JPH0654531B2 - 磁気ヘツド - Google Patents
磁気ヘツドInfo
- Publication number
- JPH0654531B2 JPH0654531B2 JP60081822A JP8182285A JPH0654531B2 JP H0654531 B2 JPH0654531 B2 JP H0654531B2 JP 60081822 A JP60081822 A JP 60081822A JP 8182285 A JP8182285 A JP 8182285A JP H0654531 B2 JPH0654531 B2 JP H0654531B2
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- JP
- Japan
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- sendust
- ferrite
- layer
- contact
- magnetic head
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- Magnetic Heads (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 (イ) 産業上の利用分野 本発明はＶＴＲ等において使用する磁気ヘッドに関す
る。
る。
(ロ) 従来の技術 作動ギャップ部を介して相対峙する２個のフェライトコ
アの各作動ギャップ形成面側に該コア材よりも飽和磁束
密度の大きい金属材料を結合して構成した複合型の磁気
ヘッドが例えば特開昭５８−１７５１２２号公報等に記
載されている。斯種の複合型磁気ヘッドにおいては、記
録及び再生効率を高める必要から作動ギャップに近い部
分ほど磁路の通る面積を小さくし、且つその磁性材料の
飽和磁束密度を大きくするのが効果的である。高飽和磁
束密度を有する磁性材料としてFe,Al,Si（例えばFe:Al:
Si＝85:5.4:9.6重量％）が多く用いられている。
アの各作動ギャップ形成面側に該コア材よりも飽和磁束
密度の大きい金属材料を結合して構成した複合型の磁気
ヘッドが例えば特開昭５８−１７５１２２号公報等に記
載されている。斯種の複合型磁気ヘッドにおいては、記
録及び再生効率を高める必要から作動ギャップに近い部
分ほど磁路の通る面積を小さくし、且つその磁性材料の
飽和磁束密度を大きくするのが効果的である。高飽和磁
束密度を有する磁性材料としてFe,Al,Si（例えばFe:Al:
Si＝85:5.4:9.6重量％）が多く用いられている。
(ハ) 発明が解決しようとする問題点 上記組成のセンダストは透磁率、飽和磁束密度（約１１
０００ガウス）ともほぼ満足できるものであるが、これ
を用いた従来の磁気ヘッドはその製造工程中の溝加工工
程において、センダストスパッタ膜が剥れることが多
い。これはフェライト単結晶に対する付着力が充分でな
いことが原因である。また、耐蝕性についても満足でき
るものではないことは周知である。また、Ｎi を添加し
たスーパーセンダストのスパッタ膜を使用した場合もフ
ェライトとの付着力が不充分で加工性は良くない。
０００ガウス）ともほぼ満足できるものであるが、これ
を用いた従来の磁気ヘッドはその製造工程中の溝加工工
程において、センダストスパッタ膜が剥れることが多
い。これはフェライト単結晶に対する付着力が充分でな
いことが原因である。また、耐蝕性についても満足でき
るものではないことは周知である。また、Ｎi を添加し
たスーパーセンダストのスパッタ膜を使用した場合もフ
ェライトとの付着力が不充分で加工性は良くない。
(ニ) 問題点を解決するための手段 フェライト材料よりなる主磁路のギャップ部における非
磁性体の片面又は両面に、少なくともＦｅ，Ａｌ，Ｓｉ
を含有する高飽和磁束密度の金属材料（所謂センダスト
系合金材料）を配してなる磁気ヘッドにおいて、前記金
属材料のうち少なくとも前記フェライト材料に接する層
はＣｒを含有し、フェライト材料より遠い層には前記フ
ェライト材料に接する層に比べてＣｒの含有量が少ない
ことを特徴とする構成。
磁性体の片面又は両面に、少なくともＦｅ，Ａｌ，Ｓｉ
