JPS63171412A - 電気的接続を簡単にする磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents
電気的接続を簡単にする磁気ヘッドの製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は磁気ヘッドの製造方法に関する。従来の磁気ヘ
ッドは薄いフィルムタイプからなり、水平的な構造を有
する。このようなヘッドはきわめて概略的に第１図にお
ける断面に示される。基層Ｓ上に、第一極片Ｐｌが設置
され、二つの部分８１゜Ｂ２例えば異なった面に位置す
る二つの補助的ならせん形の物によって構成されている
もの各々から形成されている巻き線が設置され、及び非
磁気的な空隙Ｅによって分離されている二つの部分にあ
る第二極片が設置されている。
ッドは薄いフィルムタイプからなり、水平的な構造を有
する。このようなヘッドはきわめて概略的に第１図にお
ける断面に示される。基層Ｓ上に、第一極片Ｐｌが設置
され、二つの部分８１゜Ｂ２例えば異なった面に位置す
る二つの補助的ならせん形の物によって構成されている
もの各々から形成されている巻き線が設置され、及び非
磁気的な空隙Ｅによって分離されている二つの部分にあ
る第二極片が設置されている。
記録又は読出される磁気トラックは空隙Ｅの前を通過す
る。ヘッドの後方に集積回路ＣＩがあり、これは巻き線
によって供給され又はそこへ送られる信号を処理するた
めに用いられる。
る。ヘッドの後方に集積回路ＣＩがあり、これは巻き線
によって供給され又はそこへ送られる信号を処理するた
めに用いられる。
簡単化された平面図である第２図は、二つの巻き線８１
．８２を二重らせんの形で及び空隙の両側に広げて示す
。このような水平構造を有するヘッドは、たとえば、ヨ
ーロッパの特許出願ＥＰ−Ａ−０１５２３２６に記述さ
れている。
．８２を二重らせんの形で及び空隙の両側に広げて示す
。このような水平構造を有するヘッドは、たとえば、ヨ
ーロッパの特許出願ＥＰ−Ａ−０１５２３２６に記述さ
れている。
本発明は、このようなヘッドに見られる種々の電気接続
を製造する方法に関するもので、つまり、種々の巻き線
間の接続（以下に“相互接続”という。）並びにこれら
の巻き線が設置されている平面及び集積回路が設置され
（以下に“内部接続”という。）る基層の後部の面との
間の接続を製造する方法に関する。相互接続はらせん形
の物の内の接触片及びらせん形の物の外の接触片を接続
することを可能にする手段からなっている。これらの相
互接線は第２図におけるトラックＣ１及びＣ２によって
表される。
を製造する方法に関するもので、つまり、種々の巻き線
間の接続（以下に“相互接続”という。）並びにこれら
の巻き線が設置されている平面及び集積回路が設置され
（以下に“内部接続”という。）る基層の後部の面との
間の接続を製造する方法に関する。相互接続はらせん形
の物の内の接触片及びらせん形の物の外の接触片を接続
することを可能にする手段からなっている。これらの相
互接線は第２図におけるトラックＣ１及びＣ２によって
表される。
本発明は、エツチングされた絶縁物を有し及び単一物質
によって充てんされた基層を準備することからなる簡単
、な方法を提案する。前述した物質は第一極片を形成す
るために磁気的でもあり、二つの相互接続トラック及び
基層を横切る伝導性の通路を構成するために電気的に伝
導性でもある。
によって充てんされた基層を準備することからなる簡単
、な方法を提案する。前述した物質は第一極片を形成す
るために磁気的でもあり、二つの相互接続トラック及び
基層を横切る伝導性の通路を構成するために電気的に伝
導性でもある。
コイルを形成し、第二極片を製造する以後の操作は在来
の性質からなり、相互接続及び内部接続を与える前述の
サブアセンブリを得た後に行われる。
の性質からなり、相互接続及び内部接続を与える前述の
サブアセンブリを得た後に行われる。
第３図は、絶縁又は半伝導性の特性２である基層（例え
ばシリコン）を示し、そして、将来の内部接続が二つの
基層面間に設置されている場所に孔４，６．８が作られ
る。孔８は後部に位置し、その断面は孔４及び８の軸を
通過するものとする。この後に完全な基層上及び孔４，
６．８で絶縁層ｌＯを製造するために、基層２の酸化が
行われる。
ばシリコン）を示し、そして、将来の内部接続が二つの
基層面間に設置されている場所に孔４，６．８が作られ
る。孔８は後部に位置し、その断面は孔４及び８の軸を
通過するものとする。この後に完全な基層上及び孔４，
６．８で絶縁層ｌＯを製造するために、基層２の酸化が
行われる。
第４図は、伝導層を付着後、たとえば多結晶シリコン１
２の付着に引続いてタングステン付着１４によって得ら
れる集合物を示す。どんな他の金属を使用することも可
能であり、この金属は蒸気相で付着され又はどんな他の
方法でも、例えば電気メッキで付着される。
２の付着に引続いてタングステン付着１４によって得ら
れる集合物を示す。どんな他の金属を使用することも可
能であり、この金属は蒸気相で付着され又はどんな他の
方法でも、例えば電気メッキで付着される。
基層面の一つの面上に、絶縁層１６が付着され、たとえ
ば、プラズマを補助として化学的蒸発付着（ＣＶＯ）に
よって得られる。この絶縁層１６はエツチングされ、一
方で、基層の一つの面から他の面への内部接続のための
将来の接触片の位置で上部の孔４．６及び８、領域１８
．２０及び２２を得て、そして他方、将来の第一極片の
位置で長方形の四部２４を得て、そして最終的には２つ
の０８字形の細長い小さな穴２６．２８であって一つは
側面のうちの一つのそばの凹部を通過し、他は、他の側
面のそばの凹部を通過するものを得てエツチングは伝導
層１２゜１４がさらされる（第５図）まで続けられる。
ば、プラズマを補助として化学的蒸発付着（ＣＶＯ）に
よって得られる。この絶縁層１６はエツチングされ、一
方で、基層の一つの面から他の面への内部接続のための
将来の接触片の位置で上部の孔４．６及び８、領域１８
．２０及び２２を得て、そして他方、将来の第一極片の
位置で長方形の四部２４を得て、そして最終的には２つ
の０８字形の細長い小さな穴２６．２８であって一つは
側面のうちの一つのそばの凹部を通過し、他は、他の側
面のそばの凹部を通過するものを得てエツチングは伝導
層１２゜１４がさらされる（第５図）まで続けられる。
二重の伝導層１２．１４を電極として使用して、伝導的
、磁気的金属例えばＦｅ−Ｎｉ合金は電解的に付着され
る。このようにして、領域１８．２０及び３６において
、中空の伝導片３２．３４ ＆び３６、第一磁気片３８
並びに二つの相互接続トラック４０．４２が形成される
。これらの伝導性要素は第６図に示され、その厚さは１
ミクロンと数ミクロンの間にある。
、磁気的金属例えばＦｅ−Ｎｉ合金は電解的に付着され
る。このようにして、領域１８．２０及び３６において
、中空の伝導片３２．３４ ＆び３６、第一磁気片３８
並びに二つの相互接続トラック４０．４２が形成される
。これらの伝導性要素は第６図に示され、その厚さは１
ミクロンと数ミクロンの間にある。
第７図は、第−面上及び伝導片において、絶縁層４４の
付着に続き、前述の最終の絶縁層４４、絶縁層１６及び
金属層１２．１４によって形成される集合物をエツチン
グする補足段階を示す。これは、内部接続片３２，３４
．３６の周囲の細い溝４６、相互接続トラック４２の周
囲の細い溝４８及び他の相互接続トラック４０の周囲の
細い溝５０に至る。
付着に続き、前述の最終の絶縁層４４、絶縁層１６及び
金属層１２．１４によって形成される集合物をエツチン
グする補足段階を示す。これは、内部接続片３２，３４
．３６の周囲の細い溝４６、相互接続トラック４２の周
囲の細い溝４８及び他の相互接続トラック４０の周囲の
細い溝５０に至る。
これは、細い溝４６，４８．７０ （第７図）に含めて
、第一面上の絶縁材５２（たとえばポリマー）の付着に
よって続けられる。この絶縁材５２は、第一極片、相互
接続トラック４０．４２及び内部接続片３２゜３４の出
現までエツチングされる。絶縁防護環５４は内部接続片
３２．３４の周囲に残される。これは、第９図における
断面に及び第１０図における平面図に示されるハーフア
センブリを与え、前述した平坦である部分品半組立を与
える。コイルの形成によってヘッドを完成すること及び
第二極片を製造することの問題がある。この目的のため
には、どんなに知られた方法も使用し得る。第１１図か
ら第１３図は、若干の可能な操作を示すが、極片３８は
基層の残部に関して絶縁されていなく、それゆえ技術的
過程の残部に対して電極として役立ち続けうることを知
って、他の操作が想像されつる。
、第一面上の絶縁材５２（たとえばポリマー）の付着に
よって続けられる。この絶縁材５２は、第一極片、相互
接続トラック４０．４２及び内部接続片３２゜３４の出
現までエツチングされる。絶縁防護環５４は内部接続片
３２．３４の周囲に残される。これは、第９図における
断面に及び第１０図における平面図に示されるハーフア
センブリを与え、前述した平坦である部分品半組立を与
える。コイルの形成によってヘッドを完成すること及び
第二極片を製造することの問題がある。この目的のため
には、どんなに知られた方法も使用し得る。第１１図か
ら第１３図は、若干の可能な操作を示すが、極片３８は
基層の残部に関して絶縁されていなく、それゆえ技術的
過程の残部に対して電極として役立ち続けうることを知
って、他の操作が想像されつる。
第１１図は、以前に記述した操作で、絶縁層６゜の付着
に続くものの結果として得られた部分品半組立を示す。
に続くものの結果として得られた部分品半組立を示す。
前述した絶縁材において、二つのらせん状で対称な細長
い小さな穴６２．６４は、第一極片（第１２図）の両側
でエツチングされる。金属は、このようにエツチングさ
れた絶縁材上に付着され、この絶縁材は二つの補助的伝
導性のらせん形の物６６．６８．７０．７２を、磁気片
３８の両側に、第１３図に示すように生じさせる。これ
らのらせん形の物は、二つの異なった面、６６．７０
＆び６８，７２上に設置される。これらのらせん形の物
はそれぞれ、相互接続を確実にするトラック４０．４２
と接触する。
い小さな穴６２．６４は、第一極片（第１２図）の両側
でエツチングされる。金属は、このようにエツチングさ
れた絶縁材上に付着され、この絶縁材は二つの補助的伝
導性のらせん形の物６６．６８．７０．７２を、磁気片
３８の両側に、第１３図に示すように生じさせる。これ
らのらせん形の物は、二つの異なった面、６６．７０
＆び６８，７２上に設置される。これらのらせん形の物
はそれぞれ、相互接続を確実にするトラック４０．４２
と接触する。
第１４図は、絶縁層７４が付着された後に、２っの深溝
７６．７８が第一磁気片３８の端の一つを自由にするた
めにエツチングされた後に、及び第一層３８と接触する
磁気層８０の付着後に得られた完全なヘッドを示す。
７６．７８が第一磁気片３８の端の一つを自由にするた
めにエツチングされた後に、及び第一層３８と接触する
磁気層８０の付着後に得られた完全なヘッドを示す。
このような操作は、前述のヨーロッパ特許に記述されて
いる。
いる。
この方法と相違するものには、初期において、伝導層１
２．１４に基づき、単に充てんした孔１８．２０及び２
２を、上述したように、マスクによって限定されたそれ
らの位置を含む。化学的なエツチングは表面を平坦化す
ることを可能にする。続いて、伝導層をカソードスパッ
タリングによって付着された別の金属層で補強し、上述
の方法の残部と共に継続することは可能である。磁気的
、伝導的物質をもつ孔を全て充てんすることは２つの目
的を果し得るものであり、第一には全体の板にわたって
、均一電流の取入口をもつことであり、第二には磁気チ
ャンネルとして前述した相互接続を任意に使用すること
である。
２．１４に基づき、単に充てんした孔１８．２０及び２
２を、上述したように、マスクによって限定されたそれ
らの位置を含む。化学的なエツチングは表面を平坦化す
ることを可能にする。続いて、伝導層をカソードスパッ
タリングによって付着された別の金属層で補強し、上述
の方法の残部と共に継続することは可能である。磁気的
、伝導的物質をもつ孔を全て充てんすることは２つの目
的を果し得るものであり、第一には全体の板にわたって
、均一電流の取入口をもつことであり、第二には磁気チ
ャンネルとして前述した相互接続を任意に使用すること
である。
第１図は、水平構造を有する磁気ヘッドの概略的断面、
第２図は同ヘッドの平面図、
第３図は発明に対応する方法の第１段階、第４図はこの
方法の第２段階、 第５図はこの方法の第３段階、 第６図はこの方法の第４段階、 第７図はこの方法の第５段階、 第８図はこの方法の第６段階、 第９図はこの方法の第７段階、 第１０図は第７段階後に得られた部分品半組立の平面図
、 第１１図は第８段階、 第１２図は第９段階、 第１３図は第１０段階、 第１４図は最終的に得られるヘッドの断面である。 Ｓ：基層、 Ｐｌ：第一極片、 Ｐｌ：第二極片、 Ｂｌ、Ｂ２ ：＠き線、Ｅ：非磁
気的な空隙、 （：Ｉ、Ｃ２： トラック、２ ：基層、４．６，８
：孔、 ｌ吐絶縁層、１２：多結晶シリコンの付着
、 １４：タングステンの付着、 １６：絶縁層、 １８，２０，２２ ：領域、２４
：長方形の凹部、 ３２．３４．３６ ：中空の伝導片、 ３８：第一磁気片、 ４０，４２ ：内部接続トラッ
ク、４４：絶縁層、 ４６，４８，５０ ：細い溝
、５２：絶縁物、 ５４：絶縁防護環、５６．５８
：相互接続トラック、 ６０：絶縁層、 ６２．６４ ：らせん形で、対称な細長い小さな穴、６
６．６８．７０，７２ ：補助的で、伝導的ならせん形
の物、 ７４：絶縁層、 ７６．７８ ：深溝、（８０）
、８１，８２ ：磁気層、 ８４：非磁気的な空隙。 手 続 補 正 書 （方 式）昭和６３
年 １月２８日
方法の第２段階、 第５図はこの方法の第３段階、 第６図はこの方法の第４段階、 第７図はこの方法の第５段階、 第８図はこの方法の第６段階、 第９図はこの方法の第７段階、 第１０図は第７段階後に得られた部分品半組立の平面図
、 第１１図は第８段階、 第１２図は第９段階、 第１３図は第１０段階、 第１４図は最終的に得られるヘッドの断面である。 Ｓ：基層、 Ｐｌ：第一極片、 Ｐｌ：第二極片、 Ｂｌ、Ｂ２ ：＠き線、Ｅ：非磁
気的な空隙、 （：Ｉ、Ｃ２： トラック、２ ：基層、４．６，８
：孔、 ｌ吐絶縁層、１２：多結晶シリコンの付着
、 １４：タングステンの付着、 １６：絶縁層、 １８，２０，２２ ：領域、２４
：長方形の凹部、 ３２．３４．３６ ：中空の伝導片、 ３８：第一磁気片、 ４０，４２ ：内部接続トラッ
ク、４４：絶縁層、 ４６，４８，５０ ：細い溝
、５２：絶縁物、 ５４：絶縁防護環、５６．５８
：相互接続トラック、 ６０：絶縁層、 ６２．６４ ：らせん形で、対称な細長い小さな穴、６
６．６８．７０，７２ ：補助的で、伝導的ならせん形
の物、 ７４：絶縁層、 ７６．７８ ：深溝、（８０）
、８１，８２ ：磁気層、 ８４：非磁気的な空隙。 手 続 補 正 書 （方 式）昭和６３
年 １月２８日
Claims (2)
- （１）絶縁基層（２）において、基層の二つの面の間の
将来の内部接続が設置される場所で孔（４、６、８）が
作られ、 絶縁層（１０）を基層の全面で及び孔（４、６、８）に
おいて生成するために前述の基層（２）を酸化し、 伝導層（１２、１４）を完全な基層上に孔を含めて付着
し、 絶縁層（１６）を、基層面の一つ面上に付着し、前述の
絶縁層（１６）をエッチングし、二つの基層面間の内部
接続に対する将来の接触片の場所で、上部の孔（４、６
、８）、領域（１８、２０、２２）を限定し、将来の第
一極片の場所で長方形の凹部を限定し、及び二つのＵ字
形の細長い小さな穴 （２６、２８）であって、一つは側面のうちの一つのそ
ばの凹部を通過し、他は、他の側面のそばの凹部を通過
するものを限定し、伝導層（１２、１４）をさらすエッ
チング操作をし、 伝導層（１２、１４）を電極として使用し、伝導的・磁
気的金属は電解的に付着され、領域（１８、２０、２２
）において、孔（４、６、８）の上に及びおいて、中空
の伝導片（３２、３４、３６）、第一磁気片（３８）及
び二つの相互接続トラック（４０、４２）を形成し、 絶縁層（４４）を、第一面上に及び伝導片において付着
し、 前述の後者の絶縁層（４４）、絶縁層（１６）及び金属
層（１２、１４）によって形成される集合物をエッチン
グし、内部接続片（３２、３４、３６）の周囲の細い溝
（４６）、相互接続トラック（４２）の一つの周囲の細
い溝（４８）及び他の相互接続トラック（４４）の周囲
の細い溝（５０）を形成し、 絶縁材（５２）を第一面上に、細い溝（４６、４８、５
０）内に含めて付着し、 前述の絶縁材（５２）をエッチングし、第一極片（３８
）、相互接続トラック（４０、４２）及び内部接続片（
３２、３４）を出現させ、 絶縁防護環が内部接続片（５４）及び２つの相互接続ト
ラックの周囲に残され、 前述の部分品半組立上に、巻き線を形成し、第一のもの
と接触し空隙を有する第二極片を形成することを特徴と
する薄いフィルム形で、水平構造である読み書き磁気ヘ
ッドの製造方法。 - （２）絶縁層（６０）を部分品半組立上に付着し、 前述の絶縁物において、第一極片の両側面上の対称的な
らせん形の物の形における２つの細長い小さな穴（６２
、６４）をエッチングし、この方法でエッチングされた
完全な絶縁物上に、磁気片の両側面に２つの補助的伝導
性のらせん形の物（６６、６８、７０、７２）を生じさ
せる金属を付着し、前述のらせん形の物が２つの異なっ
た平面（６６、７０）と（６８、７２）に設置され、前
述のらせん形の物は、相互接続を確実にするトラック（
４０、４２）に各々接触し、 集合物上に２つの深溝（７６、７８）を形成するために
エッチングされた絶縁層（７４）を設置し、各深溝は、
第一磁気片（３８）の端の一つを自由にし、 第一層（３８）と接触し及び非磁気的な空隙（８４）に
よって分離される２つの部分（８１、８２）を有する磁
気層（８０）を付着し、コイル及び第二極片を形成する
操作に特徴を有し、特許請求の範囲第（１）項記載の磁
気ヘッドの製造方法。
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| FR8615224 | 1986-10-31 | ||
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|---|---|
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