JPS6061911A - 薄膜磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘッドの製造方法Info
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- JPS6061911A JPS6061911A JP16814583A JP16814583A JPS6061911A JP S6061911 A JPS6061911 A JP S6061911A JP 16814583 A JP16814583 A JP 16814583A JP 16814583 A JP16814583 A JP 16814583A JP S6061911 A JPS6061911 A JP S6061911A
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3103—Structure or manufacture of integrated heads or heads mechanically assembled and electrically connected to a support or housing
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/187—Structure or manufacture of the surface of the head in physical contact with, or immediately adjacent to the recording medium; Pole pieces; Gap features
- G11B5/23—Gap features
- G11B5/235—Selection of material for gap filler
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、スパッタリング等の方法により形成した磁性
薄膜を用いたＶＴＲ用磁気ヘッドに関するものである。
薄膜を用いたＶＴＲ用磁気ヘッドに関するものである。
ＶＴＲの高密度記録、高性能化を達成するため記録媒体
として従来の酸化物テープに代シメタルテープが注目さ
れている。このメタルテープは高磁束密度Ｂｒ、高保磁
力Ｈｅを有しており、これに対応できるヘッドとして、
従来のフェライトヘッドにかえ高飽和磁束密度の金属磁
性材料の薄膜あるいは薄板をコア材とするヘッドが有望
とされている。既にいくつか報告されている薄膜磁気へ
、ドは、センダスト合金（Ｆｅ−Ｍ−８１合金）やパー
マロイをスパッタリング等の薄膜形成技術を用いて非磁
性基板上にコア厚み和尚分の厚さ被着し、一対のコアを
つくり互いのコアの位置を合せながら非磁性膜をはさん
でポンディングを行い、作動ギャップを形成し、既磁性
薄膜の厚さでヘッドトラック幅を形成したものである。
として従来の酸化物テープに代シメタルテープが注目さ
れている。このメタルテープは高磁束密度Ｂｒ、高保磁
力Ｈｅを有しており、これに対応できるヘッドとして、
従来のフェライトヘッドにかえ高飽和磁束密度の金属磁
性材料の薄膜あるいは薄板をコア材とするヘッドが有望
とされている。既にいくつか報告されている薄膜磁気へ
、ドは、センダスト合金（Ｆｅ−Ｍ−８１合金）やパー
マロイをスパッタリング等の薄膜形成技術を用いて非磁
性基板上にコア厚み和尚分の厚さ被着し、一対のコアを
つくり互いのコアの位置を合せながら非磁性膜をはさん
でポンディングを行い、作動ギャップを形成し、既磁性
薄膜の厚さでヘッドトラック幅を形成したものである。
その製造方法を図を用いて説明する。
第１図は従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法を示す工程図
である。（ａ）非磁性基板１上に（ｂ）磁性薄膜２をス
パッタリング等の手段によシコア厚すなわち、トラック
幅相尚分被着しくｅ）非磁性薄膜６でこれを被覆して薄
膜ブロック４をつくる。
である。（ａ）非磁性基板１上に（ｂ）磁性薄膜２をス
パッタリング等の手段によシコア厚すなわち、トラック