を含有する高飽和磁束密度の金属材料（所謂センダスト
系合金材料）を配してなる磁気ヘッドにおいて、前記金
属材料のうち少なくとも前記フェライト材料に接する層
はＣｒを含有し、フェライト材料より遠い層には前記フ
ェライト材料に接する層に比べてＣｒの含有量が少ない
ことを特徴とする構成。
(ホ) 作 用 フェライト材料に接するセンダスト層はＣr を含んでい
るためフェライト材料に対する付着力がよく、従ってコ
ア加工性が向上する。Ｃr の添加料は数％の範囲内であ
れば飽和磁束密度は低下するが、透磁率は殆んど変化し
ない。フェライトから遠い側のセンダスト側、即ちギャ
ップ用の非磁性体に接するセンダスト層はＣr が少ない
（零も含む）ので、飽和磁束密度が高い。また、前記フ
ェライトに接する側のセンダスト層（Ｃｒが多い）は前
記Ｃｒの少ないセンダスト層に対しても強い結合力を示
す。
るためフェライト材料に対する付着力がよく、従ってコ
ア加工性が向上する。Ｃr の添加料は数％の範囲内であ
れば飽和磁束密度は低下するが、透磁率は殆んど変化し
ない。フェライトから遠い側のセンダスト側、即ちギャ
ップ用の非磁性体に接するセンダスト層はＣr が少ない
（零も含む）ので、飽和磁束密度が高い。また、前記フ
ェライトに接する側のセンダスト層（Ｃｒが多い）は前
記Ｃｒの少ないセンダスト層に対しても強い結合力を示
す。
(ヘ) 実施例 第１図において、(1a)(1b)はコア半体を形成するフェラ
イトであって、そのギャップ部(2)は絶縁体を形成するS
iO2膜(3)を挾んでセンダスト層(4a)(4b)が対峙してい
る。センダスト層(4a)(4b)の他面はそれぞれフェライト
(1a)(1b)に接している。(G)はギャップ長であり、(5)は
補強ガラス層、そして(6)は巻線孔を示す。センダスト
層(4a)(4b)はフェライト(1a)(1b)に接している側ではＣ
r の含有量が多く（ただし高飽和磁束密度をあまり損な
わないように数％の範囲内）フェライトに対する結合力
はＣr が含有されていない場合に比し極めて高くなる。
センダスト層(4a)(4b)のSiO2膜に接する側はＣr の含有
率が極めて低い（零であってもよい）。従ってギャップ
部(3)におけるセンダスト層(4a)(4b)の高飽和磁束密度
はSiO2膜近傍では低下しない。
イトであって、そのギャップ部(2)は絶縁体を形成するS
iO2膜(3)を挾んでセンダスト層(4a)(4b)が対峙してい
る。センダスト層(4a)(4b)の他面はそれぞれフェライト
(1a)(1b)に接している。(G)はギャップ長であり、(5)は
補強ガラス層、そして(6)は巻線孔を示す。センダスト
層(4a)(4b)はフェライト(1a)(1b)に接している側ではＣ
r の含有量が多く（ただし高飽和磁束密度をあまり損な
わないように数％の範囲内）フェライトに対する結合力
はＣr が含有されていない場合に比し極めて高くなる。
センダスト層(4a)(4b)のSiO2膜に接する側はＣr の含有
率が極めて低い（零であってもよい）。従ってギャップ
部(3)におけるセンダスト層(4a)(4b)の高飽和磁束密度
はSiO2膜近傍では低下しない。
センダスト層(4a)(4b)は、そのＣr の含有率をフェライ
ト接触面側からSiO2膜接触面側に向けて徐々に少なくし
ていくことができるが、斯る態様とは別にセンダスト層
を２層に分けてそのフェライトに接する第１センダスト
層を一定のＣr含有率になし、SiO2膜(3)に接する第２セ
ンダスト層を前記第１センダスト層よりも低いＣr の含
有率（含有率零も可）となすことも可能である。この場
合、第２センダスト層にＣr を全く含まないようにして
も、第１センダスト層との結合力は十分大きいことを確
認している。尚、第１図においてセンダスト層(4a)(4b)
はSiO2膜(3)の両面に存在する必要はなくSiO2膜(3)の片
面のみに存在する構造のものであつてもよい。
ト接触面側からSiO2膜接触面側に向けて徐々に少なくし
ていくことができるが、斯る態様とは別にセンダスト層
を２層に分けてそのフェライトに接する第１センダスト
層を一定のＣr含有率になし、SiO2膜(3)に接する第２セ
ンダスト層を前記第１センダスト層よりも低いＣr の含
有率（含有率零も可）となすことも可能である。この場
