JPS60243810A - 磁気ヘツド - Google Patents
磁気ヘツドInfo
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- JPS60243810A JPS60243810A JP9975184A JP9975184A JPS60243810A JP S60243810 A JPS60243810 A JP S60243810A JP 9975184 A JP9975184 A JP 9975184A JP 9975184 A JP9975184 A JP 9975184A JP S60243810 A JPS60243810 A JP S60243810A
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- magnetic
- thin film
- magnetic head
- metal thin
- ferromagnetic metal
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- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3109—Details
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/187—Structure or manufacture of the surface of the head in physical contact with, or immediately adjacent to the recording medium; Pole pieces; Gap features
- G11B5/1871—Shaping or contouring of the transducing or guiding surface
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3109—Details
- G11B5/3116—Shaping of layers, poles or gaps for improving the form of the electrical signal transduced, e.g. for shielding, contour effect, equalizing, side flux fringing, cross talk reduction between heads or between heads and information tracks
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
し産業上の利用分野〕
本発明は磁気ヘッドに関するものであり、特に磁気ギャ
ップ近傍部が真空蒸着技術によって形成された強磁性金
属薄膜からなる所謂複合型の磁気ヘッドに関するもので
ある。
ップ近傍部が真空蒸着技術によって形成された強磁性金
属薄膜からなる所謂複合型の磁気ヘッドに関するもので
ある。
〔背景技術とその問題点］
例えばＶＴＲ（ビデオテープレコーダ）等の磁気記録再
生装置に３いては、記録信号の高密度化や高周波数化等
が進められており、この高密度記録化に対応して磁気記
録媒体として磁性粉にＦｅ。
生装置に３いては、記録信号の高密度化や高周波数化等
が進められており、この高密度記録化に対応して磁気記
録媒体として磁性粉にＦｅ。
Ｃｏ、Ｎｉ 等の強磁性金属の粉末を用いた所謂メタル
テープや強磁性金属材料を蒸着によりベースフィルム上
に被着した所謂蒸着テープ等が使用されるようになって
いる。そして、この種の磁気記録媒体は高い残留磁束密
度Ｂｒを有するために、記録再生に用いる磁気ヘッドの
ヘッド材料にも高い飽和磁束密度Ｂｓを有することが要
求されている。例えば、従来磁気ヘッド材料として多用
されているフェライト材では飽和磁束密度Ｂｓが低く、
また、パーマロイでは耐摩耗性に問題がある。
テープや強磁性金属材料を蒸着によりベースフィルム上
に被着した所謂蒸着テープ等が使用されるようになって
いる。そして、この種の磁気記録媒体は高い残留磁束密
度Ｂｒを有するために、記録再生に用いる磁気ヘッドの
ヘッド材料にも高い飽和磁束密度Ｂｓを有することが要
