JPS5868212A - 薄膜磁気ヘツド - Google Patents
薄膜磁気ヘツドInfo
- Publication number
- JPS5868212A JPS5868212A JP16515281A JP16515281A JPS5868212A JP S5868212 A JPS5868212 A JP S5868212A JP 16515281 A JP16515281 A JP 16515281A JP 16515281 A JP16515281 A JP 16515281A JP S5868212 A JPS5868212 A JP S5868212A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductive layer
- ground line
- layer
- insulating layer
- thin film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は強磁性体薄膜を用い、蒸着、スパッタ等の薄膜
作成技術及び化学エツチング、プラズマエツチング等の
微細加工技術によって作成される薄膜磁気ヘッドに関し
、特に記録用磁気ヘッドに用いられる巻線型薄膜磁気ヘ
ッドに関する。
作成技術及び化学エツチング、プラズマエツチング等の
微細加工技術によって作成される薄膜磁気ヘッドに関し
、特に記録用磁気ヘッドに用いられる巻線型薄膜磁気ヘ
ッドに関する。
一般に高密度の記録を達成するために、記録ヘッドの狭
ギヤツプ化、狭トラツク化を施こすとともに高保磁力の
磁電記録媒体を用いて記録することが行なわれる。しか
しこの様なヘッド構造及び記録媒体を用いて記録する場
合、記録電流を上げる必要があるがあまり電流を上げす
ぎると発熱の問題が生ずるので発熱を低下させるために
マルチターン化して記録電流を下げることが行なわれて
いる。
ギヤツプ化、狭トラツク化を施こすとともに高保磁力の
磁電記録媒体を用いて記録することが行なわれる。しか
しこの様なヘッド構造及び記録媒体を用いて記録する場
合、記録電流を上げる必要があるがあまり電流を上げす
ぎると発熱の問題が生ずるので発熱を低下させるために
マルチターン化して記録電流を下げることが行なわれて
いる。
一方、狭トラツク化によってチンツブを小さくした場合
グランドラインを全トラックで共通に設ける共通グラン
ド方式が必要となるが、この共通グランド方式では、グ
ランドライン上を流れる記録電流がトランク総数だけ増
加する為、発熱の問題が生ずる。更に共通グランドライ
ンが各トラックの共通抵抗となり、記録電流が非記録ト
ラックへ分流するために、クロストーク問題も生じ記録
効率が低下［７た。
グランドラインを全トラックで共通に設ける共通グラン
ド方式が必要となるが、この共通グランド方式では、グ
ランドライン上を流れる記録電流がトランク総数だけ増
加する為、発熱の問題が生ずる。更に共通グランドライ
ンが各トラックの共通抵抗となり、記録電流が非記録ト
ラックへ分流するために、クロストーク問題も生じ記録
効率が低下［７た。
本発明は以上の従来問題点に鑑みなされたものであって
、グランドラインの低抵抗化を容易な製造手順にて達成
し、もってヘッドにおける発熱とクロストークを低減化
することを目的とする。
、グランドラインの低抵抗化を容易な製造手順にて達成
し、もってヘッドにおける発熱とクロストークを低減化
することを目的とする。
以下本発明に係る薄膜磁電ヘッドの製造方法の一実施例
を図面を参照して詳細に説明する。
を図面を参照して詳細に説明する。
第１図、第２図及び第３図は本発明に係る薄膜磁気ヘッ
ドの一実施例の製造工程を示すものである。
ドの一実施例の製造工程を示すものである。
第１図に示す構造を製造するまでの工程を説明する。
まず下側の磁気コアを形成するＮｉ−Ｚｎフェライト等
の強磁性体基板１上にＳｉＯ２等の第１の絶縁響２をス
パッタ等を用いて形成する。次に前記第１の絶縁＠２上
に銅等の導電＠３を真空蒸着、スパッタ等を用いて形成
し、前記導電層３を目的の微細パターン形状に化学エツ
チング等にて加工する。次に前記導電層３を一方の電極
としてメッキ法により銅等の第１の導電＠４を１μ程度
積饗する。次に前記第１の導電＠４上に５ｉ（ｈ等の第
２の絶縁＠５をスパッタ等により１μ〜２μ程度形成す
る。そして、共通グランドライン部ａ、前記第１の導電
層によってなる巻線の接続部す及びフロントギャップ部
Ｃの前記第２の絶縁＠５をプラズマエツチング等により
除去する。以上の工程にて第１図の構造までが形成され
る。
の強磁性体基板１上にＳｉＯ２等の第１の絶縁響２をス
パッタ等を用いて形成する。次に前記第１の絶縁＠２上
に銅等の導電＠３を真空蒸着、スパッタ等を用いて形成
し、前記導電層３を目的の微細パターン形状に化学エツ
チング等にて加工する。次に前記導電層３を一方の電極
としてメッキ法により銅等の第１の導電＠４を１μ程度
積饗する。次に前記第１の導電＠４上に５ｉ（ｈ等の第
２の絶縁＠５をスパッタ等により１μ〜２μ程度形成す
る。そして、共通グランドライン部ａ、前記第１の導電
層によってなる巻線の接続部す及びフロントギャップ部
Ｃの前記第２の絶縁＠５をプラズマエツチング等により
除去する。以上の工程にて第１図の構造までが形成され
る。
次に第２図に示す構造を製造するまでの工程を説明する
。
。
前記第２の絶縁脣５上にＣｕ等の導電１６を真空蒸着等
を用いて形成し、該導電＠６を共通グランドライン部ａ
のパターン形状及びシグナルライン部ｄのパターン形状
に化学エツチング等を用いて加ＩＬ、更に加工後の前記
導電＠６を一方の電極としてメッキ法によりＣｕ等の第
２の導電＠７を４μ〜５μ程度積層し不要部分を除去し
シグナルライン及び共通グランドラインとする。
を用いて形成し、該導電＠６を共通グランドライン部ａ
のパターン形状及びシグナルライン部ｄのパターン形状
に化学エツチング等を用いて加ＩＬ、更に加工後の前記
導電＠６を一方の電極としてメッキ法によりＣｕ等の第
２の導電＠７を４μ〜５μ程度積層し不要部分を除去し
シグナルライン及び共通グランドラインとする。
以北の様にして第２図の構造が形成される。
次に第３図に示す構造を製造するまでの工程を説明する
。
。
ｆｎｌ記シグナルライン部ｄ及び共通グランドライン部
ａ上に５ｉ０２等の第３の絶縁＠８をスパッタ等を用い
て形成し、所定パターンに加工する。
ａ上に５ｉ０２等の第３の絶縁＠８をスパッタ等を用い
て形成し、所定パターンに加工する。
そのＬにＮｉ−Ｆｅ等の強磁性体＠９を被覆（７前記強
磁性体基板１とで磁気コアを構成する。最後に前記第３
の絶縁＠８の共通グランドライン上の一部をプラズマエ
ツチング等を用いて窓１０あけすることにより第３図に
示す薄膜ヘッドが完成する。
磁性体基板１とで磁気コアを構成する。最後に前記第３
の絶縁＠８の共通グランドライン上の一部をプラズマエ
ツチング等を用いて窓１０あけすることにより第３図に
示す薄膜ヘッドが完成する。
上記製造の結果、共通グランドラインの膜厚は前記第１
の導電＠４の膜厚と前記第２の導電層７の膜厚を加えた
膜厚となり、第１の導電＠４のみの場合と比較して４〜
５倍の膜厚となる。抵抗値は膜厚に逆比例するので前記
共通グランドラインの抵抗値は前記第１の導電層のみの
場合と比較してＶ４〜Ｖ５程度となる、よって発熱量は
Ｖ４〜４程度に低減できる。又、前記した様に共通グラ
ンドラインの抵抗値がイル几程度になることから信号電
流の他のトラックへの分流値も低減でき、クロストーク
の問題も解決できる。
の導電＠４の膜厚と前記第２の導電層７の膜厚を加えた
膜厚となり、第１の導電＠４のみの場合と比較して４〜
５倍の膜厚となる。抵抗値は膜厚に逆比例するので前記
共通グランドラインの抵抗値は前記第１の導電層のみの
場合と比較してＶ４〜Ｖ５程度となる、よって発熱量は
Ｖ４〜４程度に低減できる。又、前記した様に共通グラ
ンドラインの抵抗値がイル几程度になることから信号電
流の他のトラックへの分流値も低減でき、クロストーク
の問題も解決できる。
以上の製造工程では第１及び第２の導電層をメッキ法に
より形成したが、スパッタ法等、他の方法によって（沙
可能である。
より形成したが、スパッタ法等、他の方法によって（沙
可能である。
以り説明した本発明によれば、薄膜ヘッドにおける共通
グランドラインでの発熱の低減及びクロストークの問題
の解消を得ることができ、記録効率の良い薄膜ヘッドと
なる。
グランドラインでの発熱の低減及びクロストークの問題
の解消を得ることができ、記録効率の良い薄膜ヘッドと
なる。
Ａ −Ω簡単な説明
第１図、第２図及び第３図は本発明に係る薄膜磁気ヘッ
ドの製造工程の一実施例を説明するものであり、第１図
（ａ）は平面図、第１図（ｂ）はＡ−Ａ′線で切断した
状態での斜視図、第２図（ａ）は平面図、第２図（ｂ）
はＢ−Ｂ’線で切断［７た状態での斜視図、第３図（ａ
）は平面図、第３図（ｂ）はｃ” −ｃ′ 線で切断
した状態での側面断面図、第３（ｃ）ばＩＩＤ’ 線で
切断した状態での側面断面図を示す。
ドの製造工程の一実施例を説明するものであり、第１図
（ａ）は平面図、第１図（ｂ）はＡ−Ａ′線で切断した
状態での斜視図、第２図（ａ）は平面図、第２図（ｂ）
はＢ−Ｂ’線で切断［７た状態での斜視図、第３図（ａ
）は平面図、第３図（ｂ）はｃ” −ｃ′ 線で切断
した状態での側面断面図、第３（ｃ）ばＩＩＤ’ 線で
切断した状態での側面断面図を示す。
図中、１：強磁性体基板 ２：・第１の絶縁轡３：
導電＠ ４：第１の導電１５：第２の絶縁＠
６：導電層 ７：第２の導電＠ ８：第３の絶縁脣９：強磁性体
響 １０：窓 代理人 弁理士 福 士 愛 彦
導電＠ ４：第１の導電１５：第２の絶縁＠
６：導電層 ７：第２の導電＠ ８：第３の絶縁脣９：強磁性体
響 １０：窓 代理人 弁理士 福 士 愛 彦
Claims (1)
- １、巻線を構成する第１の導電層と、巻線のリードを構
成する第２の導電＠と、前記第１の導電層と前記第２の
導電層とを積層したグランドラインとを備えたことを特
徴とする薄膜磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16515281A JPS5868212A (ja) | 1981-10-15 | 1981-10-15 | 薄膜磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16515281A JPS5868212A (ja) | 1981-10-15 | 1981-10-15 | 薄膜磁気ヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5868212A true JPS5868212A (ja) | 1983-04-23 |
Family
ID=15806858
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16515281A Pending JPS5868212A (ja) | 1981-10-15 | 1981-10-15 | 薄膜磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5868212A (ja) |
-
1981
- 1981-10-15 JP JP16515281A patent/JPS5868212A/ja active Pending
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