合、第２センダスト層にＣr を全く含まないようにして
も、第１センダスト層との結合力は十分大きいことを確
認している。尚、第１図においてセンダスト層(4a)(4b)
はSiO2膜(3)の両面に存在する必要はなくSiO2膜(3)の片
面のみに存在する構造のものであつてもよい。
次に第１図の磁気ヘッドを製造する方法について説明す
る。
る。
第２図はＭn−Ｚnのフェライトウエハ(7a)(7b)上にセン
ダスト層をスパッタリング法により成膜する方法を示
す。回転軸(8)を有する第１基板(9)にＭn−Ｚnのフェラ
イトウエハ(7a)(7b)を取り付ける。このフェライトウエ
ハ(7a)(7b)は枠体（図示せず）に取り付けた後、その枠
体を第１基板(8)にネジ止めすることによって第１基板
(8)に固定される。第１基板(8)は非磁性材料で形成され
たものを使用する。第１基板(8)に対向して配置された
第２基板(10)上にはセンダストターゲット(11)(12)を取
り付ける。第１センダストターゲット(11)はＣrの含有
量が多いものとし、第２センダストターゲット(12)はＣ
r の含有量が少ないものとする。(13)はスライドシャッ
タであり、これはスパッタリング動作の初期と、その定
常時とではセンダストターゲットから生じるイオン密度
に差があるため、動作開始から定常時に至る一定の時
間、イオンを遮え切るために設けられたものであり、定
常動作においては第１、第２基板(8)(10)の対向スペー
スからは取り除かれる。このスライドシャッタ(13)及び
第２基板(10)も非磁性のステンレス材で形成される。第
２図に示す装置は真空雰囲気（５mmＴｏｒｒ）に配され
る。
ダスト層をスパッタリング法により成膜する方法を示
す。回転軸(8)を有する第１基板(9)にＭn−Ｚnのフェラ
イトウエハ(7a)(7b)を取り付ける。このフェライトウエ
ハ(7a)(7b)は枠体（図示せず）に取り付けた後、その枠
体を第１基板(8)にネジ止めすることによって第１基板
(8)に固定される。第１基板(8)は非磁性材料で形成され
たものを使用する。第１基板(8)に対向して配置された
第２基板(10)上にはセンダストターゲット(11)(12)を取
り付ける。第１センダストターゲット(11)はＣrの含有
量が多いものとし、第２センダストターゲット(12)はＣ
r の含有量が少ないものとする。(13)はスライドシャッ
タであり、これはスパッタリング動作の初期と、その定
常時とではセンダストターゲットから生じるイオン密度
に差があるため、動作開始から定常時に至る一定の時
間、イオンを遮え切るために設けられたものであり、定
常動作においては第１、第２基板(8)(10)の対向スペー
スからは取り除かれる。このスライドシャッタ(13)及び
第２基板(10)も非磁性のステンレス材で形成される。第
２図に示す装置は真空雰囲気（５mmＴｏｒｒ）に配され
る。
次に動作について説明する。
まずＣr の含有量の大きい第１センダストターゲット(1
1)にアルゴンを衝撃すると、第１センダストターゲット
(11)から生じたセンダスト原子が対向するフェライトウ
エハ(7a)に向けて飛散し、フェライトウエハ(7a)上に被
着する。しかる後、第１基板(8)を１８０゜回転させて
前記フェライトウエハ(7a)を第２センダストターゲット
(12)に対向せしめる。この状態で、今度は第２センダス
トターゲット(12)に対しアルゴンを衝撃してやると第２
センダストターゲットからセンダスト原子が発生し、フ
ェライトウエハ(7a)上の既に成膜されたセンダスト層上
に第２のセンダスト層が成膜される。
1)にアルゴンを衝撃すると、第１センダストターゲット
(11)から生じたセンダスト原子が対向するフェライトウ
エハ(7a)に向けて飛散し、フェライトウエハ(7a)上に被
着する。しかる後、第１基板(8)を１８０゜回転させて
前記フェライトウエハ(7a)を第２センダストターゲット
(12)に対向せしめる。この状態で、今度は第２センダス
トターゲット(12)に対しアルゴンを衝撃してやると第２
センダストターゲットからセンダスト原子が発生し、フ
ェライトウエハ(7a)上の既に成膜されたセンダスト層上
に第２のセンダスト層が成膜される。
