JPS581821A - 薄膜磁気ヘツドの製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘツドの製造方法Info
- Publication number
- JPS581821A JPS581821A JP9966381A JP9966381A JPS581821A JP S581821 A JPS581821 A JP S581821A JP 9966381 A JP9966381 A JP 9966381A JP 9966381 A JP9966381 A JP 9966381A JP S581821 A JPS581821 A JP S581821A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- substrate
- magnetic field
- thin film
- magnetic core
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- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3109—Details
- G11B5/3116—Shaping of layers, poles or gaps for improving the form of the electrical signal transduced, e.g. for shielding, contour effect, equalizing, side flux fringing, cross talk reduction between heads or between heads and information tracks
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は励磁コイルと磁気コアから磁気回路を構成する
薄膜磁気ヘッドに於て、磁気コアを形成する方法に′関
するものである。
薄膜磁気ヘッドに於て、磁気コアを形成する方法に′関
するものである。
一般に薄膜磁気ヘッドの磁気コアをなす磁性膜は一定方
向に外部磁場を印加した状態で形成される。又一定方向
に外部磁場を印加した状態。
向に外部磁場を印加した状態で形成される。又一定方向
に外部磁場を印加した状態。
で磁性膜を形成する方法としてメッキ法、蒸着法、Ｕス
パッタ法、プレーナマグネトロン方式スバ、り法等が用
いられている。一方前記の薄膜磁気ヘッドは、第１図の
断面図に示す如く励磁コイル３と絶縁層９によりフロン
トキャップ部７とパックギャップ部８で段差５．６が生
じる形となる。前述した磁性膜形成方法の内この段差部
５．６での磁性膜（上部磁気コア戸の付きまわりが最も
優れた形成方法としてメッキ法かあ、げられる。第１図
においては１は基板２は下部磁性膜（下部磁気コア）で
ある。しかしながらメッキ法では腹の組成を均一にする
事が極めて困難であり、さらに膜の磁気特性を決定する
要因が多く製造条件が複雑となる欠点がある。又段差部
での膜の付きまわりが優れている点でプラネタリ−スパ
ッタ方式もあげられるが外部磁場を一定方向に印加させ
る点で問題がある。これに対し前述した駅スパッタ法あ
るいはマグネトロン方式スパッタ法は膜の形成方法が比
較的容易であり最近では磁性膜の形成方法にも多く用い
られている。これらスパッタ法を用いて磁性膜を形成す
る場合、第１図に示す段差部５．６の膜の付きまわりが
メッキ法に比べて劣る欠点がある。スパッタ法の製法上
段差部がかげの部分となる為、平坦部に比べ膜厚が薄く
なる。この段差部の平坦部に対する膜厚比は、ターゲッ
トの大きさ、ターゲットと基板との距離、下堆層による
段差傾斜角、段差高さ等の要因により異なる事が一般に
知られており発明者らの検討でも確認されている。一方
この段差部での磁性膜の膜厚が薄いと、薄膜磁気ヘッド
Ｅしてはこの部分で磁気的飽和が起こり電磁変換特性が
劣第２図は従来のスパッタによる製造方法の１例として
マグネトロンスパッタ方式を用いた場合のターゲットと
基板及び外部磁場との関係を示す簡略図であ′る。本ス
パッタ法を用いた場合段差部５，６の膜厚は前述した要
因によって異なるが、これら要因の内ターゲットの形状
及びターゲットと基板との距離はスパッタ装置全体構造
との兼ね合いで制限されるものである。又下地層の段差
傾きや段差高さは薄膜ａ気ヘッドとしての最適構造設計
から決められるものである。
パッタ法、プレーナマグネトロン方式スバ、り法等が用
いられている。一方前記の薄膜磁気ヘッドは、第１図の
断面図に示す如く励磁コイル３と絶縁層９によりフロン
トキャップ部７とパックギャップ部８で段差５．６が生
じる形となる。前述した磁性膜形成方法の内この段差部
５．６での磁性膜（上部磁気コア戸の付きまわりが最も
優れた形成方法としてメッキ法かあ、げられる。第１図
においては１は基板２は下部磁性膜（下部磁気コア）で
ある。しかしながらメッキ法では腹の組成を均一にする
事が極めて困難であり、さらに膜の磁気特性を決定する
要因が多く製造条件が複雑となる欠点がある。又段差部
での膜の付きまわりが優れている点でプラネタリ−スパ
ッタ方式もあげられるが外部磁場を一定方向に印加させ
る点で問題がある。これに対し前述した駅スパッタ法あ
るいはマグネトロン方式スパッタ法は膜の形成方法が比
較的容易であり最近では磁性膜の形成方法にも多く用い
られている。これらスパッタ法を用いて磁性膜を形成す
る場合、第１図に示す段差部５．６の膜の付きまわりが
メッキ法に比べて劣る欠点がある。スパッタ法の製法上
段差部がかげの部分となる為、平坦部に比べ膜厚が薄く
なる。この段差部の平坦部に対する膜厚比は、ターゲッ
トの大きさ、ターゲットと基板との距離、下堆層による
段差傾斜角、段差高さ等の要因により異なる事が一般に
知られており発明者らの検討でも確認されている。一方
この段差部での磁性膜の膜厚が薄いと、薄膜磁気ヘッド
Ｅしてはこの部分で磁気的飽和が起こり電磁変換特性が
劣第２図は従来のスパッタによる製造方法の１例として
マグネトロンスパッタ方式を用いた場合のターゲットと
基板及び外部磁場との関係を示す簡略図であ′る。本ス
パッタ法を用いた場合段差部５，６の膜厚は前述した要
因によって異なるが、これら要因の内ターゲットの形状
及びターゲットと基板との距離はスパッタ装置全体構造
との兼ね合いで制限されるものである。又下地層の段差
傾きや段差高さは薄膜ａ気ヘッドとしての最適構造設計
から決められるものである。
この様に別条性から段差部の膜厚を決定する要因が制限
される為ある制限下で段差部の膜厚を向上させる製造方
法が必要となる。
される為ある制限下で段差部の膜厚を向上させる製造方
法が必要となる。
本発明はスパッタ法あるいは蒸着法を用いて。
一定方向に外部磁場を印加した状態で磁性膜を形成する
方法に於【、前記段差部での平坦部に対する膜厚比を向
上させ前記の局部的な磁気的飽和の問題点を改善する膜
製造方法を提供することを目的とするものである。
方法に於【、前記段差部での平坦部に対する膜厚比を向
上させ前記の局部的な磁気的飽和の問題点を改善する膜
製造方法を提供することを目的とするものである。
本発明の特徴とするところは、磁気コアをスパッタ法あ
るいは蒸着法にて形成する場合、一定方向に外部磁場を
印加し、印加磁場方向と平行な回転軸上で薄膜素子を形
成する基板を任意の角度に傾斜させた状態でスパッタし
磁気コアを形成するところにある。
るいは蒸着法にて形成する場合、一定方向に外部磁場を
印加し、印加磁場方向と平行な回転軸上で薄膜素子を形
成する基板を任意の角度に傾斜させた状態でスパッタし
磁気コアを形成するところにある。
すなわち第３図（ａ）に示す如く外部印加磁場と膜面内
で直角をなす方向に任意の角度θだけ傾けた状態でスパ
ッタする事にあり、前記要因の白下地層（絶縁層）の段
差傾斜角を見掛は上小さくさせる事にある。この方法を
用いれば段差部の平坦部に対する膜厚比を向上させる事
は出来るが、第３図（ａ）の状態では基板を傾斜したま
ま固定させているのでターゲットに近い段差部５の膜厚
比は向上するが、反対側の段差部６で１は逆に低下する
事になる。そこで薄膜磁気ヘラ。
で直角をなす方向に任意の角度θだけ傾けた状態でスパ
ッタする事にあり、前記要因の白下地層（絶縁層）の段
差傾斜角を見掛は上小さくさせる事にある。この方法を
用いれば段差部の平坦部に対する膜厚比を向上させる事
は出来るが、第３図（ａ）の状態では基板を傾斜したま
ま固定させているのでターゲットに近い段差部５の膜厚
比は向上するが、反対側の段差部６で１は逆に低下する
事になる。そこで薄膜磁気ヘラ。
ドの構造設計によりあらかじめ良好な膜厚比を必要とす
る側の段差を決めておき、傾斜方向を定めればよい。
る側の段差を決めておき、傾斜方向を定めればよい。
又両段差共膜厚比を向上させる必要がある場合には第３
図（ｂ）の如く基板を任意の角度±θ度内で連続的又は
断続的に回転させながらスパッタすれば良い。
図（ｂ）の如く基板を任意の角度±θ度内で連続的又は
断続的に回転させながらスパッタすれば良い。
第４図は基板を傾けない従来のスパッタ法を用いた場合
、ある条件下（ターゲット形状等）での下地層の段差傾
斜角度と段差部の平坦部に対する膜厚比の相関を示した
図である。一方第５図は本発明を用いた場合の下地段差
傾斜角と前記の膜厚比の相関を表わす１例−Ｃある。尚
この図は基板傾斜角を±θ度内で連続的に変化させた場
合である。
、ある条件下（ターゲット形状等）での下地層の段差傾
斜角度と段差部の平坦部に対する膜厚比の相関を示した
図である。一方第５図は本発明を用いた場合の下地段差
傾斜角と前記の膜厚比の相関を表わす１例−Ｃある。尚
この図は基板傾斜角を±θ度内で連続的に変化させた場
合である。
この両図から明らかに基板を傾斜させる事により断差部
の平坦部に対する膜厚比が向上している事がわかる。
の平坦部に対する膜厚比が向上している事がわかる。
この様に本発明によれば、一定方向に外部磁場を印加し
た状態でスパッタあるいは蒸着法を用いて磁性膜を形成
する方法に於て前記段差部での平坦部に対する膜厚比を
向上させ全体の膜厚分布をより均一にする事が可能とな
りその結果電磁変換特性の良好な薄膜磁気ヘッドが得ら
れる。
た状態でスパッタあるいは蒸着法を用いて磁性膜を形成
する方法に於て前記段差部での平坦部に対する膜厚比を
向上させ全体の膜厚分布をより均一にする事が可能とな
りその結果電磁変換特性の良好な薄膜磁気ヘッドが得ら
れる。
第１図は本発明の対象となる薄膜磁気ヘッドの断面図、
第２図は従来のマグネトロン方式スパッタ法に於げる基
板、ターゲット及び外部印加磁場との関係を示す簡略図
、第５図（ａ）、（ｂ）は本発明に於ける基板、ターゲ
ット及び外部印加磁場との関係を示す簡略図、第４図は
従来のスパッタ法による下地層段差傾斜角と段差部の平
坦部に対するスパッタ膜の膜厚比の相関を示す図で、第
５図は本発明による相関を示す図である。 １・・・基板 ２・・・下部磁気コア３・・
・導体コイル ４・・・上部磁気コア５・・・フロ
ントキャップ側段差部 ６・・・パックキャップ側段差部 ７・・・フロントギャップ８・・・パックキャップ９・
・・絶縁層 １０・・・ターゲット１１−・・
外部印加磁場方向（紙面に垂直方向）代理人弁理士 薄
１）利 ？ １ 図
第２図は従来のマグネトロン方式スパッタ法に於げる基
板、ターゲット及び外部印加磁場との関係を示す簡略図
、第５図（ａ）、（ｂ）は本発明に於ける基板、ターゲ
ット及び外部印加磁場との関係を示す簡略図、第４図は
従来のスパッタ法による下地層段差傾斜角と段差部の平
坦部に対するスパッタ膜の膜厚比の相関を示す図で、第
５図は本発明による相関を示す図である。 １・・・基板 ２・・・下部磁気コア３・・
・導体コイル ４・・・上部磁気コア５・・・フロ
ントキャップ側段差部 ６・・・パックキャップ側段差部 ７・・・フロントギャップ８・・・パックキャップ９・
・・絶縁層 １０・・・ターゲット１１−・・
外部印加磁場方向（紙面に垂直方向）代理人弁理士 薄
１）利 ？ １ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 基板上に下部磁気コア、磁気ギャップ材、導電性薄
膜を形成して成る電気巻線、該電気巻線の上面を覆い電
気的絶縁を得る絶縁材、前記下部磁気コアと後端部で磁
気的に接続されかつ先端部に於て前記磁気ギャップ材を
介して下部磁気コアと対抗せしめる如く形成された磁性
薄膜片から成る上部磁気コアを形成して成る薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法に於て、前記磁気コアをスパッタ法ある
いは蒸着法にて形成する場合、一定方向に外部磁場を印
加し、印加磁場方向と平行な回転軸上で基板を任意の角
度に傾斜させた状態でスパッタし磁気コアを形成する事
を特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。 ２、基板の傾斜角を任意の角度内で連続的にあるいは断
続的に変化させながら磁気コアを形成することを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載の薄膜磁気ヘッドの製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9966381A JPS581821A (ja) | 1981-06-29 | 1981-06-29 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9966381A JPS581821A (ja) | 1981-06-29 | 1981-06-29 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS581821A true JPS581821A (ja) | 1983-01-07 |
Family
ID=14253273
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9966381A Pending JPS581821A (ja) | 1981-06-29 | 1981-06-29 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS581821A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60160012A (ja) * | 1984-01-31 | 1985-08-21 | Canon Inc | 磁気ヘツドの製造方法 |
| JPS60243810A (ja) * | 1984-05-18 | 1985-12-03 | Sony Corp | 磁気ヘツド |
| JPS61202314A (ja) * | 1985-03-04 | 1986-09-08 | Hitachi Ltd | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
| CN107142457A (zh) * | 2017-04-19 | 2017-09-08 | 电子科技大学 | 一种磁控溅射倾斜沉积镀膜装置 |
-
1981
- 1981-06-29 JP JP9966381A patent/JPS581821A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60160012A (ja) * | 1984-01-31 | 1985-08-21 | Canon Inc | 磁気ヘツドの製造方法 |
| JPS60243810A (ja) * | 1984-05-18 | 1985-12-03 | Sony Corp | 磁気ヘツド |
| JPH0522963B2 (ja) * | 1984-05-18 | 1993-03-31 | Sony Corp | |
| JPS61202314A (ja) * | 1985-03-04 | 1986-09-08 | Hitachi Ltd | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
| CN107142457A (zh) * | 2017-04-19 | 2017-09-08 | 电子科技大学 | 一种磁控溅射倾斜沉积镀膜装置 |
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