幅相尚分被着しくｅ）非磁性薄膜６でこれを被覆して薄
膜ブロック４をつくる。
（ｄ）これを短冊状にスライスしてコアブロック５とし
くｅ）そのスライス面を研摩し、巻線溝６を加工してＣ
コアブロック５１と■コアブロック５２ヲ形成する。ヘ
ッドのアジマス角度を得るには、（ｄ）のスライス工程
でそのスライス面を基板の垂直面に対してアジマス角度
分傾ければよい。研摩面にギャップ長規制用非磁性膜を
被着しくｆ）一対のＣコアブロック５１とＩコアブロッ
クの磁性膜の位置を合せながら互いのコアを突合せボン
ディングブロック７をつくる。（ｇ））ボンディングプ
ロ、りをチップ８の寸法に切離しくｈ）各チップ８を薄
肉化１円研１巻線９を施して薄膜磁気へラド１０を得る
。この薄膜ｉ気ヘッドのギャップ幅規制は工程（ｄ）に
おいて、コアブロックの突合せ面に被着された非磁性膜
によって行われ、高密度記録化にともない、０．５μｍ
以下のギャップ幅を精度よく形成する技術が製造上の大
きな課題となっている。
くｅ）そのスライス面を研摩し、巻線溝６を加工してＣ
コアブロック５１と■コアブロック５２ヲ形成する。ヘ
ッドのアジマス角度を得るには、（ｄ）のスライス工程
でそのスライス面を基板の垂直面に対してアジマス角度
分傾ければよい。研摩面にギャップ長規制用非磁性膜を
被着しくｆ）一対のＣコアブロック５１とＩコアブロッ
クの磁性膜の位置を合せながら互いのコアを突合せボン
ディングブロック７をつくる。（ｇ））ボンディングプ
ロ、りをチップ８の寸法に切離しくｈ）各チップ８を薄
肉化１円研１巻線９を施して薄膜磁気へラド１０を得る
。この薄膜ｉ気ヘッドのギャップ幅規制は工程（ｄ）に
おいて、コアブロックの突合せ面に被着された非磁性膜
によって行われ、高密度記録化にともない、０．５μｍ
以下のギャップ幅を精度よく形成する技術が製造上の大
きな課題となっている。
ギヤ、プ形成法として従来のフェライトヘッドはスパッ
タリング等の方法によりＳ ｉｃｈ等の非磁性体を薄膜
化し、ギャップ規制膜とするのが一般的である。この手
法を用いれば薄膜の厚さを精度よ〈制御することによシ
、高精度のギャップ幅を得ることも可能であるがコアブ
ロックの接着力が得られず他の方法でそれを補う必要が
あった。
タリング等の方法によりＳ ｉｃｈ等の非磁性体を薄膜
化し、ギャップ規制膜とするのが一般的である。この手
法を用いれば薄膜の厚さを精度よ〈制御することによシ
、高精度のギャップ幅を得ることも可能であるがコアブ
ロックの接着力が得られず他の方法でそれを補う必要が
あった。
また既規制膜としてガラス材を用いてボンディング時に
これを溶融しコアブロックの接着とともにギャップ幅規
制を行う方法がある。
これを溶融しコアブロックの接着とともにギャップ幅規
制を行う方法がある。
しかしながら、この場合には特にガラスが溶融した際に
磁性薄膜とガラスが相互拡散してギャップの直線性が悪
くなり、いわゆるギャップくずれを生じていた。また、
低磁性 薄膜としてセンダスト合金（Ｆｅ−８ｔ−Ｍ合
金）膜を用いた場合その熱処理温度の限界は約６５０℃
である。
磁性薄膜とガラスが相互拡散してギャップの直線性が悪
くなり、いわゆるギャップくずれを生じていた。また、
低磁性 薄膜としてセンダスト合金（Ｆｅ−８ｔ−Ｍ合
金）膜を用いた場合その熱処理温度の限界は約６５０℃
である。
それ以上の温度ではセンダスト合金膜の磁気特性が著し
く劣化する。非晶質磁性薄膜を用いた場合には処理限界
温度が約５００℃となる。したがって、ガラス材として
はできるだけ低融点の。
く劣化する。非晶質磁性薄膜を用いた場合には処理限界
温度が約５００℃となる。したがって、ガラス材として
はできるだけ低融点の。
ものが望ましく、高ｐｂｏを含むＰｂＯＢ＠Ｏｓ ５ｉ
ｎｓ、 ４ 。
ｎｓ、 ４ 。
系もしくはＰｂＯ−Ｂ２Ｏ５ＺｎＯ系ガラスが考えられ
る。これらのガラスはＰｂＯが・８０ｗｔ％以上になる
と、その軟化廃（ガラス粘度１０ ポイズ）が４００℃
以下に下げらねる。しかしながら、検討の結果センダス
ト合金薄膜を用すた場合ガラスのＰｂＯの量が７５ｗｔ
％以上になるとセンダスト合金薄膜とガラスの拡散が激
しくなシ、ＰｂＯが還元されて金属ｐｂが析出し、ヘッ
ドギャップの直線性を著しく悪くし磁気ヘッドの特性を
悪くしていた。
る。これらのガラスはＰｂＯが・８０ｗｔ％以上になる
と、その軟化廃（ガラス粘度１０ ポイズ）が４００℃
以下に下げらねる。しかしながら、検討の結果センダス
ト合金薄膜を用すた場合ガラスのＰｂＯの量が７５ｗｔ
％以上になるとセンダスト合金薄膜とガラスの拡散が激
しくなシ、ＰｂＯが還元されて金属ｐｂが析出し、ヘッ
ドギャップの直線性を著しく悪くし磁気ヘッドの特性を
悪くしていた。
本発明の目的は、上記した従来技術の欠点をなくシ、ギ
ャップ直線性がよく高精度なギャップ長規制を実現し、
接着強度の強くかつ量産性の良い磁気ヘッドを提供する
ことである。
ャップ直線性がよく高精度なギャップ長規制を実現し、
接着強度の強くかつ量産性の良い磁気ヘッドを提供する
ことである。
ガラス材と磁性薄膜の拡散はガラスが溶融することによ
シ生じる。そこで、スパッタリング条件によるガラス組
成変動を用いてギャップ内のガラスのｐｂ量を制御し磁
性薄膜と接しているガラスを低ｐｂガラスとし、ギャッ
プ中心部のガラスを高ｐｂガラスで形成し、ギャップ中
心部のガラスのみを溶融する温度でボンディングし上記
拡散を防止する。
シ生じる。そこで、スパッタリング条件によるガラス組
成変動を用いてギャップ内のガラスのｐｂ量を制御し磁
性薄膜と接しているガラスを低ｐｂガラスとし、ギャッ
プ中心部のガラスを高ｐｂガラスで形成し、ギャップ中
心部のガラスのみを溶融する温度でボンディングし上記
拡散を防止する。
以下、本発明の一実施例を第２図によシ説明する。第２
図は本発明による薄膜磁気ヘッドのギャップ部を拡大し
たものである。１１はセンダスト薄膜であって１２は夫
々非磁性基板である。
図は本発明による薄膜磁気ヘッドのギャップ部を拡大し
たものである。１１はセンダスト薄膜であって１２は夫
々非磁性基板である。
ギヤ、プ幅は１３の低融点ＰｂＯ−ＢｓＯｓ ＳｉＯ鵞
系ガラスで規制されておシ、その幅は０．２μｍ〜０．
３μｍである。第３図は第２図におけるａ−ｂの点のギ
ャップ内のガラス組成を示したものであり０第３図に示
すようにギャップ中心部のｐｂ濃度を１００ ％とした
場合、センダスト薄膜界面では約５０−である。このよ
うにギャップ内のガラスにｐｂ濃度分布をつけることに
よシギャップ中心部とセンダ スト薄膜界面でガラスの
軟化点が異な９、界面付近のガラスの軟化点が中心部よ
りも１００℃以上高くなっている。したがって、ギャッ
プ中心部のガラスのみが溶融するようにボンディング温
度を設定すればセンダスト薄膜とガラスの拡散を生じず
直線性の良好なギャップを得ることができ、さらにコア
ブロックを強固に接着できる。
系ガラスで規制されておシ、その幅は０．２μｍ〜０．
３μｍである。第３図は第２図におけるａ−ｂの点のギ
ャップ内のガラス組成を示したものであり０第３図に示
すようにギャップ中心部のｐｂ濃度を１００ ％とした
場合、センダスト薄膜界面では約５０−である。このよ
うにギャップ内のガラスにｐｂ濃度分布をつけることに
よシギャップ中心部とセンダ スト薄膜界面でガラスの
軟化点が異な９、界面付近のガラスの軟化点が中心部よ
りも１００℃以上高くなっている。したがって、ギャッ
プ中心部のガラスのみが溶融するようにボンディング温
度を設定すればセンダスト薄膜とガラスの拡散を生じず
直線性の良好なギャップを得ることができ、さらにコア
ブロックを強固に接着できる。
ガラス材のｐｂ濃度をかえる方法として本発明はスパッ
タ１１ング電力とガラス組成の関係に着目し、これを利
用する。第４図は低融点ｐｂ系ガラスをターゲットとし
てスパッタ電力を変えた実験を行い、ガラス薄膜の組成
の変化をめたものである。すなわち、ギャップ規制膜と
してガラスをスパッタリングする際スパッタ初期と後で
電力を変えながらスパッタ１１ングを行いガラス膜のｐ
ｂ量を制御する。この方法によシ既ターゲットを代える
ことなく、Ｐｂｉを連続的に変えることができ量産性に
もすぐれている。
タ１１ング電力とガラス組成の関係に着目し、これを利
用する。第４図は低融点ｐｂ系ガラスをターゲットとし
てスパッタ電力を変えた実験を行い、ガラス薄膜の組成
の変化をめたものである。すなわち、ギャップ規制膜と
してガラスをスパッタリングする際スパッタ初期と後で
電力を変えながらスパッタ１１ングを行いガラス膜のｐ
ｂ量を制御する。この方法によシ既ターゲットを代える
ことなく、Ｐｂｉを連続的に変えることができ量産性に
もすぐれている。
次に本発明を用いた薄膜磁気ヘッドの製造方法を具体例
を用いて説明する。製造工程は第１図に示す如くである
。ことで、非磁性基板にはＭｎＯ−ＮｉＯ系非磁性フェ
ライトを用い、磁性薄膜としてスパッタリングによシ２
０〜４０μｍの厚さ形成したセンダスト合金（Ｆｅ −
Ｓｔ −Ａ１合金）膜を用いる。第１図（ｅ）に示す工
程においてＣコアブロック５１とＩコアプロ、り５２の
突合せ面に低融点ＰｂＯ−Ｂ ｚＯｍ Ｓｔｏ！系のガ
ラス膜を高周波スパッタリング装置を用いて、たとえば
０．２μｍのギャップ幅を得る場合それぞれ０．１μｍ
の厚さ被着させる。スパッタ１）ング装置のターゲット
としてはｐｂｏをａ３ｗｔＬｌｂ含むＰｂＯ，ＢＩＯＩ
８１０ｉ系ガラスを用いる。スパッタガスはアルゴン
ガスを用いてガス圧を５ Ｘ １０ Ｔｏｒｒ に設定
する。スパッタ電力を第５図に示す如く制御しながら上
記低融点ｐｂ系ガラスのスパッタリングを行い、厚さ方
向にｐｂ濃度の異なる０、１μｍの厚さのガラス薄膜を
被着させる。次に第１図（ｆ）に示す如く互いのコアブ
ロックのセンダスト薄膜の位置を合せながら５００℃の
温度で１５分間保持し、既ガラス薄膜を溶融させコアブ
ロックの接着とともにギャップ幅規制を行う。この場合
、ギャップ内のガラスはギャップ中心部付近のガラスの
みが溶融しておシ、センダスト薄膜界面のガラスは溶融
していない。したがって拡散のない直線性の良いギヤ、
ブを得ることができる。
を用いて説明する。製造工程は第１図に示す如くである
。ことで、非磁性基板にはＭｎＯ−ＮｉＯ系非磁性フェ
ライトを用い、磁性薄膜としてスパッタリングによシ２
０〜４０μｍの厚さ形成したセンダスト合金（Ｆｅ −
Ｓｔ −Ａ１合金）膜を用いる。第１図（ｅ）に示す工
程においてＣコアブロック５１とＩコアプロ、り５２の
突合せ面に低融点ＰｂＯ−Ｂ ｚＯｍ Ｓｔｏ！系のガ
ラス膜を高周波スパッタリング装置を用いて、たとえば
０．２μｍのギャップ幅を得る場合それぞれ０．１μｍ
の厚さ被着させる。スパッタ１）ング装置のターゲット
としてはｐｂｏをａ３ｗｔＬｌｂ含むＰｂＯ，ＢＩＯＩ
８１０ｉ系ガラスを用いる。スパッタガスはアルゴン
ガスを用いてガス圧を５ Ｘ １０ Ｔｏｒｒ に設定
する。スパッタ電力を第５図に示す如く制御しながら上
記低融点ｐｂ系ガラスのスパッタリングを行い、厚さ方
向にｐｂ濃度の異なる０、１μｍの厚さのガラス薄膜を
被着させる。次に第１図（ｆ）に示す如く互いのコアブ
ロックのセンダスト薄膜の位置を合せながら５００℃の
温度で１５分間保持し、既ガラス薄膜を溶融させコアブ
ロックの接着とともにギャップ幅規制を行う。この場合
、ギャップ内のガラスはギャップ中心部付近のガラスの
みが溶融しておシ、センダスト薄膜界面のガラスは溶融
していない。したがって拡散のない直線性の良いギヤ、
ブを得ることができる。
以上の説明では、磁性薄膜としてセンダスト合金薄膜の
場合であったがパーマロイ、アモルファス等の強磁性薄
膜を用いた薄膜磁気ヘッドにおいても本発明が有効であ
る。
場合であったがパーマロイ、アモルファス等の強磁性薄
膜を用いた薄膜磁気ヘッドにおいても本発明が有効であ
る。
以上述べたように本発明によれば、磁性薄膜とギヤ、ブ
規制ガラス材との拡散がなくなるのでギャップ直線性が
良くかつコアブロックの接着強度の強い薄膜磁気ヘッド
を得ることができる。またスパッタリングによるガラス
組成変動を用いているので、ガラス材としては一種類で
よく量産性にも優れている。
規制ガラス材との拡散がなくなるのでギャップ直線性が
良くかつコアブロックの接着強度の強い薄膜磁気ヘッド
を得ることができる。またスパッタリングによるガラス
組成変動を用いているので、ガラス材としては一種類で
よく量産性にも優れている。
第１図は薄膜磁気ヘッドの製造方法の工程図、第２図は
本発明の一実施例の薄膜磁気ヘッドのギヤツブ部拡大図
、第３図はギャップ内のガラス組成分布を示す線図、第
４図はスパッタ電力・ ８ ・ とガラス組成の関係を示す線図、第５図は本発明を得る
ためのスパッタ条件の一実施例を示す線図である。 １．３．１２・・・非磁性基板、 ２．１１・・・磁性薄膜、 １３・・・低融点ガラス層。 第 １ 国 躬３膿 第４乙 ０ ’Ａυ どα σ、Ｕ
本発明の一実施例の薄膜磁気ヘッドのギヤツブ部拡大図
、第３図はギャップ内のガラス組成分布を示す線図、第
４図はスパッタ電力・ ８ ・ とガラス組成の関係を示す線図、第５図は本発明を得る
ためのスパッタ条件の一実施例を示す線図である。 １．３．１２・・・非磁性基板、 ２．１１・・・磁性薄膜、 １３・・・低融点ガラス層。 第 １ 国 躬３膿 第４乙 ０ ’Ａυ どα σ、Ｕ
Claims (1)
- ｔ 非磁性基板間に磁性薄膜をはさみ少くとも１つのコ
アブロックに巻線窓加工を施した一対のコアブロックの
端面にスパッタ法を用いて、スパッタ電力を連続的に変
化させ、上記コアブロック界面よシも膜表面のｐｂ濃度
が低いｐｂ系ガラス薄膜を被着させ、該コアブロックを
突合せて加熱圧着しヘッド作動ギャップを形成すること
を特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16814583A JPS6061911A (ja) | 1983-09-14 | 1983-09-14 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16814583A JPS6061911A (ja) | 1983-09-14 | 1983-09-14 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6061911A true JPS6061911A (ja) | 1985-04-09 |
Family
ID=15862658
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16814583A Pending JPS6061911A (ja) | 1983-09-14 | 1983-09-14 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6061911A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0191447A2 (en) * | 1985-02-15 | 1986-08-20 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magnetic head |
| JPS61294619A (ja) * | 1985-06-20 | 1986-12-25 | Sanyo Electric Co Ltd | 磁気ヘツドの製造方法 |
-
1983
- 1983-09-14 JP JP16814583A patent/JPS6061911A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0191447A2 (en) * | 1985-02-15 | 1986-08-20 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magnetic head |
| US4901179A (en) * | 1985-02-15 | 1990-02-13 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magnetic head having a laminated structure |
| JPS61294619A (ja) * | 1985-06-20 | 1986-12-25 | Sanyo Electric Co Ltd | 磁気ヘツドの製造方法 |
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