尚、このとき第１センダストターゲット(11)に対向する
他方のフェライトウエハ(7b)に対しても同様な工程でセ
ンダスト層が形成される。尚、第２基板(10)を回転させ
ながら行なう方法も考えられるが、一般に５μｍのセン
ダスト層を形成するのに非回転の状態で１時間かかるの
に対し、回転させた場合には５時間かかるという如く生
産性が悪い。従って、センダスト層の成膜に関しては第
１、第２基板(8)(12)を相対的に回転せずに、固定状態
に保ったままの状態で行なうとよい。
他方のフェライトウエハ(7b)に対しても同様な工程でセ
ンダスト層が形成される。尚、第２基板(10)を回転させ
ながら行なう方法も考えられるが、一般に５μｍのセン
ダスト層を形成するのに非回転の状態で１時間かかるの
に対し、回転させた場合には５時間かかるという如く生
産性が悪い。従って、センダスト層の成膜に関しては第
１、第２基板(8)(12)を相対的に回転せずに、固定状態
に保ったままの状態で行なうとよい。
次に、第１基板(8)のフェライトウエハを取り外さず
に、そのままの状態に保ち、一方第２基板(10)にはセン
ダストターゲットの代りにSiO2ターゲットを取り付けて
アルゴンをこれに衝撃しスパッタリングを行なう。この
場合、第２基板(10)は回転させて行なう。スパッタリン
グによって成膜されるSiO2膜は０．１μｍ〜０．１５μ
ｍにバラツキが生じるのでスパッタリング中に、膜厚を
制御するのに回転させて行なう方が有利であるからであ
る。しかも０．１μｍ程度のSiO2膜の形成は固定した状
態で要する時間が１分であるのに比し、回転させた場合
には高々６分程度であるに過ないから、時間がかかり過
ぎるということもない。
に、そのままの状態に保ち、一方第２基板(10)にはセン
ダストターゲットの代りにSiO2ターゲットを取り付けて
アルゴンをこれに衝撃しスパッタリングを行なう。この
場合、第２基板(10)は回転させて行なう。スパッタリン
グによって成膜されるSiO2膜は０．１μｍ〜０．１５μ
ｍにバラツキが生じるのでスパッタリング中に、膜厚を
制御するのに回転させて行なう方が有利であるからであ
る。しかも０．１μｍ程度のSiO2膜の形成は固定した状
態で要する時間が１分であるのに比し、回転させた場合
には高々６分程度であるに過ないから、時間がかかり過
ぎるということもない。
以上のようにして、表面にセンダスト層(4a)又は(4b)と
SiO2膜(3)を形成したフェライトウエハ(7a)(7b)を取り
出し、第３図に示すようにトラック幅規制溝(14)を設け
る。ここで、(W)はトラック幅を示す。次に、フェライ
トウエハにコイル巻線孔用の溝(15)と溶着ガラス挿入溝
(16)を形成する。そして、第３図と第４図に示したフェ
ライトウエハ(7a)(7b)を、それらの加工面が対向するよ
うに対接させ且つガラス棒(17)をガラス挿入溝(16)に施
こす。しかる後、加熱加圧状態でガラス棒を溶融し、一
対のフェライトウエハを接合する。第６図は第５図を２
つに分断することにより形成されたブロック(18)を示
す。このブロック(18)の前端、即ちテープ対接面には第
７図に示す如くＲ付けを施こす。しかる後、ブロック(1
8)を各ヘッドチップ単位ごとにスライスすることによっ
て第１図の磁気ヘッドを得る。第１図の磁気ヘッドは更
に孔(6)を介してコイルが巻装される。
SiO2膜(3)を形成したフェライトウエハ(7a)(7b)を取り
出し、第３図に示すようにトラック幅規制溝(14)を設け
る。ここで、(W)はトラック幅を示す。次に、フェライ
トウエハにコイル巻線孔用の溝(15)と溶着ガラス挿入溝
(16)を形成する。そして、第３図と第４図に示したフェ
ライトウエハ(7a)(7b)を、それらの加工面が対向するよ
うに対接させ且つガラス棒(17)をガラス挿入溝(16)に施
こす。しかる後、加熱加圧状態でガラス棒を溶融し、一
対のフェライトウエハを接合する。第６図は第５図を２
つに分断することにより形成されたブロック(18)を示
す。このブロック(18)の前端、即ちテープ対接面には第
７図に示す如くＲ付けを施こす。しかる後、ブロック(1
8)を各ヘッドチップ単位ごとにスライスすることによっ
て第１図の磁気ヘッドを得る。第１図の磁気ヘッドは更
に孔(6)を介してコイルが巻装される。
(ト) 発明の効果 本発明によればフェライトとセンダスト層との密着性が
よく、接合力が強いので、信頼性が高く、記録再生出力
が従来例に比し、向上する。また、耐蝕性もよい。
よく、接合力が強いので、信頼性が高く、記録再生出力
が従来例に比し、向上する。また、耐蝕性もよい。
第１図は本発明を実施した磁気ヘッドの斜視図であり、
第２図、第３図、第４図、第５図、第６図及び第７図は
その製造工程を示す図である。 (1a)(1b)……フェライト、(2)……ギャップ部、(3)……
SiO2膜、(4a)(4b)……センダスト層。
第２図、第３図、第４図、第５図、第６図及び第７図は
その製造工程を示す図である。 (1a)(1b)……フェライト、(2)……ギャップ部、(3)……
SiO2膜、(4a)(4b)……センダスト層。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 石原 宏三 大阪府守口市京阪本通２丁目18番地 三洋 電機株式会社内 (56)参考文献 特開 昭58−105422（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】フェライト材料よりなる主磁路のギャップ
部における非磁性体の片面又は両面に、少なくともＦ
ｅ，Ａｌ，Ｓｉを含有する高飽和磁束密度の金属材料を
配してなる磁気ヘッドにおいて、前記金属材料のうち少
なくとも前記フェライト材料に接する層はＣｒを含有
し、フェライト材料より遠い層には前記フェライト材料
に接する層に比べてＣｒの含有量が少ないことを特徴と
する磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60081822A JPH0654531B2 (ja) | 1985-04-17 | 1985-04-17 | 磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60081822A JPH0654531B2 (ja) | 1985-04-17 | 1985-04-17 | 磁気ヘツド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61240412A JPS61240412A (ja) | 1986-10-25 |
| JPH0654531B2 true JPH0654531B2 (ja) | 1994-07-20 |
Family
ID=13757175
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60081822A Expired - Fee Related JPH0654531B2 (ja) | 1985-04-17 | 1985-04-17 | 磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0654531B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3032842U (ja) * | 1996-06-25 | 1997-01-17 | 巧 上枝 | 注ぎ口を引っ張ってあけるためのつまみ付き紙容器 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58105422A (ja) * | 1981-12-17 | 1983-06-23 | Sony Corp | 磁気ヘツド |
-
1985
- 1985-04-17 JP JP60081822A patent/JPH0654531B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3032842U (ja) * | 1996-06-25 | 1997-01-17 | 巧 上枝 | 注ぎ口を引っ張ってあけるためのつまみ付き紙容器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61240412A (ja) | 1986-10-25 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |