JPH0565925B2 - - Google Patents
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- JPH0565925B2 JPH0565925B2 JP60084817A JP8481785A JPH0565925B2 JP H0565925 B2 JPH0565925 B2 JP H0565925B2 JP 60084817 A JP60084817 A JP 60084817A JP 8481785 A JP8481785 A JP 8481785A JP H0565925 B2 JPH0565925 B2 JP H0565925B2
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Description
【発明の詳細な説明】
(イ) 産業上の利用分野
本発明はVTR等に使用される磁気ヘツドに関
する。
する。
(ロ) 従来の技術
テープ当接面側からみてフロントギヤツプを挟
んでセンダスト等の高飽和磁束密度材料層を付設
したフエライトを前記層が向い合うように配備し
且つフロントギヤツプ周辺のサイド部をガラスで
補強してなる複合型の磁気ヘツドは例えば特開昭
58−175122号公報に記載されている。
んでセンダスト等の高飽和磁束密度材料層を付設
したフエライトを前記層が向い合うように配備し
且つフロントギヤツプ周辺のサイド部をガラスで
補強してなる複合型の磁気ヘツドは例えば特開昭
58−175122号公報に記載されている。
一般に、フエライトのみからなる磁気ヘツドを
ガラス溶着する場合、N2ガス又はArガス中で溶
着が行なわれるが、前記複合型の磁気ヘツドの場
合は、ガラス内に残る泡を少なくするために真空
中でガラスを溶融した後、固まる前に不活性ガス
を導入するようにしていた。
ガラス溶着する場合、N2ガス又はArガス中で溶
着が行なわれるが、前記複合型の磁気ヘツドの場
合は、ガラス内に残る泡を少なくするために真空
中でガラスを溶融した後、固まる前に不活性ガス
を導入するようにしていた。
(ハ) 発明が解決しようとする問題点
しかしながら、このような方法をとつても、セ
ンダスト層に泡を生じる原因があるとガラス溶融
時にセンダスト層からの気泡がガラスを通して放
散するので出来上つた磁気ヘツドのガラス部分に
は気泡跡が残るという欠点がある。この気泡跡は
テープ当接面に凹所を形成するので、ヒビやカケ
を誘発したり、ゴミやテープの磁性粉が留つて磁
気的な性能を低下させる原因となる。また、この
ようにゴミや磁性粉が付着するとテープとの当り
が悪くなつて、磁気変換効率が悪くなる。
ンダスト層に泡を生じる原因があるとガラス溶融
時にセンダスト層からの気泡がガラスを通して放
散するので出来上つた磁気ヘツドのガラス部分に
は気泡跡が残るという欠点がある。この気泡跡は
テープ当接面に凹所を形成するので、ヒビやカケ
を誘発したり、ゴミやテープの磁性粉が留つて磁
気的な性能を低下させる原因となる。また、この
ようにゴミや磁性粉が付着するとテープとの当り
が悪くなつて、磁気変換効率が悪くなる。
本発明はこのような問題を解決する。
(ニ) 問題点を解決するための手段
FewAlxSiyCrz（ｗ重量％Fe−ｘ重量％Al−ｙ
重量％Si−ｚ重量％Cr） ｗ，ｘ，ｙ，ｚは ｗ＋ｘ＋ｙ＋ｚ＝100 13≦ｘ＋ｙ≦17 ９≦ｙ≦10 ０＜ｚ≦６ を満足するようになし、このセンダストで上記層
を形成した構成。
重量％Si−ｚ重量％Cr） ｗ，ｘ，ｙ，ｚは ｗ＋ｘ＋ｙ＋ｚ＝100 13≦ｘ＋ｙ≦17 ９≦ｙ≦10 ０＜ｚ≦６ を満足するようになし、このセンダストで上記層
を形成した構成。
(ホ) 作用
Siがセンダストにおける全組成の９〜10重量％
であれば、実験の結果、泡の発生は著しく少なく
なる。Siが９重量％以下ではヘツドの特性が劣化
し、10重量％以上ではガラス溶着の際に泡の発生
が多くなる。Crが０〜６重量％（但し０は含ま
ない）であることは、耐蝕性や耐摩耗性に優れ
る。Crがこの範囲を越えると磁気特性が劣化す
る。そのほか、AlとSiの和が13〜17重量％をは
ずれると、磁気特性が悪くなる。
であれば、実験の結果、泡の発生は著しく少なく
なる。Siが９重量％以下ではヘツドの特性が劣化
し、10重量％以上ではガラス溶着の際に泡の発生
が多くなる。Crが０〜６重量％（但し０は含ま
ない）であることは、耐蝕性や耐摩耗性に優れ
る。Crがこの範囲を越えると磁気特性が劣化す
る。そのほか、AlとSiの和が13〜17重量％をは
ずれると、磁気特性が悪くなる。
(ヘ) 実施例
第１図において、１ａ，１ｂはMn−Znのフエ
ライト、２はギヤツプを形成するSiO2膜、３，
３は前記フエライトとSiO2膜との間に形成され
たセンダスト層、４，４は補強用のガラスであ
る。５はコイル巻装用の孔である。
ライト、２はギヤツプを形成するSiO2膜、３，
３は前記フエライトとSiO2膜との間に形成され
たセンダスト層、４，４は補強用のガラスであ
る。５はコイル巻装用の孔である。
一般にセンダスト合金、例えばFe85Al5.4Si9.6
などは優れた軟磁性特性をもつ高硬度材料である
が、高脆性であるため加工性が悪く、また非酸化
物金属材料であることから耐摩耗性及び耐蝕性の
面で問題がある。センダストについて、その組成
と磁気特性及び加工性との関係は、例えば日本金
属学会誌第46巻第12号1982年のP.1111〜1119にお
ける“Fe−Al−Si規則合金における２相分離”
或いは日本金属学会誌第47巻第４号1983年の
P.351〜358等の論文にも示されているように一般
にDO8（Fe8Si）規則格子構造をもつ組成、即ち原
子モル比にして Fe：（Al＋Si）＝３：１ の関係を満足する組成が優れた磁気特性を示すと
いわれている。そこで、本実施例では耐摩耗性、
耐蝕性及び加工性などを考慮して添加元素として
Crを用いてモル比にして、 （Fe＋Cr）：（Al＋Si）＝（2.5〜3.5）：１ を満足する組成のセンダストについてCrを０か
ら10重量％の範囲で変化させて、その磁気特性及
び溶着の際の泡の量について調べた。以下、その
詳細について説明する。
などは優れた軟磁性特性をもつ高硬度材料である
が、高脆性であるため加工性が悪く、また非酸化
物金属材料であることから耐摩耗性及び耐蝕性の
面で問題がある。センダストについて、その組成
と磁気特性及び加工性との関係は、例えば日本金
属学会誌第46巻第12号1982年のP.1111〜1119にお
ける“Fe−Al−Si規則合金における２相分離”
或いは日本金属学会誌第47巻第４号1983年の
P.351〜358等の論文にも示されているように一般
にDO8（Fe8Si）規則格子構造をもつ組成、即ち原
子モル比にして Fe：（Al＋Si）＝３：１ の関係を満足する組成が優れた磁気特性を示すと
いわれている。そこで、本実施例では耐摩耗性、
耐蝕性及び加工性などを考慮して添加元素として
Crを用いてモル比にして、 （Fe＋Cr）：（Al＋Si）＝（2.5〜3.5）：１ を満足する組成のセンダストについてCrを０か
ら10重量％の範囲で変化させて、その磁気特性及
び溶着の際の泡の量について調べた。以下、その
詳細について説明する。
まず、高周波マグネトロンを使用したスパツタ
リング法を用いて非磁性基板であるホトセラム上
に第９図に示した種々の組成のセンダストを5μm
厚で形成し4.5×4.5mmに切断してVSM（振動試料
型磁力計）を用いて面内方向に磁化した場合のＢ
−Ｈカーブを調べた。この結果を第９図及び第１
０図に示す。第９図に示されているようにセンダ
ストの組成によつて、その磁気特性は大きく異な
り、のようにSiの量が9.0wt％以下（wt％
は重量％を表わす）では初透磁率が小さく、一
方、抗磁力は大きいという如く磁気ヘツドに用い
る軟磁性材料としは全く適していない。また
の如くCrの量が6.0wt％以上では抗磁力が大き
い。そして、Siの量が9.0wt％以上で、Crの量が
6.0wt％以下では初透磁率は大きく、抗磁力は小
さいので、前記磁気ヘツドに用いる軟磁性膜とし
て適している。尚、センダストの膜厚は5μmと薄
膜としては厚いためセンダスト膜面内での磁気異
方性は認められなかつた。
リング法を用いて非磁性基板であるホトセラム上
に第９図に示した種々の組成のセンダストを5μm
厚で形成し4.5×4.5mmに切断してVSM（振動試料
型磁力計）を用いて面内方向に磁化した場合のＢ
−Ｈカーブを調べた。この結果を第９図及び第１
０図に示す。第９図に示されているようにセンダ
ストの組成によつて、その磁気特性は大きく異な
り、のようにSiの量が9.0wt％以下（wt％
は重量％を表わす）では初透磁率が小さく、一
方、抗磁力は大きいという如く磁気ヘツドに用い
る軟磁性材料としは全く適していない。また
の如くCrの量が6.0wt％以上では抗磁力が大き
い。そして、Siの量が9.0wt％以上で、Crの量が
6.0wt％以下では初透磁率は大きく、抗磁力は小
さいので、前記磁気ヘツドに用いる軟磁性膜とし
て適している。尚、センダストの膜厚は5μmと薄
膜としては厚いためセンダスト膜面内での磁気異
方性は認められなかつた。
次に、前記〜の組成のセンダストをMn−
Znフエライト上にスパツタリングして前記工程
に従つてヘツド化して、その記録再生特性及びガ
ラス溶着工程で発生する泡について調べた。その
結果を第９図、第１１図及び第１２図に示す。
Znフエライト上にスパツタリングして前記工程
に従つてヘツド化して、その記録再生特性及びガ
ラス溶着工程で発生する泡について調べた。その
結果を第９図、第１１図及び第１２図に示す。
第１２図においてはフエライトウエハに
スパツタリングによつてセンダスト層を形成した
ものを加工して形成した磁気ヘツドでメタルテー
プ（抗磁力Hc＝1300エルステツド）との相対速
度3.75m／secでの測定値である。更にはアジ
マスブレードを用いて製作したフエライトヘツド
でCorFe2O3テープとの相対速度6.9m／secで測定
した値である。この記録再生特性に関しては第１
０図のＢ−Ｈカーブと比較的よく一致している。
のように磁気特性の悪いセンダスト組成の
ヘツドは記録再生特性がフエライトヘツドのそれ
に比べて悪い。また、のようなヘツドの場合
はフエライトヘツドの場合に比べて左程悪くはな
いが、のように磁気特性が良い場合の
記録再生特性に比べると、あまり良くない。この
ようにセンダストの組成によつて記録再生特性は
大きく異なる。第１２図は一側として及び
のヘツドについて示してある。次に、ガラス１
７を溶着した後のテープ対接面の様子を示す第１
１図から分るようにSiの量によつて泡の量が大き
く変化しており、10wt％以下ではスパツタリン
グに起因する泡はない。尚、はフエライトヘツ
ドでギヤツプ形成用のSiO2を蒸着法で形成した
場合を示す。
スパツタリングによつてセンダスト層を形成した
ものを加工して形成した磁気ヘツドでメタルテー
プ（抗磁力Hc＝1300エルステツド）との相対速
度3.75m／secでの測定値である。更にはアジ
マスブレードを用いて製作したフエライトヘツド
でCorFe2O3テープとの相対速度6.9m／secで測定
した値である。この記録再生特性に関しては第１
０図のＢ−Ｈカーブと比較的よく一致している。
のように磁気特性の悪いセンダスト組成の
ヘツドは記録再生特性がフエライトヘツドのそれ
に比べて悪い。また、のようなヘツドの場合
はフエライトヘツドの場合に比べて左程悪くはな
いが、のように磁気特性が良い場合の
記録再生特性に比べると、あまり良くない。この
ようにセンダストの組成によつて記録再生特性は
大きく異なる。第１２図は一側として及び
のヘツドについて示してある。次に、ガラス１
７を溶着した後のテープ対接面の様子を示す第１
１図から分るようにSiの量によつて泡の量が大き
く変化しており、10wt％以下ではスパツタリン
グに起因する泡はない。尚、はフエライトヘツ
ドでギヤツプ形成用のSiO2を蒸着法で形成した
場合を示す。
以上のようにセンダストに含まれるSi及びCr
の量によつて、その特性が大きく変化する。これ
らの結果をまとめたのが、第９図である。
の量によつて、その特性が大きく変化する。これ
らの結果をまとめたのが、第９図である。
次に第１図の磁気ヘツドを製造する方法を述べ
ておく。
ておく。
まず、第２図に示すように回転シヤフト６を有
する第１基板７にフエライトウエハ８，８を取り
付ける。この取り付けは枠体（図示せず）にフエ
ライトウエハをそれぞれ取り付け、この枠体を、
第１基板７にネジ止めすることによつて行なう。
前記第１基板７に対向する第２基板９にはセンダ
ストターゲツト１０とSiO2ターゲツト１１を固
定する。１２は、スパツタリングの初期と定常時
とで各ターゲツト１０，１１から飛散する中性原
子の密度が異なるのを是正するため、特に作動開
始から一定時間中性原子の通過を阻止するスライ
ドシヤツタであり、定常動作時には第１基板７と
第２基板９間のスペースから除かれる。第２図の
装置は５mmTorr.程度の真空をなし、Arガス雰囲
気となつている。ターゲツト１０，１１は裏面に
電極を有し、これに高周波信号を与えてターゲツ
ト全体をマイナスになすとArガスの陽イオンが、
これに強く当たる。その結果、ターゲツトから中
性原子が発生し、対向するフエライトウエハに付
着する。前記中性原子は一般に真すぐ飛散する。
する第１基板７にフエライトウエハ８，８を取り
付ける。この取り付けは枠体（図示せず）にフエ
ライトウエハをそれぞれ取り付け、この枠体を、
第１基板７にネジ止めすることによつて行なう。
前記第１基板７に対向する第２基板９にはセンダ
ストターゲツト１０とSiO2ターゲツト１１を固
定する。１２は、スパツタリングの初期と定常時
とで各ターゲツト１０，１１から飛散する中性原
子の密度が異なるのを是正するため、特に作動開
始から一定時間中性原子の通過を阻止するスライ
ドシヤツタであり、定常動作時には第１基板７と
第２基板９間のスペースから除かれる。第２図の
装置は５mmTorr.程度の真空をなし、Arガス雰囲
気となつている。ターゲツト１０，１１は裏面に
電極を有し、これに高周波信号を与えてターゲツ
ト全体をマイナスになすとArガスの陽イオンが、
これに強く当たる。その結果、ターゲツトから中
性原子が発生し、対向するフエライトウエハに付
着する。前記中性原子は一般に真すぐ飛散する。
フエライトウエハに対するスパツタリングに際
し、まずセンダストターゲツト１０に高周波信号
を与えてセンダスト中性原子又はその塊を放出せ
しめ、対向するフエライトウエハ８にセンダスト
層を形成する。このセンダストは上述した組成を
有するものであることはいうまでもない。このセ
ンダスト層を成膜するスパータリングでは第１基
板７は回転しない。5μm程度の膜厚を形成するの
に回転すると著しく時間がかかつてしまうからで
ある。
し、まずセンダストターゲツト１０に高周波信号
を与えてセンダスト中性原子又はその塊を放出せ
しめ、対向するフエライトウエハ８にセンダスト
層を形成する。このセンダストは上述した組成を
有するものであることはいうまでもない。このセ
ンダスト層を成膜するスパータリングでは第１基
板７は回転しない。5μm程度の膜厚を形成するの
に回転すると著しく時間がかかつてしまうからで
ある。
次に、センダストターゲツト１０への高周波信
号の供給を断ち、SiO2ターゲツト１１に高周波
信号を与えて、SiO2のスパツタリングを行なう。
このときは第１基板７を回転させて行なう。この
方が膜厚の制御が行ない易いのと、SiO2膜の厚
みは0.1μm程度でよいので回転させて行なつても
時間があまりかからないからである。スパツタリ
ングが終つた後にフエライトウエハ８を取り出し
て第３図の如くトラツク幅規制溝１３を入れる。
第３図でＷはトラツク幅を示し、３はセンダスト
層、２はSiO2膜を示す。
号の供給を断ち、SiO2ターゲツト１１に高周波
信号を与えて、SiO2のスパツタリングを行なう。
このときは第１基板７を回転させて行なう。この
方が膜厚の制御が行ない易いのと、SiO2膜の厚
みは0.1μm程度でよいので回転させて行なつても
時間があまりかからないからである。スパツタリ
ングが終つた後にフエライトウエハ８を取り出し
て第３図の如くトラツク幅規制溝１３を入れる。
第３図でＷはトラツク幅を示し、３はセンダスト
層、２はSiO2膜を示す。
第４図は前記第３図のフエライトウエハ８に巻
線溝１４とガラス挿入溝１５を設けた場合を示
す。第５図は第３図の段階のフエライトウエハと
第４図の段階のフエライトウエハを組み合せてブ
ロツク１６を形成すると共に溶着ガラス１７をガ
ラス挿入溝１５に挿入した状態を示す。この溶着
ガラス１７を加圧・加熱条件下で溶かし一対のフ
エライトウエハ８，８を接合する。第６図はブロ
ツク１６を切断したものを示し、第７図はその前
方部をＲ付け研磨した場合を示す。第７図におい
てヘツドチツプ単位に分断することによつて第１
図の磁気ヘツドが得られる。第１図のヘツドは更
に、孔５を介してコイルが巻装される。
線溝１４とガラス挿入溝１５を設けた場合を示
す。第５図は第３図の段階のフエライトウエハと
第４図の段階のフエライトウエハを組み合せてブ
ロツク１６を形成すると共に溶着ガラス１７をガ
ラス挿入溝１５に挿入した状態を示す。この溶着
ガラス１７を加圧・加熱条件下で溶かし一対のフ
エライトウエハ８，８を接合する。第６図はブロ
ツク１６を切断したものを示し、第７図はその前
方部をＲ付け研磨した場合を示す。第７図におい
てヘツドチツプ単位に分断することによつて第１
図の磁気ヘツドが得られる。第１図のヘツドは更
に、孔５を介してコイルが巻装される。
第８図は本発明が適用された種々の磁気ヘツド
の形を、それらのテープ対接面からみた図であ
り、ａは前述した第１図に示す実施例であり、
ｂ，ｃ，ｄはその他の場合を示す。尚、記号はい
ずれも第１図で示す部分に対応する材料部分を表
わす。ｃ，ｄは第３図や第４図に示すようなトラ
ツク幅規制溝、巻線溝及びガラス挿入溝等を形成
した後で第２図に示すスパータリングを行なう順
序で形成された磁気ヘツドを示し、特に回転型消
去ヘツドとして利用されうる。
の形を、それらのテープ対接面からみた図であ
り、ａは前述した第１図に示す実施例であり、
ｂ，ｃ，ｄはその他の場合を示す。尚、記号はい
ずれも第１図で示す部分に対応する材料部分を表
わす。ｃ，ｄは第３図や第４図に示すようなトラ
ツク幅規制溝、巻線溝及びガラス挿入溝等を形成
した後で第２図に示すスパータリングを行なう順
序で形成された磁気ヘツドを示し、特に回転型消
去ヘツドとして利用されうる。
(ト) 発明の効果
本発明によれば、ガラス溶着時にセンダスト部
分から気泡が発生しないか又は殆んど無視し得る
程少ないので、ガラス表面に気泡跡が残つたりす
ることがなく信頼性に優れテープとの当接作用も
良好で特性が向上する。
分から気泡が発生しないか又は殆んど無視し得る
程少ないので、ガラス表面に気泡跡が残つたりす
ることがなく信頼性に優れテープとの当接作用も
良好で特性が向上する。
第１図は本発明を実施した磁気ヘツドの斜視図
であり、第２図、第３図、第４図、第５図、第６
図及び第７図はその製造手順を示す図である。第
８図は本発明の磁気ヘツドの種々の態様をテープ
対接面側からみた状態で示す図である。第９図は
本発明の磁気ヘツドと、本発明によらない磁気ヘ
ツドについてそれぞれ組成と各種特性の良否との
関係を示す図であり、第１０図は同様にＢ−Ｈ特
性を示す図、そして第１１図はその結晶構造を第
７図の如き状態でテープ対接面について示す写真
である。そして第１２図は周波数対再生出力の特
性を示す図である。 １ａ，１ｂ……フエライト、２……SiO2膜、
４……ガラス。
であり、第２図、第３図、第４図、第５図、第６
図及び第７図はその製造手順を示す図である。第
８図は本発明の磁気ヘツドの種々の態様をテープ
対接面側からみた状態で示す図である。第９図は
本発明の磁気ヘツドと、本発明によらない磁気ヘ
ツドについてそれぞれ組成と各種特性の良否との
関係を示す図であり、第１０図は同様にＢ−Ｈ特
性を示す図、そして第１１図はその結晶構造を第
７図の如き状態でテープ対接面について示す写真
である。そして第１２図は周波数対再生出力の特
性を示す図である。 １ａ，１ｂ……フエライト、２……SiO2膜、
４……ガラス。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ テープ当接面側からみてフロントギヤツプを
挟んで片側又は両側に金属磁性材料よりなる層を
付設してなる高固有抵抗磁性材料よりなる磁気コ
ア主要部を前記層が向い合うように配備し且つフ
ロントギヤツプ周辺のサイド部をガラスで補強し
てなる磁気ヘツドにおいて、前記金属磁性材料を
FewAlxSiyCrzなる組成のセンダスト合金とし、
ｗ，ｘ，ｙ，ｚは ｗ＋ｘ＋ｙ＋ｚ＝100 13≦ｘ＋ｙ≦17 ９≦ｙ≦10 ０＜ｚ≦６ を満足することを特徴とする磁気ヘツド ２ 前記層はスパツクリング法で形成されたもの
であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載の磁気ヘツド。 ３ 前記高固有抵抗材料はMn−Znフエライトで
あることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
の磁気ヘツド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60084817A JPS61243906A (ja) | 1985-04-19 | 1985-04-19 | 磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60084817A JPS61243906A (ja) | 1985-04-19 | 1985-04-19 | 磁気ヘツド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61243906A JPS61243906A (ja) | 1986-10-30 |
| JPH0565925B2 true JPH0565925B2 (ja) | 1993-09-20 |
Family
ID=13841291
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60084817A Granted JPS61243906A (ja) | 1985-04-19 | 1985-04-19 | 磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61243906A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0237510A (ja) * | 1988-07-27 | 1990-02-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気ヘッド |
-
1985
- 1985-04-19 JP JP60084817A patent/JPS61243906A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61243906A (ja) | 1986-10-30 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |