
およびSiを含有し、コアより高い飽和磁束密度を有する
高飽和磁束密度合金薄膜を形成し、この第１コアと第２
コアとを、ギャップを介して接合し、溶着ガラスにて溶
着一体化した浮上型磁気ヘッドであって、前記高飽和磁束密度合金薄膜とコアとの間に、酸化ケイ
素含有量80重量％以下の非晶質ガラスの下地膜が形成さ
れていることを特徴とする浮上型磁気ヘッド。
【請求項２】前記第１コアおよび第２コアのギャップ部
対向面と前記高飽和磁束密度合金薄膜のギャップ側面と
が互いに平行な平滑面である請求項１に記載の浮上型磁
気ヘッド。
【請求項３】前記非晶質ガラスの作業温度が650℃以上
である請求項１または２に記載の浮上型磁気ヘッド。
【請求項４】前記非晶質ガラスの下地膜の膜厚が500Å
以下である請求項１ないし３のいずれかに記載の浮上型
磁気ヘッド。
【請求項５】前記溶着ガラスの溶着温度が550〜800℃で
ある請求項１ないし４のいずれかに記載の浮上型磁気ヘ
ッド。
【請求項６】前記ギャップの少なくとも一部が酸化ケイ
素含有量80重量％以下の非晶質ガラスで形成されている
請求項１ないし５のいずれかに記載の浮上型磁気ヘッ
ド。
【請求項７】前記高飽和磁束密度合金薄膜の飽和磁束密
度が9000〜14000Gである請求項１ないし６のいずれかに
記載の浮上型磁気ヘッド。