求されている。例えば、従来磁気ヘッド材料として多用
されているフェライト材では飽和磁束密度Ｂｓが低く、
また、パーマロイでは耐摩耗性に問題がある。
一方、上述の高密度記録化に伴なって、磁気記録媒体に
記録される記録トラックのトラック幅の狭小化も進めら
れており、これに対応して磁気ヘッドのトラック幅も極
めて狭いものが要求されている。
記録される記録トラックのトラック幅の狭小化も進めら
れており、これに対応して磁気ヘッドのトラック幅も極
めて狭いものが要求されている。
そこで従来、セラミックス等の非磁性基板上に強磁性金
属薄膜を被着形成しこれをトラック部分とした複合型磁
気ヘッドや、コア部がフェライトからなり磁気ギャップ
近傍部が強磁性金属薄膜力１らなる複合型磁気ヘッド等
、各種複合型磁気ヘットが提案されており、この種の磁
気ヘッドに使用される強磁性金属薄膜としてＦｅ、Ａｅ
、Ｓｌ を主成分とするセンダスト合金薄膜が注目を集
めている。
属薄膜を被着形成しこれをトラック部分とした複合型磁
気ヘッドや、コア部がフェライトからなり磁気ギャップ
近傍部が強磁性金属薄膜力１らなる複合型磁気ヘッド等
、各種複合型磁気ヘットが提案されており、この種の磁
気ヘッドに使用される強磁性金属薄膜としてＦｅ、Ａｅ
、Ｓｌ を主成分とするセンダスト合金薄膜が注目を集
めている。
このセンダスト合金薄膜は、高い飽和磁束密度Ｂｓ を
有し、比較的高硬度を有するので、上記メクルテープ等
のように高い残留磁束密度を有する磁気記録媒体に対し
ても適用することが可能である。
有し、比較的高硬度を有するので、上記メクルテープ等
のように高い残留磁束密度を有する磁気記録媒体に対し
ても適用することが可能である。
ところで、上述の強磁性金属薄膜を例えばスパッタ法に
より作製する場合には、ある条件下で得られる強磁性金
属薄膜に柱状構造が生起され、磁気的に優れた薄膜が得
られることが知られているが、特に上述の複合型磁気ヘ
ッドへの適用を見込んだ強磁性金属薄膜においては、形
成される膜の異方性を極力抑えるという観点から、上記
柱状構造は上記強磁性金属薄膜が被着される基板面に対
して垂直に生起させるほうが有利であると考えられてい
る。
より作製する場合には、ある条件下で得られる強磁性金
属薄膜に柱状構造が生起され、磁気的に優れた薄膜が得
られることが知られているが、特に上述の複合型磁気ヘ
ッドへの適用を見込んだ強磁性金属薄膜においては、形
成される膜の異方性を極力抑えるという観点から、上記
柱状構造は上記強磁性金属薄膜が被着される基板面に対
して垂直に生起させるほうが有利であると考えられてい
る。
し７１）シながら、このように基板面に対して柱状構造
が垂直となるように強磁性金属薄膜を成長させて得られ
る磁気ヘットにぢいては、スパッタ条件のわず力１な変
動や基板の配置位置等が上記柱状構造の成長に微妙な影
響を与え、得られる強磁性金属薄膜の透磁率が大きく変
動して上記磁気ヘッドの再生出力にバラツキを生ずると
いう欠点を有している。例えば、基板面に対して垂直に
成長させた強磁性金属薄膜を使用した磁気ヘッドにおい
ては、再生出力に６ｄＢ程度のバラツキを生じ、製造に
際しては歩留りが低下して量産性を悪くしたり製造コス
トを増大する等、好ましいものではない。
が垂直となるように強磁性金属薄膜を成長させて得られ
る磁気ヘットにぢいては、スパッタ条件のわず力１な変
動や基板の配置位置等が上記柱状構造の成長に微妙な影
響を与え、得られる強磁性金属薄膜の透磁率が大きく変
動して上記磁気ヘッドの再生出力にバラツキを生ずると
いう欠点を有している。例えば、基板面に対して垂直に
成長させた強磁性金属薄膜を使用した磁気ヘッドにおい
ては、再生出力に６ｄＢ程度のバラツキを生じ、製造に
際しては歩留りが低下して量産性を悪くしたり製造コス
トを増大する等、好ましいものではない。
そこで本発明は、上述の従来のものの有する欠点を解消
するために提案されたものであって、安定かつ優れた磁
気特性を有し、シフ１）も量産性に富んだ磁気ヘラ１へ
を提供することを目的とする。
するために提案されたものであって、安定かつ優れた磁
気特性を有し、シフ１）も量産性に富んだ磁気ヘラ１へ
を提供することを目的とする。
本発明者等は、上述の如き目的を達成するために長期に
亘り鋭意検討の結果、基板面に対して所定の角度をもっ
て傾斜して成長される強磁性金属薄膜が優れた特性を示
し、上述の磁気ヘッドに適用して好適であることを見出
し本発明を完成するに至ったものであって、基板上に真
空薄膜形成技術により強磁性金属薄膜が形成され、該強
磁性金属薄膜により磁気ギャップが形成されてなる磁気
−・ノドにおいて、上記強磁性金属薄膜の成長方向が上
記基板の法線に対して５°〜４５°傾斜していることを
特徴とするものである。
亘り鋭意検討の結果、基板面に対して所定の角度をもっ
て傾斜して成長される強磁性金属薄膜が優れた特性を示
し、上述の磁気ヘッドに適用して好適であることを見出
し本発明を完成するに至ったものであって、基板上に真
空薄膜形成技術により強磁性金属薄膜が形成され、該強
磁性金属薄膜により磁気ギャップが形成されてなる磁気
−・ノドにおいて、上記強磁性金属薄膜の成長方向が上
記基板の法線に対して５°〜４５°傾斜していることを
特徴とするものである。
本発明に８いて重要なことは、磁気ギャップを形成する
ための強磁性金属薄膜の柱状晶成長方向がこの薄膜が被
着される基板に対して所定の角度で傾斜していることで
ある。
ための強磁性金属薄膜の柱状晶成長方向がこの薄膜が被
着される基板に対して所定の角度で傾斜していることで
ある。
例えば、第１図は本発明が適用される複合型磁気ヘッド
の一例を示す外観斜視図であり、第２図はその磁気テー
プ摺接面を示す平面図である。この磁気ヘッドは、磁気
コア半体１，２が例えばＭｎ−Ｚｎ フェライトにより
形成され、例えば４５°の角度をもって傾斜するこれら
磁気コア半体１，２の突き合わせ面１ ａ 、 ’ｌ
ａにセンダスト合金薄膜である強磁性金属薄膜３，４が
被着形成されて。
の一例を示す外観斜視図であり、第２図はその磁気テー
プ摺接面を示す平面図である。この磁気ヘッドは、磁気
コア半体１，２が例えばＭｎ−Ｚｎ フェライトにより
形成され、例えば４５°の角度をもって傾斜するこれら
磁気コア半体１，２の突き合わせ面１ ａ 、 ’ｌ
ａにセンダスト合金薄膜である強磁性金属薄膜３，４が
被着形成されて。
これら強磁性金属薄膜３，４の当接面間がトランク幅Ｔ
ｗの磁気ギャップ５となるように構成されている。なお
、上記磁気ギャップ５を近傍部には、例えば高融点ガラ
ス等の非磁性材６，７が充填され、上記強磁性金属薄膜
３，４の摩耗を防止するようになされている。
ｗの磁気ギャップ５となるように構成されている。なお
、上記磁気ギャップ５を近傍部には、例えば高融点ガラ
ス等の非磁性材６，７が充填され、上記強磁性金属薄膜
３，４の摩耗を防止するようになされている。
ここで、上記強磁性金属薄］膜３，４の柱状晶成長方向
Ａは、上記磁気コア半体１，２の突き合わせ面１ａ、２
ａの法線方向Ｘに対してθなる角度で傾斜しているので
ある。
Ａは、上記磁気コア半体１，２の突き合わせ面１ａ、２
ａの法線方向Ｘに対してθなる角度で傾斜しているので
ある。
第３図は、本発明が適用される複合型磁気ヘッドの他の
例を示す外観斜視図であり、第４図は、その磁気テープ
摺接面を示す平面図である。この磁気ヘッドは、強磁性
金属薄膜８，９がそれぞれ非４Ｂ性ガード材１０．１１
によって挾み付けられ、これら強磁性金属薄膜８，９の
突き合わせ面が、これら金属簿膜８，９の厚さｔをトラ
ック幅とする磁気ギャップ１２となるように構成されて
いる。
例を示す外観斜視図であり、第４図は、その磁気テープ
摺接面を示す平面図である。この磁気ヘッドは、強磁性
金属薄膜８，９がそれぞれ非４Ｂ性ガード材１０．１１
によって挾み付けられ、これら強磁性金属薄膜８，９の
突き合わせ面が、これら金属簿膜８，９の厚さｔをトラ
ック幅とする磁気ギャップ１２となるように構成されて
いる。
この場合にも、上記強磁性金属薄膜８，９の柱状晶成長
方向Ｂは、これら強磁性金属薄膜８，９が被着される非
磁性ガード材ｉｏ、ｉ１の被着面１ｏａ、１１ａの法線
方向Ｙに対してθなる角度で傾斜しているのである。
方向Ｂは、これら強磁性金属薄膜８，９が被着される非
磁性ガード材ｉｏ、ｉ１の被着面１ｏａ、１１ａの法線
方向Ｙに対してθなる角度で傾斜しているのである。
このように、強磁性金属薄膜を磁気コア半休や非磁性カ
ード材等の基板の法線方向に対して所定の角度θをもっ
て傾斜して成長させることにより、得られる強磁性金属
薄膜の磁気特性は安定かつ優れたものとなり、したがっ
て磁気ヘッドの品質や性能も向上するのである。
ード材等の基板の法線方向に対して所定の角度θをもっ
て傾斜して成長させることにより、得られる強磁性金属
薄膜の磁気特性は安定かつ優れたものとなり、したがっ
て磁気ヘッドの品質や性能も向上するのである。
ところで、上記強磁性金属薄膜の柱状晶成長方向と基板
の法線方向とがなす角度θは、あまり小さすぎても、逆
に太きすぎても効果が得られず、本発明者等の実験によ
れば上記θはｒ〜４５°の範囲内であることが好、まし
いことが判明した。
の法線方向とがなす角度θは、あまり小さすぎても、逆
に太きすぎても効果が得られず、本発明者等の実験によ
れば上記θはｒ〜４５°の範囲内であることが好、まし
いことが判明した。
すなわち、上記θが５°未満では、得られる磁気ヘッド
の再生出力のバラツキが大きく、製造に際して歩留りが
低下し高価格なものとなってしまう。
の再生出力のバラツキが大きく、製造に際して歩留りが
低下し高価格なものとなってしまう。
逆に、θが４５″を越えると、柱状晶間の大きな空乏と
表面の著しい荒れのために強磁性金属薄膜の磁気特性は
著しく低下し、得られる磁気ヘッドは再生出力が小さな
ものとなってしまう。これに対して、上記θが５°〜４
ヂの範囲内にあるときには、斜入射のために柱状晶の成
長が固定され、わずかなスパッタ条件の変動や基板の配
置位置の違いにより磁気特性が大きく変わることはなく
、しかも斜め成長のために生ずる柱状晶間や柱状晶内の
粗密がスパッタ時、膜アニール時、ヘッド加工時に加わ
るひずみを分散させることにより、得られる磁気ヘッド
の再生出力は大きく、また出力のバラツキも２ｄＢ程度
に抑えられるのである。
表面の著しい荒れのために強磁性金属薄膜の磁気特性は
著しく低下し、得られる磁気ヘッドは再生出力が小さな
ものとなってしまう。これに対して、上記θが５°〜４
ヂの範囲内にあるときには、斜入射のために柱状晶の成
長が固定され、わずかなスパッタ条件の変動や基板の配
置位置の違いにより磁気特性が大きく変わることはなく
、しかも斜め成長のために生ずる柱状晶間や柱状晶内の
粗密がスパッタ時、膜アニール時、ヘッド加工時に加わ
るひずみを分散させることにより、得られる磁気ヘッド
の再生出力は大きく、また出力のバラツキも２ｄＢ程度
に抑えられるのである。
一方、上記強磁性金属薄膜の材質としては、上述のＦｅ
−Ａ＃ −８ｉ 系合金であるセンダスト合金の他に
、Ｆｅ”−Ａ＃系合金、Ｆｅ −８ｉ 系合金、パーマ
ロイ等でも同様の効果を得ることができる。
−Ａ＃ −８ｉ 系合金であるセンダスト合金の他に
、Ｆｅ”−Ａ＃系合金、Ｆｅ −８ｉ 系合金、パーマ
ロイ等でも同様の効果を得ることができる。
また、上記強磁性金属薄膜は、例えばフラノシー蒸着、
ガス中蒸着、イオンブレーティング、スパッタリング、
クラスター・イオンビーム法等に代表される真空薄膜形
成技術により作製されるが、その成長方向を制御する方
法としては、蒸発源に対して基板面を傾斜して配置する
方法や、蒸発源の周囲に基板を配置し斜め方向から飛来
する蒸発磁性材料を被着するようにする方法等が挙げら
れる。例えば、第５図は蒸発源に対して種々の角度で配
置される基板面に形成される強磁性金属薄膜の結晶構造
を示す電子顕微鏡写真であって、図中上方に位置する基
板上に、この基板面の法線方向に対して０°傾斜する強
磁性金属薄膜（図中右側〕、３０’傾斜する強磁性金属
薄膜（図中中央部〕、５０°傾斜する強磁性金属薄膜（
図中左側）が観察される。
ガス中蒸着、イオンブレーティング、スパッタリング、
クラスター・イオンビーム法等に代表される真空薄膜形
成技術により作製されるが、その成長方向を制御する方
法としては、蒸発源に対して基板面を傾斜して配置する
方法や、蒸発源の周囲に基板を配置し斜め方向から飛来
する蒸発磁性材料を被着するようにする方法等が挙げら
れる。例えば、第５図は蒸発源に対して種々の角度で配
置される基板面に形成される強磁性金属薄膜の結晶構造
を示す電子顕微鏡写真であって、図中上方に位置する基
板上に、この基板面の法線方向に対して０°傾斜する強
磁性金属薄膜（図中右側〕、３０’傾斜する強磁性金属
薄膜（図中中央部〕、５０°傾斜する強磁性金属薄膜（
図中左側）が観察される。
本発明が適用可能な磁気ヘットとしては、上述の各側ば
かりでなく、強磁性金属薄膜で磁気ギャップが形成され
る複合型の磁気ヘッドであれば如何なるものであっても
よく、例えば第６図に示ずように強磁性金属薄膜１３．
１４の磁気ギャップ１５近傍部のみを非磁性ガード材１
６．１７により挾み、それ以外をフェライト材等の強磁
性酸化くしたものや、第７図に示すように磁気ギャップ
２０近傍部のみを磁性材や非磁性ガート材等の基板２１
．２２に斜めに形成される強磁性金属薄膜２３．２４で
形成し、パックギャップ側の磁気コア半休２５．２６を
フェライト材等の磁性材料で形成したもの等が挙げられ
る。
かりでなく、強磁性金属薄膜で磁気ギャップが形成され
る複合型の磁気ヘッドであれば如何なるものであっても
よく、例えば第６図に示ずように強磁性金属薄膜１３．
１４の磁気ギャップ１５近傍部のみを非磁性ガード材１
６．１７により挾み、それ以外をフェライト材等の強磁
性酸化くしたものや、第７図に示すように磁気ギャップ
２０近傍部のみを磁性材や非磁性ガート材等の基板２１
．２２に斜めに形成される強磁性金属薄膜２３．２４で
形成し、パックギャップ側の磁気コア半休２５．２６を
フェライト材等の磁性材料で形成したもの等が挙げられ
る。
次に、本発明の具体的な実施例について説明するが、本
発明がこれら実施例に限定されるものでないことは言う
までもない。
発明がこれら実施例に限定されるものでないことは言う
までもない。
実施例１
まず、第８図に示すように、たとえばＭｎ−Ｚｎフェラ
イト等の強磁性酸化物基板３０の長手方向の一稜部に複
数の切溝３１を、回転砥石または電解エノチンク等によ
り複数形成した。すなわち、上記基板３０の上面３３は
磁気ギャップ形成面に対応し、上記切溝３１は基板３０
の磁気ギャップ形成位置近傍部に相当する部分に形成さ
れる。
イト等の強磁性酸化物基板３０の長手方向の一稜部に複
数の切溝３１を、回転砥石または電解エノチンク等によ
り複数形成した。すなわち、上記基板３０の上面３３は
磁気ギャップ形成面に対応し、上記切溝３１は基板３０
の磁気ギャップ形成位置近傍部に相当する部分に形成さ
れる。
つぎに、第９図に示すよう（乙上記切溝３１に重石よゼ
ら・７１すＡ尤神馳ネ備＋４−／７）九 １石ｔ３と前
面３４とを平面研摩した。
ら・７１すＡ尤神馳ネ備＋４−／７）九 １石ｔ３と前
面３４とを平面研摩した。
つぎに、第１０図に示すように、ガラス３２Ａを充填し
た上記切溝３１の一部とオーバラップするように上記−
稜部に切溝３１と隣り合う複数の切溝３５を形成した。
た上記切溝３１の一部とオーバラップするように上記−
稜部に切溝３１と隣り合う複数の切溝３５を形成した。
この時、形成される切溝３５の内壁面３６には、上記ガ
ラス３２Ａの一部が露出している。また、この内壁面３
６と上記上面３３との交線３１は、上記前面３４と直角
をなしている。また、この内壁面３６と上面３９３との
なす角度は、所要角度たとえば４ヂとなっている。
ラス３２Ａの一部が露出している。また、この内壁面３
６と上記上面３３との交線３１は、上記前面３４と直角
をなしている。また、この内壁面３６と上面３９３との
なす角度は、所要角度たとえば４ヂとなっている。
つぎ（０第１１図に示すように、上記基板３０の切溝３
５近傍に、スパッタ法を用いて、高透磁率合金のたとえ
ばセンダストを被着形成し、強磁性金属薄膜３８を形成
した。この時、上記強磁性金属薄膜３８が上記内壁面３
６上に所定の角度を有して成長するように、上記基板３
０の配置や傾斜角を変えてスパッタリンク装置内に配置
するようにした。
５近傍に、スパッタ法を用いて、高透磁率合金のたとえ
ばセンダストを被着形成し、強磁性金属薄膜３８を形成
した。この時、上記強磁性金属薄膜３８が上記内壁面３
６上に所定の角度を有して成長するように、上記基板３
０の配置や傾斜角を変えてスパッタリンク装置内に配置
するようにした。
つぎに、第１２図に示すように、上記金属薄膜３８が被
着された上記切溝３５に、上記ガラス３２よりも低融点
のガラス３９を溶融充填したのち、上面３３と前面３４
とを平面研摩し鏡面仕上げを行なった。この時、前の工
程で被着した上記金属薄膜３８の一部が上記切溝３５の
内壁面３６に残り１．この内壁面３６に強磁性金属薄膜
３８Ａが被着した状態となる。
着された上記切溝３５に、上記ガラス３２よりも低融点
のガラス３９を溶融充填したのち、上面３３と前面３４
とを平面研摩し鏡面仕上げを行なった。この時、前の工
程で被着した上記金属薄膜３８の一部が上記切溝３５の
内壁面３６に残り１．この内壁面３６に強磁性金属薄膜
３８Ａが被着した状態となる。
また、巻線溝側のコア半休を形成するために、第１２図
に示すように加工の施した強磁性酸化物基板３０に、巻
線溝４１を形成する溝加工を行ない、第１３図に示す強
磁性酸化物基板４０を得た。
に示すように加工の施した強磁性酸化物基板３０に、巻
線溝４１を形成する溝加工を行ない、第１３図に示す強
磁性酸化物基板４０を得た。
この基板４０で、切溝３１には高融点ガラス３２Ｂが溶
融充填され、切溝３５の内壁面には強磁性金属薄膜３８
Ｂが被着形成されている。
融充填され、切溝３５の内壁面には強磁性金属薄膜３８
Ｂが被着形成されている。
つぎに、上記基板３０の磁気ギャップ形成面となる上面
３３と上記基板４０の磁気ギャップ形成面となる上面４
２とを膜付けしたギャップスペーサを介して第１４図に
示すように突き合わせ、ガラス融着を行なった。その後
、基板３０と基板４０とを合体させたブロック４３をａ
’−ａ線、ａ −ａ線の位置でスライシング加工するこ
とで、複数個のヘッドチップを得ることができた。ここ
で、上記ギャップスペーサとしては、 Ｓｉｎｇ 、
Ｚｒ０ｚ。
３３と上記基板４０の磁気ギャップ形成面となる上面４
２とを膜付けしたギャップスペーサを介して第１４図に
示すように突き合わせ、ガラス融着を行なった。その後
、基板３０と基板４０とを合体させたブロック４３をａ
’−ａ線、ａ −ａ線の位置でスライシング加工するこ
とで、複数個のヘッドチップを得ることができた。ここ
で、上記ギャップスペーサとしては、 Ｓｉｎｇ 、
Ｚｒ０ｚ。
Ｔａ２’５． Ｃｒ等を用いることができる。
つぎに、上記ヘッドチップの磁気テープ摺接面を円筒研
摩することで、第１５図に示すような磁気ヘッドが得ら
れた。
摩することで、第１５図に示すような磁気ヘッドが得ら
れた。
上記強磁性金属薄膜３８Ａ、３８Ｂを被着形成する際の
基板３０．４０の配置を変えて、サンプル１〜サンプル
５及び比較サンプル１〜比較サンプル４を作製した。
基板３０．４０の配置を変えて、サンプル１〜サンプル
５及び比較サンプル１〜比較サンプル４を作製した。
得られた各サンプルそれぞれ１０個について再生出力を
測定した。なお、この再生出力の測定は、メタルテープ
を用い、相対速度３．５ｍ／ｓｅｃ、）ランク幅２０μ
、信号周波数１■ｈで行なった。結果を第１表に示す。
測定した。なお、この再生出力の測定は、メタルテープ
を用い、相対速度３．５ｍ／ｓｅｃ、）ランク幅２０μ
、信号周波数１■ｈで行なった。結果を第１表に示す。
第 １ 表
この第」表より、５ａ未満では出力のバラツキが大きく
、４８ゝ、５０°等の角度では出力が大幅に低下してし
まうことが分かる。
、４８ゝ、５０°等の角度では出力が大幅に低下してし
まうことが分かる。
実施例２
ターゲット５０に対して第１６図ないし第１９図に示す
ようにフォトセラムからなる非磁性ガード材１０あるい
は１１を配置し、強磁性金属薄膜（センダスト薄膜）を
スパッタにより被着して第３図及び第４図に示すような
磁気ヘッドを作製した。
ようにフォトセラムからなる非磁性ガード材１０あるい
は１１を配置し、強磁性金属薄膜（センダスト薄膜）を
スパッタにより被着して第３図及び第４図に示すような
磁気ヘッドを作製した。
得られた磁気へノドにおいて、上記非磁性ガード材１０
あるいは１１の法線と強磁性金属薄膜の成長方向とがな
す角度と磁気ヘッドの自己録再出力の関係を調べた。結
果を第２表に示す。なお、上記出力はメクルテープを使
用して相対速度３．５ｍ／ｓｅｃ、トラック幅２０μ、
信号周波数２■■で行ない、各１０個ずつ行なった。
あるいは１１の法線と強磁性金属薄膜の成長方向とがな
す角度と磁気ヘッドの自己録再出力の関係を調べた。結
果を第２表に示す。なお、上記出力はメクルテープを使
用して相対速度３．５ｍ／ｓｅｃ、トラック幅２０μ、
信号周波数２■■で行ない、各１０個ずつ行なった。
第２表
この第２表より、角度θを５°〜４５°とした場合（０
得られる磁気ヘットの出力も太）＜、バラツキも少ない
ことが明白である。
得られる磁気ヘットの出力も太）＜、バラツキも少ない
ことが明白である。
以上述べたように、本発明においては、磁気ギャップを
形成する強磁性金属薄膜の柱状晶成長方向を基板の法線
方向に対して所定の角度で斜めに傾斜させることにより
、バラツキが少なく、安定で、かつ優れたヘッド出力を
有する磁気ヘッドが量産性良く得られるのである。
形成する強磁性金属薄膜の柱状晶成長方向を基板の法線
方向に対して所定の角度で斜めに傾斜させることにより
、バラツキが少なく、安定で、かつ優れたヘッド出力を
有する磁気ヘッドが量産性良く得られるのである。
第１図は本発明が適用される磁気ヘッドの一例を示す外
観斜視図、第２図はその磁気テープ摺接面の要部平面図
、第３図は本発明が適用される磁気ヘッドの他の例を示
す外観斜視図、第４図はその磁気テープ摺接面の要部平
面図である。第５図は種々の角度で配置される基板面に
形成される強磁性金属薄膜の結晶構造を示す電子顕微鏡
写真である。 第６図は本発明が適用される磁気へメトのさらに他の例
を示す外観斜視図であり、第７図はさらに他の例を示す
外観斜視図である。 第８図ないし第１４図は本発明の一実施例を作す斜視図
であり、第１５図は得られる磁気ヘッドの構成を示す斜
視図である。 第１６図ないし第１９図は、本発明の他の実施例の磁気
ヘッド作製時の基板とターゲットの配置を示す概略側面
図である。 ３．４，８，９，１３，１４，２３，２４，３８Ａ；３
８Ｂ・・・・・・・・・・・・・・・強磁性金属薄膜特
許出願人 ソニー株式会社 代理人 弁理士 小 池 見 回 １） 村 榮 − 第１図 第２図 第３図 第４図 第６１ 第７図 第８図 ０ 第９図 第１０図 第１１図
観斜視図、第２図はその磁気テープ摺接面の要部平面図
、第３図は本発明が適用される磁気ヘッドの他の例を示
す外観斜視図、第４図はその磁気テープ摺接面の要部平
面図である。第５図は種々の角度で配置される基板面に
形成される強磁性金属薄膜の結晶構造を示す電子顕微鏡
写真である。 第６図は本発明が適用される磁気へメトのさらに他の例
を示す外観斜視図であり、第７図はさらに他の例を示す
外観斜視図である。 第８図ないし第１４図は本発明の一実施例を作す斜視図
であり、第１５図は得られる磁気ヘッドの構成を示す斜
視図である。 第１６図ないし第１９図は、本発明の他の実施例の磁気
ヘッド作製時の基板とターゲットの配置を示す概略側面
図である。 ３．４，８，９，１３，１４，２３，２４，３８Ａ；３
８Ｂ・・・・・・・・・・・・・・・強磁性金属薄膜特
許出願人 ソニー株式会社 代理人 弁理士 小 池 見 回 １） 村 榮 − 第１図 第２図 第３図 第４図 第６１ 第７図 第８図 ０ 第９図 第１０図 第１１図
Claims (1)
- 基板上に真空薄膜形成技術により強磁性金属薄膜が形成
され、°該強磁性金属薄膜により磁気ギャップが形成さ
れてなる磁気ヘッドにおいて、上記強磁性金属薄膜の成
長方向が上記基板の法線に対して５°〜４５°傾斜して
いることを特徴とする磁気ヘッド。
Priority Applications (9)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9975184A JPS60243810A (ja) | 1984-05-18 | 1984-05-18 | 磁気ヘツド |
| CA000470379A CA1236212A (en) | 1983-12-30 | 1984-12-18 | Magnetic transducer head with slanted thin film |
| AU37074/84A AU582736B2 (en) | 1983-12-30 | 1984-12-21 | Magnetic transducer head |
| GB08432443A GB2153581B (en) | 1983-12-30 | 1984-12-21 | Magnetic transducer heads |
| IT49363/84A IT1182707B (it) | 1983-12-30 | 1984-12-27 | Testa magnetica trasduttrice e metodo per la sua produzione |
| FR8420082A FR2558000B1 (fr) | 1983-12-30 | 1984-12-28 | Tete de transducteur magnetique. |
| DE3447700A DE3447700A1 (de) | 1983-12-30 | 1984-12-28 | Magnetischer wandlerkopf |
| AT4127/84A AT393566B (de) | 1983-12-30 | 1984-12-28 | Magnetwandlerkopf |
| NL8403971A NL194772C (nl) | 1983-12-30 | 1984-12-31 | Magnetische transducentkop, alsmede werkwijze voor het vervaardigen ervan. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9975184A JPS60243810A (ja) | 1984-05-18 | 1984-05-18 | 磁気ヘツド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60243810A true JPS60243810A (ja) | 1985-12-03 |
| JPH0522963B2 JPH0522963B2 (ja) | 1993-03-31 |
Family
ID=14255694
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9975184A Granted JPS60243810A (ja) | 1983-12-30 | 1984-05-18 | 磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60243810A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5496751A (en) * | 1993-05-07 | 1996-03-05 | Vlsi Technology, Inc. | Method of forming an ESD and hot carrier resistant integrated circuit structure |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS581821A (ja) * | 1981-06-29 | 1983-01-07 | Comput Basic Mach Technol Res Assoc | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
| JPS60160012A (ja) * | 1984-01-31 | 1985-08-21 | Canon Inc | 磁気ヘツドの製造方法 |
-
1984
- 1984-05-18 JP JP9975184A patent/JPS60243810A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS581821A (ja) * | 1981-06-29 | 1983-01-07 | Comput Basic Mach Technol Res Assoc | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
| JPS60160012A (ja) * | 1984-01-31 | 1985-08-21 | Canon Inc | 磁気ヘツドの製造方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5496751A (en) * | 1993-05-07 | 1996-03-05 | Vlsi Technology, Inc. | Method of forming an ESD and hot carrier resistant integrated circuit structure |
| US5631485A (en) * | 1993-05-07 | 1997-05-20 | Vlsi Technology, Inc. | ESD and hot carrier resistant integrated circuit structure |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0522963B2 (ja) | 1993-03-31 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |